JP2005294536A - Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 - Google Patents
Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005294536A JP2005294536A JP2004107583A JP2004107583A JP2005294536A JP 2005294536 A JP2005294536 A JP 2005294536A JP 2004107583 A JP2004107583 A JP 2004107583A JP 2004107583 A JP2004107583 A JP 2004107583A JP 2005294536 A JP2005294536 A JP 2005294536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- dicing
- adhesive tape
- chips
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
チップの製造方法及びICチップの製造装置を提供する。
【解決手段】 回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生す
る気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付
工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々のIC
チップに分割するダイシング工程と、前記分割されたICチップが接着したダイシング用
粘着テープの全面又は一部に光を照射して、ICチップから前記ダイシング用粘着テープ
の少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記ICチップを前記ダイシング用粘着テープ
から一度に複数個を分離して回収する回収工程とを有するICチップの製造方法。
【選択図】 なし
Description
チップの製造方法及びICチップの製造装置に関する。
半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パター
ンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを100〜300μ
m程度まで薄くした後、ダイシングしてチップ化したものをピックアップすることにより
製造されている。
て、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々のICチ
ップに分離した後、形成されたICチップをダイシングテープ側からニードル等で突き上
げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許文献
1には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウエハの裏面側より、少な
くとも一つの砥石軸で半導体ウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石
軸で半導体ウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行う半導体ウエハの研削加工
方法が開示されているが、このような方法にあっても半導体ウエハの位置ずれ等を防止す
る目的でダイシング用粘着テープが用いられている。
履歴を記録したICチップを商品に添付する試みがなされている。このようなICタグに
用いるICチップは、展示や流通の邪魔にならないように商品の目立たない位置に添付す
る必要があること、及び、記録すべき情報量も限られていることから、通常は1mm以下
の微小ものが検討されている。
このようなICタグに用いるICチップの需要は今後急速に拡大することが予想されてい
る。しかしながら、従来のICチップの製造方法では、ICタグ等の用途に用いるには極
めて高コストであるうえ、微小なICチップを大量に生産するには長時間を要し不向きで
あるという問題があった。
に製造できるICチップの製造方法及びICチップの製造装置を提供することを目的とす
る。
体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程
と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々のICチッ
プに分割するダイシング工程と、前記分割されたICチップが接着したダイシング用粘着
テープの全面又は一部に光を照射して、ICチップから前記ダイシング用粘着テープの少
なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記ICチップを前記ダイシング用粘着テープから
個々にピックアップすることなく一度に複数個を分離して回収する回収工程とを有するI
Cチップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
ピックアップ工程に時間を要し、全体の生産性の向上及び低コスト化を図るうえで問題点
となっていることを見出した。更に、鋭意検討の結果、気体発生剤を含有する粘着剤層を
有するダイシング用粘着テープを用いることにより、ピックアップ工程自体を省略してI
Cチップを容易に回収することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
がら本発明のICチップの製造方法について説明する。
本発明のICチップの製造方法は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射すること
により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを
貼付するテープ貼付工程を有する。このようなダイシング用粘着テープを貼付することに
より、後述するダイシング工程において半導体ウエハが位置ずれ等を起こすことを防止す
ることができると同時に、ピックアップ工程を行うことなく、極めて容易にICチップを
ダイシング用粘着テープから剥離して回収することが可能となり、大量のICチップを簡
便に製造することが可能となる。
図1においては、半導体ウエハ1をダイシング用粘着テープ2に貼付している。
いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジ
ストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられ
る。
上記半導体ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の100〜300μm程度のもの
から、50μm以下のものでも用いることができる。
有する粘着剤層を有する。このような粘着剤層を有することにより、ダイシング工程にお
いて半導体ウエハが位置ずれ等を起こさない程度に充分な粘着力を有する場合であっても
、剥離時に光を照射すれば、気体発生剤から発生した気体が粘着剤層とICチップとの界
面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易にICチ
ップからダイシング用粘着テープを剥離することができる。
化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチ
ルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルプロピル)−2−メチル
プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)
、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルエチル)−2−メチルプロピオンアミド]、2
,2’−アゾビス(N−ヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス
(N−プロピル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−エチル−2
−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(
ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス
{2−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プロピオンアミド}、2,2’−
アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−
アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビ
ス[2−(5−メチル−2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、
2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジハイドロクロライ
ド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジサルフェイト
ジハイドロレート、2,2’−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラハイドロピリミ
ジン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス{2−[1−(
2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン2−イル]プロパン}ジハイドロクロライド
、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]、2,2’−アゾ
ビス(2−メチルプロピオンアミジン)ハイドロクロライド、2,2’−アゾビス(2−
アミノプロパン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[N−(2−カルボキシア
シル)−2−メチル−プロピオンアミジン]、2,2’−アゾビス{2−[N−(2−カ
ルボキシエチル)アミジン]プロパン}、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンア
ミドオキシム)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジメチル
2,2’−アゾビスイソブチレート、4,4’−アゾビス(4−シアンカルボニックアシ
ッド)、4,4’−アゾビス(4−シアノペンタノイックアシッド)、2,2’−アゾビ
ス(2,4,4−トリメチルペンタン)等が挙げられる。
これらのアゾ化合物は、光、とりわけ波長365nm程度の紫外線を照射することにより
窒素ガスを発生する。
減期温度が80℃未満であると、本発明の粘着テープは、キャストにより粘着剤層を形成
して乾燥する際に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリー
ドアウトしてしまったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを
生じさせてしまったりすることがある。10時間半減期温度が80℃以上であれば、耐熱
性に優れていることから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式(1)で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとする
ことができる。
N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−
メチルプロピル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−
2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルエチル)−2−
メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ヘキシル−2−メチルプロピオン
アミド)、2,2’−アゾビス(N−プロピル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2
’−アゾビス(N−エチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス{2−
メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオン
アミド}、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プ
ロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プ
ロピオンアミド]、2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオ
ンアミド]等が挙げられる。なかでも、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプ
ロピオンアミド)及び2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピ
オンアミド]は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
タルアジド、p−tert−ブチルベンズアジド;3−アジドメチル−3−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、とりわけ波長365nm程度の
紫外線を照射することにより窒素ガスを発生する。
して窒素ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという問題がある。更に、上記
アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出し
その制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷すること
があるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが
、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生するこ
ともないため被着体を損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断でき
ることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記
気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
細書において、気体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記粘着剤層
を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記粘着剤層中
に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに
粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性
が悪くなったりすることがある。
粘着剤に溶解する気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場
合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気
体発生剤を微分散させる。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤
は、できるだけ微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分
散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、
電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状
態まで分散させることがより好ましい。
出されることが好ましい。これにより、上記ダイシング用粘着テープをICチップに貼付
した接着面に光を照射すると気体発生剤から発生した気体がICチップから接着面の少な
くとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に剥離することができる。この際、気
体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤層の外へ放出されることが好ましい。上記気
体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤層の外へ放出されないと、粘着剤層が気体発
生剤から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充分に
得ることができず、ICチップ上に糊残りを生じさせてしまうことがある。なお、ICチ
ップ上に糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一部が粘着
剤層中に溶け込んでいたり、気泡として粘着剤層中に存在していたりしてもかまわない。
が好ましい。このような粘着剤を用いれば、剥離時に刺激を与えて弾性率を上昇させるこ
とにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。更に、剥離の際に気体
を発生させるのに先立って架橋させれば粘着剤層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇し
た硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出
され、放出された気体は、ICチップから粘着剤層の接着面の少なくとも一部を剥がし接
着力を低下させる。
上記粘着剤を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。刺激が異なる場合には、剥離の際、気体発生剤から気
体を発生させる刺激を与える前に架橋成分を架橋させる刺激を与える。
アクリル酸アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて
光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有
してなるアクリル酸アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキルエステル系の重
合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重
合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するた
め、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率
の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外
部に放出され、放出された気体は、ICチップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥
がし接着力を低下させる。
以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上
記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官
能基含有不飽和化合物という)と反応させることにより得ることができる。
一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2〜18
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万〜200万程度である
。
基含有モノマー;アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー;アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー;アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー;アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
は、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるよう
に、その分子量が5000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2〜2
0個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例
えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,
4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様の
メタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用
いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物;ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物;フォスフィンオキシド誘導体
化合物;ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止す
るために、2phr以上配合することが好ましい。
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、
t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルD、パーブチルH、パーブチルP、パーメンタH(以上いずれも日本油脂製)等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されても
よい。
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
気等で帯電すると、後述するように自己剥離したICチップを回収することができなくな
ったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せICチップの製造に悪影響を与えたりする
ことがある。上記粘着剤に帯電防止処理を施す方法としては特に限定されないが、例えば
、イオン型の界面活性剤や金属微粒子等を粘着剤中に配合する方法等が挙げられる。なか
でも、金属微粒子や高分子型のイオン型界面活性剤を配合することが、粘着力に悪影響を
及ぼさないことから好ましい。
mm、好ましい上限は10N/25mmである。0.5N/25mm未満であると、粘着
力が不充分でダイシング時に半導体ウエハが動いてしまうことがあり、10N/25mm
を超えると、光を照射しても充分に粘着力が低減しないことがある。
ある。5×104Pa未満であると、半導体ウエハを正確にダイシングできないことがあ
る。
は50μmである。3μm未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発
生することがあり、50μmを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、光を
照射しても良好に剥離することができないことがある。
ることが好ましい。
上記基材としては光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアク
リル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタ
レート(PET)、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート
、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
また、後述するように回収工程においてダイシング用粘着テープをめくるようにして剥離
する場合には、可とう性のある基材を用いることが好ましい。
帯電すると、後述するように自己剥離したICチップを回収することができなくなったり
、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せICチップの製造に悪影響を与えたりすることが
ある。上記帯電防止処理をする方法としては特に限定されないが、例えば、基材に帯電防
止処理剤を含有させる方法や、基材表面に帯電防止処理剤を塗布する方法等が挙げられる
。上記帯電防止処理剤としては特に限定されず、例えば、透明な導電可塑剤、界面活性剤
、金属微粒子等が挙げられる。
200μmである。30μm未満であると、上記ダイシング用粘着テープの自立性が不足
しハンドリングが困難になることがあり、200μmを超えると、上記ダイシング用粘着
テープを剥離する際に不具合が生じることがある。
の表面に、上記気体発生剤等を含有する粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を
用いて塗工する方法等が挙げられる。
イシングして、個々のICチップに分割するダイシング工程を有する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断
する方法等を用いることができる。
分割して得られたICチップの大きさとしては特に限定されないが、通常ICタグとして
用いられるICチップの一辺の大きさは1mm以下である。
図2においては、ダイシング用粘着テープ2に貼付された半導体ウエハ1をダイシングし
てICチップ3に分割している。
着テープの全面又は一部に光を照射して、ICチップから前記ダイシング用粘着テープの
少なくとも一部を剥離する剥離工程を有する。
上述のように上記ダイシング用粘着テープは上記気体発生剤を含有することから、光を照
射することにより、発生した気体が粘着剤層とICチップとの界面に放出され接着面の少
なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易にICチップから剥離することがで
きる。
全面に一斉に光を照射するようにしてもよいが、このような方法では確実に剥離できる程
度の強い光を照射しようとすると、照射装置がいたずらに大型化してしまう恐れがある。
そこで、例えば、線状に紫外線を照射できる紫外線照射装置の照射域下を、上記分割され
たICチップが接着したダイシング用粘着テープを搬送する方法が好適である。このよう
な方法によれば、搬送速度を調整することにより光の照射量を調整することができ、比較
的小型の照射装置を用いても充分な照射量を実現することができる。
また、例えば、スポット状に紫外線を照射できる紫外線照射装置を用いる場合には、上記
分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープを搬送しながら、その搬送方向
と垂直方向に紫外線照射装置を移動させる方法も好適である。
いずれの場合であっても、ICチップが接着したダイシング用粘着テープと紫外線照射装
置とが相対的に移動して、結果としてダイシング用粘着テープの全面に一定の光量の光が
照射されればよい。
図3においては、線状に紫外線を照射できる紫外線照射装置4の照射域下を、ダイシング
により得られたICチップ3が接着したダイシング用粘着テープ2を搬送装置5によって
搬送し、ダイシング用粘着テープ2側から紫外線を照射している。
ある紫外線を照射することが好ましい。このような高強度の紫外線を照射した場合には、
ダイシング用粘着テープの粘着剤層から気体が短時間に大量に発生することから剥離圧力
が高まり、ICチップを粘着剤層から自発的に剥離させ、剥離したICチップが粘着剤層
からあたかも浮いたような状態にすることが可能である(以下、これを自己剥離ともいう
)。このように自己剥離した場合には、後述する回収工程においてごく容易にICチップ
をダイシング用粘着テープから分離して回収することができる。波長365nmにおける
照射強度が1000mW/cm2以上である紫外線を照射する場合には、より確実に自己
剥離させることができることから好ましい。
、これほどの高強度の実現は困難である。この場合には、光源から発した紫外線を集光す
る方法により高強度紫外線を得ることができる。上記集光する手段としては、例えば、集
光ミラーや集光レンズを用いる方法等が挙げられる。
性ガス雰囲気下で剥離工程を行うことにより、上記粘着剤層を構成する粘着剤の酸素によ
る硬化阻害を抑制することができ、特にチップ面積に対して、酸素阻害を受ける面積の比
率が大きい微小チップの剥離に有効である。
個を分離して回収する回収工程を有する。
本発明のICチップの製造方法においては、上記剥離工程においてICチップからダイシ
ング用粘着テープの少なくとも一部が剥離されており、とりわけ、高強度の紫外線を照射
した場合には自己剥離した状態にある。従って、特に従来のようなピックアップ装置を用
いて個々にピックアップを行うことなく、容易に複数個のICチップをダイシング用粘着
テープから分離して回収することができる。これにより、ICチップの製造に要する時間
を大幅に短縮することができる。
例えば、図4aに示した方法では、ICチップ3が接着したダイシング用粘着テープ2を
、傾けた状態で振動させている。これによりICチップ3はダイシング用粘着テープ2か
ら分離して落下するので、これを適当な容器に受け止めることにより回収することができ
る。伸度の振幅や振動数は特に限定されず、ICチップの接着の程度(剥離の程度)に基
づき、適当な振動を選択すればよい。なお、図4aに示した方法では傾けた状態で振動さ
せているが、ICチップが接着している側を下にした状態で振動させてもよい。
また、例えば、図4bに示した方法では、剥離工程において紫外線照射した後のダイシン
グ用粘着テープ2を、更に搬送装置5によって搬送し、搬送装置5の終点において可とう
性のあるダイシング用粘着テープ2をめくるようにしている。これによりICチップ3は
ダイシング用粘着テープ2から分離し、搬送装置5の終点から落下するので、これを適当
な容器に受け止めることにより回収することができる。このとき、分離する際にダイシン
グ用粘着テープを振動させるようにすれば、より容易に分離、回収を行うことができる。
更に、例えば、図4cに示した方法では、剥離工程において紫外線照射した後のダイシン
グ用粘着テープ2を、更に搬送装置5によって搬送し、搬送装置5の終点において可とう
性のあるダイシング用粘着テープ2をめくるようにしながら、ブレード6をダイシング用
粘着テープ2とICチップ3との接点に当てることにより、より確実にICチップの分離
を行っている。このとき、分離する際にダイシング用粘着テープを振動させるようにすれ
ば、より容易に分離、回収を行うことができる。
このようにしてICチップを回収した場合、ピックアップした場合のように精密な位置決
め等はできないが、ICタグ等の用途に用いるICチップの場合には、特に基板等に積層
することも想定されておらず、また特に方向性等もないことから、問題は生じない。
を行うことができる。また、ダイシング後のICチップを、従来の方法のようにニードル
で突き上げたり、ピックアップ装置を用いてピックアップしたりすることなく、容易に回
収することができる。これにより、大幅な生産性の向上と低コスト化が可能となる。
ープを搬送する手段と、光量測定部を有する光照射手段と、ICチップをダイシング用粘
着テープから一度に複数個を分離して回収する回収手段とを有するICチップの製造装置
を用いることにより好適に実施することができる。
このような本発明のICチップの製造方法を実施するためのICチップの製造装置であっ
て、分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープを搬送する手段と、光量測
定部を有する光照射手段と、ICチップをダイシング用粘着テープから一度に複数個を分
離して回収する回収手段とを有するICチップの製造装置もまた、本発明の1つである。
に限定されず、例えば、ベルトコンベア等の従来公知の搬送方法が挙げられる。また、上
記分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープは上記光量測定部を有する光
照射手段との関係において相対的に搬送されればよく、上記分割されたICチップが接着
したダイシング用粘着テープを搬送する手段には、上記手段光量測定部を有する光照射手
段を移動させる手段も含まれる。
ることができる紫外線照射装置等が挙げられる。また、上記紫外線照射装置としては、紫
外線ランプ等に集光ミラーや集光レンズ等の集光手段を組み合わせたものであってもよい
。
シングにより分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープを搬送する手段の
搬送速度を制御するようにすれば、上記ダイシング用粘着テープの全面に一定の光量の光
が照射されるように制御することができる。
としては特に限定されず、図4aに示したようなICチップが接着したダイシング用粘着
テープを、傾けた状態又はICチップが接着している側を下にした状態で振動させる手段
;可とう性のあるダイシング用粘着テープをめくるようにしてICチップをダイシング用
粘着テープから分離する手段;可とう性のあるダイシング用粘着テープをめくるようにし
ながら、ブレードをダイシング用粘着テープとICチップとの接点に当てることによりI
Cチップをダイシング用粘着テープから分離する手段等が挙げられる。可とう性のあるダ
イシング用粘着テープをめくるようにしてICチップをダイシング用粘着テープから分離
する手段や、可とう性のあるダイシング用粘着テープをめくるようにしながら、ブレード
をダイシング用粘着テープとICチップとの接点に当てることによりICチップをダイシ
ング用粘着テープから分離する手段を採用する場合には、更に、ダイシング用粘着テープ
を振動させる手段を組み合わせてもよい。
発明のICラップの製造装置10は、ICチップ3が接着したダイシング用粘着テープ2
を搬送する手段5と、光量測定部8を有する光照射手段7と、ICチップ3をダイシング
用粘着テープ2から一度に複数個を分離して回収する回収手段6とを有する。
ICチップ3が接着したダイシング用粘着テープ2は、搬送手段5により搬送されながら
光照射手段7から照射された光照射領域を通過して全面に光が照射される。このときの光
量は、光量測定手段8により測定され、その情報は制御部9に伝えられて、搬送手段5の
搬送速度にフィードバックされる。光を照射されたICチップ3が接着したダイシング用
粘着テープ2は、回収手段6へと搬送され、そこでICチップは一度に複数個を分離して
回収される。ICラップの製造装置10においては、回収手段6としてブレードタイプの
ものを用いたが、これ以外にも振動タイプのものであってもよいし、更に振動装置を組み
合わせてもよい。
るICチップの製造方法及びICチップの製造装置を提供することができる。
定されるものではない。
(粘着剤の調製)
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量7
0万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、2
−イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、U324A(新中村化学社製)40重
量部、光重合開始剤(イルガキュア651)5重量部、ポリイソシアネート0.5重量部
を混合し粘着剤(1)の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート 79重量部
エチルアクリレート 15重量部
アクリル酸 1重量部
2−ヒドロキシエチルアクリレート 5重量部
光重合開始剤 0.2重量部
(イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液)
ラウリルメルカプタン 0.01重量部
ゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)30重量部、及び、2,4−ジエ
チルチオキサントン3.6重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤(2)を調製
した。
粘着剤(2)の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ75μmの透明なポリ
エチレンテレフタレート(PET)フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるよう
にドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤(2)層の表面に離型処理が施され
たPETフィルムを貼り付けた。その後、40℃、3日間静置養生を行い、ダイシング用
粘着テープを得た。
得られたダイシング用粘着テープと回路が形成された厚さ100μm、直径15cmのシ
リコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを0.5mm×0.5
mmにダイシングしてICチップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付されたICチップをICチップが上面になるよう
に搬送装置上におき、高強度紫外線照射装置から線状に紫外線が照射されている照射領域
を、波長365nmにおける照度が600mW/cm2となるよう搬送速度を調整して搬
送した。この紫外線照射により、ICチップはダイシング用粘着テープから自己剥離した
。
次いで、ダイシング用粘着テープを取り上げ、図4aに示したように傾けた状態でゆっく
り振動を与えたところ、全てのICチップが剥がれ落ち、一括して容易に回収することが
できた。
実施例1で得られたダイシング用粘着テープと回路が形成された厚さ100μm、直径1
5cmのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを0.5
mm×0.5mmにダイシングしてICチップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付されたICチップをICチップが上面になるよう
に搬送装置上におき、高強度紫外線照射装置から線状に紫外線が照射されている照射領域
を、波長365nmにおける照度が600mW/cm2となるよう搬送速度を調整して搬
送した。この紫外線照射により、ICチップはダイシング用粘着テープから自己剥離した
。
更に、搬送装置上を搬送した後、搬送装置の終点において図4bに示したようにPETフ
ィルムからなるダイシング用粘着テープ基材をめくるようにしたところ、全てのICチッ
プが剥がれ落ち、一括して容易に回収することができた。
実施例1で得られたダイシング用粘着テープと回路が形成された厚さ100μm、直径1
5cmのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを0.5
mm×0.5mmにダイシングしてICチップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付されたICチップをICチップが上面になるよう
に搬送装置上におき、高強度紫外線照射装置から線状に紫外線が照射されている照射領域
を、波長365nmにおける照度が600mW/cm2となるよう搬送速度を調整して搬
送した。この紫外線照射により、ICチップはダイシング用粘着テープから自己剥離した
。
更に、搬送装置上を搬送した後、搬送装置の終点において図4cに示したようにPETフ
ィルムからなるダイシング用粘着テープの基材をめくるようにしながら、フッ素樹脂から
なるブレードをダイシング用粘着テープとICチップとの接点に当てたところ、全てのI
Cチップを一括して容易に回収することができた。
光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシング用粘着テープ(日東電工社製
、エレップホルダーUE−110BJ)と、回路が形成された厚さ100μm、直径15
cmのシリコンウエハとを常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを0.5mm
×0.5mmにダイシングしてICチップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付されたICチップをICチップが上面になるよう
に置き、その1つにダイシング用粘着テープ側から強度100mWの紫外線を5秒間照射
した。
この紫外線照射によってはICチップは全く剥離しなかったので、紫外線照射後、ニード
ルを用いたピックアップ方法によりICチップをピックアップした。このピックアップ操
作にはICチップ1個当たり約1.0秒間程度かかり、すべてのICチップを回収するの
に600秒以上を要した。
るICチップの製造方法及びICチップの製造装置を提供することができる。
2 ダイシング用粘着テープ
3 ICチップ
4 紫外線照射装置
5 搬送装置
6 ブレード
7 光照射手段
8 光量測定部
9 制御部
10 ICチップの製造装置
Claims (8)
- 回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を
含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、
前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々のICチップに
分割するダイシング工程と、
前記分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープの全面又は一部に光を照射
して、ICチップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程
と、
前記ICチップを前記ダイシング用粘着テープから一度に複数個を分離して回収する回収
工程とを有する
ことを特徴とするICチップの製造方法。 - 剥離工程において、波長365nmにおける照射強度が500mW/cm2以上である紫
外線を照射することを特徴とする請求項1記載のICチップの製造方法。 - 回収工程において、ICチップが接着したダイシング用粘着テープを、傾けた状態又はI
Cチップが接着している側を下にした状態で振動させることを特徴とする請求項1又は2
記載のICチップの製造方法。 - 回収工程において、可とう性のあるダイシング用粘着テープをめくるようにしてICチッ
プをダイシング用粘着テープから分離することを特徴とする請求項1又は2記載のICチ
ップの製造方法。 - 回収工程において、可とう性のあるダイシング用粘着テープをめくるようにしながら、ブ
レードをダイシング用粘着テープとICチップとの接点に当てることによりICチップを
ダイシング用粘着テープから分離することを特徴とする請求項1又は2記載のICチップ
の製造方法。 - ICチップをダイシング用粘着テープから分離する際に、前記ダイシング用粘着テープを
振動させることを特徴とする請求項4又は5記載のICチップの製造方法。 - 請求項1、2、3、4、5又は6記載のICチップの製造方法を実施するためのICチッ
プの製造装置であって、分割されたICチップが接着したダイシング用粘着テープを搬送
する手段と、光量測定部を有する光照射手段と、ICチップを前記ダイシング用粘着テー
プから一度に複数個を分離して回収する回収手段とを有することを特徴とするICチップ
の製造装置。 - 光量測定部により測定した光量に従って、ダイシングにより分割されたICチップが接着
したダイシング用粘着テープを搬送する手段の搬送速度を制御する手段を有することを特
徴とする請求項7記載のICチップの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004107583A JP4638172B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004107583A JP4638172B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005294536A true JP2005294536A (ja) | 2005-10-20 |
| JP4638172B2 JP4638172B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=35327128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004107583A Expired - Lifetime JP4638172B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4638172B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191531A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP2009096087A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| JP2009283662A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Lintec Corp | 光照射装置 |
| JP2010118376A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬送機構 |
| JP2011228711A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 半導体集積回路チップを分離および搬送する方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685058A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | ウエハシートから半導体チップを剥離する装置 |
| JPH09162141A (ja) * | 1995-12-02 | 1997-06-20 | Lintec Corp | ダイシングテープ用光照射装置および光照射方法 |
| JP2000040678A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体チップの製造方法とダイシングテープ |
| WO2003085714A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip |
| JP2003342540A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Asahi Kasei Corp | 半導体加工用粘着シート |
| JP2004006522A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Icチップの製造方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004107583A patent/JP4638172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685058A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | ウエハシートから半導体チップを剥離する装置 |
| JPH09162141A (ja) * | 1995-12-02 | 1997-06-20 | Lintec Corp | ダイシングテープ用光照射装置および光照射方法 |
| JP2000040678A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体チップの製造方法とダイシングテープ |
| WO2003085714A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip |
| JP2003342540A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Asahi Kasei Corp | 半導体加工用粘着シート |
| JP2004006522A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Icチップの製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191531A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP2009096087A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| JP2009283662A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Lintec Corp | 光照射装置 |
| JP2010118376A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬送機構 |
| JP2011228711A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 半導体集積回路チップを分離および搬送する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4638172B2 (ja) | 2011-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4704828B2 (ja) | ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きicチップの製造方法 | |
| JP2005197630A (ja) | Icチップの製造方法 | |
| KR20040105546A (ko) | Ic칩의 제조 방법 | |
| JP2003231872A (ja) | 両面粘着テープ及びそれを用いたicチップの製造方法 | |
| KR100878971B1 (ko) | 양면 점착 테이프 및 이를 이용한 ic 칩의 제조 방법 | |
| JP4638172B2 (ja) | Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 | |
| JP2004043642A (ja) | 接着性物質、片面粘着テープ及び両面粘着テープ | |
| JP4540642B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JP5006497B2 (ja) | 両面粘着テープ及び両面粘着テープの剥離方法 | |
| JP2006013000A (ja) | Icチップの製造方法 | |
| JP4804719B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2012151459A (ja) | ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法 | |
| KR20060115866A (ko) | 반도체칩의 제조 방법 | |
| JP2004182799A (ja) | 両面粘着テープ | |
| JP2012142374A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP3787526B2 (ja) | Icチップの製造方法 | |
| JP2005294535A (ja) | ダイアタッチフィルム付きicチップの製造方法 | |
| JP4674070B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2004153227A (ja) | Icチップの製造方法 | |
| JP2005123403A (ja) | Icチップの製造方法及びicチップの製造装置 | |
| JP3965055B2 (ja) | Icチップの製造方法 | |
| JP4647896B2 (ja) | 粘着テープ | |
| JP2005166932A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2009231476A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2003173989A (ja) | Icチップの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100526 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100824 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100902 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101125 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4638172 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |
