JP2000150432A - 半導体ウエハ加工用粘着シート - Google Patents
半導体ウエハ加工用粘着シートInfo
- Publication number
- JP2000150432A JP2000150432A JP10316059A JP31605998A JP2000150432A JP 2000150432 A JP2000150432 A JP 2000150432A JP 10316059 A JP10316059 A JP 10316059A JP 31605998 A JP31605998 A JP 31605998A JP 2000150432 A JP2000150432 A JP 2000150432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensitive adhesive
- wafer
- adhesive sheet
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
- C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2475/00—Presence of polyurethane
- C09J2475/006—Presence of polyurethane in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜ウエハや大口径ウエハの裏面研削時に、
ウエハを湾曲させずに極薄にまで研削可能な半導体ウエ
ハ加工用粘着シートを提供すること。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、基材と、その上に形成された粘着剤層とからな
り、該粘着シートの引張試験において、１０％伸張時の
応力緩和率が、1分後で、４０％以上であることを特徴
としている。
ウエハを湾曲させずに極薄にまで研削可能な半導体ウエ
ハ加工用粘着シートを提供すること。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、基材と、その上に形成された粘着剤層とからな
り、該粘着シートの引張試験において、１０％伸張時の
応力緩和率が、1分後で、４０％以上であることを特徴
としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ加工
用粘着シートに関し、特に、半導体ウエハを極薄にまで
研削する際に好適に使用される半導体ウエハ加工用粘着
シートに関する。
用粘着シートに関し、特に、半導体ウエハを極薄にまで
研削する際に好適に使用される半導体ウエハ加工用粘着
シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードの普及が進み、さらな
る薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５
０μm程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００
μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
また、生産性を向上するためウエハの大口径化が検討さ
れてきた。
る薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５
０μm程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００
μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
また、生産性を向上するためウエハの大口径化が検討さ
れてきた。
【０００３】回路パターン形成後にウエハ裏面を研削す
ることは従来より行われており、その際、回路面に粘着
シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を
行い、裏面研削を行っている。従来、この用途には、軟
質基材上に粘着剤が塗工されてなる粘着シートが用いら
れていた。しかし、軟質基材を用いた粘着シートでは、
貼付時にかける張力が残留応力として蓄積してしまう。
ウエハが大口径の場合や極薄に研削すると、ウエハの強
度よりも粘着シートの残留応力が勝り、この残留応力を
解消しようとする力によってウエハに反りが発生してし
まっていた。また研削後にはウエハが脆いため、軟質基
材では搬送時にウエハが破損してしまうことがあった。
ることは従来より行われており、その際、回路面に粘着
シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を
行い、裏面研削を行っている。従来、この用途には、軟
質基材上に粘着剤が塗工されてなる粘着シートが用いら
れていた。しかし、軟質基材を用いた粘着シートでは、
貼付時にかける張力が残留応力として蓄積してしまう。
ウエハが大口径の場合や極薄に研削すると、ウエハの強
度よりも粘着シートの残留応力が勝り、この残留応力を
解消しようとする力によってウエハに反りが発生してし
まっていた。また研削後にはウエハが脆いため、軟質基
材では搬送時にウエハが破損してしまうことがあった。
【０００４】このため、薄膜ウエハや大口径ウエハの保
護用粘着シートの基材として、硬質基材の使用が検討さ
れている。しかし、硬質基材を用いた粘着シートを剥離
しようとすると、基材の剛性のため、剥離時に加えられ
る力がウエハにまで伝わり、脆くなっているウエハを破
損する虞がある。このような問題を解消するため、硬質
基材を用いた粘着シートの剥離を容易にすべく、粘着剤
としてエネルギー線硬化型粘着剤を用いることが検討さ
れた。しかし、エネルギー線硬化型粘着剤を用いても、
剥離力は完全には消失しないので、なおウエハを破損す
る虞がある。
護用粘着シートの基材として、硬質基材の使用が検討さ
れている。しかし、硬質基材を用いた粘着シートを剥離
しようとすると、基材の剛性のため、剥離時に加えられ
る力がウエハにまで伝わり、脆くなっているウエハを破
損する虞がある。このような問題を解消するため、硬質
基材を用いた粘着シートの剥離を容易にすべく、粘着剤
としてエネルギー線硬化型粘着剤を用いることが検討さ
れた。しかし、エネルギー線硬化型粘着剤を用いても、
剥離力は完全には消失しないので、なおウエハを破損す
る虞がある。
【０００５】また、硬質基材として汎用されているポリ
エチレンテレフタレートフィルムは、一般に熱により収
縮する。近年のウエハの裏面研削においては、グライン
ダーによる機械的な研削を行った後に、エッチング等の
化学研削が行われることが多い。化学研削の際にはウエ
ハは反応熱により８０℃前後にまで昇温するおそれがあ
るが、上記のような熱収縮性の基材では、粘着シートの
収縮が起こり、これに伴いウエハが湾曲することもあ
る。
エチレンテレフタレートフィルムは、一般に熱により収
縮する。近年のウエハの裏面研削においては、グライン
ダーによる機械的な研削を行った後に、エッチング等の
化学研削が行われることが多い。化学研削の際にはウエ
ハは反応熱により８０℃前後にまで昇温するおそれがあ
るが、上記のような熱収縮性の基材では、粘着シートの
収縮が起こり、これに伴いウエハが湾曲することもあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、薄膜ウエハ
や大口径ウエハの裏面研削時に、ウエハを湾曲させずに
極薄にまで研削可能な半導体ウエハ加工用粘着シートを
提供することを目的としている。
な従来技術に鑑みてなされたものであって、薄膜ウエハ
や大口径ウエハの裏面研削時に、ウエハを湾曲させずに
極薄にまで研削可能な半導体ウエハ加工用粘着シートを
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハ加工用粘着シートは、基材と、その上に形成された粘
着剤層とからなり、該粘着シートの引張試験において、
１０％伸張時の応力緩和率が、1分後で、４０％以上で
あることを特徴としている。
ハ加工用粘着シートは、基材と、その上に形成された粘
着剤層とからなり、該粘着シートの引張試験において、
１０％伸張時の応力緩和率が、1分後で、４０％以上で
あることを特徴としている。
【０００８】また該粘着シートのヤング率は3.0×107〜
5.0×109Paであることが好ましい。さらに、前記基材の
ヤング率×厚さは1.0×103〜1.0×107N/mであることが
好ましく、また前記粘着剤層を構成する粘着剤の２３℃
における弾性率は5.0×104〜1.0×108Paであることが好
ましい。
5.0×109Paであることが好ましい。さらに、前記基材の
ヤング率×厚さは1.0×103〜1.0×107N/mであることが
好ましく、また前記粘着剤層を構成する粘着剤の２３℃
における弾性率は5.0×104〜1.0×108Paであることが好
ましい。
【０００９】このような本発明の半導体ウエハ加工用粘
着シートによれば、特に半導体ウエハの裏面を、ウエハ
を湾曲させずに極薄にまで研削できる。
着シートによれば、特に半導体ウエハの裏面を、ウエハ
を湾曲させずに極薄にまで研削できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに具体
的に説明する。本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、基材とその上に形成された粘着剤層とからな
る。
的に説明する。本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、基材とその上に形成された粘着剤層とからな
る。
【００１１】そして、本発明の粘着シートは、応力緩和
性に優れ、具体的には引張試験における１０％伸張時の
応力緩和率が、1分後で、４０％以上、好ましくは５０
％以上、さらに好ましくは６０％以上である。応力緩和
率は高いほど好ましく、その上限は、理論的には１００
％であり、場合によっては９９．９％、９９％あるいは
９５％であってもよい。
性に優れ、具体的には引張試験における１０％伸張時の
応力緩和率が、1分後で、４０％以上、好ましくは５０
％以上、さらに好ましくは６０％以上である。応力緩和
率は高いほど好ましく、その上限は、理論的には１００
％であり、場合によっては９９．９％、９９％あるいは
９５％であってもよい。
【００１２】本発明の粘着シートは応力緩和性に優れる
ため、被着体に貼付後速やかに残留応力が減衰する。し
たがって、粘着シートを貼付後、極薄にまで研削され脆
くなったウエハであっても、粘着シートの残留応力が極
めて小さいので、湾曲させずに保持できる。
ため、被着体に貼付後速やかに残留応力が減衰する。し
たがって、粘着シートを貼付後、極薄にまで研削され脆
くなったウエハであっても、粘着シートの残留応力が極
めて小さいので、湾曲させずに保持できる。
【００１３】なお上記応力緩和率は、以下のように測定
される。すなわち、所定長さの粘着シートサンプルを、
速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力Ａと、
伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ×１０
０（％）により算出する。
される。すなわち、所定長さの粘着シートサンプルを、
速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力Ａと、
伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ×１０
０（％）により算出する。
【００１４】また本発明の粘着シートのヤング率（ＪＩ
Ｓ Ｋ−７１２７準拠）は、好ましくは3.0×107〜5.0
×109Pa、さらに好ましくは5.0×107〜1.0×109Paであ
り、特に好ましく6.0×107〜8.0×108Paの範囲にある。
Ｓ Ｋ−７１２７準拠）は、好ましくは3.0×107〜5.0
×109Pa、さらに好ましくは5.0×107〜1.0×109Paであ
り、特に好ましく6.0×107〜8.0×108Paの範囲にある。
【００１５】ヤング率がこの範囲であれば、ウエハに貼
付した後にウエハ形状への切断する工程がスムーズに行
える。なお、後述するように本発明においては粘着剤層
をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合があるが、
この場合に、上記応力緩和率およびヤング率は、粘着剤
層のエネルギー線硬化を行う前の値を意味する。
付した後にウエハ形状への切断する工程がスムーズに行
える。なお、後述するように本発明においては粘着剤層
をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合があるが、
この場合に、上記応力緩和率およびヤング率は、粘着剤
層のエネルギー線硬化を行う前の値を意味する。
【００１６】さらに、本発明の粘着シートの基材におい
ては、そのヤング率と厚さとの積が、好ましくは1.0×1
03〜1.0×107N/m、さらに好ましくは3.0×103〜5.0×10
6N/m、特に好ましくは5.0×103〜3.5×106N/mの範囲に
ある。
ては、そのヤング率と厚さとの積が、好ましくは1.0×1
03〜1.0×107N/m、さらに好ましくは3.0×103〜5.0×10
6N/m、特に好ましくは5.0×103〜3.5×106N/mの範囲に
ある。
【００１７】また、基材の厚みは、好ましくは３０〜１
０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、特に
好ましくは８０〜５００μｍである。基材は、樹脂フィ
ルムからなり、上記の物性を満たすかぎり、特に限定さ
れず、樹脂そのものが上記の物性を示すものであって
も、他の添加剤を加えることにより、上記物性となるも
のであっても良い。また、基材１は硬化性樹脂を製膜、
硬化したものであっても、熱可塑性樹脂を製膜したもの
であっても良い。
０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、特に
好ましくは８０〜５００μｍである。基材は、樹脂フィ
ルムからなり、上記の物性を満たすかぎり、特に限定さ
れず、樹脂そのものが上記の物性を示すものであって
も、他の添加剤を加えることにより、上記物性となるも
のであっても良い。また、基材１は硬化性樹脂を製膜、
硬化したものであっても、熱可塑性樹脂を製膜したもの
であっても良い。
【００１８】硬化性樹脂としては、光硬化型樹脂、熱硬
化型樹脂等が用いられ、好ましくは光硬化型樹脂が用い
られる。光硬化型樹脂としては、たとえば、光重合性の
ウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組
成物が好ましく用いられる。
化型樹脂等が用いられ、好ましくは光硬化型樹脂が用い
られる。光硬化型樹脂としては、たとえば、光重合性の
ウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組
成物が好ましく用いられる。
【００１９】ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポ
リエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化
合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−ト
リレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシア
ナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４
−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，
４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イ
ソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基
を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば
２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアク
リレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポ
リエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリ
コールメタクリレートなどを反応させて得られる。この
ようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内に
光重合性の二重結合を有し、光照射により重合硬化し、
被膜を形成する。
リエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化
合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−ト
リレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシア
ナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４
−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，
４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イ
ソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基
を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば
２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアク
リレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポ
リエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリ
コールメタクリレートなどを反応させて得られる。この
ようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内に
光重合性の二重結合を有し、光照射により重合硬化し、
被膜を形成する。
【００２０】本発明で好ましく用いられるウレタンアク
リレート系オリゴマーの分子量は、１０００〜５０００
０、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にあ
る。上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単
独で、または二種以上を組み合わせて用いることができ
る。
リレート系オリゴマーの分子量は、１０００〜５０００
０、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にあ
る。上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単
独で、または二種以上を組み合わせて用いることができ
る。
【００２１】上記のようなウレタンアクリレート系オリ
ゴマーのみでは、成膜が困難な場合が多いため、通常
は、光重合性のモノマーで稀釈して成膜した後、これを
硬化してフィルムを得る。光重合性モノマーは、分子内
に光重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的
嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好ましく
用いられる。
ゴマーのみでは、成膜が困難な場合が多いため、通常
は、光重合性のモノマーで稀釈して成膜した後、これを
硬化してフィルムを得る。光重合性モノマーは、分子内
に光重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的
嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好ましく
用いられる。
【００２２】このようなウレタンアクリレート系オリゴ
マーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの
具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、
ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペ
ンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオ
キシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）ア
クリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの
脂環式化合物、フェニルヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ベンジルアクリレートなどの芳香族化合物、もしく
はテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モル
ホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−
ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられ
る。また必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用
いてもよい。
マーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの
具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、
ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペ
ンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオ
キシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）ア
クリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの
脂環式化合物、フェニルヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ベンジルアクリレートなどの芳香族化合物、もしく
はテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モル
ホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−
ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられ
る。また必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用
いてもよい。
【００２３】上記光重合性モノマーは、ウレタンアクリ
レート系オリゴマー１００重量部に対して、好ましくは
５〜９００重量部、さらに好ましくは１０〜５００重量
部、特に好ましくは３０〜２００重量部の割合で用いら
れる。
レート系オリゴマー１００重量部に対して、好ましくは
５〜９００重量部、さらに好ましくは１０〜５００重量
部、特に好ましくは３０〜２００重量部の割合で用いら
れる。
【００２４】基材を、上記の光硬化型樹脂から形成する
場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することによ
り、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少な
くすることができる。
場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することによ
り、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少な
くすることができる。
【００２５】このような光重合開始剤としては、ベンゾ
イン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィ
ンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサント
ン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミン
やキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示でき
る。
イン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィ
ンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサント
ン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミン
やキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示でき
る。
【００２６】光重合開始剤の使用量は、樹脂の合計１０
０重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、
さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは
０．５〜５重量部である。
０重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、
さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは
０．５〜５重量部である。
【００２７】上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーま
たはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの
配合より選択することができる。また、上述の樹脂中
に、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラ
ー、鉄、鉛等の金属フィラー、顔料や染料等の着色剤等
の添加物が含有されていてもよい。
たはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの
配合より選択することができる。また、上述の樹脂中
に、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラ
ー、鉄、鉛等の金属フィラー、顔料や染料等の着色剤等
の添加物が含有されていてもよい。
【００２８】基材の成膜方法としては、液状の樹脂（硬
化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、たとえば工程シート上
に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段により
フィルム化する方法が挙げられる。このような製法によ
れば、成膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュ
アイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み
精度は、通常２％以内になる。
化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、たとえば工程シート上
に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段により
フィルム化する方法が挙げられる。このような製法によ
れば、成膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュ
アイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み
精度は、通常２％以内になる。
【００２９】別の成膜方法として、Ｔダイやインフレー
ション法による押出成形やカレンダー法により製造する
ことが好ましい。基材の上面、すなわち粘着剤層が設け
られる側の面には粘着剤との密着性を向上するために、
コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けても
よい。
ション法による押出成形やカレンダー法により製造する
ことが好ましい。基材の上面、すなわち粘着剤層が設け
られる側の面には粘着剤との密着性を向上するために、
コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けても
よい。
【００３０】本発明に係る粘着シートは、上記のような
基材上に粘着剤層を設けることで製造される。なお、粘
着剤層を紫外線硬化型粘着剤により構成する場合には、
基材として透明基材を用いる。
基材上に粘着剤層を設けることで製造される。なお、粘
着剤層を紫外線硬化型粘着剤により構成する場合には、
基材として透明基材を用いる。
【００３１】本発明において、前記粘着剤層を構成する
粘着剤の２３℃における弾性率は、好ましくは5.0×104
〜1.0×108Pa、さらに好ましくは7.0×104〜8.0×107P
a、特に好ましくは8.0×104〜5.0×107Paの範囲にあ
る。なお、粘着剤層２を、後述するエネルギー線硬化型
粘着剤で形成した場合には、上記弾性率は、エネルギー
線硬化を行う前の弾性率を意味する。
粘着剤の２３℃における弾性率は、好ましくは5.0×104
〜1.0×108Pa、さらに好ましくは7.0×104〜8.0×107P
a、特に好ましくは8.0×104〜5.0×107Paの範囲にあ
る。なお、粘着剤層２を、後述するエネルギー線硬化型
粘着剤で形成した場合には、上記弾性率は、エネルギー
線硬化を行う前の弾性率を意味する。
【００３２】粘着剤層の厚さは、その材質にもよるが、
通常は３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５
０μｍ程度である。粘着剤層は、従来より公知の種々の
感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤と
しては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム
系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等
の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加
熱発泡型、親水性の粘着剤も用いることができる。特に
本発明においてはエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく
用いられる。
通常は３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５
０μｍ程度である。粘着剤層は、従来より公知の種々の
感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤と
しては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム
系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等
の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加
熱発泡型、親水性の粘着剤も用いることができる。特に
本発明においてはエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく
用いられる。
【００３３】エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的に
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用い
られるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特
開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２
３１３９号公報に開示されているような光照射によって
三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用
いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアク
リレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレ
ングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いら
れる。
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用い
られるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特
開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２
３１３９号公報に開示されているような光照射によって
三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用
いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアク
リレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレ
ングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いら
れる。
【００３４】さらにエネルギー線重合性化合物として、
上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレ
タンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型また
はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソ
シアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシア
ナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−
キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナ
ートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレ
タンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレ
ートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ートなどを反応させて得られる。
上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレ
タンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型また
はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソ
シアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシア
ナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−
キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナ
ートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレ
タンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレ
ートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ートなどを反応させて得られる。
【００３５】エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー
線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏
面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化型粘着
剤層との界面での剥離が容易になる。
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー
線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏
面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化型粘着
剤層との界面での剥離が容易になる。
【００３６】また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖
にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共
重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギ
ー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性と
を兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性
基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、
特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号
公報等にその詳細が記載されている。
にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共
重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギ
ー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性と
を兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性
基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、
特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号
公報等にその詳細が記載されている。
【００３７】上記のようなアクリル系エネルギー線硬化
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充
分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著
しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、粘
着シートとウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護
を可能にし、エネルギー線照射後には、研削されたウエ
ハから容易に剥離することができる。
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充
分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著
しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、粘
着シートとウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護
を可能にし、エネルギー線照射後には、研削されたウエ
ハから容易に剥離することができる。
【００３８】また親水性粘着剤としては、例えば特願平
９−３０１７２号に記載の粘着剤が使用できる。このよ
うな粘着剤組成物は、カルボキシル基含有モノマーと、
該モノマーと共重合可能な他のモノマーからなる共重合
体と、中和剤及び架橋剤からなる。
９−３０１７２号に記載の粘着剤が使用できる。このよ
うな粘着剤組成物は、カルボキシル基含有モノマーと、
該モノマーと共重合可能な他のモノマーからなる共重合
体と、中和剤及び架橋剤からなる。
【００３９】カルボキシル基含有モノマーとしては、ア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マ
レイン酸、フマル酸などが用いられる。また、該モノマ
ーと共重合可能な他のモノマーとしては、2-メトキシエ
チル（メタ）アクリレート、2-エトキシエチル（メタ）
アクリレート、3-メトキシブチル（メタ）アクリレー
ト、2-ブトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアル
コキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルやアルキル基
の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸エステル
が用いられる。
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マ
レイン酸、フマル酸などが用いられる。また、該モノマ
ーと共重合可能な他のモノマーとしては、2-メトキシエ
チル（メタ）アクリレート、2-エトキシエチル（メタ）
アクリレート、3-メトキシブチル（メタ）アクリレー
ト、2-ブトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアル
コキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルやアルキル基
の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸エステル
が用いられる。
【００４０】中和剤は前記共重合体中のカルボキシル基
の一部または全部を中和して、粘着剤組成物に親水性を
付与するために用いられる。このような中和剤として
は、モノエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエチ
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、ト
リエタノールアミン、N,N,N'-トリメチルエチレンジア
ミンなどの有機アミノ化合物が用いられる。
の一部または全部を中和して、粘着剤組成物に親水性を
付与するために用いられる。このような中和剤として
は、モノエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエチ
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、ト
リエタノールアミン、N,N,N'-トリメチルエチレンジア
ミンなどの有機アミノ化合物が用いられる。
【００４１】架橋剤は、前記共重合体を部分架橋するた
めに用いられる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架
橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、
キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられ
る。
めに用いられる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架
橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、
キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられ
る。
【００４２】上記のような親水性粘着剤は、粘着シート
の剥離する際の糊残りが極めて少ないうえ、粘着ポリマ
ー自体に親水性を付与しているため、水洗浄性に優れ、
ウエハに粘着剤が付着したとしても、純水のみの洗浄が
可能となる。
の剥離する際の糊残りが極めて少ないうえ、粘着ポリマ
ー自体に親水性を付与しているため、水洗浄性に優れ、
ウエハに粘着剤が付着したとしても、純水のみの洗浄が
可能となる。
【００４３】本発明の粘着シートは、上記粘着剤をナイ
フコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイ
コーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にし
たがって基材上に適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着
剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離型シー
トを貼り合わせることによって得られる。
フコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイ
コーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にし
たがって基材上に適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着
剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離型シー
トを貼り合わせることによって得られる。
【００４４】このような本発明に係る粘着シートは、各
種被着体の表面保護に用いられ、たとえば極薄半導体ウ
エハの保管、移送あるいは加工時における表面保護シー
トとして好適であり、特にウエハ裏面を極薄にまで研磨
する際に、回路面を保護するための保護用粘着シートと
して有用である。
種被着体の表面保護に用いられ、たとえば極薄半導体ウ
エハの保管、移送あるいは加工時における表面保護シー
トとして好適であり、特にウエハ裏面を極薄にまで研磨
する際に、回路面を保護するための保護用粘着シートと
して有用である。
【００４５】本発明の粘着シートを用いた半導体ウエハ
の裏面研削工程においては、まず、粘着シートの粘着剤
層をウエハ表面を貼付する。ウエハ表面には、回路パタ
ーンが形成されている。この貼付工程は、ラミネーター
と呼ばれる装置を用いて極力張力をかけないように行わ
れるが、完全に張力をかけずに貼付を行うことは実質的
に不可能である。したがって、通常の粘着シートではこ
の際の張力が粘着シート中に残留応力として蓄積する
が、本発明の粘着シートにおいては、応力緩和により内
部応力が減衰する。
の裏面研削工程においては、まず、粘着シートの粘着剤
層をウエハ表面を貼付する。ウエハ表面には、回路パタ
ーンが形成されている。この貼付工程は、ラミネーター
と呼ばれる装置を用いて極力張力をかけないように行わ
れるが、完全に張力をかけずに貼付を行うことは実質的
に不可能である。したがって、通常の粘着シートではこ
の際の張力が粘着シート中に残留応力として蓄積する
が、本発明の粘着シートにおいては、応力緩和により内
部応力が減衰する。
【００４６】次いで、ウエハの裏面をグラインダー等に
より、所定の厚さになるまで研削し、必要に応じエッチ
ング等による化学研削を行う。この際、これらウエハ
は、粘着シートにより固定されるとともに、粘着剤層に
接している側のウエハ面では表面保護も同時に行われる
ことになる。
より、所定の厚さになるまで研削し、必要に応じエッチ
ング等による化学研削を行う。この際、これらウエハ
は、粘着シートにより固定されるとともに、粘着剤層に
接している側のウエハ面では表面保護も同時に行われる
ことになる。
【００４７】このような研削によりウエハは、例えば厚
み５０μｍ〜２００μmにまで研削される。上記のよう
に、通常の粘着シートでは貼付時の張力が粘着シート中
に残留応力として蓄積され、極薄ウエハを湾曲させる原
因となるが、本発明の粘着シートにおいては、応力緩和
により内部応力が減衰するため、ウエハを極薄にまで研
削してもウエハが湾曲することはない。
み５０μｍ〜２００μmにまで研削される。上記のよう
に、通常の粘着シートでは貼付時の張力が粘着シート中
に残留応力として蓄積され、極薄ウエハを湾曲させる原
因となるが、本発明の粘着シートにおいては、応力緩和
により内部応力が減衰するため、ウエハを極薄にまで研
削してもウエハが湾曲することはない。
【００４８】次いで、粘着剤層をエネルギー線硬化型粘
着剤で形成した場合には、粘着シートの裏面（基材の
側）からエネルギー線を照射して、粘着剤層の接着力を
低下させて、粘着シートを、ウエハから剥離する。
着剤で形成した場合には、粘着シートの裏面（基材の
側）からエネルギー線を照射して、粘着剤層の接着力を
低下させて、粘着シートを、ウエハから剥離する。
【００４９】さらに、本発明に係る半導体ウエハ加工用
粘着シートは、上記したような裏面研削時の表面保護だ
けでなく、Siウエハの鏡面研磨時の保護用としても使用
でき、さらに半導体ウエハ加工における各種の工程に使
用することができる。
粘着シートは、上記したような裏面研削時の表面保護だ
けでなく、Siウエハの鏡面研磨時の保護用としても使用
でき、さらに半導体ウエハ加工における各種の工程に使
用することができる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
半導体ウエハ加工用粘着シートによれば、半導体ウエ
ハ、特に大口径ウエハの裏面を、ウエハを湾曲させずに
極薄にまで研削できる。
半導体ウエハ加工用粘着シートによれば、半導体ウエ
ハ、特に大口径ウエハの裏面を、ウエハを湾曲させずに
極薄にまで研削できる。
【００５１】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５２】なお、以下において「ヤング率」、「弾性
率」、「応力緩和率」および「ウエハの反り」は次の方
法で測定される値を示す。 「ヤング率」試験速度２００mm／分でＪＩＳ Ｋ−７１
２７ に準拠して測定した。 「弾性率」Ｇ’（捻り剪断法） 試験片：８mmφ×３mmの円柱 測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II (REOMETRIC社製) 周波数：１Hz 「応力緩和率」実施例および比較例で作成した粘着シー
トを幅１５mm、長さ１００mmに切り出し試験片を得る。
この試験片を、オリエンテック社製TENSILON RTA-100を
用いて速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力
Ａと、伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ
×１００（％）により算出する。 「ウエハの反り」実施例および比較例で作成した粘着シ
ートをSiウエハ（200mmφ、厚み750μm）に、テープマ
ウンター（リンテック社製Adwill RAD-3500）を用いて
貼付した。その後、ディスコ社製、DFD-840を用いてSi
ウエハの厚みが150μmとなるように研削した。研削後、
粘着シートを除去せずに、ウエハをJIS B 7513に準拠し
た平面度１級の精密検査用の定盤上にテープ面を上にし
て乗せる。
率」、「応力緩和率」および「ウエハの反り」は次の方
法で測定される値を示す。 「ヤング率」試験速度２００mm／分でＪＩＳ Ｋ−７１
２７ に準拠して測定した。 「弾性率」Ｇ’（捻り剪断法） 試験片：８mmφ×３mmの円柱 測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II (REOMETRIC社製) 周波数：１Hz 「応力緩和率」実施例および比較例で作成した粘着シー
トを幅１５mm、長さ１００mmに切り出し試験片を得る。
この試験片を、オリエンテック社製TENSILON RTA-100を
用いて速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力
Ａと、伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ
×１００（％）により算出する。 「ウエハの反り」実施例および比較例で作成した粘着シ
ートをSiウエハ（200mmφ、厚み750μm）に、テープマ
ウンター（リンテック社製Adwill RAD-3500）を用いて
貼付した。その後、ディスコ社製、DFD-840を用いてSi
ウエハの厚みが150μmとなるように研削した。研削後、
粘着シートを除去せずに、ウエハをJIS B 7513に準拠し
た平面度１級の精密検査用の定盤上にテープ面を上にし
て乗せる。
【００５３】測定は定盤をゼロ地点とし、17カ所の測定
ポイントを求めた。反り量は、最大値と最小値の差とし
た。また上記と同様の研削後、８０℃の温水に１０分間
浸漬した後に、粘着シートを除去せずに、上記と同様に
ウエハの反り量を求めた。
ポイントを求めた。反り量は、最大値と最小値の差とし
た。また上記と同様の研削後、８０℃の温水に１０分間
浸漬した後に、粘着シートを除去せずに、上記と同様に
ウエハの反り量を求めた。
【００５４】
【実施例１】重量平均分子量５０００のウレタンアクリ
レート系オリゴマー（荒川化学社製）５０重量部と、イ
ソボルニルアクリレート２５重量部と、フェニルヒドロ
キシプロピルアクリレート２５重量部と、光重合開始剤
（イルガキュア１８４、チバ・ガイギー社製）２．０重
量部と、フタロシアニン系顔料０．２重量部とを配合し
て光硬化型樹脂組成物を得た。
レート系オリゴマー（荒川化学社製）５０重量部と、イ
ソボルニルアクリレート２５重量部と、フェニルヒドロ
キシプロピルアクリレート２５重量部と、光重合開始剤
（イルガキュア１８４、チバ・ガイギー社製）２．０重
量部と、フタロシアニン系顔料０．２重量部とを配合し
て光硬化型樹脂組成物を得た。
【００５５】得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ
方式により、キャスト用工程シートであるＰＥＴフィル
ム（東レ社製：厚み３８μｍ）の上に厚みが１１０μｍ
となるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直
後に、樹脂組成物層の上にさらに同じＰＥＴフィルムを
ラミネートし、その後、高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／c
m、高さ１０cm）を用いて、光量２５０ｍＪ／cm2 の条
件で紫外線照射を行うことにより樹脂組成物層を架橋・
硬化させた後、両面のＰＥＴフィルムを剥離して厚さ１
１０μｍの基材フィルムを得た。この基材フィルムのヤ
ング率を前記の方法で測定した。結果を表１に示す。
方式により、キャスト用工程シートであるＰＥＴフィル
ム（東レ社製：厚み３８μｍ）の上に厚みが１１０μｍ
となるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直
後に、樹脂組成物層の上にさらに同じＰＥＴフィルムを
ラミネートし、その後、高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／c
m、高さ１０cm）を用いて、光量２５０ｍＪ／cm2 の条
件で紫外線照射を行うことにより樹脂組成物層を架橋・
硬化させた後、両面のＰＥＴフィルムを剥離して厚さ１
１０μｍの基材フィルムを得た。この基材フィルムのヤ
ング率を前記の方法で測定した。結果を表１に示す。
【００５６】この基材フィルムの片面に、アクリル系粘
着剤（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合
体）１００重量部と、分子量８０００のウレタンアクリ
レート系オリゴマー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシ
アナート系）１０重量部と、光重合開始剤（ベンゾフェ
ノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥
し、厚さ２０μｍの粘着剤層を形成し、粘着シートを得
た。粘着剤層の弾性率は1.5×105Ｐａであった。
着剤（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合
体）１００重量部と、分子量８０００のウレタンアクリ
レート系オリゴマー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシ
アナート系）１０重量部と、光重合開始剤（ベンゾフェ
ノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥
し、厚さ２０μｍの粘着剤層を形成し、粘着シートを得
た。粘着剤層の弾性率は1.5×105Ｐａであった。
【００５７】得られた粘着シートの応力緩和率およびヤ
ング率を上記のようにして測定した。結果を表１に示
す。また、得られた粘着シートを用いて、裏面研磨適性
試験を行った。結果を表１に示す。
ング率を上記のようにして測定した。結果を表１に示
す。また、得られた粘着シートを用いて、裏面研磨適性
試験を行った。結果を表１に示す。
【００５８】
【実施例２】フェニルヒドロキシプロピルアクリレート
に代えて、N-ビニルカプロラクタムを用いた以外は、実
施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
に代えて、N-ビニルカプロラクタムを用いた以外は、実
施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００５９】
【実施例３】フェニルヒドロキシプロピルアクリレート
を用いずに、イソボルニルアクリレート５０重量部用い
た以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１
に示す。
を用いずに、イソボルニルアクリレート５０重量部用い
た以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１
に示す。
【００６０】
【実施例４】2-メトキシエチルアクリレート９１重量部
およびアクリル酸９重量部のアクリル共重合体１００重
量部に対し、中和剤として4.75重量部（カルボキシル基
１モルに対して0.2モル）のトリエタノールアミンを配
合して、次いで架橋剤として1.5重量部（カルボキシル
基１モルに対して0.03モル）のエポキシ系架橋剤（テト
ラッドＣ、三菱ガス化学（株）製）を加え、充分に撹拌
し、親水性粘着剤を得た。
およびアクリル酸９重量部のアクリル共重合体１００重
量部に対し、中和剤として4.75重量部（カルボキシル基
１モルに対して0.2モル）のトリエタノールアミンを配
合して、次いで架橋剤として1.5重量部（カルボキシル
基１モルに対して0.03モル）のエポキシ系架橋剤（テト
ラッドＣ、三菱ガス化学（株）製）を加え、充分に撹拌
し、親水性粘着剤を得た。
【００６１】実施例１のアクリル系粘着剤に代えて、上
記親水性粘着剤を用いた以外は実施例と同様の操作を行
った。結果を表１に示す。
記親水性粘着剤を用いた以外は実施例と同様の操作を行
った。結果を表１に示す。
【００６２】
【比較例１】スチレン−ビニルイソプレンブロック共重
合体（クラレ社製ハイブラーＶＳ−１）のトルエン６０
％溶液を、実施例１と同様の支持フィルム上にキャステ
ィングして、ラミネート、紫外線照射を行わずに、１０
０℃、２分間乾燥して、表１に示すヤング率を有する厚
さ３００μｍの基材フィルムを得た。
合体（クラレ社製ハイブラーＶＳ−１）のトルエン６０
％溶液を、実施例１と同様の支持フィルム上にキャステ
ィングして、ラミネート、紫外線照射を行わずに、１０
０℃、２分間乾燥して、表１に示すヤング率を有する厚
さ３００μｍの基材フィルムを得た。
【００６３】この基材フィルムを用いて実施例１と同様
にして粘着シートを作製した。結果を表１に示す。
にして粘着シートを作製した。結果を表１に示す。
【００６４】
【比較例２】実施例１の光硬化型樹脂組成物に代えて、
ポリエン・チオール系樹脂（旭電化工業社製ＢＹ−３１
４）を、実施例１に準じて成膜・硬化して、厚さ２５０
μｍの基材フィルムを得た。得られた基材フィルムを用
いて実施例１と同様にして粘着シートを作製した。結果
を表１に示す。
ポリエン・チオール系樹脂（旭電化工業社製ＢＹ−３１
４）を、実施例１に準じて成膜・硬化して、厚さ２５０
μｍの基材フィルムを得た。得られた基材フィルムを用
いて実施例１と同様にして粘着シートを作製した。結果
を表１に示す。
【００６５】
【比較例３】基材フィルムとして、厚さ１１０μｍの低
密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０
５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。
結果を表１に示す。
密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０
５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。
結果を表１に示す。
【００６６】
【比較例４】基材フィルムとして、厚さ２００μｍの低
密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０
５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。
結果を表１に示す。
密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０
５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。
結果を表１に示す。
【００６７】
【比較例５】基材フィルムとして、厚さ１００μｍのエ
チレン／酢酸ビニル共重合体フィルム（酢酸ビニル含量
１２％）を用い、かつ粘着剤として実施例４と同じ水溶
性粘着剤を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を表１に示す。
チレン／酢酸ビニル共重合体フィルム（酢酸ビニル含量
１２％）を用い、かつ粘着剤として実施例４と同じ水溶
性粘着剤を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を表１に示す。
【００６８】
【比較例６】基材フィルムとして、厚さ１００μｍのポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いた以外は、実
施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
リエチレンテレフタレートフィルムを用いた以外は、実
施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA08 AA10 AA11 AA17 AB01 AB06 AC03 CA03 CA06 CC02 FA04 FA05 FA08
Claims (5)
- 【請求項１】 基材と、その上に形成された粘着剤層と
からなる半導体ウエハ加工用粘着シートであって、 該粘着シートの引張試験において、１０％伸張時の応力
緩和率が、1分後で、４０％以上であることを特徴とす
る半導体ウエハ加工用粘着シート。 - 【請求項２】 ヤング率が3.0×107〜5.0×109Paである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ加工用
粘着シート。 - 【請求項３】 基材のヤング率×厚さが1.0×103〜1.0
×107N/mであることを特徴とする請求項１または２に記
載の半導体ウエハ加工用粘着シート。 - 【請求項４】 粘着剤層を構成する粘着剤の２３℃にお
ける弾性率が5.0×104〜1.0×108Paであることを特徴と
する請求項１〜３の何れかに記載の半導体ウエハ加工用
粘着シート。 - 【請求項５】 半導体ウエハの裏面研削時に、表面保護
用シートとして用いられることを特徴とする請求項１〜
４の何れかに記載の半導体ウエハ加工用粘着シート。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31605998A JP3383227B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
| KR1019990048540A KR100824870B1 (ko) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | 반도체 웨이퍼의 이면연삭 방법 |
| CN99123694A CN1255522A (zh) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | 用于半导体晶片加工的压敏粘合片 |
| EP99308819A EP0999250B1 (en) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor wafer working |
| DE69915978T DE69915978T2 (de) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | Druckempfindlicher Klebefilm zur Verwendung in der Halbleiterwaferbearbeitung |
| TW088119305A TW429461B (en) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor wafer working |
| SG9905481A SG106569A1 (en) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor wafer working |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31605998A JP3383227B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150432A true JP2000150432A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3383227B2 JP3383227B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=18072811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31605998A Expired - Lifetime JP3383227B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0999250B1 (ja) |
| JP (1) | JP3383227B2 (ja) |
| KR (1) | KR100824870B1 (ja) |
| CN (1) | CN1255522A (ja) |
| DE (1) | DE69915978T2 (ja) |
| SG (1) | SG106569A1 (ja) |
| TW (1) | TW429461B (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020699A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Lintec Corp | 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート |
| JP2002069409A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 再剥離型粘着剤組成物 |
| JP2002141306A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Lintec Corp | ダイシングシート |
| JP2002203828A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | ウエハの裏面研削方法 |
| JP2002203827A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
| JP2002220571A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ加工用保護シート |
| JP2003129011A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Lintec Corp | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
| JP2004259713A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法 |
| JP2004331743A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Lintec Corp | 粘着シートおよびその使用方法 |
| US6879026B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-04-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film |
| EP1760132A1 (en) | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing articles |
| EP1760131A1 (en) | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing articles |
| JP2009135509A (ja) * | 2002-08-28 | 2009-06-18 | Lintec Corp | 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| JP2009141265A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Lintec Corp | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 |
| JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
| JP2010050321A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法 |
| JP2010212474A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用基材レス粘着シート、その粘着シートを用いた半導体ウエハ裏面研削方法及びその粘着シートの製造方法 |
| WO2010131685A1 (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | 日東電工株式会社 | 複合フィルムおよびその製造方法 |
| JP2011023396A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nitto Denko Corp | 表面保護シート |
| US7976952B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-07-12 | Nitto Denko Corporation | Multilayer sheet, production method thereof and pressure-sensitive adhesive sheet using the multilayer sheet |
| JP2012052037A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 粘弾性体及びその製造方法 |
| JP2013134481A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル |
| WO2013141251A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | フィルム、ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート |
| US8546958B2 (en) | 2010-09-01 | 2013-10-01 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor wafer |
| WO2015076127A1 (ja) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよび基材フィルムの製造方法 |
| JP2015185691A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法 |
| JP2017057341A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 住友ベークライト株式会社 | 仮固定用テープ |
| KR20170075712A (ko) | 2014-10-23 | 2017-07-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 표면 보호용 시트 |
| KR101766174B1 (ko) | 2014-03-24 | 2017-08-07 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4230080B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2009-02-25 | リンテック株式会社 | ウエハ貼着用粘着シート |
| US6759121B2 (en) * | 2000-07-13 | 2004-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
| JP2003147300A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | Lintec Corp | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法 |
| US7534498B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body |
| JP4565804B2 (ja) | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| JP4307825B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-08-05 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| US6921719B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-07-26 | Strasbaugh, A California Corporation | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| TWI310230B (en) * | 2003-01-22 | 2009-05-21 | Lintec Corp | Adhesive sheet, method for protecting surface of semiconductor wafer and method for processing work |
| JP2005150235A (ja) | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Three M Innovative Properties Co | 半導体表面保護シート及び方法 |
| JP4405246B2 (ja) | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
| JP2005272498A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Jsr Corp | 液状硬化性樹脂組成物 |
| DE102004058456A1 (de) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Disco Hi-Tec Europe Gmbh | Verfahren zur Formkorrektur eines mit einer Schicht und/oder einer Klebefolie versehenen, dünngeschliffenen Wafers |
| JP2008047558A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Nitto Denko Corp | 反り抑制ウエハ研削用粘着シート |
| CN101679818A (zh) | 2007-04-05 | 2010-03-24 | 艾利丹尼森公司 | 压敏收缩标签 |
| US8282754B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-10-09 | Avery Dennison Corporation | Pressure sensitive shrink label |
| US20110091676A1 (en) * | 2008-04-21 | 2011-04-21 | Lg Chem, Ltd | Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same |
| JP5313837B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2013-10-09 | 日東電工株式会社 | 再剥離性粘着シート |
| MX2012008762A (es) | 2010-01-28 | 2012-08-31 | Avery Dennison Corp | Sistema de cinta de aplicador de etiqueta. |
| DE102010028184A1 (de) * | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Tesa Se | Doppelseitig selbstklebende Produkte mit hoher optischer Qualtität |
| JP2012054432A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
| KR101861600B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2018-05-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 구성부품들을 연결하기 위해 이용되는 접착제 재료 |
| JP5951207B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2016-07-13 | リンテック株式会社 | ダイシング・ダイボンディングシート |
| CN103254815A (zh) * | 2012-02-15 | 2013-08-21 | 日东电工株式会社 | 表面保护片 |
| JP5480415B1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ加工用粘着テープ |
| JP7041475B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2022-03-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127376A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-09 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 表面保護フイルム |
| JP3348923B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2002-11-20 | リンテック株式会社 | ウェハ貼着用粘着シート |
| JP2701020B2 (ja) * | 1995-10-11 | 1998-01-21 | 関西ペイント株式会社 | 自動車塗膜保護用シート |
| JPH09221639A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 難燃性粘着フィルムおよびテープ |
| JP3177149B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2001-06-18 | リンテック株式会社 | 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法 |
| JP4256481B2 (ja) * | 1997-02-14 | 2009-04-22 | リンテック株式会社 | 粘着剤組成物およびその利用方法 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31605998A patent/JP3383227B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-04 CN CN99123694A patent/CN1255522A/zh active Pending
- 1999-11-04 KR KR1019990048540A patent/KR100824870B1/ko active IP Right Grant
- 1999-11-05 TW TW088119305A patent/TW429461B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-05 DE DE69915978T patent/DE69915978T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-05 SG SG9905481A patent/SG106569A1/en unknown
- 1999-11-05 EP EP99308819A patent/EP0999250B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020699A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Lintec Corp | 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート |
| JP4597323B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2010-12-15 | リンテック株式会社 | 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート |
| JP2002069409A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 再剥離型粘着剤組成物 |
| JP4707809B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2011-06-22 | 日本合成化学工業株式会社 | 再剥離型粘着剤組成物 |
| JP2002141306A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Lintec Corp | ダイシングシート |
| JP2002203828A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | ウエハの裏面研削方法 |
| JP2002203827A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
| JP2002220571A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ加工用保護シート |
| JP2003129011A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Lintec Corp | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
| US6879026B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-04-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film |
| JP2009135509A (ja) * | 2002-08-28 | 2009-06-18 | Lintec Corp | 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| JP4707936B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-06-22 | 三井化学株式会社 | 半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法 |
| JP2004259713A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法 |
| JP2004331743A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Lintec Corp | 粘着シートおよびその使用方法 |
| US7976952B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-07-12 | Nitto Denko Corporation | Multilayer sheet, production method thereof and pressure-sensitive adhesive sheet using the multilayer sheet |
| EP1760131A1 (en) | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing articles |
| EP1760132A1 (en) | 2005-09-06 | 2007-03-07 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing articles |
| JP2009141265A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Lintec Corp | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 |
| JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
| JP2010050321A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法 |
| JP2010212474A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用基材レス粘着シート、その粘着シートを用いた半導体ウエハ裏面研削方法及びその粘着シートの製造方法 |
| US8388786B2 (en) | 2009-03-11 | 2013-03-05 | Nitto Denko Corporation | Substrate-less pressure-sensitive adhesive sheet for protection of semiconductor wafer, method for grinding back side of semiconductor wafer using pressure-sensitive adhesive sheet, and method for producing pressure-sensitive adhesive sheet |
| WO2010131685A1 (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | 日東電工株式会社 | 複合フィルムおよびその製造方法 |
| JP2011023396A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nitto Denko Corp | 表面保護シート |
| US8546958B2 (en) | 2010-09-01 | 2013-10-01 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor wafer |
| JP2012052037A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 粘弾性体及びその製造方法 |
| JP2013134481A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル |
| WO2013141251A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | フィルム、ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート |
| JPWO2013141251A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-08-03 | リンテック株式会社 | フィルム、ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート |
| WO2015076127A1 (ja) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよび基材フィルムの製造方法 |
| JPWO2015076127A1 (ja) * | 2013-11-22 | 2017-03-16 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよび基材フィルムの製造方法 |
| JP2015185691A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法 |
| KR101766174B1 (ko) | 2014-03-24 | 2017-08-07 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR20170075712A (ko) | 2014-10-23 | 2017-07-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 표면 보호용 시트 |
| US10224230B2 (en) | 2014-10-23 | 2019-03-05 | Lintec Corporation | Surface protective sheet |
| JP2017057341A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 住友ベークライト株式会社 | 仮固定用テープ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100824870B1 (ko) | 2008-04-23 |
| DE69915978D1 (de) | 2004-05-06 |
| CN1255522A (zh) | 2000-06-07 |
| EP0999250A2 (en) | 2000-05-10 |
| EP0999250A3 (en) | 2000-10-04 |
| DE69915978T2 (de) | 2005-01-20 |
| KR20000035230A (ko) | 2000-06-26 |
| JP3383227B2 (ja) | 2003-03-04 |
| EP0999250B1 (en) | 2004-03-31 |
| SG106569A1 (en) | 2004-10-29 |
| TW429461B (en) | 2001-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3383227B2 (ja) | 半導体ウエハの裏面研削方法 | |
| JP4519409B2 (ja) | 粘着シートおよびその使用方法 | |
| JP3739570B2 (ja) | 粘着シートおよびその利用方法 | |
| JP4219605B2 (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法 | |
| CN107924864B (zh) | 半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片 | |
| JP4828009B2 (ja) | 粘着シートおよびその使用方法 | |
| WO2009110426A1 (ja) | 粘着シート | |
| KR20100105428A (ko) | 점착시트 및 반도체 웨이퍼의 가공방법, 반도체 칩의 제조방법 | |
| JP2009242733A (ja) | エネルギー線硬化型重合体、エネルギー線硬化型粘着剤組成物、粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法 | |
| JP6035325B2 (ja) | ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート | |
| JP2002141309A (ja) | ダイシングシートおよびその使用方法 | |
| JP4707805B2 (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法 | |
| JP2002020699A (ja) | 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート | |
| JP2004331743A (ja) | 粘着シートおよびその使用方法 | |
| JP3620810B2 (ja) | ウエハ保護用粘着シート | |
| JP3945565B2 (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| JP2005263876A (ja) | 両面粘着シートおよび脆質部材の転写方法 | |
| JP2002141306A (ja) | ダイシングシート | |
| JP4364368B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2002203822A (ja) | 脆性部材の加工方法および両面粘着シート | |
| WO2018181475A1 (ja) | 剥離ライナー付マスク一体型表面保護テープ | |
| JP3330851B2 (ja) | ウエハ研削方法 | |
| KR102642079B1 (ko) | 반도체 가공용 점착 테이프 | |
| JP6673677B2 (ja) | 半導体加工用両面粘着テープ | |
| JPH1025455A (ja) | 剥離用粘着テープ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131220 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |