KR20170075712A - 표면 보호용 시트 - Google Patents

표면 보호용 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20170075712A
KR20170075712A KR1020177007415A KR20177007415A KR20170075712A KR 20170075712 A KR20170075712 A KR 20170075712A KR 1020177007415 A KR1020177007415 A KR 1020177007415A KR 20177007415 A KR20177007415 A KR 20177007415A KR 20170075712 A KR20170075712 A KR 20170075712A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
curable resin
meth
urethane
coat layer
wafer
Prior art date
Application number
KR1020177007415A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102407903B1 (ko
Inventor
가즈유키 다무라
시게토 오쿠지
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20170075712A publication Critical patent/KR20170075712A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102407903B1 publication Critical patent/KR102407903B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/04—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B25/08—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/14—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising synthetic rubber copolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/16—Layered products comprising a layer of synthetic resin specially treated, e.g. irradiated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/304—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl halide (co)polymers, e.g. PVC, PVDC, PVF, PVDF
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • C09J7/02—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/102—Oxide or hydroxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/104—Oxysalt, e.g. carbonate, sulfate, phosphate or nitrate particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/105—Metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/21—Anti-static
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/402—Coloured
    • B32B2307/4026—Coloured within the layer by addition of a colorant, e.g. pigments, dyes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • C09J2463/006—Presence of epoxy resin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00—Presence of polyurethane
    • C09J2475/006—Presence of polyurethane in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(과제) 시트 박리 후의 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 충분한 대전 방지 성능을 갖는 표면 보호용 시트를 제공하는 것.
(해결 수단) 본 발명의 표면 보호용 시트는, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 실시할 때에 사용되고, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 의 경화물을 함유하는 대전 방지 코트층 및 지지 필름으로 이루어지는 기재와, 점착제층을 갖고, 10 ％ 신장시의 1 분 경과 후에 있어서의 기재의 응력 완화율이 60 ％ 이상이고, 기재의 영률이 100 ∼ 2000 ㎫ 이다.

Description

표면 보호용 시트{SURFACE PROTECTIVE SHEET}
본 발명은, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 그 웨이퍼 표면에 임시 부착되어, 회로 패턴을 보호하기 위해서 사용되는 표면 보호용 시트에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 고집적화에 따라, 그 구성 부재인 반도체 칩의 박형화가 진행되고 있다. 이 때문에, 종래 350 ㎛ 정도의 두께였던 웨이퍼를, 50 ∼ 100 ㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 하는 것이 요구되게 되었다.
반도체 웨이퍼 표면에 회로 패턴 형성 후에 웨이퍼 이면을 연삭하는 것은 종래부터 실시되고 있다. 이 때, 회로면에 표면 보호용 시트로 불리는 점착 시트를 첩부 (貼付) 하여, 회로면의 보호 및 웨이퍼의 고정을 실시하고, 이면 연삭을 실시하고 있다. 연삭시에는, 발생되는 연삭 부스러기 및 열을 제거하기 위해, 웨이퍼의 연삭면에 물을 분무하는 것이 일반적이다.
종래, 표면 보호용 시트에는, 기재 상에 점착제가 도공되어 이루어지는 점착 시트가 사용되고 있었다. 특허문헌 1 에서는, 응력 완화율이 높은 표면 보호용 시트를 사용함으로써, 이면 연삭 후에 있어서의 웨이퍼의 휨을 방지하고 있다.
일본 공개특허공보 2000-150432호
그러나, 특허문헌 1 의 표면 보호용 시트를 사용하여 웨이퍼의 이면 연삭을 실시하면, 웨이퍼로부터 표면 보호용 시트를 박리할 때에 박리 대전에 의해 정전기가 발생하여, 웨이퍼의 표면에 형성된 회로에 손상을 주는 경우가 있었다. 최근, 웨이퍼 표면에 형성되는 회로는, 배선이 미세화되고 고밀도화되어 있기 때문에, 박리 대전에 의한 정전기의 발생이 특히 문제가 되고 있다.
이와 같은 박리 대전에 의한 정전기를 방지하는 수단으로서, 표면 보호용 시트에 대전 방지 코트층을 형성하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 충분한 대전 방지 성능이 얻어지고 있지 않은 것이 현상황이었다.
본 발명은, 시트 박리 후의 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있고, 충분한 대전 방지 성능을 갖는 표면 보호용 시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 과제를 해결하는 본 발명은, 이하의 요지를 포함한다.
[1] 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 실시할 때에 사용하는 표면 보호용 시트로서,
무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 의 경화물을 함유하는 대전 방지 코트층 및 지지 필름으로 이루어지는 기재와, 점착제층을 갖고,
10 ％ 신장시의 1 분 경과 후에 있어서의 기재의 응력 완화율이 60 ％ 이상이고,
기재의 영률이 100 ∼ 2000 ㎫ 인 표면 보호용 시트.
[2] 대전 방지 코트층이, 경화성 수지 (A) 의 경화물 100 질량부에 대해 무기 도전성 필러를 150 ∼ 600 질량부 함유하는 [1] 에 기재된 표면 보호용 시트.
[3] 지지 필름이 경화성 수지 (B) 의 경화물을 함유하는 [1] 또는 [2] 에 기재된 표면 보호용 시트.
[4] 경화성 수지 (B) 가, 에너지선 경화형 우레탄 함유 수지인 [3] 에 기재된 표면 보호용 시트.
[5] 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 공정 시트 상에 도포하고 예비 경화하여, 예비 경화층을 형성하는 공정과,
무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 예비 경화층 상에 도포하여, 도막층을 형성하는 공정과,
예비 경화층과 도막층을 경화하여, 기재를 형성하는 공정을 갖는 표면 보호용 시트의 제조 방법.
본 발명의 표면 보호용 시트에 의하면, 시트 박리 후의 웨이퍼의 휨이 억제되고, 또한 박리 대전에 의한 정전기의 발생을 억제하여, 정전기에 의한 웨이퍼 회로의 손상을 방지할 수 있다.
도 1 은, 본 발명에 관련된 표면 보호용 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부하고 있는 상태의 단면도이다.
도 2 는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 평면도를 나타낸다.
이하, 본 발명에 대하여, 그 최선의 형태도 포함하여 더욱 구체적으로 설명한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 관련된 표면 보호용 시트 (10) 는, 표면에 회로 (12) 가 형성된 반도체 웨이퍼 (11) 의 이면 연삭을 실시할 때에 사용되고, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 의 경화물로 이루어지는 대전 방지 코트층 (1) 및 지지 필름 (2) 으로 이루어지는 기재 (5) 와, 점착제층 (3) 을 갖고, 10 ％ 신장시의 1 분 경과 후에 있어서의 기재의 응력 완화율이 60 ％ 이상이고, 기재의 영률이 100 ∼ 2000 ㎫ 이다.
[기재]
본 발명의 표면 보호용 시트에 사용되는 기재는, 대전 방지 코트층과 지지 필름으로 이루어진다. 이하에 있어서, 대전 방지 코트층, 지지 필름의 순서로 설명한다.
(대전 방지 코트층)
대전 방지 코트층은, 후술하는 지지 필름의 편면 또는 양면을 피복하도록 형성된다. 대전 방지 코트층을 형성함으로써, 본 발명에 관련된 표면 보호용 시트를 피착체 (예를 들어 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등) 로부터 박리할 때에 박리 대전에 의해 발생하는 정전기를 효과적으로 확산시켜, 대전 방지 성능이 향상된다. 대전 방지 코트층은, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 의 경화물로 이루어지고, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 경화하는 방법에 의해 얻을 수 있다.
무기 도전성 필러는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 Cu, Al, Ni, Sn, Zn등의 금속 분말 등의 금속 필러나, 산화아연계, 산화티탄계, 산화주석계, 산화인듐 계, 산화안티몬계 등의 금속 산화물 필러를 들 수 있다. 이것들 중에서도, 비교적 저렴하고, 범용성이 있는 점에서 산화주석계의 금속 산화물 필러가 바람직하다. 산화주석계의 금속 산화물 필러로서, 구체적으로는, 안티몬 도프 산화주석 (ATO), 인 도프 산화주석 (PTO) 등을 사용할 수 있다.
무기 도전성 필러의 평균 입자경은 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 0.01 ∼ 1 ㎛, 보다 바람직하게는 0.02 ∼ 0.5 ㎛ 이다. 평균 입자경은, 입도 분포 측정 장치 (닛키소사 제조 마이크로트랙 UPA-150) 에 의해 측정한 값이다.
대전 방지 코트층은, 경화성 수지 (A) 의 경화물 100 질량부에 대하여, 무기 도전성 필러를 바람직하게는 150 ∼ 600 질량부, 보다 바람직하게는 200 ∼ 600 질량부, 특히 바람직하게는 220 ∼ 600 질량부 함유한다. 또한, 경화 전의 경화성 수지 (A) 및 무기 도전성 필러의 배합량비와, 경화성 수지 (A) 의 경화물 및 무기 도전성 필러의 배합량비에는 실질적으로 차이가 없는 것이 통상이다. 그 때문에, 본 발명에서는 경화 전의 경화성 수지 (A) 및 무기 도전성 필러의 배합량비를, 경화성 수지 (A) 의 경화물 및 무기 도전성 필러의 배합량비로 간주한다. 대전 방지 코트층에 있어서의 무기 도전성 필러의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현할 수 있고, 또, 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정에 있어서, 대전 방지 코트층에 크랙이 발생하는 것을 방지하여, 그 결과, 대전 방지 성능이 저하되는 것을 보다 효율적으로 억제할 수 있다.
경화성 수지 (A) 는 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지 등이 사용되고, 바람직하게는 에너지선 경화형 수지가 사용된다.
에너지선 경화형 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에너지선 중합성의 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머나, 에폭시(메트)아크릴레이트 올리고머 등의 올리고머계 에너지선 경화형 수지를 주제로 한 수지 조성물이 바람직하게 사용된다. 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머나 에폭시(메트)아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량 Mw (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산치를 말한다) 는, 통상 1000 ∼ 70000 정도이고, 바람직하게는 1500 ∼ 60000 의 범위이다. 상기의 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머나 에폭시(메트)아크릴레이트 올리고머는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에너지선 경화형 수지에 있어서의 올리고머계 에너지선 경화형 수지의 함유량을 크게 하면, 후술하는 지지 필름과의 밀착성이 저하되는 경우가 있다. 지지 필름과의 밀착성을 향상시키기 위해, 경화성 수지 (A) 의 성분 중에 바인더 성분을 첨가해도 된다. 이와 같은 바인더 성분으로는, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다.
또, 에너지선 경화형 수지는 측사슬에 에너지선 경화성의 관능기를 갖는 폴리머여도 된다. 이와 같은 폴리머를 에너지선 경화형 수지로서 사용하면, 가교 밀도를 낮추지 않고 지지 필름과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 폴리머로는, 예를 들어, 주사슬이 아크릴 폴리머이고, 측사슬에 에너지선 경화성 이중 결합이나 에폭시기를 관능기로서 갖는 것을 사용할 수 있다.
에너지선 경화형 수지에, 광중합 개시제를 혼입함으로써, 에너지선 조사에 의한 중합 경화 시간 그리고 조사량을 줄일 수 있다. 광중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스피노옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광중합 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 들 수 있다.
또, 경화성 수지 (A) 에는, 무기 도전성 필러의 수지 중의 분산성을 향상시키기 위해서, 분산제를 배합해도 된다. 또, 안료나 염료 등의 착색제 등의 첨가물이 함유되어 있어도 된다.
대전 방지 코트층은, 후술하는 지지 필름 상에 직접, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 제막 (製膜), 경화함으로써 형성할 수 있다. 또, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 액상 상태에서 공정 필름 상에 박막상으로 캐스트하고, 추가로 그 위에, 후술하는 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 캐스트함으로써, 대전 방지 코트층과 지지 필름으로 이루어지는 기재를 얻을 수 있다. 이 때의 경화를 실시하는 순서는, 각각의 제막의 직후여도 되고, 기재를 제막 후, 일괄로 실시해도 된다.
대전 방지 코트층의 두께는, 바람직하게는 0.2 ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 5 ㎛, 특히 바람직하게는 1 ∼ 4 ㎛ 이다. 대전 방지 코트층의 두께를 상기 범위로 함으로써, 높은 대전 방지 성능이 유지되는 경향이 있다.
또, 대전 방지 코트층의 표면 저항률은, 바람직하게는 1 × 1012 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 1 × 1011 Ω/□ 이하, 특히 바람직하게는 1 × 1010 Ω/□ 이하이다. 대전 방지 코트층의 표면 저항률이 1 × 1012 Ω/□ 를 초과하면, 본 발명의 표면 보호용 시트를 피착체로부터 박리할 때에, 정전기의 발생을 안정적으로 억제하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 대전 방지 코트층의 표면 저항률을 상기 범위로 함으로써, 표면 보호용 시트의 대전 방지 성능을 향상시킬 수 있다. 대전 방지 코트층의 표면 저항률은, 대전 방지 코트층을 100 ㎜ × 100 ㎜ 로 재단하여 얻어진 샘플을, 23 ℃, 평균 습도 50 ％RH 의 조건 하에서 24 시간 조습 (調濕) 한 후, 그 표면의 저항값을, JIS K 6911；1995 에 준거하여 측정할 수 있다.
(지지 필름)
본 발명의 표면 보호용 시트에 사용되는 지지 필름은, 수지 시트이면 특별히 한정되지 않고, 각종 수지 시트가 사용 가능하다. 이와 같은 수지 시트로는, 예를 들어, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 아크릴 고무, 우레탄 등의 수지 필름을 들 수 있다. 지지 필름은 이것들의 단층이어도 되고, 적층체로 이루어져도 된다. 또, 가교 등의 처리를 실시한 필름이어도 된다.
이와 같은 지지 필름으로는, 열가소성 수지를 압출 성형에 의해 시트화한 것이 사용되어도 되고, 경화성 수지 (B) 를 소정 수단에 의해 박막화, 경화한 경화물로 이루어지는 필름이 사용되어도 된다. 지지 필름으로서 경화성 수지 (B) 의 경화물로 이루어지는 필름을 사용하면, 기재의 응력 완화율이나 영률의 제어가 용이해짐과 함께, 대전 방지 코트층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
경화성 수지 (B) 는 특별히 한정되지 않지만, 대전 방지 코트층에 사용하는 경화성 수지 (A) 와 마찬가지로, 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지 등이 사용되고, 바람직하게는 에너지선 경화형 수지가 사용된다. 에너지선 경화형 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에너지선 경화형 우레탄 함유 수지를 사용할 수 있다. 에너지선 경화형 우레탄 함유 수지의 경화물을 함유하는 지지 필름은 응력 완화성이 우수하고, 기재의 응력 완화율을 후술하는 범위로 조정하기 쉬운 점에서 바람직하다.
에너지선 경화형 우레탄 함유 수지로는, 우레탄(메트)아크릴레이트 수지나 우레탄 폴리머와, 에너지선 중합성 모노머를 주성분으로 하는 에너지선 경화형 수지를 들 수 있다.
우레탄(메트)아크릴레이트 수지는, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머를 함유하는 배합물이고, 필요에 따라 분자 내에 티올기를 함유하는 화합물이나, N-니트로소아민계 중합 금지제 및/또는 N-옥실계 중합 금지제를 함유해도 된다.
우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, (메트)아크릴로일기를 갖고, 우레탄 결합을 갖는 화합물이다. 이와 같은 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻어진다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴은, 아크릴 및 메타크릴의 양자를 포함한 의미로 사용한다.
폴리올 화합물은, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올의 어느 것이어도 되는데, 폴리에테르형 폴리올을 사용함으로써, 보다 양호한 효과가 얻어진다. 또, 폴리올이면 특별히 한정은 되지 않고, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 나아가서는 4 관능 이상의 폴리올이어도 되는데, 입수의 용이성, 범용성, 반응성 등의 관점에서, 디올을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 이것들 중에서도, 폴리에테르형 디올이 바람직하게 사용된다.
폴리에테르형 폴리올의 대표예인 폴리에테르형 디올은, 일반적으로 HO-(-R-O-)n-H 로 나타난다. 여기서, R 은 2 가의 탄화수소기, 바람직하게는 알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 특히 바람직하게는 탄소수 2또는 3 의 알킬렌기이다. 또, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기 중에서도 바람직하게는 에틸렌, 프로필렌, 또는 테트라메틸렌, 특히 바람직하게는 에틸렌 또는 프로필렌이다. 따라서, 특히 바람직한 폴리에테르형 디올로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜을 들 수 있고, 특히 더 바람직한 폴리에테르형 디올로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜을 들 수 있다. n 은 R 의 반복수이고, 10 ∼ 250 정도가 바람직하고, 25 ∼ 205 정도로 하는 것이 더욱 바람직하며, 40 ∼ 185 정도로 하는 것이 특히 바람직하다. n 이 10 보다 작으면 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 우레탄 결합 농도가 높아져 버려, 지지 필름의 탄성이 앙진하여, 본 발명에 있어서의 기재의 영률이 과도하게 높아지는 경우가 있다. n 이 250 보다 크면, 폴리에테르 사슬끼리의 상호 작용이 강해지는 것에서 기인하여, 영률이 후술하는 범위의 상한을 초과할 우려가 있다.
폴리에테르형 디올과 다가 이소시아네이트 화합물의 반응에 의해, 에테르 결합부 (-(-R-O-)n-) 가 도입된, 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머가 생성된다. 이와 같은 폴리에테르형 디올을 사용함으로써, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, 폴리에테르형 디올로부터 유도되는 구성 단위를 함유한다.
폴리에스테르형 폴리올은 폴리올 화합물과 다염기산 성분을 중축합시킴으로써 얻어진다. 폴리올 화합물로는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 헥산디올, 옥탄디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 2-에틸-2-부틸-1,3-프로판디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 비스페놀 A 의 에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜 부가물 등의 공지된 각종 글리콜류 등을 들 수 있다. 폴리에스테르형 폴리올의 제조에 사용되는 다염기산 성분으로는, 일반적으로 폴리에스테르의 다염기산 성분으로서 알려져 있는 각종 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 아디프산, 말레산, 숙신산, 옥살산, 푸마르산, 말론산, 글루타르산, 피멜산, 아젤라산, 세바크산, 수베르산 등의 이염기산, 방향족 다염기산, 이것들에 대응하는 무수물이나 그 유도체 및 다이머산, 수첨 (水添) 다이머산 등을 들 수 있다. 또한, 도막에 적당한 경도를 부여하기 위해서는, 방향족 다염기산을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 방향족 다염기산으로는, 예를 들어, 무수프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 등의 이염기산이나, 트리멜리트산, 피로멜리트산 등의 다염기산 및 이것들에 대응하는 산 무수물이나 그 유도체를 들 수 있다. 또한, 당해 에스테르화 반응에는, 필요에 따라 각종 공지된 촉매를 사용해도 된다. 촉매로는, 예를 들어, 디부틸주석옥사이드나 옥틸산 제1주석 등의 주석 화합물이나 테트라부틸티타네이트, 테트라프로필티타네이트 등의 알콕시티탄을 들 수 있다.
폴리카보네이트형 폴리올로는 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 전술한 글리콜류와 알킬렌카보네이트의 반응물 등을 들 수 있다.
폴리올 화합물의 분자량으로는, 500 ∼ 10000 정도가 바람직하고, 800 ∼ 8000 정도로 하는 것이 더욱 바람직하다. 분자량이 500 보다 낮으면, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 우레탄 결합 농도가 높아져 버려, 본 발명에 있어서의 기재의 영률이 높아지는 경우가 있다. 분자량이 지나치게 많으면, 폴리에테르 사슬끼리의 상호 작용이 강해지는 것에서 기인하여, 영률이 후술하는 범위의 상한을 초과할 우려가 있다.
또한, 폴리올 화합물의 분자량은, 폴리올 관능기 수 × 56.11 × 1000/수산기가 [㎎KOH/g] 이고, 폴리올 화합물의 수산기가로부터 산출된다.
다가 이소시아네이트 화합물로는, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류, 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로 헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다. 이것들 중에서는, 이소포론디이소시아네이트나 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트를 사용하는 것이, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 점도를 낮게 유지할 수 있어, 취급성이 양호해지기 때문에 바람직하다.
상기와 같은 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 얻어진다.
하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 등을 들 수 있다.
말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머 및 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키기 위한 조건으로는, 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를, 필요에 따라 용제, 촉매의 존재 하, 60 ∼ 100 ℃ 정도에서, 1 ∼ 4 시간 정도 반응시키면 된다.
얻어지는 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, 분자 내에 광중합성의 이중 결합을 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화하여, 피막을 형성하는 성질을 갖는다. 상기의 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머는, 분자중에 단지 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 단관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머여도 되고, 분자 중에 2 개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머로여도 되는데, 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머인 것에 의해, 후술과 같이 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량을 조정함으로써, 얻어지는 기재의 영률의 제어가 용이해진다는 이점이 있다. 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는, 2 ∼ 3 개인 것이 바람직하고, 2 개인 (우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가, 2 관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머인) 것이 보다 바람직하다.
우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량 (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산치를 말한다, 이하 동일) 은 특별히 한정되지 않지만, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머인 경우에, 중량 평균 분자량을 1500 ∼ 10000 정도로 하는 것이 바람직하고, 4000 ∼ 9000 으로 하는 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량을 1500이상으로 함으로써, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 중합물에 있어서의 가교 밀도의 상승을 억제하여, 기재의 영률을 후술하는 범위의 상한을 초과하지 않을 정도로 조정하는 것이 용이해진다. 또, 10000 이하로 함으로써, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 중합물에 있어서의 가교 밀도의 저하를 억제하여, 기재의 영률을 후술하는 범위의 하한을 밑돌지 않도록 조정하는 것이 용이해진다. 또, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 점도를 낮게 할 수 있어, 제막용 도포액의 핸들링성이 향상된다.
상기와 같은 우레탄(메트)아크릴레이트 수지를 사용하는 경우, 지지 필름의 성막이 곤란한 경우가 많기 때문에, 통상적으로는, 에너지선 중합성 모노머로 희석하여 성막한 후, 이것을 경화하여 지지 필름을 얻는다. 에너지선 중합성 모노머는, 분자 내에 에너지선 중합성의 이중 결합을 갖고, 특히 본 발명에서는, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 페닐하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 비교적 벌크한 기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르계 화합물이 바람직하게 사용된다.
상기 에너지선 중합성 모노머는, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 900 질량부, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 500 질량부, 특히 바람직하게는 30 ∼ 200 질량부의 비율로 사용된다. 에너지선 중합성 모노머의 배합량이 이와 같은 범위에 있음으로써, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머와 에너지선 중합성 모노머의 공중합물에 있어서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머의 (메트)아크릴로일기에서 유래하는 부분의 간격이 적당한 정도가 되어, 기재의 영률을 후술하는 범위로 제어하는 것이 용이해진다.
에너지선 경화형 우레탄 함유 수지로서, 우레탄 폴리머와 에너지선 중합성 모노머를 주성분으로 하는 에너지선 경화형 수지를 사용하고, 그 에너지선 경화형 수지를 경화하여 얻어지는 지지 필름을 사용해도 된다.
우레탄 폴리머는 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머와 상이하여, 분자 중에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 관능기를 갖지 않는 우레탄계 중합체이고, 예를 들어 상기 서술한 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻을 수 있다.
에너지선 중합성 모노머는, 우레탄(메트)아크릴레이트 수지를 희석하는 것으로서 상기 서술한 것와 동일한 것을 사용할 수 있는 것 외에, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필메타크릴아미드, 아크릴로일모르폴린, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디에틸아크릴아미드, 이미드아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등의 함질소 모노머를 사용해도 된다.
상기 에너지선 중합성 모노머는, 우레탄 폴리머 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 900 질량부, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 500 질량부, 특히 바람직하게는 30 ∼ 200 질량부의 비율로 사용된다.
지지 필름을, 상기의 에너지선 경화형 수지로 형성하는 경우에는, 그 수지에 광중합 개시제를 혼입함으로써, 에너지선 조사에 의한 중합 경화 시간 그리고 조사량을 줄일 수 있다. 광중합 개시제로는, 경화성 수지 (A) 에 혼입하는 것과 동일한 것을 혼입할 수 있다.
광중합 개시제의 사용량은, 에너지선 경화형 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 특히 바람직하게는 0.5 ∼ 5 질량부이다.
또, 상기 서술한 경화성 수지 (B) 중에, 탄산칼슘, 실리카, 운모 등의 무기 필러, 철, 납 등의 금속 필러, 안료나 염료 등의 착색제 등의 첨가물이 함유되어 있어도 된다.
지지 필름의 제막 방법으로는, 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 액상 상태에서 공정 필름 상에 박막상으로 캐스트한 후에, 이것을 소정의 수단에 의해 필름화하고, 공정 필름을 제거함으로써 지지 필름을 제조할 수 있다. 이와 같은 제법에 의하면, 제막시에 수지에 가해지는 응력이 적어, 시간 경과적 혹은 가열에 의한 치수 변화가 잘 일어나지 않게 된다. 또, 고형의 불순물을 제거하기 쉽기 때문에, 제막된 필름은 피시 아이의 형성이 적어져, 이로써, 막 두께의 균일성이 향상되어, 두께 정밀도는 통상 2 ％ 이내가 된다.
지지 필름의 두께는, 바람직하게는 40 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 60 ∼ 250 ㎛, 특히 바람직하게는 80 ∼ 200 ㎛ 이다.
또한, 지지 필름의 대전 방지 코트층이 형성되는 면이나 점착제층이 형성되는 면에는, 이들 층과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리를 실시하거나 프라이머 처리 등의 다른 층을 형성해도 된다.
상기와 같은 원재료 및 방법에 의해 제막된 지지 필름은, 응력 완화성이 우수한 성질을 나타낸다. 예를 들어 이러한 응력 완화성이 우수한 지지 필름을 채용하는 것 등에 의해, 본 발명에 사용하는 기재는 우수한 응력 완화성을 나타낸다. 구체적으로는, 10 ％ 신장시의 1 분 경과 후에 있어서의 기재의 응력 완화율은 60 ％ 이상, 바람직하게는 65 ％ 이상, 보다 바람직하게는 75 ∼ 90 ％ 이다. 기재의 응력 완화율을 상기 범위로 함으로써, 그 기재를 사용한 본 발명의 표면 보호용 시트는, 피착체에 첩부했을 때에 발생하는 잔류 응력을 신속하게 해소하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정 (반도체 웨이퍼를 가공하는 공정) 에 있어서 반도체 웨이퍼를 극박으로 연삭한 경우에도, 반도체 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있다. 기재의 응력 완화율이 60 ％ 미만이면, 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정에 있어서 발생하는 응력에 의해, 반도체 웨이퍼에 휨이 발생한다.
또, 기재의 영률은 100 ∼ 2000 ㎫, 바람직하게는 125 ∼ 1500 ㎫, 보다 바람직하게는 125 ∼ 1000 ㎫, 특히 바람직하게는 125 ∼ 700 ㎫ 이다. 표면 보호용 시트에 대전 방지 코트층이 형성되어 있으면 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 있어서 대전 방지 코트층에 크랙 (단열) 이 발생하는 경우가 있다. 이러한 크랙의 발생에 의해, 대전 방지 코트층의 면 방향의 도전성이 절단되어, 박리 대전을 확산시키는 효과가 저하되는 경우가 있다. 본 발명의 표면 보호용 시트에 의하면, 기재의 영률을 상기 범위로 함으로써, 표면 보호용 시트의 인장에 대한 내성이 적당히 부여됨으로써, 대전 방지 코트층의 크랙이 방지되어, 대전 방지 성능의 저하를 억제할 수 있다. 기재의 영률이 100 ㎫ 미만이면, 대전 방지 코트층에 크랙이 발생하여, 대전 방지 성능이 저하된다. 또, 기재의 영률이 2000 ㎫ 를 초과하면, 기재의 응력 완화율이 저하되고, 원하는 범위의 응력 완화율을 갖는 기재를 얻는 것이 곤란해져, 웨이퍼의 휨을 방지하는 효과가 저하된다.
[점착제층]
본 발명의 표면 보호용 시트에 있어서는, 대전 방지 코트층 상 또는 지지 필름 상에 점착제층이 형성된다.
점착제층은, 웨이퍼에 대해 적당한 재박리성이 있으면 그 종류는 특정되지 않고, 종래부터 공지된 여러 가지의 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 점착제로는, 조금도 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘 계, 우레탄계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 사용된다. 또, 에너지선의 조사에 의해 경화되어 재박리성이 되는 에너지선 경화형 점착제나, 가열 발포형, 수팽윤형의 점착제도 사용할 수 있다.
에너지선 경화 (자외선 경화, 전자선 경화) 형 점착제로는, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 에너지선 경화형 점착제의 구체예는, 예를 들어 일본 공개특허공보 소60-196956호 및 일본 공개특허공보 소60-223139호에 기재되어 있다. 또, 수팽윤형 점착제로는, 예를 들어 일본 특허공보 평5-77284호, 일본 특허공보 평6-101455호 등에 기재된 것이 바람직하게 사용된다.
점착제층의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛ 의 범위에 있다.
또한, 점착제층에는, 그 사용 전에 점착제층을 보호하기 위해서 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 박리 시트용 기재에 박리제로 처리한 것을 사용할 수 있다. 박리 시트용 기재로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 수지로 이루어지는 필름 또는 그것들의 발포 필름이나, 글라신지, 코트지, 라미네이트지 등의 종이를 들 수 있다. 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 장사슬 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제를 들 수 있다.
기재 표면에 점착제층을 형성하는 방법은, 박리 시트 상에 소정의 막 두께가 되도록 도포하여 형성한 점착제층을 기재 표면에 전사해도 상관없고, 기재 표면에 직접 도포하여 점착제층을 형성해도 상관없다.
[표면 보호용 시트]
본 발명에 관련된 표면 보호용 시트는, 상기 대전 방지 코트층과 지지 필름으로 이루어지는 기재의 편면에 점착제층이 형성되어 이루어진다. 점착제층은 대전 방지 코트층 상 또는 지지 필름 상에 형성할 수 있다. 또한, 도 1 에 있어서는, 지지 필름 (2) 상에 점착제층 (3) 을 형성하고 있다.
표면 보호용 시트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 공정 시트 상에 도포하고 경화하여 지지 필름을 얻는 공정과, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 지지 필름 상에 도포하여 도막층을 형성하는 공정과, 도막층을 경화하여 기재를 형성하는 공정을 갖는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 그 후, 기재의 편면에 점착제층을 형성함으로써, 본 발명에 관련된 표면 보호용 시트를 얻을 수 있다. 상기의 제조 방법에 의해 얻어지는 표면 보호용 시트의 기재는, 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 공정 시트 상에 도포하고, 예비 경화하여, 예비 경화층을 형성하는 공정과, 무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 예비 경화층 상에 도포하여 도막층을 형성하는 공정과, 예비 경화층과 도막층을 경화하는 공정에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 요컨대, 예비 경화 상태의 지지 필름의 표면에, 대전 방지 코트층이 되는 도포층을 형성하고, 지지 필름과 대전 방지 코트층을 일괄하여 완전 경화하기 때문에, 대전 방지 코트층과 지지 필름의 밀착성이 우수하고, 또 대전 방지 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기의 표면 보호용 시트의 제조 방법에 있어서는, 예비 경화의 단계에서 경화성 수지 (B) 를 완전하게 경화시켜도 된다. 이와 같은 제조 방법이어도, 대전 방지 코트층과 지지 필름의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또, 표면 보호용 시트의 제조 방법으로는, 대전 방지 코트층과 지지 필름을 따로따로 제막하고, 적층하여 기재를 얻고, 기재 상에 점착제층을 형성하는 방법도 들 수 있다.
[반도체 웨이퍼의 가공 방법]
본 발명의 표면 보호용 시트는, 하기에 나타내는 바와 같이 반도체 웨이퍼의 가공에 사용할 수 있다.
(웨이퍼 이면 연삭 방법)
웨이퍼의 이면 연삭에 있어서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 표면에 회로 (12) 가 형성된 반도체 웨이퍼 (11) 의 회로면에 표면 보호용 시트 (10) 를 첩부하여 회로면을 보호하면서 웨이퍼의 이면을 그라인더 (20) 에 의해 연삭하여, 소정 두께의 웨이퍼로 한다.
반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼여도 된다. 웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 실시할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 회로 형성 공정에 있어서, 소정의 회로가 형성된다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 회로 (12) 는 웨이퍼 (11) 의 내주부 (13) 표면에 격자상으로 형성되어, 외주단 (端) 으로부터 수 ㎜ 의 범위에는 회로가 존재하지 않는 잉여 부분 (14) 이 잔존한다. 이와 같은 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상적으로는 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다.
이면 연삭시에는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 표면의 회로 (12) 를 보호하기 위해서 회로면에 본 발명의 표면 보호용 시트 (10) 를 첩부한다. 웨이퍼 표면에 대한 표면 보호용 시트의 첩부는, 테이프 마운터 등을 사용한 범용의 수법에 의해 실시된다. 또, 표면 보호용 시트 (10) 는, 미리 반도체 웨이퍼 (11) 와 대략 동일 형상으로 절단되어 있어도 되고, 웨이퍼에 시트를 첩부한 후, 여분의 시트를 웨이퍼 외주를 따라 절단, 제거해도 된다.
웨이퍼의 이면 연삭은, 표면 보호용 시트 (10) 가 회로의 전체면에 첩부된 상태에서, 그라인더 (20) 및 웨이퍼 고정을 위한 흡착 테이블 (도시 생략) 등을 사용한 공지된 수법에 의해 실시된다. 이면 연삭 공정 후, 연삭에 의해 생성된 파쇄층을 제거하는 처리가 실시되어도 된다. 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 500 ㎛, 특히 바람직하게는 25 ∼ 300 ㎛ 정도이다.
이면 연삭 공정 후, 회로면으로부터 표면 보호용 시트 (10) 를 박리한다. 본 발명의 표면 보호용 시트에 의하면, 웨이퍼의 이면 연삭시에는 웨이퍼를 확실하게 유지하고, 또 절삭수의 회로면에 대한 침입을 방지할 수 있다. 또, 이면 연삭 종료 후, 웨이퍼 표면으로부터 시트 (10) 를 박리할 때에 박리 대전에 의해 발생하는 정전기를 효과적으로 확산시킬 수 있다.
이어서, 웨이퍼의 다이싱, 칩의 마운팅, 수지 봉지 등의 공정을 거쳐, 반도체 장치가 얻어진다.
(선다이싱법)
추가로 또, 본 발명의 표면 보호용 시트는, 이른바 선 (先) 다이싱법에 의한 고(高)범프가 형성된 웨이퍼의 칩화에 있어서 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 범프를 갖는 회로가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 표면으로부터 그 웨이퍼 두께보다 얕은 절입 깊이의 홈을 형성하고, 그 회로 형성면에, 표면 보호용 시트를 첩부하고, 그 후, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 함으로써 웨이퍼의 두께를 얇게 함과 함께, 최종적으로는 각각의 칩으로의 분할을 실시한다.
그 후, 소정의 방법으로 칩의 픽업을 실시한다. 또, 칩의 픽업에 앞서, 웨이퍼 형상으로 정렬한 상태의 칩을 다른 점착 시트에 전사하고, 그 후, 칩의 픽업을 실시해도 된다. 본 발명의 표면 보호용 시트에 의하면, 표면 보호용 시트를 칩으로부터 박리할 때에 박리 대전에 의해 발생하는 정전기를 효과적으로 확산시킬 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 각종 물성의 평가는 다음과 같이 실시하였다.
＜기재의 영률＞
기재의 영률은, 만능 인장 시험기 (오리엔테크사 제조 텐실론 RTA-T-2M) 를 사용하고, JIS K7161 : 1994 에 준거하여, 23 ℃, 습도 50 ％ 의 환경하에 있어서 인장 속도 200 ㎜/분으로 측정하였다.
＜기재의 응력 완화율＞
실시예 또는 비교예에서 사용한 기재를 폭 15 ㎜, 길이 100 ㎜ 로 잘라내어 시험편을 얻었다. 이 시험편을, 오리엔테크사 제조 텐실론 RTA-100 을 사용하여 실온 (23 ℃) 에서 속도 200 ㎜/분으로 인장하였다. 10 ％ 신장된 상태에서 인장을 정지하고, 그 때의 응력 A 와, 신장 정지의 1 분 후의 응력 B 로부터, 응력 완화율 = (A-B)/A × 100 (％) 의 식에 기초하여 응력 완화율을 산출하였다.
＜연삭 후의 웨이퍼의 휨＞
실시예 또는 비교예에서 제조한 표면 보호용 시트를 실리콘 웨이퍼 (200 ㎜φ, 두께 750 ㎛) 에, 테이프 마운터 (린텍사 제조 Adwill RAD-3500) 를 사용하여 첩부하였다. 그 후, 디스코사 제조 DFG-840 을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 두께가 150 ㎛ 가 되도록 연삭하였다. 연삭 후, 표면 보호용 시트를 제거하지 않고, 웨이퍼를 JIS B 7513；1992 에 준거한 평면도 1 급의 정밀 검사용의 정반 상에, 표면 보호용 시트가 상측되도록 재치 (載置) 하였다.
측정은 정반을 제로 지점으로 하여, 17 개 지점의 측정 포인트를 구하였다. 휨량은, 최대치와 최소치의 차로 하였다.
＜박리 대전＞
웨이퍼 회로면에, 실시예 또는 비교예의 표면 보호용 시트를 첩부하고, 웨이퍼와 표면 보호용 시트의 적층체를 얻었다. 적층체에 대하여, 적층체 제조 후부터 30 일간, 평균 온도 약 23 ℃, 평균 습도 65 ％RH 의 환경 하에 방치하였다. 방치 후, 먼저, 적층체를 10 × 10 ㎝ 의 사각형으로 재단하였다. 다음으로, 표면 보호용 시트를 웨이퍼로부터 500 ㎜/분으로 박리하였다. 이 때, 표면 보호용 시트에 대전된 대전 전위를 50 ㎜ 의 거리로부터 집전식 전위 측정기 (카스가 전기사 제조 KSD-6110) 에 의해 23 ℃, 습도 65 ％RH 의 환경 하에서 측정하였다 (측정 하한치 0.1 kV).
＜대전 방지 코트층의 크랙＞
연삭 후의 웨이퍼의 휨을 평가한 것과 동일한 방법에 의해 웨이퍼를 연삭한 후, 표면 보호용 시트를 웨이퍼로부터 박리하고, 대전 방지 코트층면을 디지털 현미경으로 관찰하여, 대전 방지 코트층의 크랙의 유무를 확인하였다.
(실시예 1)
분자량 2000 의 폴리에스테르형 폴리올과 이소포론디이소시아네이트로부터 합성된 우레탄 올리고머를 골격으로 하고, 그 말단에 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 부가하여 얻은 2 관능 우레탄아크릴레이트 올리고머 (중량 평균 분자량 8000) 50 질량부, 아크릴계 모노머 (에너지선 중합성 모노머) 로서의 이소보르닐아크릴레이트 25 질량부와 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 25 질량부의 혼합물, 및 광중합 개시제로서의 다로큐어 1173 (제품명, BASF 사 제조) 1 질량부를 함유하는 배합물을 박리 필름 상에 도포 전연하고, 자외선에 의해 경화시켜 이루어지는 두께 100 ㎛ 의 지지 필름을 얻었다.
에폭시아크릴레이트계 수지 100 질량부 (중량 평균 분자량 2000) 에, 평균 입자경 0.1 ㎛ 의 안티몬 도프 산화주석 (ATO) 을 230 질량부, 광중합 개시제 (BASF 사 제조 이르가큐어 184) 를 2 질량부 배합한 배합물을 얻었다. 이 배합물을 지지 필름의 편면에 도포하고, 자외선을 조사함으로써 두께가 2 ㎛ 인 대전 방지 코트층을 형성하였다. 한편, 지지 필름의 대전 방지 코트층을 형성한 면과는 반대의 면에 자외선 경화형 점착제를 20 ㎛ 의 두께가 되도록 도포하고, 점착제층을 형성하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2)
지지 필름의 제조에 있어서 우레탄아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량을 3000 으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 3)
지지 필름의 제조에 있어서 우레탄아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량을 6000 으로 하고, ATO 의 첨가량을 400 질량부로 하고, 대전 방지 코트층의 두께를 0.25 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 4)
ATO 의 첨가량을 150 질량부로 하고, 대전 방지 코트층의 두께를 4.8 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 1)
대전 방지 코트층을 형성하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 2)
지지 필름의 제조에 있어서 우레탄아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량을 12000 으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 3)
지지 필름의 제조에 있어서 우레탄아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량을 900 으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표면 보호용 시트를 제조하였다. 각 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
1 : 대전 방지 코트층
2 : 지지 필름
3 : 점착제층
5 : 기재
10 : 표면 보호용 시트

Claims (5)

  1. 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 실시할 때에 사용하는 표면 보호용 시트로서,
    무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 의 경화물을 함유하는 대전 방지 코트층 및 지지 필름으로 이루어지는 기재와, 점착제층을 갖고,
    10 ％ 신장시의 1 분 경과 후에 있어서의 기재의 응력 완화율이 60 ％ 이상이고,
    기재의 영률이 100 ∼ 2000 ㎫ 인, 표면 보호용 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    대전 방지 코트층이, 경화성 수지 (A) 의 경화물 100 질량부에 대해 무기 도전성 필러를 150 ∼ 600 질량부 함유하는, 표면 보호용 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    지지 필름이 경화성 수지 (B) 의 경화물을 함유하는, 표면 보호용 시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    경화성 수지 (B) 가, 에너지선 경화형 우레탄 함유 수지인, 표면 보호용 시트.
  5. 경화성 수지 (B) 를 함유하는 배합물을 공정 시트 상에 도포하고 예비 경화하여, 예비 경화층을 형성하는 공정과,
    무기 도전성 필러와 경화성 수지 (A) 를 함유하는 배합물을 예비 경화층 상에 도포하여, 도막층을 형성하는 공정과,
    예비 경화층과 도막층을 경화하여, 기재를 형성하는 공정을 갖는, 표면 보호용 시트의 제조 방법.
KR1020177007415A 2014-10-23 2015-10-21 표면 보호용 시트 KR102407903B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-216541 2014-10-23
JP2014216541 2014-10-23
PCT/JP2015/079724 WO2016063916A1 (ja) 2014-10-23 2015-10-21 表面保護用シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170075712A true KR20170075712A (ko) 2017-07-03
KR102407903B1 KR102407903B1 (ko) 2022-06-10

Family

ID=55760947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177007415A KR102407903B1 (ko) 2014-10-23 2015-10-21 표면 보호용 시트

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10224230B2 (ko)
JP (1) JP6559150B2 (ko)
KR (1) KR102407903B1 (ko)
CN (1) CN107078042B (ko)
TW (1) TWI688476B (ko)
WO (1) WO2016063916A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11424153B2 (en) 2018-06-04 2022-08-23 Lg Chem, Ltd. Back grinding tape

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018021145A1 (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
KR102175717B1 (ko) 2017-12-14 2020-11-06 주식회사 엘지화학 다이싱 다이 본딩 필름
TWI832291B (zh) 2022-06-15 2024-02-11 南亞塑膠工業股份有限公司 保護膠帶及晶圓的加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08245932A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Lintec Corp 帯電防止粘着シート
JP2000150432A (ja) 1998-11-06 2000-05-30 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
US20060043532A1 (en) * 2002-08-28 2006-03-02 Hideo Senoo Protective structure of semiconductor wafer, method for protecting semiconductor wafer, multilayer protective sheet used therein, and method for processing semiconductor wafer
JP2010177542A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Lintec Corp 帯電防止性粘着シート

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS63153814A (ja) 1986-07-09 1988-06-27 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPH06101455B2 (ja) 1987-05-27 1994-12-12 リンテック株式会社 ウエハ研摩用保護シ−トおよびこのシ−トを用いたウエハ面の研摩方法
JP4704225B2 (ja) * 2006-01-30 2011-06-15 富士フイルム株式会社 アルバム作成装置、アルバム作成方法、およびアルバム作成プログラム
JP2007296751A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 樹脂積層体
JP5788165B2 (ja) * 2010-11-02 2015-09-30 三菱樹脂株式会社 難燃性樹脂フィルム及びそのフィルムの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08245932A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Lintec Corp 帯電防止粘着シート
JP2000150432A (ja) 1998-11-06 2000-05-30 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
US20060043532A1 (en) * 2002-08-28 2006-03-02 Hideo Senoo Protective structure of semiconductor wafer, method for protecting semiconductor wafer, multilayer protective sheet used therein, and method for processing semiconductor wafer
JP2010177542A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Lintec Corp 帯電防止性粘着シート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11424153B2 (en) 2018-06-04 2022-08-23 Lg Chem, Ltd. Back grinding tape

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016063916A1 (ja) 2016-04-28
CN107078042B (zh) 2021-05-04
TW201630733A (zh) 2016-09-01
US10224230B2 (en) 2019-03-05
CN107078042A (zh) 2017-08-18
KR102407903B1 (ko) 2022-06-10
JPWO2016063916A1 (ja) 2017-08-03
US20170323820A1 (en) 2017-11-09
JP6559150B2 (ja) 2019-08-14
TWI688476B (zh) 2020-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108307635B (zh) 工件加工用胶粘带
TWI580569B (zh) Adhesive sheet
JP6559151B2 (ja) 表面保護用シート
TWI671193B (zh) 表面保護薄片用基材及表面保護薄片
KR101893937B1 (ko) 기재(基材) 필름 및 그 기재 필름을 구비한 점착 시트
CN108377659B (zh) 半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法
KR20140079336A (ko) 기재(基材) 필름 및 그 기재 필름을 구비한 점착 시트
EP3355341A1 (en) Curable resin film and first protective film forming sheet
KR20130048708A (ko) 다이싱 시트 및 반도체 칩의 제조 방법
CN110461973B (zh) 膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法
CN108140585B (zh) 第1保护膜形成用片
CN107001875B (zh) 膜状粘接剂复合片及半导体装置的制造方法
WO2020085220A1 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20170075712A (ko) 표면 보호용 시트
KR20170121146A (ko) 다이싱 시트 및 반도체 칩의 제조 방법
KR20150058242A (ko) 백 그라인드 시트
TW201702072A (zh) 樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法
CN108701641B (zh) 保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法
KR102725960B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant