JPH1195451A - 多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法 - Google Patents
多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法Info
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- JPH1195451A JPH1195451A JP25204297A JP25204297A JPH1195451A JP H1195451 A JPH1195451 A JP H1195451A JP 25204297 A JP25204297 A JP 25204297A JP 25204297 A JP25204297 A JP 25204297A JP H1195451 A JPH1195451 A JP H1195451A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/288—Removal of non-metallic coatings, e.g. for repairing
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層レジストプロセスにおいて、シリコンウ
エハなどの物品上に微細パタ―ンを形成したのちに、上
記物品上の不要となつたケイ素含有レジスト材を簡便に
かつ確実に除去する方法を提供する。 【解決手段】 多層レジストプロセスによる微細パタ―
ンの形成後、物品２上の不要となつたケイ素含有レジス
ト材３を除去するにあたり、上記物品２上に粘着シ―ト
類１を貼り付け、これを剥離操作することにより、この
粘着シ―ト類１とケイ素含有レジスト材３とを一体に剥
離除去する。
エハなどの物品上に微細パタ―ンを形成したのちに、上
記物品上の不要となつたケイ素含有レジスト材を簡便に
かつ確実に除去する方法を提供する。 【解決手段】 多層レジストプロセスによる微細パタ―
ンの形成後、物品２上の不要となつたケイ素含有レジス
ト材３を除去するにあたり、上記物品２上に粘着シ―ト
類１を貼り付け、これを剥離操作することにより、この
粘着シ―ト類１とケイ素含有レジスト材３とを一体に剥
離除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの製
造における微細パタ―ンを、多層レジストプロセスによ
り形成する工程において、シリコンウエハなどの物品上
の不要となつたケイ素含有レジスト材を除去する方法に
関するものである。
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの製
造における微細パタ―ンを、多層レジストプロセスによ
り形成する工程において、シリコンウエハなどの物品上
の不要となつたケイ素含有レジスト材を除去する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程では、たとえば、シリ
コンウエハ上にレジストパタ―ンを形成し、これをマス
クとして不純物イオンの注入、エツチングなどの処理を
施したのち、不要となつたレジスト材を通常はアツシヤ
―（炭化処理装置）により除去して、回路素子や配線を
形成するようにしている。
コンウエハ上にレジストパタ―ンを形成し、これをマス
クとして不純物イオンの注入、エツチングなどの処理を
施したのち、不要となつたレジスト材を通常はアツシヤ
―（炭化処理装置）により除去して、回路素子や配線を
形成するようにしている。
【０００３】近年、半導体デバイスの高機能化、高集積
化にともない、リソグラフイ工程における最小加工寸法
は減少し、下地基板も高段差化の傾向にある。このた
め、単層レジストプロセスでは、露光波長のより一層の
短波長化が進められているが、これと並行して、高段差
を有する下地基板上に微細パタ―ンを形成する手法とし
て、表層レジスト法（表面イメ―ジングプロセスともい
う）、２層レジスト法、３層レジスト法などの多層レジ
ストプロセスの開発が行われている。
化にともない、リソグラフイ工程における最小加工寸法
は減少し、下地基板も高段差化の傾向にある。このた
め、単層レジストプロセスでは、露光波長のより一層の
短波長化が進められているが、これと並行して、高段差
を有する下地基板上に微細パタ―ンを形成する手法とし
て、表層レジスト法（表面イメ―ジングプロセスともい
う）、２層レジスト法、３層レジスト法などの多層レジ
ストプロセスの開発が行われている。
【０００４】このような多層レジストプロセスでは、パ
タ―ニングされたレジストの表層部は、酸素プラズマ耐
性を有する含ケイ素化合物で覆われている。たとえば、
表層レジスト法では、物品上のレジストをパタ―ン露光
後にシリル化剤で処理して、露光部分に上記耐性の含ケ
イ素化合物を反応形成しており、また２層レジスト法で
は、物品上にあらかじめ表面側にケイ素含有レジストを
有する２層構成のレジストを形成して、これをパタ―ニ
ングしている。
タ―ニングされたレジストの表層部は、酸素プラズマ耐
性を有する含ケイ素化合物で覆われている。たとえば、
表層レジスト法では、物品上のレジストをパタ―ン露光
後にシリル化剤で処理して、露光部分に上記耐性の含ケ
イ素化合物を反応形成しており、また２層レジスト法で
は、物品上にあらかじめ表面側にケイ素含有レジストを
有する２層構成のレジストを形成して、これをパタ―ニ
ングしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
なケイ素含有レジスト材は、これを用いてシリコンウエ
ハなどの物品上に所望の微細パタ―ンを形成したのち
に、不要レジストとして物品上から除去しようとして
も、従来の通常のアツシヤ―（炭化処理装置）では容易
には除去できない。これは、その表面側がケイ素の存在
により酸素プラズマにも耐えうる物理的強固な状態にさ
れているためである。
なケイ素含有レジスト材は、これを用いてシリコンウエ
ハなどの物品上に所望の微細パタ―ンを形成したのち
に、不要レジストとして物品上から除去しようとして
も、従来の通常のアツシヤ―（炭化処理装置）では容易
には除去できない。これは、その表面側がケイ素の存在
により酸素プラズマにも耐えうる物理的強固な状態にさ
れているためである。
【０００６】このケイ素含有レジスト材の除去のため
に、アツシングやエツチングでの添加ガス種、混合比、
プロセス条件の検討など、また薬液による除去法などが
考えられている。しかし、これらの手法は、未だ技術的
に確立されるに至つておらず、より簡便で確実な除去方
法の確立が望まれている。
に、アツシングやエツチングでの添加ガス種、混合比、
プロセス条件の検討など、また薬液による除去法などが
考えられている。しかし、これらの手法は、未だ技術的
に確立されるに至つておらず、より簡便で確実な除去方
法の確立が望まれている。
【０００７】本発明は、上記従来の事情に照らし、表層
レジスト法や２層レジスト法などの多層レジストプロセ
スにおいて、シリコンウエハなどの物品上に微細パタ―
ンを形成したのちに、上記物品上の不要となつたケイ素
含有レジスト材を簡便にかつ確実に除去する方法を提供
することを目的としている。
レジスト法や２層レジスト法などの多層レジストプロセ
スにおいて、シリコンウエハなどの物品上に微細パタ―
ンを形成したのちに、上記物品上の不要となつたケイ素
含有レジスト材を簡便にかつ確実に除去する方法を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、多層レジストプロセス
において、シリコンウエハなどの物品上の不要となつた
ケイ素含有レジスト材を、粘着シ―ト類を用いて剥離除
去する方法により、上記レジスト材を簡便にかつ確実に
除去できることを知り、本発明を完成するに至つた。
的に対して、鋭意検討した結果、多層レジストプロセス
において、シリコンウエハなどの物品上の不要となつた
ケイ素含有レジスト材を、粘着シ―ト類を用いて剥離除
去する方法により、上記レジスト材を簡便にかつ確実に
除去できることを知り、本発明を完成するに至つた。
【０００９】すなわち、本発明は、多層レジストプロセ
スによる微細パタ―ンの形成後、物品上の不要となつた
ケイ素含有レジスト材を除去するにあたり、上記物品上
に粘着シ―ト類を貼り付け、これを剥離操作することに
より、この粘着シ―ト類とケイ素含有レジスト材とを一
体に剥離除去することを特徴とする多層レジストプロセ
スにおけるレジスト除去方法に係るものである。
スによる微細パタ―ンの形成後、物品上の不要となつた
ケイ素含有レジスト材を除去するにあたり、上記物品上
に粘着シ―ト類を貼り付け、これを剥離操作することに
より、この粘着シ―ト類とケイ素含有レジスト材とを一
体に剥離除去することを特徴とする多層レジストプロセ
スにおけるレジスト除去方法に係るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図２を参考にして説明する。図１は、本発明に使用
する粘着シ―ト類の構成を示したものである。図１にお
いて、粘着シ―ト類１は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレ―トなどのプラスチツクか
らなる厚さが通常１０〜１００μｍのフイルム基材１０
上に、厚さが通常１０〜２００μｍの粘着剤層１１を設
けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものである。上
記の粘着剤層２は非硬化型であつても、熱または紫外線
などの活性エネルギ―により硬化する硬化型であつても
よいが、好ましくは紫外線硬化型であるのがよい。
１〜図２を参考にして説明する。図１は、本発明に使用
する粘着シ―ト類の構成を示したものである。図１にお
いて、粘着シ―ト類１は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレ―トなどのプラスチツクか
らなる厚さが通常１０〜１００μｍのフイルム基材１０
上に、厚さが通常１０〜２００μｍの粘着剤層１１を設
けて、シ―ト状やテ―プ状の形態としたものである。上
記の粘着剤層２は非硬化型であつても、熱または紫外線
などの活性エネルギ―により硬化する硬化型であつても
よいが、好ましくは紫外線硬化型であるのがよい。
【００１１】紫外線硬化型の粘着剤としては、アクリル
系ポリマ―を粘着性ポリマ―とし、これに分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を１個以上有する分子量が通常１
０，０００以下の不揮発性低分子量体（以下、硬化性化
合物という）および光重合開始剤を配合し、また必要に
より架橋剤としてポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、
各種金属塩、キレ―ト化合物などの多官能性化合物や、
微粉シリカなどの充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤、重合禁止剤などの各種添加剤を配合してなる
ものが、好ましく用いられる。粘着力は、たとえば、シ
リコンウエハに対する１８０度剥離接着力として、紫外
線硬化後で１５０ｇ／１０mm幅未満（通常１０〜１００
ｇ／１０mm幅）であるのがよい。
系ポリマ―を粘着性ポリマ―とし、これに分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を１個以上有する分子量が通常１
０，０００以下の不揮発性低分子量体（以下、硬化性化
合物という）および光重合開始剤を配合し、また必要に
より架橋剤としてポリイソシアネ―ト、ポリエポキシ、
各種金属塩、キレ―ト化合物などの多官能性化合物や、
微粉シリカなどの充てん剤、粘着付与樹脂、着色剤、老
化防止剤、重合禁止剤などの各種添加剤を配合してなる
ものが、好ましく用いられる。粘着力は、たとえば、シ
リコンウエハに対する１８０度剥離接着力として、紫外
線硬化後で１５０ｇ／１０mm幅未満（通常１０〜１００
ｇ／１０mm幅）であるのがよい。
【００１２】アクリル系ポリマ―としては、（メタ）ア
クリル酸アルキルエステルの単独重合体、上記モノマ―
とカルボキシル基または水酸基含有モノマ―やその他の
改質用モノマ―との共重合体などからなる、重量平均分
子量が通常３０万〜２００万のものが好ましい。硬化性
化合物には、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ
（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリ
レ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―な
どがある。光重合開始剤には、たとえば、ベンゾイン、
ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピル
ベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケト
ンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジ
メチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―
ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトンなどが挙げられる。
クリル酸アルキルエステルの単独重合体、上記モノマ―
とカルボキシル基または水酸基含有モノマ―やその他の
改質用モノマ―との共重合体などからなる、重量平均分
子量が通常３０万〜２００万のものが好ましい。硬化性
化合物には、たとえば、トリメチロ―ルプロパントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタントリ
（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ルメタンテトラ
（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メタ）アクリ
レ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オリゴマ―な
どがある。光重合開始剤には、たとえば、ベンゾイン、
ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピル
ベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラ―ズケト
ンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジ
メチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタ―
ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトンなどが挙げられる。
【００１３】図２は、上記構成の粘着シ―ト類を用い
て、物品上に存在する不要となつたケイ素含有レジスト
材を除去する方法を示したものである。図２において、
上記のケイ素含有レジスト材は、既述したような種々の
多層レジストプロセスにより、所定のレジストパタ―ン
（レジスト膜画像）３として、形成されたものであり、
とくにこの例では、表層レジスト法（表面イメ―ジング
プロセス）により、表層部にシリル化剤の反応に基づく
ケイ素含有層３ａが形成されている。また、シリコンウ
エハなどの物品２上には、このレジストパタ―ン３をマ
スクとして、微細パタ―ン（図示せず）が形成されてい
る。
て、物品上に存在する不要となつたケイ素含有レジスト
材を除去する方法を示したものである。図２において、
上記のケイ素含有レジスト材は、既述したような種々の
多層レジストプロセスにより、所定のレジストパタ―ン
（レジスト膜画像）３として、形成されたものであり、
とくにこの例では、表層レジスト法（表面イメ―ジング
プロセス）により、表層部にシリル化剤の反応に基づく
ケイ素含有層３ａが形成されている。また、シリコンウ
エハなどの物品２上には、このレジストパタ―ン３をマ
スクとして、微細パタ―ン（図示せず）が形成されてい
る。
【００１４】本発明では、まず、図２に示すように、シ
リコンウエハなどの物品２上に粘着シ―ト類１を貼り付
ける。その際、粘着剤層１１が可塑化してケイ素含有レ
ジスト材に十分に密着するように、加熱加圧するのが望
ましい。このときの条件は、レジストパタ―ン３の付着
状況や粘着剤の種類などにより、適宜決定できるが、一
般に、指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の
硬化や側面へのはみ出しが起こらない、通常２０〜１５
０℃の温度を選ぶのがよい。
リコンウエハなどの物品２上に粘着シ―ト類１を貼り付
ける。その際、粘着剤層１１が可塑化してケイ素含有レ
ジスト材に十分に密着するように、加熱加圧するのが望
ましい。このときの条件は、レジストパタ―ン３の付着
状況や粘着剤の種類などにより、適宜決定できるが、一
般に、指圧からロ―ル圧までの広い条件下で、接着剤の
硬化や側面へのはみ出しが起こらない、通常２０〜１５
０℃の温度を選ぶのがよい。
【００１５】このような貼り付け処理後、紫外線硬化型
の粘着シ―ト類ではこれに紫外線を照射して硬化させた
のち、この粘着シ―ト類１を、図２中、矢印方向イに剥
離操作すると、物品２上のケイ素含有レジスト材（レジ
ストパタ―ン）３は、粘着シ―ト類１と一体となつて剥
離除去される。つまり、上記のような剥離操作にて、従
来のアツシヤ―（炭化処理装置）では容易に除去できな
かつたケイ素含有レジスト材を、簡便にかつ確実に除去
することができる。
の粘着シ―ト類ではこれに紫外線を照射して硬化させた
のち、この粘着シ―ト類１を、図２中、矢印方向イに剥
離操作すると、物品２上のケイ素含有レジスト材（レジ
ストパタ―ン）３は、粘着シ―ト類１と一体となつて剥
離除去される。つまり、上記のような剥離操作にて、従
来のアツシヤ―（炭化処理装置）では容易に除去できな
かつたケイ素含有レジスト材を、簡便にかつ確実に除去
することができる。
【００１６】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
【００１７】参考例１ シリコンウエハ上に、クレゾ―ルノボラツク樹脂とジア
ゾナフトキノンからなるレジスト材を塗布した。表層レ
ジスト法によつて、パタ―ン露光後、加熱条件下で、シ
リル化剤（ヘキサメチルジシラザン）と接触させて、レ
ジスト材（の露光部分）の表層部に上記シリル化剤を反
応結合させたケイ素含有層を形成した。しかるのち、常
法により現像処理して、上記ケイ素含有レジスト材から
なるレジストパタ―ンを形成するとともに、このレジス
トパタ―ンをマスクとして、シリコンウエハ上に所望の
微細パタ―ンを形成した。
ゾナフトキノンからなるレジスト材を塗布した。表層レ
ジスト法によつて、パタ―ン露光後、加熱条件下で、シ
リル化剤（ヘキサメチルジシラザン）と接触させて、レ
ジスト材（の露光部分）の表層部に上記シリル化剤を反
応結合させたケイ素含有層を形成した。しかるのち、常
法により現像処理して、上記ケイ素含有レジスト材から
なるレジストパタ―ンを形成するとともに、このレジス
トパタ―ンをマスクとして、シリコンウエハ上に所望の
微細パタ―ンを形成した。
【００１８】実施例１ アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５０万のアクリル系ポリマ―の溶
液Ａを得た。
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５０万のアクリル系ポリマ―の溶
液Ａを得た。
【００１９】この溶液Ａに、アクリル系ポリマ―１００
部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ル
ジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサ
アクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアク
リレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタ
ンジイソシアネ―ト３部、光重合開始剤としてα−ヒド
ロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混
合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製した。
部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコ―ル
ジアクリレ―ト１０部、ジペンタエリスリト―ルヘキサ
アクリレ―ト１０部、トリメチロ―ルプロパントリアク
リレ―ト３０部、多官能性化合物としてジフエニルメタ
ンジイソシアネ―ト３部、光重合開始剤としてα−ヒド
ロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部を、均一に混
合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製した。
【００２０】この紫外線硬化型の粘着剤溶液を、厚さが
５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが
３５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥し
て、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘着シ
―トの紫外線硬化後のシリコンウエハに対する１８０度
剥離接着力は１０ｇ／１０mm幅であつた。
５０μｍのポリエステルフイルム上に、乾燥後の厚さが
３５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥し
て、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘着シ
―トの紫外線硬化後のシリコンウエハに対する１８０度
剥離接着力は１０ｇ／１０mm幅であつた。
【００２１】つぎに、参考例１の方法により微細パタ―
ンを形成してなる、ケイ素含有レジスト材が存在するシ
リコンウエハに、上記の紫外線硬化型の粘着シ―トを、
１３０℃の加熱板上で圧着して貼り付けた。その後、高
圧水銀ランプにより、紫外線を１，０００ｍｊ／cm2 の
照射量で照射して、硬化処理した。この硬化処理後、粘
着シ―トを剥離操作したところ、ケイ素含有レジスト材
は粘着シ―トと一体に剥離除去された。念のため、上記
の剥離操作を、さらに、もう一度繰り返した。このよう
な剥離操作後に、上記シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した結
果、ケイ素含有レジスト材がきれいに除去されているこ
とを確認できた。
ンを形成してなる、ケイ素含有レジスト材が存在するシ
リコンウエハに、上記の紫外線硬化型の粘着シ―トを、
１３０℃の加熱板上で圧着して貼り付けた。その後、高
圧水銀ランプにより、紫外線を１，０００ｍｊ／cm2 の
照射量で照射して、硬化処理した。この硬化処理後、粘
着シ―トを剥離操作したところ、ケイ素含有レジスト材
は粘着シ―トと一体に剥離除去された。念のため、上記
の剥離操作を、さらに、もう一度繰り返した。このよう
な剥離操作後に、上記シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した結
果、ケイ素含有レジスト材がきれいに除去されているこ
とを確認できた。
【００２２】実施例２ 実施例１で得たアクリル系ポリマ―の溶液Ａに、アクリ
ル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリ
エチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ
―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物
としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤とし
てα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部
を、均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製
した。
ル系ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリ
エチレングリコ―ルメタクリレ―ト２０部、トリメチロ
―ルプロパントリアクリレ―ト３０部、多官能性化合物
としてトリレンジイソシアネ―ト３部、重合開始剤とし
てα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン５部
を、均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製
した。
【００２３】この粘着剤溶液を用いて、実施例１と同様
にして、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘
着シ―トの紫外線硬化後のシリコンウエハに対する１８
０度剥離接着力は１２ｇ／１０mm幅であつた。つぎに、
この紫外線硬化型の粘着シ―トを用いて、実施例１と同
様にして、ケイ素含有レジスト材の剥離除去を試みたと
ころ、ケイ素含有レジスト材はこの粘着シ―トと一体に
剥離除去された。念のため、上記の剥離操作をもう一度
繰り返したのちに、シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭで観察した結果、実施例１の場合と同
様に、ケイ素含有レジスト材がきれいに除去されている
ことを確認できた。
にして、紫外線硬化型の粘着シ―トを作製した。この粘
着シ―トの紫外線硬化後のシリコンウエハに対する１８
０度剥離接着力は１２ｇ／１０mm幅であつた。つぎに、
この紫外線硬化型の粘着シ―トを用いて、実施例１と同
様にして、ケイ素含有レジスト材の剥離除去を試みたと
ころ、ケイ素含有レジスト材はこの粘着シ―トと一体に
剥離除去された。念のため、上記の剥離操作をもう一度
繰り返したのちに、シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭで観察した結果、実施例１の場合と同
様に、ケイ素含有レジスト材がきれいに除去されている
ことを確認できた。
【００２４】比較例１ 参考例１の方法により微細パタ―ンを形成してなる、ケ
イ素含有レジスト材が存在するシリコンウエハに対し
て、酸素プラズマアツシング装置により、上記レジスト
材の除去を試みた。シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭ観察したところ、上記レジスト材はほ
とんど除去されていなかつた。
イ素含有レジスト材が存在するシリコンウエハに対し
て、酸素プラズマアツシング装置により、上記レジスト
材の除去を試みた。シリコンウエハの表面を蛍光顕微
鏡、断面をＳＥＭ観察したところ、上記レジスト材はほ
とんど除去されていなかつた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多層レ
ジストプロセスによる微細パタ―ンの形成後、物品上の
不要となつたケイ素含有レジスト材を、粘着シ―ト類を
用いて剥離除去する方法により、上記レジスト材を簡便
にかつ確実に除去できるから、半導体などの製造工程の
簡略化に寄与させることができる。
ジストプロセスによる微細パタ―ンの形成後、物品上の
不要となつたケイ素含有レジスト材を、粘着シ―ト類を
用いて剥離除去する方法により、上記レジスト材を簡便
にかつ確実に除去できるから、半導体などの製造工程の
簡略化に寄与させることができる。
【図１】本発明に使用する粘着シ―ト類の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のレジスト除去方法を示す断面図であ
る。
る。
１ 粘着シ―ト類 １０ フイルム基材 １１ 粘着剤層 ２ シリコンウエハ（物品） ３ レジストパタ―ン（ケイ素含有レジスト材）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 佳子 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 堀田 尚二 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 森田 正行 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 豊田 英志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 並河 亮 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 近田 縁 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 多層レジストプロセスによる微細パタ―
ンの形成後、物品上の不要となつたケイ素含有レジスト
材を除去するにあたり、上記物品上に粘着シ―ト類を貼
り付け、これを剥離操作することにより、この粘着シ―
ト類とケイ素含有レジスト材とを一体に剥離除去するこ
とを特徴とする多層レジストプロセスにおけるレジスト
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25204297A JPH1195451A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25204297A JPH1195451A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195451A true JPH1195451A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17231774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25204297A Pending JPH1195451A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001181585A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Nitto Denko Corp | 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法 |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP25204297A patent/JPH1195451A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001181585A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Nitto Denko Corp | 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法 |
| JP4495813B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-07-07 | 日東電工株式会社 | 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法 |
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