TWI832291B - 保護膠帶及晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

一種保護膠帶，包括基材膜、抗靜電層以及黏著層。抗 靜電層位於基材膜上。抗靜電層的表面阻抗小於1E+9歐姆，且包括第一樹脂以及分散於所述第一樹脂中的導電材料。導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者。黏著層位於基材膜的經電暈處理的表面上。本揭露提供之保護膠帶具有耐電暈處理的優點。

Description

保護膠帶及晶圓的加工方法
本發明是有關於一種保護膠帶，且特別是有關於一種具有抗靜電層之保護膠帶及其製造方法。
隨著科技的進展，電子裝置中的功能越來越多樣化。舉例來說，目前的智慧型手機除了撥打電話的功能以外，更包含上網、拍照、錄影、指紋辨識等功能。為了因應這種發展，電子裝置中的晶片的數量以及集成度必需要被提升。基於上述原因，要如何縮小晶片或晶圓的厚度成為了目前許多廠商致力於研究的課題。
目前，背面研磨製程是一種常見的減少晶圓厚度的製程。一般而言，在執行背面研磨製程前，會於晶圓的正面貼上保護保護膠帶，以避免晶圓正面的元件在背面研磨製程中受到損傷。
本發明提供一種保護膠帶，具有耐電暈處理的優點。
本發明提供一種保護膠帶的製造方法，能夠製造出具有耐電暈處理的優點之保護膠帶。
本發明的至少一實施例提供一種保護膠帶。保護膠帶包括基材膜、抗靜電層以及黏著層。抗靜電層位於基材膜上。抗靜電層的表面阻抗小於1E+9歐姆，且包括第一樹脂以及分散於所述第一樹脂中的導電材料。導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者。黏著層位於基材膜的經電暈處理的表面上。
本發明的至少一實施例提供一種保護膠帶的製造方法，包括：提供基材膜；形成抗靜電層於基材膜上，其中抗靜電層包括第一樹脂以及分散於第一樹脂中的導電材料，其中導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者；對基材膜執行電暈處理，以形成基材膜的經電暈處理的表面；以及形成黏著層於基材膜的經電暈處理的表面上，其中抗靜電層在電暈處理之後的表面阻抗小於1E+9歐姆。
基於上述，黏著層形成於基材膜的經電暈處理的表面上，因此，黏著層可以較佳的附著於基材膜上。此外，由於抗靜電層中包括分散於樹脂中的導電材料，即使在經過電暈處理製程後，抗靜電層仍然具有小於1E+9歐姆的表面阻抗。
10,10’:保護膠帶
12:基材膜
12a:第一面
12b:第二面
14:抗靜電層
16:黏著層
17:凹凸吸收層
18:感光膠
22,22’:晶圓
24:導電結構
S1,S2,S3,S4:步驟
圖1是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的剖面示意 圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的製造方法的流程圖。
圖3A至圖3D是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的使用方法的剖面示意圖。
圖1是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的剖面示意圖。
請參考圖1，保護膠帶10包括基材膜12、抗靜電層14以及黏著層16。
在一些實施例中，基材膜12的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯或其他合適的材料。在一些實施例中，基材膜12的厚度T1介於25微米至150微米的範圍內，且較佳介於50微米至100微米的範圍內。
抗靜電層14位於基材膜12上。舉例來說，抗靜電層14直接形成於基材膜12的第一面12a上。在一些實施例中，抗靜電層14的厚度T2(乾膜的厚度)介於80奈米至200奈米的範圍內。抗靜電層14包括第一樹脂以及分散於第一樹脂中的導電材料。在一些實施例中，第一樹脂的材料包括聚氨酯、壓克力、聚酯樹脂、環氧樹脂以及醇酸樹脂中的至少一者。導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者，其中碳例如為奈米碳管或其他可以導電的 碳。在一些實施例中，抗靜電層14中還包括分散於第一樹脂中的經表面改質之填充粒子，其中經表面改質之填充粒子例如為經表面改質之氧化矽。在一些實施例中，經表面改質之填充粒子有助於避免抗靜電層14在製造或使用過程中被滾輪或其他物體所擦傷。
在本實施例中，抗靜電層14的表面阻抗小於1E+9歐姆，因此，抗靜電層14可以在晶圓的背面研磨製程時減少或避免晶圓因為靜電而造成的損傷。
黏著層16位於基材膜12的經電暈處理的第二面12b上。在本實施例中，抗靜電層14與黏著層16位於基材膜12的相對兩面，但本發明不以此為限。在其他實施例中，抗靜電層14與黏著層16位於基材膜12的同一面。電暈處理使基材膜12的第二面12b的化學鍵斷裂而降解，並能增加第二面12b的粗糙度和表面積，因此，後續形成於第二面12b之黏著層16可以較佳的附著於基材膜12上。在一些實施例中，第二面12b的粗糙度大於第一面12a的粗糙度。在一些實施例中，電暈處理使第二面12b轉變為具有極性的表面。
在一些實施例中，黏著層16的厚度T3介於0.5微米至3微米的範圍內，且較佳介於1微米至2微米的範圍內。在一些實施例中，黏著層16包括接枝具有極性官能基之單體的聚烯烴。黏著層16中之具有極性官能基之單體例如包括甲基丙烯酸縮水甘油酯(Glycidyl Methacrylate,GMA)、乙酸乙烯酯(Vinyl Acetate, VA)、馬來酸(Maleic Acid)、丙烯酸甲酯(Methyl Acrylate)以及其他合適的單體中的至少一者。此外，黏著層16中之聚烯烴例如包括聚乙烯、聚丙烯或其他合適的高分子材料。在一些實施例中，黏著層16之Tg約為攝氏-30度至130度，且熔點約為攝氏50度至150度。
在一些實施例中，保護膠帶10更包括凹凸吸收層(圖未繪)。凹凸吸收層與黏著層16黏合，且凹凸吸收層與基材膜12之間的剝離強度大於20N/25mm。在一些實施例中，凹凸吸收層的材料包括聚烯烴。舉例來說，凹凸吸收層為熱熔融型聚烯烴，例如聚乙烯、聚丙烯或其他合適的高分子材料。在一些實施例中，前述凹凸吸收層與黏著層16是利用不同的製程參數所形成，因此，前述凹凸吸收層與黏著層16包括不同的性質，但本發明不以此為限。在其他實施例中，前述凹凸吸收層與黏著層16包括類似的性質。在一些實施例中，黏著層16是藉由淋膜的方式形成。
圖2是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的製造方法的流程圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的內容，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖2，在步驟S1，提供基材膜。
在步驟S2，形成抗靜電層於基材膜上。抗靜電層包括第一樹脂、分散於第一樹脂中的導電材料以及可選的經表面改質之填充粒子。導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者。在一些 實施例中，形成抗靜電層的方法包括提供第一混合物於基材膜上。舉例來說，藉由印刷、塗佈或其他合適的製程形成第一混合物於基材膜上。第一混合物包括2wt%至20wt%的第一樹脂、1wt%至5wt%的導電材料、0.05wt%至10wt%的經表面改質之填充粒子、0.05wt%至10wt%的添加劑以及25wt%至85wt%的第一溶劑。在一些實施例中，第一溶劑包括水、有機溶劑或其他合適的溶液。在一些實施例中，添加劑包括潤濕劑、流平劑或其他合適的添加物。
在步驟S3，對基材膜執行電暈處理，以形成基材膜的經電暈處理的表面。
在步驟S4，形成黏著層於基材膜的經電暈處理的表面上。在一些實施例中，形成黏著層的方法包括提供第二混合物於經電暈處理的表面上。舉例來說，第二混合物包括5wt%至20wt%的第二樹脂、0.05wt%至10wt%的添加劑以及50wt%至85wt%的第二溶劑。在一些實施例中，第二樹脂包括接枝具有極性官能基之單體的聚烯烴。
在本實施例中，由於抗靜電層中包括分散於樹脂中的導電材料，因此，即使在經過電暈處理製程後，抗靜電層仍然具有小於1E+9歐姆的表面阻抗。
在一些實施例中，在形成黏著層之後，使黏著層與凹凸吸收層黏合。
以下，提供本發明的一些抗靜電層的實施例，然而，這 些實施例為例示性，且本發明不限於這些實施例。
實施例1
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。實施例1的第一混合物包括20wt%的聚脂、1wt%的金屬離子、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及75.5wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
實施例2
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。實施例2的第一混合物包括20wt%的聚脂、2.5wt%的金屬離子、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及74wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
實施例3
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。實施例3的第一混合物包括20wt%的壓克力、2.5wt%的金屬離子、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及74wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
實施例4
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。實施例4的第一混合物包括20wt%的聚脂、2.5wt%的奈米碳管、2.4wt%的 填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及74wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
實施例5
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。實施例5的第一混合物包括20wt%的聚脂、5wt%的奈米碳管、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及71.5wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
比較例1
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。比較例1的第一混合物包括20wt%的聚脂、5wt%的導電高分子、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及71.5wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
比較例2
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。比較例2的第一混合物包括1.5wt%的聚脂、5wt%的導電高分子、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及90wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.05微米的抗靜電層。
比較例3
提供第一混合物於基材膜上，以形成抗靜電層。比較例3的第一混合物包括20wt%的聚脂、0.5wt%的奈米碳管、2.4wt%的填充粒子、0.24wt%的填充粒子表面改質劑、0.86wt%的添加劑以及76wt%的水溶媒。
固化第一混合物後，形成厚度為0.1微米的抗靜電層。
表1是實施例1至實施例5以及比較例1至比較例3的抗靜電層的一些特性。
Figure 111122234-A0305-02-0011-1
在表1中，表面阻抗以及電暈處理後的表面阻抗分別指 的是抗靜電層在電暈處理前以及電暈處理後的表面阻抗。光透過率以及霧度指的是抗靜電層與基材膜整體的光透過率以及霧度。接著性指的是藉由百格測試所得到之抗靜電層與基材膜之間的接著性。
由表1可以得知，在實施例1至實施例5中，抗靜電層在電暈處理後的表面阻抗仍然小於1E+9歐姆的表面阻抗。因此，即使藉由電暈處理增加後續形成之黏著層與基材膜之間的附著力，也不會使抗靜電層失去抗靜電的能力。
圖3A至圖3D是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的使用方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A至圖3D的實施例沿用圖1的實施例的內容，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3A，在形成黏著層16之後，使黏著層16與凹凸吸收層17黏合。凹凸吸收層17上選擇性地具有感光膠18。
在本實施例中，保護膠帶10’包括基材膜12、抗靜電層14、黏著層16、凹凸吸收層17以及感光膠18。
請參考圖3B，將保護膠帶10’貼在晶圓22的正面上。在本實施例中，晶圓22的正面具有多個導電結構24。導電結構24例如是錫球、被動元件或其他構件。在本實施例中，感光膠18形成於凹凸吸收層17上，接著再將保護膠帶10’貼在晶圓22的正面上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，感光膠18形成於晶圓22的正面上，接著再將保護膠帶貼在晶圓22的正面上。
請參考圖3C，對晶圓22執行背面研磨製程，以形成減薄後的晶圓22’。
最後，請參考圖3D，對感光膠18照光，以減少感光膠18的黏性，接著將保護膠帶10’自晶圓22’表面移除。在本實施例中，由於凹凸吸收層17與基材膜12之間的剝離強度大於20N/25mm。在撕除保護膠帶10’時，凹凸吸收層17與基材膜12之間不容易出現層間剝離的問題。此外，由於抗靜電層14的表面阻抗小於1E+9歐姆，可以避免保護膠帶10’在撕除時產生的靜電破壞晶圓22’正面的導電結構24。
S1,S2,S3,S4:步驟

Claims (7)

  1. 一種保護膠帶，包括：基材膜；抗靜電層，位於所述基材膜上，其中所述抗靜電層的表面阻抗小於1E+9歐姆，且包括：第一樹脂；以及導電材料以及經表面改質之氧化矽，分散於所述第一樹脂中，其中所述導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者，其中所述抗靜電層為第一混合物固化後形成的，其中所述第一混合物包括2wt%至20wt%的所述第一樹脂、1wt%至5wt%的所述導電材料以及0.05wt%至10wt%的所述經表面改質之氧化矽；黏著層，位於所述基材膜的經電暈處理的表面上，其中所述黏著層包括接枝具有極性官能基之單體的聚烯烴；以及凹凸吸收層，與所述黏著層黏合，且所述凹凸吸收層與所述基材膜之間的剝離強度大於20N/25mm，其中所述凹凸吸收層的材料包括聚烯烴樹脂。
  2. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述基材膜的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯。
  3. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述第一樹脂的材料包括聚氨酯、壓克力、聚酯樹脂、環氧樹脂以及醇酸樹脂中的至少一者。
  4. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述黏著層中的所述具有極性官能基之單體包括甲基丙烯酸縮水甘油酯、乙酸乙烯酯、馬來酸以及丙烯酸甲酯中的至少一者。
  5. 一種晶圓的加工方法，包括：形成保護膠帶，包括：提供基材膜；提供第一混合物於所述基材膜上，其中所述第一混合物包括2wt%至20wt%的第一樹脂、1wt%至5wt%的導電材料以及0.05wt%至10wt%的經表面改質之氧化矽；固化所述第一混合物以形成抗靜電層，其中所述抗靜電層包括：所述第一樹脂；所述導電材料，分散於所述第一樹脂中，其中所述導電材料包括金屬離子以及碳中的至少一者；以及所述經表面改質之氧化矽；對所述基材膜執行電暈處理，以形成所述基材膜的經電暈處理的表面；形成黏著層於所述基材膜的經電暈處理的表面上，其中所述抗靜電層在所述電暈處理之後的表面阻抗小於1E+9歐姆，其中所述黏著層包括接枝具有極性官能基之單體的聚烯烴；以及形成凹凸吸收層於所述黏著層上，其中所述凹凸吸收層的材料包括聚烯烴樹脂； 將所述保護膠帶貼在所述晶圓的正面上，其中所述晶圓的所述正面具有多個導電結構，且所述導電結構壓入所述凹凸吸收層中；對所述晶圓執行背面研磨製程；以及將所述保護膠帶自所述晶圓的所述正面移除，其中所述凹凸吸收層與所述基材膜之間的剝離強度大於20N/25mm。
  6. 如請求項5所述的晶圓的加工方法，其中所述第一混合物包括0.05wt%至10wt%的添加劑以及25wt%至85wt%的第一溶劑。
  7. 如請求項5所述的晶圓的加工方法，其中形成所述黏著層於所述基材膜的所述經電暈處理的表面上包括提供一第二混合物於所述經電暈處理的表面上，其中所述第二混合物包括5wt%至20wt%的第二樹脂、0.05wt%至10wt%的添加劑以及50wt%至85wt%的第二溶劑。
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