JP2003342540A - 半導体加工用粘着シート - Google Patents
半導体加工用粘着シートInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ面からの除去性の好適な粘着シート、
およびそれを用いたウエハ加工方法を提供する。 【解決手段】 支持体上に上下二層の粘着剤層を有し、
上層のみに紫外線によりガス発生する化合物が含まれて
いる粘着シートの粘着剤層を用いてウエハを固定し、該
ウエハを研磨加工または切断加工した後、紫外線を該粘
着剤層に照射することにより、粘着剤層からウエハを剥
離する。
およびそれを用いたウエハ加工方法を提供する。 【解決手段】 支持体上に上下二層の粘着剤層を有し、
上層のみに紫外線によりガス発生する化合物が含まれて
いる粘着シートの粘着剤層を用いてウエハを固定し、該
ウエハを研磨加工または切断加工した後、紫外線を該粘
着剤層に照射することにより、粘着剤層からウエハを剥
離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体を製造す
る際の種々の工程に使用される半導体ウエハ加工用粘着
シート、及びそれを用いた半導体ウエハの加工方法に関
する。
る際の種々の工程に使用される半導体ウエハ加工用粘着
シート、及びそれを用いた半導体ウエハの加工方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】パターンを形成したウエハを研磨するバ
ックグラインド工程においては、回路形成済みのウエハ
をポリシング用バフの間に挟み込み、研磨剤により研磨
していく。この際、ウエハ破損防止のため研磨時には強
力な粘着力でウエハをシートに固定する必要があり、研
磨終了後はすみやかに剥離される必要がある。特に、研
磨工程によりウエハ厚みが薄くなっているため、よりこ
の破損は起こりやすい。一方、ダイシング工程において
は、半導体ウエハを予め粘着シートに貼り付けて固定
し、そのウエハをダイシングソーと言われる回転丸刃に
より素子状に沿って切断し、その後一つ一つの素子をピ
ックアップしていく。
ックグラインド工程においては、回路形成済みのウエハ
をポリシング用バフの間に挟み込み、研磨剤により研磨
していく。この際、ウエハ破損防止のため研磨時には強
力な粘着力でウエハをシートに固定する必要があり、研
磨終了後はすみやかに剥離される必要がある。特に、研
磨工程によりウエハ厚みが薄くなっているため、よりこ
の破損は起こりやすい。一方、ダイシング工程において
は、半導体ウエハを予め粘着シートに貼り付けて固定
し、そのウエハをダイシングソーと言われる回転丸刃に
より素子状に沿って切断し、その後一つ一つの素子をピ
ックアップしていく。
【０００３】上記方式をとる場合、切断する際には粘着
力が強いことが要求され、逆にピックアップする際には
粘着力が弱いことが要求される。従来、これらの相反す
る特性に対しては、粘着層に加熱処理でガス発生する成
分を含有させておき、粘着力をさげる場合には加熱、発
泡させることにより粘着力をさげる、または紫外線等の
照射により粘着層を硬化させる紫外線硬化型粘着層（特
開平１−２７２１３号公報参照）などが提案されてき
た。
力が強いことが要求され、逆にピックアップする際には
粘着力が弱いことが要求される。従来、これらの相反す
る特性に対しては、粘着層に加熱処理でガス発生する成
分を含有させておき、粘着力をさげる場合には加熱、発
泡させることにより粘着力をさげる、または紫外線等の
照射により粘着層を硬化させる紫外線硬化型粘着層（特
開平１−２７２１３号公報参照）などが提案されてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、最近になり紫外
線照射によりガスを発生するアジド化合物を粘着層に含
有させることにより、紫外線照射によりガスを発生さ
せ、粘着力を下げるシートが提案されている（特開２０
０１−２００２３４号公報参照）。これは、簡便な方法
によりガス発生させることができる優れた方法である。
しかし、発生したガスにより支持体との間の剥離が優先
的に起こり、ウエハなど基材との密着力よりも小さくな
ることが起こるために、支持体のみが剥離され、粘着剤
を除去できないという問題点があった。
線照射によりガスを発生するアジド化合物を粘着層に含
有させることにより、紫外線照射によりガスを発生さ
せ、粘着力を下げるシートが提案されている（特開２０
０１−２００２３４号公報参照）。これは、簡便な方法
によりガス発生させることができる優れた方法である。
しかし、発生したガスにより支持体との間の剥離が優先
的に起こり、ウエハなど基材との密着力よりも小さくな
ることが起こるために、支持体のみが剥離され、粘着剤
を除去できないという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記課題を解決すべく、鋭意検討の結果、支持体上に上
下二層に形成された粘着剤層にあって、支持体に接しな
い上層に、紫外線によりガスを発生する化合物を含有さ
せ、支持体に接する下層には、紫外線によりガスを発生
する成分を含有しない構成にすることにより、支持体と
の接着性を低下させることなく、効果的に基材との密着
力のみを低下させることができるので、効率的にテープ
材を剥離除去することができることを見いだし、本願発
明を完成するに至った。
上記課題を解決すべく、鋭意検討の結果、支持体上に上
下二層に形成された粘着剤層にあって、支持体に接しな
い上層に、紫外線によりガスを発生する化合物を含有さ
せ、支持体に接する下層には、紫外線によりガスを発生
する成分を含有しない構成にすることにより、支持体と
の接着性を低下させることなく、効果的に基材との密着
力のみを低下させることができるので、効率的にテープ
材を剥離除去することができることを見いだし、本願発
明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本願は、以下の発明を提供する。
（１）支持体上に粘着剤層を有する粘着シートにおい
て、該粘着剤層が支持体に接しない上層と支持体に接す
る下層の二層に分かれており、かつ、紫外線によりガス
発生する化合物が該上層のみに含まれていることを特徴
とする粘着シート。なお、ここで言う粘着シートには、
粘着テープも含まれる。また、上記粘着シートの発明に
おいて、紫外線によりガスを発生する化合物が、キノン
ジアジド構造含有化合物またはアジド基含有化合物であ
ることは好ましい実施形態である。
て、該粘着剤層が支持体に接しない上層と支持体に接す
る下層の二層に分かれており、かつ、紫外線によりガス
発生する化合物が該上層のみに含まれていることを特徴
とする粘着シート。なお、ここで言う粘着シートには、
粘着テープも含まれる。また、上記粘着シートの発明に
おいて、紫外線によりガスを発生する化合物が、キノン
ジアジド構造含有化合物またはアジド基含有化合物であ
ることは好ましい実施形態である。
【０００７】（２）上記（１）記載の粘着シートの粘着
剤層を用いてウエハを固定し、該ウエハを研磨加工また
は切断加工した後、紫外線を該粘着剤層に照射すること
により、粘着剤層からウエハを剥離することを特徴とす
る半導体ウエハの加工方法。
剤層を用いてウエハを固定し、該ウエハを研磨加工また
は切断加工した後、紫外線を該粘着剤層に照射すること
により、粘着剤層からウエハを剥離することを特徴とす
る半導体ウエハの加工方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本願発明を詳細に説明す
る。本願発明の粘着シートにおける粘着剤層は、支持体
に接しない上層（以下、単に上層という）と支持体に接
する下層（以下、単に下層という）の二層から構成され
る。ここで用いられる上層は、粘着剤に紫外線によりガ
ス発生する化合物を含有させたものである。
る。本願発明の粘着シートにおける粘着剤層は、支持体
に接しない上層（以下、単に上層という）と支持体に接
する下層（以下、単に下層という）の二層から構成され
る。ここで用いられる上層は、粘着剤に紫外線によりガ
ス発生する化合物を含有させたものである。
【０００９】上記上層に含まれる紫外線によりガス発生
する化合物としては、キノンジアジド構造含有化合物ま
たはアジド基を含む化合物が好ましい。本願発明に用い
られるキノンジアジド構造含有化合物としては、ポジ型
レジスト用開始剤として用いられるものが一般的に使用
可能である。このようなものとしては、ｉ）トリヒドロ
キシベンゾフェノン類、テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン類、またはペンタヒドロキシベンゾフェノン類と、
１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルフォニ
ルクロライドまたは１，２−ナフトキノン−２−ジアジ
ド−４−スルフォニルクロライド、とのエステルなどを
挙げることができる。
する化合物としては、キノンジアジド構造含有化合物ま
たはアジド基を含む化合物が好ましい。本願発明に用い
られるキノンジアジド構造含有化合物としては、ポジ型
レジスト用開始剤として用いられるものが一般的に使用
可能である。このようなものとしては、ｉ）トリヒドロ
キシベンゾフェノン類、テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン類、またはペンタヒドロキシベンゾフェノン類と、
１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルフォニ
ルクロライドまたは１，２−ナフトキノン−２−ジアジ
ド−４−スルフォニルクロライド、とのエステルなどを
挙げることができる。
【００１０】さらに、具体的な例としては、２，３，４
トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルフォンニルクロライドとのエ
ステル化物、２，３，４、４′テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−
スルフォンニルクロライドとのエステル化物などを挙げ
ることができる。キノンジアジド構造含有化合物への紫
外線照射によりガスが発生するメカニズムは、紫外線照
射により窒素ガスを発生し、カルベン構造になり、これ
は直ちにケテン構造になり、水と反応してインデンカル
ボン酸構造に変化するというものである。
トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルフォンニルクロライドとのエ
ステル化物、２，３，４、４′テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−
スルフォンニルクロライドとのエステル化物などを挙げ
ることができる。キノンジアジド構造含有化合物への紫
外線照射によりガスが発生するメカニズムは、紫外線照
射により窒素ガスを発生し、カルベン構造になり、これ
は直ちにケテン構造になり、水と反応してインデンカル
ボン酸構造に変化するというものである。
【００１１】アジド基含有化合物としては、合成の容易
さ、安全性などの点からメチルアジド基を有する化合物
が好ましい。このような化合物としては、例えば、ＧＡ
Ｐ［グリシジル アジド ポリマー（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ
Aｚｉｄｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）］、ＡＭＭＯ［３−ア
ジドメチル−３ メチルオキセタン（３−Ａｚｉｄｏｍ
ｅｔｈｙｌ−３ ｍｅｔｈｙｌｏｘｅｔａｎｅ）］、Ｂ
ＡＭＯ［３，３−ビスアジドメチル オキセタン（３，
３−ｂｉｓ ａｚｉｄｏｍｅｔｈｙｌ ｏｘｅｔａｎ
ｅ）］等が挙げられる。また、芳香族に直接アジド基が
結合した化合物も使用可能である。例えば、ｐ−アジド
ベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベ
ンザル）−シクロヘキサノンなど、ネガ型フォトレジス
ト用感光剤などが用いられる。
さ、安全性などの点からメチルアジド基を有する化合物
が好ましい。このような化合物としては、例えば、ＧＡ
Ｐ［グリシジル アジド ポリマー（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ
Aｚｉｄｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）］、ＡＭＭＯ［３−ア
ジドメチル−３ メチルオキセタン（３−Ａｚｉｄｏｍ
ｅｔｈｙｌ−３ ｍｅｔｈｙｌｏｘｅｔａｎｅ）］、Ｂ
ＡＭＯ［３，３−ビスアジドメチル オキセタン（３，
３−ｂｉｓ ａｚｉｄｏｍｅｔｈｙｌ ｏｘｅｔａｎ
ｅ）］等が挙げられる。また、芳香族に直接アジド基が
結合した化合物も使用可能である。例えば、ｐ−アジド
ベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベ
ンザル）−シクロヘキサノンなど、ネガ型フォトレジス
ト用感光剤などが用いられる。
【００１２】本願発明において、粘着剤にガス発生剤で
あるキノンジアジド構造含有化合物またはアジド基含有
化合物を配合する際の配合割合は、必要に応じて、粘着
力、剥離性の程度を考慮して決めれば良い。また、本願
発明に用いられる粘着剤層は、シート状、または巻き取
りやすいようにテープ状で提供されることが好ましい。
また、本願発明における粘着剤層の上層または下層に用
いられる粘着剤としては、一般的なものが使用可能であ
り、例えば、ゴム系やアクリル系、ビニルアルキルエー
テル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリアミド
系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系
等のポリマーを１種または２種以上併用することが可能
である。また、上記粘着剤に、架橋剤としてのメタクリ
ル酸エステルやアクリル酸エステルを併用させても良
い。また、粘着付与剤、可塑剤や充填剤、老化防止剤な
どの添加剤を配合しても良い。
あるキノンジアジド構造含有化合物またはアジド基含有
化合物を配合する際の配合割合は、必要に応じて、粘着
力、剥離性の程度を考慮して決めれば良い。また、本願
発明に用いられる粘着剤層は、シート状、または巻き取
りやすいようにテープ状で提供されることが好ましい。
また、本願発明における粘着剤層の上層または下層に用
いられる粘着剤としては、一般的なものが使用可能であ
り、例えば、ゴム系やアクリル系、ビニルアルキルエー
テル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリアミド
系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系
等のポリマーを１種または２種以上併用することが可能
である。また、上記粘着剤に、架橋剤としてのメタクリ
ル酸エステルやアクリル酸エステルを併用させても良
い。また、粘着付与剤、可塑剤や充填剤、老化防止剤な
どの添加剤を配合しても良い。
【００１３】本願発明における粘着剤層の上層および下
層の厚みの合計は適宜選定できるが、一般には３〜３０
０μm、好ましくは、５〜１５０μmである。また、粘着
層全体の厚みに対する上層の厚みの比率は、１／１０以
上９／１０以下であることが好ましい。この比率が１／
１０以上であれば、ガス発生によるウエハとの粘着力低
下の効果は十分であり、この比率が９／１０以下であれ
ば、支持体との粘着力の低下が生じないので好ましい。
層の厚みの合計は適宜選定できるが、一般には３〜３０
０μm、好ましくは、５〜１５０μmである。また、粘着
層全体の厚みに対する上層の厚みの比率は、１／１０以
上９／１０以下であることが好ましい。この比率が１／
１０以上であれば、ガス発生によるウエハとの粘着力低
下の効果は十分であり、この比率が９／１０以下であれ
ば、支持体との粘着力の低下が生じないので好ましい。
【００１４】本願発明に用いられる支持体としては、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコ
ールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニ
リデンフィルムなどの紫外線透過性の良好なものが好ま
しい。本願発明の粘着剤層の上層の上にさらに保護層を
ラミネートして、４層構造にすることもできる。このよ
うな保護層に用いられるフィルムとしては、ポリエチレ
ンフィルムやポリプロピレンフィルム等のポリオレフィ
ンフィルムや、シリコーン処理またはアルキッド樹脂処
理などで剥離性を向上させたポリエステルフィルム等が
挙げられる。
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコ
ールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニ
リデンフィルムなどの紫外線透過性の良好なものが好ま
しい。本願発明の粘着剤層の上層の上にさらに保護層を
ラミネートして、４層構造にすることもできる。このよ
うな保護層に用いられるフィルムとしては、ポリエチレ
ンフィルムやポリプロピレンフィルム等のポリオレフィ
ンフィルムや、シリコーン処理またはアルキッド樹脂処
理などで剥離性を向上させたポリエステルフィルム等が
挙げられる。
【００１５】本願発明の粘着シート（テープ）の製造方
法としては、支持体上に下層を塗布、乾燥し、次いで上
層を塗布、乾燥する方法を挙げることができる。また、
支持体に下層を形成し、離形性のあるフィルム等に上層
を形成し、次いで上層と下層を貼り合わせることにより
本願発明の粘着シート（テープ）を作成することができ
る。上述した方法において、粘着剤組成物を塗布するに
は、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などの
方法を用いることができる。
法としては、支持体上に下層を塗布、乾燥し、次いで上
層を塗布、乾燥する方法を挙げることができる。また、
支持体に下層を形成し、離形性のあるフィルム等に上層
を形成し、次いで上層と下層を貼り合わせることにより
本願発明の粘着シート（テープ）を作成することができ
る。上述した方法において、粘着剤組成物を塗布するに
は、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などの
方法を用いることができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本願発明の実施形態の例
を具体的に説明する。 （実施例１）次の溶液Ｂを得て、これをブレードコータ
ーにより２０μm厚ポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に均一にコートした。乾燥機にて８０℃で５分間乾
燥することにより粘着剤層の下層を得た。厚みは５０μ
mであった。 ［溶液Ｂ］ i)メタクリル酸メチル６０重量％、アクリル酸ｎ−ブチル３０重量％、アクリル 酸１０重量％のコポリマー（平均重量分子量１０万）のメチルエチルケトン溶液 （固形分４０％） ・・・・・ １０ｇ ii)ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロピレンモノメタクリレートと のウレタン化物 ・・・・・ ２．０ｇ iii)ノナプロピレングリコールジアクリレート ・・・・・ ２．０ｇ
を具体的に説明する。 （実施例１）次の溶液Ｂを得て、これをブレードコータ
ーにより２０μm厚ポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に均一にコートした。乾燥機にて８０℃で５分間乾
燥することにより粘着剤層の下層を得た。厚みは５０μ
mであった。 ［溶液Ｂ］ i)メタクリル酸メチル６０重量％、アクリル酸ｎ−ブチル３０重量％、アクリル 酸１０重量％のコポリマー（平均重量分子量１０万）のメチルエチルケトン溶液 （固形分４０％） ・・・・・ １０ｇ ii)ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロピレンモノメタクリレートと のウレタン化物 ・・・・・ ２．０ｇ iii)ノナプロピレングリコールジアクリレート ・・・・・ ２．０ｇ
【００１７】さらに、上記溶液Ｂに、２，３，４，テト
ラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノン−
（２）−ジアジド−５−スルフォニルクロライドとのエ
ステル化物 ０．２ｇを添加した溶液Ａを、離形処理し
たポリエチレンテレフタレートフィルム（２０μm厚）
の処理面に、溶液Ｂの場合と同様の方法でコーティング
し、乾燥することにより粘着剤層の上層を得た。粘着剤
層の厚みは３０μmであった。次いで、上層と下層をラ
ミネーターで貼り合わせることにより粘着シートを得
た。
ラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノン−
（２）−ジアジド−５−スルフォニルクロライドとのエ
ステル化物 ０．２ｇを添加した溶液Ａを、離形処理し
たポリエチレンテレフタレートフィルム（２０μm厚）
の処理面に、溶液Ｂの場合と同様の方法でコーティング
し、乾燥することにより粘着剤層の上層を得た。粘着剤
層の厚みは３０μmであった。次いで、上層と下層をラ
ミネーターで貼り合わせることにより粘着シートを得
た。
【００１８】このフィルムを、ラミネーターより、離形
処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを剥が
し、上層がウエハに接触するように貼り合わせたとこ
ろ、十分な粘着性を有していた。さらに、超高圧紫外線
露光機（オーク製作所製HMW-201）で５００ｍＪ／ｃｍ2
の紫外線を照射したところ、著しく発泡し、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムをつまみ、シートを剥離した
ところ、フィルムから粘着剤層が全く剥離することな
く、粘着剤層は容易にウエハ上から除去できた。
処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを剥が
し、上層がウエハに接触するように貼り合わせたとこ
ろ、十分な粘着性を有していた。さらに、超高圧紫外線
露光機（オーク製作所製HMW-201）で５００ｍＪ／ｃｍ2
の紫外線を照射したところ、著しく発泡し、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムをつまみ、シートを剥離した
ところ、フィルムから粘着剤層が全く剥離することな
く、粘着剤層は容易にウエハ上から除去できた。
【００１９】（実施例２）実施例１の溶液Ａに新たに添
加したキノンジアジド基含有化合物に代えて、ＧＡＰ
［グリシジル アジド ポリマー（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ
Aｚｉｄｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）］を０．５ｇ添加する他
は、実施例１と全く同様の方法で粘着シートを得た。こ
れを、実施例１と同様の方法でウエハに貼り付けた後、
露光機として２５０nmにピークが有る露光機で紫外線を
照射（１０００ｍJ／cm2）したところ、著しく発泡し、
ポリエチレンテレフタレートフィルムをつまみ、シート
を剥離したところ、フィルムから粘着剤層が全く剥離す
ることなく、粘着剤層は容易にウエハ上から除去でき
た。
加したキノンジアジド基含有化合物に代えて、ＧＡＰ
［グリシジル アジド ポリマー（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ
Aｚｉｄｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）］を０．５ｇ添加する他
は、実施例１と全く同様の方法で粘着シートを得た。こ
れを、実施例１と同様の方法でウエハに貼り付けた後、
露光機として２５０nmにピークが有る露光機で紫外線を
照射（１０００ｍJ／cm2）したところ、著しく発泡し、
ポリエチレンテレフタレートフィルムをつまみ、シート
を剥離したところ、フィルムから粘着剤層が全く剥離す
ることなく、粘着剤層は容易にウエハ上から除去でき
た。
【００２０】
【発明の効果】本願発明によれば、ウエハの固定と剥離
を含むウエハ加工において、ウエハ面からの除去性の好
適な粘着シートが提供される。また、このシートを用い
た場合、加工終了後、紫外線照射することにより、粘着
剤層が支持フィルムと剥離することなく、容易にウエハ
面から除去することが可能である。
を含むウエハ加工において、ウエハ面からの除去性の好
適な粘着シートが提供される。また、このシートを用い
た場合、加工終了後、紫外線照射することにより、粘着
剤層が支持フィルムと剥離することなく、容易にウエハ
面から除去することが可能である。
Claims (3)
- 【請求項１】 支持体上に粘着剤層を有する粘着シート
において、該粘着剤層が支持体に接しない上層と支持体
に接する下層の二層に分かれており、かつ、紫外線によ
りガス発生する化合物が該上層のみに含まれていること
を特徴とする粘着シート。 - 【請求項２】 紫外線によりガスを発生する化合物が、
キノンジアジド構造含有化合物またはアジド基含有化合
物である請求項１記載の粘着シート。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の粘着シー
トの粘着剤層を用いてウエハを固定し、該ウエハを研磨
加工または切断加工した後、紫外線を該粘着剤層に照射
することにより、粘着剤層からウエハを剥離することを
特徴とする半導体ウエハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154579A JP2003342540A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体加工用粘着シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154579A JP2003342540A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体加工用粘着シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003342540A true JP2003342540A (ja) | 2003-12-03 |
Family
ID=29771353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154579A Pending JP2003342540A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 半導体加工用粘着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003342540A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191531A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP2005294536A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Ｉｃチップの製造方法及びｉｃチップの製造装置 |
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