EP1573400A2 - Verfahren zum aufbringen einer resistschicht, verwendungen von klebematerialien sowie klebematerialien und resistschicht - Google Patents

Verfahren zum aufbringen einer resistschicht, verwendungen von klebematerialien sowie klebematerialien und resistschicht

Info

Publication number
EP1573400A2
EP1573400A2 EP03767816A EP03767816A EP1573400A2 EP 1573400 A2 EP1573400 A2 EP 1573400A2 EP 03767816 A EP03767816 A EP 03767816A EP 03767816 A EP03767816 A EP 03767816A EP 1573400 A2 EP1573400 A2 EP 1573400A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
adhesive
resist layer
resist
development
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP03767816A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Werner Kröninger
Manfred Schneegans
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1573400A2 publication Critical patent/EP1573400A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away

Definitions

  • the invention relates to a method in which a resist layer is applied to a base layer, selectively irradiated and developed.
  • such a method is part of a
  • a photoresist has been used as the resist layer, which is spun onto the base layer in the liquid state. After a solvent contained in the photoresist has evaporated or baked out, the varnish hardens and is then exposed. When spinning, there are fluctuations in the thickness of the resulting photoresist layer. In addition, the removal of residues of the photoresist layer after development is complex. For example, a solvent must be used, the disposal of which is expensive.
  • the spun-on resist layers are usually thinner than 30 ⁇ m (micrometers). If thicker resist layers are to be produced, the spin coating must be repeated a corresponding number of times after the hardening of a previously applied resist layer.
  • uses of adhesive materials and adhesive materials and a resist layer are to be specified, which are used in particular in such a method.
  • the object related to the method is achieved by the method steps specified in claim 1. Further developments are specified in the subclaims.
  • the resist layer is applied, in particular glued, to the base layer in the solid state.
  • This offers a number of advantages, in particular the resist layer can be produced on a flat base with a very uniform layer thickness, for example in a continuous production.
  • the resist layer can be attached to the base layer if an adhesive material is applied to the base layer and / or to the resist layer immediately before application of the resist layer, for example sprayed on or spread on. Alternatively, however, in terms of manufacturing technology. of the remainders of clean glue, use a resist layer that sticks to the base layer long before application or is coated with an adhesive layer.
  • resist layers are suitable as radiation-sensitive materials in the resist layer, e.g. in the case of a positive resist, diazonaphtoquinone or naphthoquinone diazide, and in the case of a negative resist, partially cyclized polyisopropene.
  • the resist layer also contains a suitable film former, e.g. Phenolic compounds.
  • Additives in the resist layer include Stabilizers and / or inhibitors.
  • the liquid resist material used in the production of the resist film can be completely utilized by the method according to the invention. In conventional spin coating only 10 percent of the resist liquid is used. The remaining 90 percent cannot be used due to oxidation processes. A further development is based on the consideration that the selection of the resist layer material and also the exposure of the resist layer should already be carried out taking into account the subsequent dissolving process. In addition, the invention assumes that there are adhesives that change their adhesive strength when exposed to radiation. For example, irradiation from monomers or also from oligomeric polymers or copolymers are produced, the crosslinking that occurs leads to a reduction in the adhesive force.
  • radiation or polymers can also split polymers or copolymers into monomers or oligomers, with the adhesive force being increased.
  • Another class of glue contains substances that decompose the glue, which can be activated or deactivated by radiation. Different areas of the
  • the resist layer or the adhesive layer are dissolved at different speeds by solvents, so that development of the resist layer is possible in a simple manner.
  • a resist layer can be used, for example, for a so-called positive resist, which initially has a lower adhesive strength.
  • polymers are split up, which increases the adhesive strength in the exposed area, but these areas can be removed more easily by a solvent than the unexposed areas.
  • a material with an originally high adhesive strength can be used with a negative resist.
  • the exposed areas are crosslinked during exposure, for example, so that the adhesive force in these areas is reduced.
  • a resist layer made of an adhesive is used, the adhesive force of which decreases or increases during the irradiation. This measure creates a simple method in which areas remaining on the base layer after development can be removed in a simple manner. Due to the originally low adhesive force or the reduced adhesive force during irradiation, these areas can be removed in a simple manner, for example by using a peel-off adhesive tape, in particular without the use of additional solvents or with a reduced amount of solvent.
  • the adhesive force during irradiation is reduced by more than 30% or by more than 50% or by more than 90% based on the original adhesive force on the base layer.
  • Manufacturing information relates, for example, to the adhesive force on silicon wafers or on polyimide wafers.
  • the original adhesive force on silicon is, for example, greater than 1 N / 20 mm or even greater than 10 N / 20 mm. After exposure, the adhesive force drops, for example, to 0.16 N / 20 mm.
  • substances in which the adhesive force is reduced by more than 90% can also be produced in a simple manner.
  • the adhesive strength increases by more than 50% or by more than 100%.
  • Such substances can also be produced in a simple manner and are particularly suitable for positive resists.
  • the resist layer is irradiated or exposed to electromagnetic radiation, preferably ultraviolet radiation or X-ray radiation.
  • electromagnetic radiation preferably ultraviolet radiation or X-ray radiation.
  • Use particle beams for example electron beams or ion beams.
  • the radiation serves the adhesive force to change by causing certain chemical changes due to the radiation, for example a polymerization or a splitting of polymers.
  • areas of the resist layer remaining on the layer to be structured have a reduced adhesive force compared to the unirradiated resist layer.
  • the reduced adhesive strength makes it easier to remove the remaining areas later. If it is a coherent area, the remaining resist layer can be easily removed using tweezers, for example.
  • the remaining areas are peeled off with an adhesive surface whose adhesive force is greater than the reduced adhesive force of the resist layer, preferably with an adhesive tape or an adhesive sheet.
  • An adhesive tape or a sheet of adhesive allows the pulling angle to be freely selected over a wide range and, if necessary, also to be changed during the pulling off.
  • the remaining areas are removed with a solvent. Removal with a solvent is easier than before because the adhesive strength of the remaining areas is greatly reduced, in particular in comparison to photoresists that have hardened on the base layer.
  • an organic solvent in particular N-methylpyrolidone or dimethyl sulfoxide
  • the structural formula for dimethyl sulfoxide is:
  • the resist layer is applied with the aid of an adhesive surface, the adhesive force of which is less than the adhesive force of the unirradiated layer on the base layer.
  • an adhesive tape or an adhesive sheet is used.
  • Such application of the resist layer can be carried out without the formation of adhesive residues on the machines or tools used for the application.
  • the resist layer can also be applied to the base layer using a method similar to screen printing, for example.
  • a resist with an anti-reflection layer is used.
  • an anti-reflection layer By using an anti-reflection layer, the minimum structure widths when structuring the resist layer and thus, for example, when structuring the base layer can be reduced.
  • the method according to the invention is also used to produce structures with minimal dimensions greater than 5 or 10 ⁇ m. However, the method can also be used if the minimum structure width is in the range of 1 ⁇ m or less.
  • the resist layer has a thickness greater than 30 ⁇ m, greater than 50 ⁇ m or even greater than 100 ⁇ m.
  • Such a thick resist layer can be applied in one application process.
  • several ringing operations are required, i.e. alternately spinning on, hardening, spinning on, etc.
  • the process for applying the resist layer is thus considerably simplified by the further training.
  • the base layer is structured in accordance with the areas of the resist layer remaining after development, preferably in a dry etching process or in a wet chemical etching process.
  • material is applied to the base layer between the remaining areas of the resist layer, preferably by 8 sticky sheets glued to the base layer. Only then is the other outer layer removed. The method according to the invention or one of its developments is then carried out.
  • the further outer layer is formed by an outer layer of another section of the same outer layer of a rolled-up adhesive tape or by an outer side of another adhesive sheet of a stack of adhesive sheets comprising at least two adhesive sheets.
  • the outer layers can be used several times, namely for covering two adhesive layers or two sections of an adhesive layer.
  • the invention also relates to an adhesive tape or an adhesive sheet which contains an adhesive layer, the adhesive force of which changes during irradiation.
  • the adhesive tape or adhesive sheet contains at least one anti-reflection layer which prevents or reduces reflection of the radiation.
  • the minimum structure widths when structuring the adhesive layer can be reduced by using an anti-reflection layer.
  • the anti-reflection layer is arranged in the middle of the adhesive layer or at the edge of the adhesive layer.
  • the antireflection layer for example, has a different refractive index than the rest of the adhesive layer.
  • the absorption coefficient for the radiation in the anti-reflection layer is greater than in the adhesive layer.
  • the adhesive materials mentioned are used in particular in the method according to the invention or in one of its developments.
  • FIG. 1 an adhesive tape
  • FIGS. 2A and 2B show the structuring of a resist layer on an integrated circuit arrangement and an electrodeposition
  • FIGS. 3A and 3B the structuring of a resist layer on an integrated circuit arrangement and the subsequent structuring of a layer.
  • FIG. 1 shows an adhesive tape 10 which contains an adhesive layer 12 and an outer layer 14.
  • the adhesive layer 12 contains a substance, the adhesive force of which is reduced by irradiation with ultraviolet light.
  • the adhesive force of the adhesive layer 12 on a silicon wafer is, for example, 2.0 N / 20 mm.
  • the thickness of the adhesive layer 12 is 50 ⁇ m in the exemplary embodiment.
  • An example of the composition of the adhesive layer 12 is explained in more detail below.
  • the outer layer 14 consists for example of PET or PETP (polyethylene terephthalate), i.e. made of polyethylene, or of another suitable plastic. The outer layer 14 can easily be removed from the adhesive layer 12.
  • the adhesive tape 10 is rolled up on a roll so that the outer layer 14 encloses the adhesive layer 12 from both sides.
  • the adhesive tape 10 contains, in addition to the adhesive layer 12 and the outer layer 14, an anti-reflection layer 16 which has the same composition as the adhesive layer 12.
  • the antireflection layer 16 also contains particles which increase the absorption of ultraviolet radiation in the antireflection layer 16.
  • FIG. 2A shows an integrated circuit arrangement 20 which contains integrated components, not shown, for example transistors.
  • the integrated circuit arrangement 20 also contains an oxide layer 22, for example a silicon dioxide layer.
  • oxide layer 22 there is a metallization layer 24 which contains a large number of copper interconnects, of which two copper interconnects 26 and 28 are shown in FIG. 2A. Barrier layers are not shown in FIG. 2A for clarity of illustration.
  • the adhesive tape 10 was adhered to the integrated circuit arrangement 10.
  • the outer layer 14 was then peeled off, for example manually using tweezers or using a peel-off adhesive tape and a peeling machine.
  • a development process is then carried out with the aid of a solvent which dissolves the less crosslinked areas, ie the unexposed areas 38 and 40 more than the exposed areas 32 to 36.
  • the unexposed areas therefore develop during development 11 areas 36 and 40 of the adhesive layer 12 removed, so that in their place recesses 50 and 52 are formed, the bottom of which extends to the copper interconnect 26 and 28, respectively.
  • copper contacts 54 and 56 are deposited in the recess 50 and in the recess 52 with the aid of a galvanic process.
  • a galvanic process with external current or an external currentless galvanic process is used.
  • an adhesive 12 is used that works as a positive resist.
  • the adhesive 12 originally has a low adhesive strength. Areas 38 and 40 are exposed during exposure. In this area, polymers are broken down by exposure. At the same time, the adhesive strength increases in these areas. During development, the areas 38 and 40 are again removed and the further process is also as explained above with reference to FIG. 2B.
  • a peel-off adhesive tape is used after the galvanizing, which is applied to the adhesive layer 12 and then peeled off.
  • the remaining areas 32 to 36 stick to the peel-off adhesive tape and are removed by the integrated circuit arrangement 20.
  • the adhesive tape 10 can also be used to structure a layer.
  • An integrated circuit arrangement 100 contains an oxide layer 102, for example a silicon dioxide layer or a BPSG layer (boron phosphorus silicate glass).
  • an oxide layer 102 for example a silicon dioxide layer or a BPSG layer (boron phosphorus silicate glass).
  • a metal layer 104 to be structured which in the exemplary embodiment consists of aluminum or an aluminum alloy with small additions of less than 5% by weight. 12
  • the adhesive tape 10 is glued onto the aluminum layer 104.
  • the outer layer 14 is then peeled off, so that only the adhesive layer 12 or the adhesive layer and the anti-reflection layer 16 remain on the metal layer 104.
  • the adhesive layer 12 is then selectively exposed using a photomask, see arrows 130. This results in exposed areas 132 to 136 which delimit unexposed areas 138 and 140. In the exposed areas 132 to 136, the exposure leads to greater crosslinking and to a lowering of the adhesive force of the adhesive layer 12 on the metal layer 104.
  • the adhesive layer 12 is then developed using a solvent. This creates between the exposed areas 132 to 136
  • Cutouts 150 and 152 which are located at the locations where the unexposed areas 138 and 140 were originally.
  • the exposed areas 132 to 136 remain unchanged during development.
  • the metal layer 104 is then structured using an anisotropic etching process in accordance with the structure present in the adhesive layer 12.
  • the recesses 150 and 152 are expanded through the metal layer 104.
  • the bottom of the recess 150 lies on the oxide layer 102.
  • the bottom of the recess 152 also lies on the bottom of the oxide layer 102.
  • Metal conductors 160 to 164 have been formed from the continuous metal layer 104 during structuring.
  • the remaining residues 132 to 136 of the adhesive layer 12 are removed with the aid of a peel-off adhesive tape, as explained above with reference to FIG. 2B.
  • one is also used for the method explained with reference to FIGS. 3A to 3C 13 adhesive layer 12 used, which acts as a positive resist. Reference is made to the comments on FIGS. 2A and 2B in connection with a positive resist.
  • the adhesive layer 12 contains a compound with a small molecular weight, which contains at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds per molecule.
  • the adhesive layer 12 also contains a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerizable compound has a number average molecular weight of about 10,000 or less, preferably 5000 or less.
  • the number of photopolymerizable carbon-carbon double bonds per molecule should be 2 to 6, in particular 3 to 6.
  • Particularly preferred examples of these photopolymerizable compounds are trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacryla, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate and dipentaerythritol hexa compounds that can be used include 1-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate and commercially available oligoester ether acrylate.
  • photopolymerizable compounds can be used alone or mixed.
  • the amount in which the photopolymerizable compound is used ranges from 1 to 100 parts by weight to 100 parts by weight of the base polymer. If the amount in which the photopolymerizable compound is used is too small, the three-dimensional network structure is insufficiently formed when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated with light and the decrease in the adhesive force of the thin adhesive layer 12 on the integrated circuit arrangement 20 is too small , On the other hand, if their amount is too large, the plasticity of the resulting pressure-sensitive adhesive layer increases significantly and the original adhesive strength increases excessively. 14
  • photopolymerizable initiators are: isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, diethylthioxanthone, diethylthioxanthone, acetophenone diethyl ketal, benzyl dimethyl ketylphenyl and ⁇ -hydroxyl phenyl ketylphenyl 2-hydroxyl phenyl ketyl phenyl ketylphenyl 2-hydroxyl phenyl ketyl phenyl ketylphenyl, ⁇ -hydroxypropyl ketylphenyl, ⁇ -hydroxypropyl phenyl, These compounds can be used alone or in the form of mixtures.
  • composition of 100 parts of butyl acrylate, 5 parts of acrylonitrile and 5 parts of acrylic acid was used for a copolymerization in toluene to produce an acrylic copolymer with a number average molecular weight of 300,000.
  • composition was applied in the form of a layer on the surface of the outer layer 14 in a thickness Dl of 50 ⁇ m and then for several minutes, e.g. For 3 minutes, dried at 130 ° C.
  • an acrylic copolymer having a number average molecular weight of 3000 or 30000 is made, to which the above parts are then added.
  • compositions described for the adhesive layer 12 instead of the compositions described for the adhesive layer 12, other known compositions can also be used. 15 In particular, the above-mentioned methods achieve a uniform thickness of the resist layer. Tolerances of the thickness smaller than +/- 3 percent can be easily adhered to.
  • the edge of the wafer must be unpainted in order to ensure that the wafers can be easily transported and inserted into machines or that electrical connections are made using a galvanic process. Removing the edge with a sprayed only on the edge
  • Steps to additionally remove a peripheral edge area are avoided if the band-shaped or sheet-shaped resist layer is precut to a size that is at least 2 mm or at least 5 mm smaller than the wafer diameter.
  • a centering step is required. Such a centering step is also necessary if foils with the outline of the wafer are used. If a wafer flat is taken into account on the pre-cut or pre-formed film, then the correct position of the fiat area must also be observed when applying the resist film.
  • punched tapes or sheets are also used, with one cutting edge after the film has been applied, e.g. from a roll, a suitable resist piece is cut out along the edge of the wafer. In this case, centering operations are not necessary.
  • Tape coating processes are also considerably faster and cheaper than coating processes.
  • the exposure can be carried out with previously used mask aligner systems. 16
  • metal interconnects can also be structured using topographies without constrictions.
  • a radiation sensitive component e.g. a UN light-sensitive component (ultraviolet) in the resist and / or in the adhesive enables the residue-free removal from the pane surface, in particular without tears.
  • a radiation sensitive component e.g. a UN light-sensitive component (ultraviolet) in the resist and / or in the adhesive enables the residue-free removal from the pane surface, in particular without tears.
  • the resist hardens further when it is irradiated, it becomes more resistant to plasma attacks.
  • the use of temperature-stable components in the resist further increases the plasma performance when structuring a layer lying under the resist.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem auf eine Grundschicht (24) eine Resistschicht (12) aufgebracht wird. Die Resistschicht (12) besteht aus einem klebenden Material, dessen Klebekraft sich bei der Bestrahlung verringert oder erhöht. Insbesondere das Lösen von Resten der Resistschicht (12) wird durch dieses Verfahren erleichtert.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Aufbringen einer Resistschicht, Verwendungen von Klebematerialien sowie Klebematerialien und Resistschicht,
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem auf eine Grundschicht eine Resistschicht aufgebracht, selektiv bestrahlt und entwickelt wird.
Beispielsweise wird ein solches Verfahren im Rahmen eines
Lithografieverfahrens zum Strukturieren der Grundschicht nach dem Entwickeln der Resistschicht oder im Rahmen eines galvanischen Verfahrens eingesetzt, bei dem beispielsweise auf Anschlussinseln in der Grundschicht Kontaktflächen abgeschie- den werden. Bisher wird als Resistschicht ein Fotolack eingesetzt, der im flüssigen Zustand auf die Grundschicht aufgeschleudert wird. Nach dem Verdunsten oder Ausheizen eines im Fotolack enthaltenen Lösungsmittels härtet der Lack aus und wird dann belichtet. Beim Aufschleudern entstehen Schwankun- gen in der Dicke der entstehenden Fotolackschicht. Außerdem ist das Entfernen von Resten der Fotolackschicht nach dem Entwickeln aufwendig. Beispielsweise muss ein Lösungsmittel eingesetzt werden, dessen Entsorgung kostenintensiv ist. Die aufgeschleuderten Resistschichten sind meist dünner als 30 μm (Mikrometer) . Sollen dickere Resistschichten erzeugt werden, so muss das Aufschleudern nach dem Aushärten einer zuvor aufgebrachten Resistschicht entsprechend oft wiederholt werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein einfaches Verfahren zum Aufbringen einer Resistschicht anzugeben. Außerdem sollen Verwendungen von Klebematerialien sowie Klebematerialien und eine Resistschicht angegeben werden, die insbesondere in einem solchen Verfahren eingesetzt werden. Die auf das Verfahren bezogene Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Resistschicht im festen Zustand auf die Grundschicht aufgebracht, insbesondere aufgeklebt. Dies bietet eine Reihe von Vorteilen, insbesondere lässt sich die Resistschicht auf einer ebenen Unterlage mit sehr gleichmäßiger Schichtdicke bspw. in einer kontinu- ierlichen Fertigung herstellen.
Die Resistschicht lässt sich an der Grundschicht befestigen, wenn unmittelbar vor dem Aufbringen der Resistschicht ein Klebematerial auf die Grundschicht und/oder auf die Re- sistschicht aufgebracht wird, bspw. aufgesprüht oder aufgestrichen. Alternativ wird jedoch in einer fertigungstechnisch bzgl . von Kleberesten sauberen Variante eine Resistschicht verwendet, die schon lange vor dem Aufbringen auf die Grundschicht klebt bzw. mit einer Klebeschicht beschichtet ist.
Als bestrahlungsempfindliche Materialien in der Resistschicht sind viele der bisher in Resistschichten eingesetzten Materialien geeignet, z.B. im Falle von Positivresist Diazonaphto- chinon bzw. Naphtochinondiazid und im Falle von Negativresist partiell cyclisiertes Polyisopropen. Die Resistschicht enthält außerdem einen geeigneten Filmbildner, z.B. Phenolharzverbindungen. Zusätze in der Resistschicht sind u.a. Stabilisatoren und/oder Inhibitoren.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich bei der Produktion der Resistfolie eingesetztes flüssige Resistmaterial vollständig verwerten. Beim herkömmlichen Aufschleudern werden nur 10 Prozent der Resistflüssigkeit verwendet. Eine Verwendung der übrigen 90 Prozent ist auf Grund von Oxidati - onsvorgängen nicht möglich. Eine Weiterbildung geht von der Überlegung aus, dass die Auswahl des Resistschichtmaterials und auch das Belichten der Resistschicht schon unter Berücksichtigung des späteren Lösevorgangs vorgenommen werden sollten. Außerdem geht die Erfin- düng davon aus, dass es Klebstoffe gibt, die ihre Klebekraft bei Einwirkung einer Bestrahlung verändern. Beispielsweise werden durch die Bestrahlung aus Monomeren oder auch aus Oligomeren Polymere oder auch Copolymere erzeugt, wobei die dabei auftretende Vernetzung zu einer Herabsetzung der Klebe- kraft führt. Andererseits lassen sich durch eine Bestrahlung jedoch auch Polymere bzw. Copolymere in Monomere oder Oligo- mere aufspalten, wobei die Klebekraft erhöht wird. Eine andere Klasse von Klebstoffen enthält den Klebestoff zersetzende Stoffe, die durch eine Bestrahlung aktiviert oder deaktiviert werden können. Unterschiedlich stark vernetzte Bereiche der
Resistschicht bzw. der Klebstoffschicht werden durch Lösungsmittel unterschiedlich schnell gelöst, so dass eine Entwicklung der Resistschicht auf einfache Art und Weise möglich ist.
Somit lässt sich einerseits beispielsweise für ein sogenanntes Positivresist eine Resistschicht einsetzen, die anfangs eine geringere Klebekraft hat. Beim Belichten werden Polymere aufgespaltet, wodurch die Klebekraft in dem belichteten Be- reich zwar steigt, diese Bereiche jedoch durch ein Lösungsmittel leichter entfernt werden können als die unbelichteten Bereiche .
Andererseits lässt sich bei einem Negativresist ein Material mit einer ursprünglich hohen Klebekraft einsetzen. Die belichteten Bereiche werden beim Belichten beispielsweise vernetzt, so dass die Klebekraft in diesen Bereichen herabgesetzt wird. Beim Entwickeln werden jedoch nur die unbelichteten Bereiche entfernt, d.h. die noch nicht vernetzten Berei- ehe. Deshalb wird bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. bei einem zweiten Aspekt der Erfindung eine Resistschicht aus einem Klebstoff verwendet, dessen Klebekraft sich bei der Bestrahlung verringert oder erhöht. Durch diese Maßnahme entsteht ein einfaches Verfahren, bei dem auf der Grundschicht nach dem Entwickeln verbleibende Bereiche auf einfache Art und Weise entfernt werden können. Aufgrund der ursprünglich geringen Klebekraft bzw. der beim Bestrahlen verringerten Klebekraft lassen sich diese Bereiche beispiels- weise durch Verwenden eines Abziehklebebandes auf einfache Art entfernen, insbesondere ohne den Einsatz zusätzlicher Lösungsmittel oder mit einer verringerten Lösungsmittelmenge.
Bei einer insbesondere Negativresists betreffenden Weiterbil- düng des erfindungsgemäßen Verfahrens verringert sich die Klebekraft bei einer Bestrahlung um mehr als 30 % oder um mehr als 50 % oder um mehr als 90 % bezogen auf die Ur- sprungsklebekraft an der Grundschicht. Herstellungsangaben beziehen sich bspw. auf die Klebekraft an Siliziumwafern oder an Polyimidwafern. Die ursprüngliche Klebekraft an Silizium ist bspw. größer als 1 N/20 mm oder sogar größer als 10 N/20 mm. Nach der Belichtung sinkt die Klebekraft bspw. auf 0,16 N/20mm. Insbesondere sind auch Stoffe, bei denen sich die Klebekraft um mehr als 90 % verringert, auf einfache Art und Weise herstellbar.
Bei einer alternativen Weiterbildung erhöht sich die Klebekraft um mehr als 50 % oder um mehr als 100 %. Auch solche Stoffe sind auf einfache Art und Weise herstellbar und insbe- sondere für Positivresists geeignet.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird die Resistschicht mit einer elektromagnetischen Strahlung, vorzugsweise mit einer ultravioletten Strahlung oder einer Röntgenstrahlung be- strahlt bzw. belichtet. Jedoch lassen sich alternativ auch
Teilchenstrahlen einsetzen, beispielsweise Elektronenstrahlen oder Ionenstrahlen. Die Strahlung dient dazu, die Klebekraft zu verändern, indem bestimmte chemische Veränderungen durch die Strahlung hervorgerufen werden, beispielsweise eine Polymerisation oder eine Aufspaltung von Polymeren.
Bei einer nächsten Weiterbildung haben nach dem Entwickeln auf der zu strukturierenden Schicht verbleibende Bereiche der Resistschicht eine verringerte Klebekraft im Vergleich zur unbestrahlten Resistschicht. Die verringerte Klebekraft erleichtert das spätere Entfernen der verbliebenen Bereiche. Falls es sich um einen zusammenhängenden Bereich handelt, lässt sich die verbliebene Resistschicht beispielsweise mit einer Pinzette auf einfache Art abziehen.
Bei einer anderen Weiterbildung werden die verbliebenen Be- reiche mit einer Klebefläche abgezogen, deren Klebekraft größer als die verringerte Klebekraft der Resistschicht ist, vorzugsweise mit einem Klebeband oder einem Klebeblatt. Ein Klebeband oder ein Klebeblatt ermöglicht es, den Abziehwinkel in weiten Bereichen frei zu wählen und gegebenenfalls auch während des Abziehens zu verändern.
Bei einer anderen Weiterbildung werden die verbliebenen Bereiche mit einem Lösungsmittel entfernt. Die Entfernung mit einem Lösungsmittel ist einfacher als bisher, weil die Klebe- kraft der verbliebenen Bereiche stark verringert ist, insbesondere im Vergleich zu Fotolacken, die an der Grundschicht ausgehärtet sind.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens wird als Entwickler ein organisches Lösungsmittel verwendet, insbesondere N-Methylpyrolidon oder Dimethylsul- fooxid. Die Strukturformel für Dimethylsulfooxid lautet:
H3C-SO-CH3
Die genannten Entwickler werden bei der Entwicklung von Foto- lack auch bisher verwendet und sind kostengünstig verfügbar. Bei einer nächsten Weiterbildung wird die Resistschicht mit Hilfe einer Klebefläche aufgebracht, deren Klebekraft kleiner als die Klebekraft der unbestrahlten Schicht an der Grundschicht ist. Bei einer Ausgestaltung wird ein Klebeband oder ein Klebeblatt verwendet. Ein solches Aufbringen der Resistschicht kann ohne das Entstehen von Kleberesten an den zum Aufbringen benutzten Maschinen oder Werkzeugen durchgeführt werden. Alternativ lässt sich die Resistschicht beispielsweise auch mit einem siebdruckähnlichen Verfahren auf die Grundschicht aufbringen.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird ein Resist mit einer Antireflexionsschicht verwendet. Durch das Verwenden einer Antireflexionsschicht lassen sich die minimalen Strukturbrei- ten bei der Strukturierung der Resistschicht und damit beispielsweise auch bei der Strukturierung der Grundschicht verringern. Zwar wird das erfindungsgemäße Verfahren auch zum Erzeugen von Strukturen mit minimalen Abmessungen größer als 5 oder 10 μm eingesetzt. Jedoch lässt sich das Verfahren auch einsetzen, wenn die minimale Strukturbreite im Bereich von 1 μm oder darunter liegt.
Bei einer nächsten Weiterbildung hat die Resistschicht eine Dicke größer als 30 μm, größer als 50 μm oder sogar größer als 100 μm. Eine so dicke Resistschicht lässt sich in einem Aufbringvorgang aufbringen. Beim Verwenden von Fotolack sind mehrere Auf ringvorgänge erforderlich, d.h. abwechselnd Auf- schleudern, Aushärten, Aufschleudern usw. Das Verfahren zum Aufbringen der Resistschicht wird also durch die Weiterbil- düng wesentlich vereinf cht.
Bei einer anderen Weiterbildung wird die Grundschicht gemäß den nach dem Entwickeln verbleibenden Bereichen der Resistschicht strukturiert, vorzugsweise in einem Trockenätz- prozess oder in einem nass-chemischen Atzprozess. Alternativ wird zwischen den verbleibenden Bereichen der Resistschicht auf der Grundschicht Material aufgebracht, vorzugsweise durch 8 Klebeblatt auf die Grundschicht aufgeklebt . Erst danach wird die andere Außenschicht entfernt. Anschließend wird das erfindungsgemäße Verfahren oder eine seiner Weiterbildungen durchgeführt .
Bei einer Weiterbildung wird die weitere Außenschicht durch eine Außenschicht eines anderen Abschnitts derselben Außenschicht eines zusammengerollten Klebebandes oder durch eine Außenseite eines anderen Klebeblattes eines Klebeblattstapels aus mindestens zwei Klebeblättern gebildet. Dadurch lassen sich die Außenschichten mehrfach nutzen, nämlich zum Bedecken von jeweils zwei Klebeschichten bzw. von jeweils zwei Abschnitten einer Klebeschicht.
Außerdem betrifft die Erfindung ein Klebeband oder ein Klebeblatt, das eine Klebeschicht enthält, deren Klebekraft sich bei einer Bestrahlung ändert. Das Klebeband oder Klebeblatt enthält mindestens eine Antireflexionsschicht , die eine Reflexion der Strahlung verhindert oder verringert . Durch das Verwenden einer Antireflexionsschicht lassen sich die minimalen Strukturbreiten beim Strukturieren der Klebeschicht verringern .
Bei einer Weiterbildung wird die Antireflexionsschicht in der Mitte der Klebeschicht oder am Rand der Klebeschicht angeordnet. Die Antireflexionsschicht hat beispielsweise eine andere Brechzahl als die restliche Klebeschicht. Alternativ oder zusätzlich ist der Absorptionskoeffizient für die Strahlung in der Antireflexionsschicht größer als in der Klebeschicht.
Die genannten Klebematerialien werden insbesondere in dem erfindungsgemäßen Verfahren oder einer seiner Weiterbildungen eingesetzt .
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen: 9
Figur 1 ein Klebeband,
Figuren 2A und 2B die Strukturierung einer Resistschicht auf einer integrierten Schaltungsanordnung und eine galvanische Abscheidung, und
Figuren 3A und 3B die Strukturierung einer Resistschicht auf einer integrierten Schaltungsanordnung und die nachfolgende Strukturierung einer Schicht .
Figur 1 zeigt ein Klebeband 10, das eine Klebeschicht 12 und eine Außenschicht 14 enthält. Die Klebeschicht 12 enthält einen Stoff, dessen Klebekraft durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht verringert wird. Bei der Herstellung des Klebe- bandes 10 beträgt die Klebekraft der Klebeschicht 12 auf einem Siliziumwafer beispielsweise 2,0 N/20 mm. Die Dicke der Klebeschicht 12 beträgt Ausführungsbeispiel 50 μm. Ein Beispiel für die Zusammensetzung der Klebeschicht 12 wir weiter unten näher erläutert. Die Außenschicht 14 besteht beispiels- weise aus PET bzw. PETP (Polyethylenterephthalat), d.h. aus Polyethylen, oder aus einem anderen geeigneten Kunststoff. Die Außenschicht 14 lässt sich leicht von der Klebeschicht 12 abziehen.
Das Klebeband 10 wird auf einer Rolle aufgerollt, so dass die Außenschicht 14 die Klebeschicht 12 von beiden Seiten einschließt.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel enthält das Klebeband 10 zusätzlich zur Klebeschicht 12 und zur Außenschicht 14 noch eine Antireflexionsschicht 16, die die gleiche Zusammensetzung wie die Klebeschicht 12 hat. Zusätzlich enthält die Antireflexionsschicht 16 jedoch noch Teilchen, welche die Absorption von ultravioletter Strahlung in der Antireflexi- onsschicht 16 erhöhen. 10 Figur 2A zeigt eine integrierte Schaltungsanordnung 20, die nicht dargestellte integrierte Bauelemente, z.B. Transistoren, enthält. Außerdem enthält die integrierte Schaltungsanordnung 20 eine Oxidschicht 22, z.B. eine Siliziumdioxidschicht. In der Oxidschicht 22 befindet sich eine Metallisierungslage 24, die eine Vielzahl von Kupferleitbahnen enthält, von denen in Figur 2A zwei Kupferleitbahnen 26 und 28 dargestellt sind. Barriereschichten sind zur übersichtlicheren Darstellung in Figur 2A nicht eingezeichnet.
Nach der Durchführung eines CMP-Verfahrens (chemisches mechanisches Polieren) und eines Reinigungsverfahrens wurde das Klebeband 10 auf die integrierte Schaltungsanordnung 10 aufgeklebt. Anschließend wurde die Außenschicht 14 abgezogen, beispielsweise manuell mit Hilfe einer Pinzette oder mit Hilfe eines Abziehklebebandes und einer Abziehmaschine.
Danach wird eine selektive Belichtung unter Verwendung einer Fotomaske durchgeführt. Pfeile 30 symbolisieren das auftref- fende ultraviolette Licht. Durch die Belichtung entstehen in der Klebeschicht 12 belichtete Bereiche 32 bis 36, die oberhalb der Zwischenräume zwischen den Kupferleitbahnen 26 und 28 liegen. Die belichteten Bereiche 32 bis 36 begrenzen unbe- lichtete Bereiche 38, 40, die oberhalb der Kupferleitbahn 26 bzw. 28 liegen. In den belichteten Bereichen 32 bis 36 bilden sich durch die Belichtung stark vernetzte Polymere, welche die Klebekraft der Klebeschicht 12 in den belichteten Bereichen 32 bis 36 herabsetzen. In den unbelichteten Bereichen 38 und 40 liegen dagegen nur vergleichsweise schwach vernetzte bzw. kurze Polymere vor, so dass die Klebekraft unverändert hoch bleibt.
Wie in Figur 2B dargestellt, wird anschließend ein Entwicklungsvorgang mit Hilfe eines Lösungsmittels ausgeführt, wel- ches die 'weniger vernetzten Bereiche, d.h. die unbelichteten Bereiche 38 und 40 stärker löst als die belichteten Bereiche 32 bis 36. Beim Entwickeln werden deshalb die unbelichteten 11 Bereiche 36 und 40 der Klebeschicht 12 entfernt, so dass an ihrer Stelle Aussparungen 50 und 52 entstehen, deren Boden bis zur Kupferleitbahn 26 bzw. 28 reicht.
Anschließend werden mit Hilfe eines galvanischen Verfahrens in der Aussparung 50 und in der Aussparung 52 Kupferkontakte 54 bzw. 56 abgeschieden. Es wird ein galvanisches Verfahren mit Außenstrom oder ein außenstromloses galvanisches Verfahren verwendet .
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein Klebemittel 12 eingesetzt, das als Positivresist arbeitet. In diesem Fall hat das Klebemittel 12 ursprünglich eine geringe Klebekraft. Beim Belichten werden die Bereiche 38 und 40 belichtet. In diesem Bereichen werden Polymere durch die Belichtung aufgespaltet. Gleichzeitig erhöht sich in diesen Bereichen die Klebekraft. Beim Entwickeln werden wiederum die Bereiche 38 und 40 entfernt und auch das weitere Verfahren ist so, wie oben an Hand der Figur 2B erläutert.
Bei beiden an Hand der Figuren 2A und 2B erläuterten Verfahren wird nach dem Galvanisieren ein Abziehklebeband verwendet, das auf die Klebeschicht 12 aufgebracht wird und anschließend abgezogen wird. Beim Abziehen bleiben die verblie- benen Bereiche 32 bis 36 am Abziehklebeband hängen und werden von der integrierten Schaltungsanordnung 20 entfernt.
Wie in Figur 3A dargestellt, lässt sich das Klebeband 10 auch zum Strukturieren einer Schicht verwenden. Eine integrierte Schaltungsanordnung 100 enthält eine Oxidschicht 102, z.B. eine Siliziumdioxidschicht oder eine BPSG-Schicht (Bor Phosphor Silikat Glas) . Auf der Siliziumdioxidschicht 102 befindet sich eine zu strukturierende Metallschicht 104, die im Ausführungsbeispiel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegie- rung mit -geringen Zusätzen von unter 5 Gew.-% besteht. 12
Auf die Aluminiumschicht 104 wird das Klebeband 10 geklebt . Anschließend wird die Außenschicht 14 abgezogen, so dass nur noch die Klebeschicht 12 bzw. die Klebeschicht und die Antireflexionsschicht 16 auf der Metallschicht 104 verbleibt. Danach wird die Klebeschicht 12 mit Hilfe einer Fotomaske selektiv belichtet, siehe Pfeile 130. Dabei entstehen belichtete Bereiche 132 bis 136, die unbelichtete Bereiche 138 und 140 begrenzen. Die Belichtung führt in den belichteten Bereichen 132 bis 136 zu einer stärkeren Vernetzung und zu einer Senkung der Klebekraft der Klebeschicht 12 an der Metall - Schicht 104.
Wie in Figur 3B dargestellt, wird die Klebeschicht 12 anschließend mit Hilfe eines Lösungsmittels entwickelt. Dabei entstehen zwischen den belichteten Bereichen 132 bis 136
Aussparungen 150 und 152, die an den Stellen liegen, an denen sich ursprünglich die unbelichteten Bereiche 138 bzw. 140 befanden. Die belichteten Bereiche 132 bis 136 bleiben beim Entwickeln unverändert.
Wie in Figur 3C dargestellt, wird anschließend mit Hilfe eines anisotropen Ätzprozesses die Metallschicht 104 gemäß der in der Klebeschicht 12 vorhandenen Struktur strukturiert. Dabei werden die Aussparungen 150 und 152 durch die Metall - Schicht 104 hindurch erweitert. Am Ende des Ätzprozesses liegt der Boden der Aussparung 150 auf der Oxidschicht 102. Der Boden der Aussparung 152 liegt ebenfalls auf dem Boden der Oxidschicht 102. Aus der durchgehenden Metallschicht 104 sind beim Strukturieren Metallleitbahnen 160 bis 164 entstan- den.
Nach dem Atzprozess werden die verbliebenen Reste 132 bis 136 der Klebeschicht 12 mit Hilfe eines Abziehklebebandes, so wie oben an Hand der Figur 2B erläutert, entfernt.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird für das an Hand der Figuren 3A bis 3C erläuterte Verfahren ebenfalls eine 13 Klebeschicht 12 eingesetzt, die als Positivresist wirkt. Auf die Ausführungen zu den Figuren 2A und 2B in Zusammenhang mit einem Positivresist wird verwiesen.
Die Klebeschicht 12 enthält bei einem Ausführungsbeispiel eine Verbindung mit kleinem molekularen Gewicht, die mindestens zwei fotopolymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff- Doppelbindungen je Molekül enthält. Außerdem enthält die Klebeschicht 12 einen Fotopolymerisationsinitiator.
Die fotopolymerisierbare Verbindung hat ein zahlendurchschnittliches Molekulargewicht von etwa 10000 oder weniger, vorzugsweise von 5000 oder weniger. Die Anzahl der fotopolymerisierbaren Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen je Molekül sollte 2 bis 6 betragen, insbesondere 3 bis 6. Besonders bevorzugte Beispiele für diese fotopolymerisierbaren Verbindungen sind Trimethylolpropantriacrylat , Pentae- rythrittriacryla , Pentaerythrittetraacrylat , Dipentae- rythritmonohydroxypentaacrylat und Dipentaerythrithexaacry- lat. Zu anderen fotopolymerisierbaren Verbindungen, die verwendet werden können, gehören, 1, -Butandioldiacrylat , 1,6- Hexandioldiacrylat, Polyethylenglycoldiacrylat und handelsübliches Oligoestheracrylat .
Diese fotopolymerisierbaren Verbindungen können allein oder gemischt verwendet werden. Die Menge, in der die fotopolymerisierbare Verbindung verwendet wird, liegt im Bereich von 1 bis 100 Gewichtsteilen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers. Wenn die Menge, in der die fotopolymerisierbare Verbin- düng verwendet wird, zu gering ist, wird die dreidimensionale Netzwerkstruktur bei Bestrahlen der druckempfindlichen Klebeschicht 12 mit Licht nur unzureichend gebildet und die Abnahme der Adhäsionskraft der dünnen Klebeschicht 12 an der integrierten Schaltungsanordnung 20 ist zu gering. Wenn ande- rerseits «ihre Menge zu groß ist, nimmt die Plastizität der resultierenden druckempfindlichen KlebstoffSchicht deutlich zu und die ursprüngliche Klebekraft steigt übermäßig. 14
Beispiele für fotopolymerisierbare Initiatoren sind: Isopro- pylbenzoinäther, Isobutylbenzoinäther, Benzophenon, Michler's Keton, Chlorothioxanthon, Dodecylthioxanthon, Di ethylthio- xanthon, Diethylthioxanthon, Acetophenondiethylketal, Benzyl- dimethylketal, α-Hydroxyzyklohexylphenylketon und 2- Hydroxymethylphenylpropan. Diese Verbindungen können allein oder in Form von Mischungen verwendet werden.
Konkret wurde eine Zusammensetzung aus 100 Teilen Butylacry- lat, 5 Teilen Acrylnitril und 5 Teilen Acrylsäure für eine Copolymerisation in Toluol zur Herstellung eines Acrylcopoly- mers mit einem zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht von 300000 verwendet.
Zu 100 Teilen des Acrylcopolymers wurden zugegeben: 5 Teile einer Polyisocyanatverbindung (Handelsname "Coronate L" , hergestellt von der Firma Nippon Polyurethane Co.Ltd.), 15 Teile Dipentaerythritmonohydroxypentaacrylat und 1 Teil α- Hydroxyzyklohexylphenylketon. Diese Teile wurden miteinander gemischt zur Herstellung der Klebeschicht 12.
Die Zusammensetzung wurde in Form einer Schicht auf die Oberfläche der Außenschicht 14 in einer- Dicke Dl von 50 μm aufge- bracht und dann mehrere Minuten lang, z.B. 3 Minuten lang, bei 130°C getrocknet.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein Acrylcopolymer mit einem zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht von 3000 oder von 30000 hergestellt, dem dann die oben genannten Teile zugesetzt werden.
An Stelle der erläuterten Zusammensetzungen für die Klebeschicht 12 lassen sich auch andere bekannte Zusammensetzungen verwenden. 15 Durch die oben angegebenen Verfahren wird insbesondere eine gleichmäßigen Dicke der Resistschicht erzielt. Toleranzen der Dicke kleiner als +/- 3 Prozent können auf einfache Art und Weise eingehalten werden.
Bei bestimmten Waferbearbeitungsvorgängen muss bspw. der Scheibenrand unbelackt sein, um das problemlose Transportieren und Einlegen der Wafer in Maschinen oder einen Stroman- schluss in einem galvanischen Verfahren zu gewährleisten. Das Entfernen des Randes mit einem nur am Rand aufgesprühten
Lösungsmittel würde auf Grund von unvermeidlichem Lösungsmitteleintrag auch in das nicht zu entfernende Resist zu einer Resistdickenerhöhung am Scheibenrand um bis zu 15 Prozent führen.
Schritte zum zusätzlichen Entfernen eines umlaufenden Randbereiches werden vermieden, wenn die bandförmige oder Blattförmige Resistschicht auf eine Größe vorgestanzt (precut) ist, die um mindestens 2 mm oder um mindestens 5 mm kleiner als der Waferdurchmesser ist. In diesem Fall ist ein Zentrierschritt erforderlich. Ein solcher Zentrierschritt ist auch erforderlich, wenn Folien mit dem Umriss des Wafers eingesetzt werden. Ist auf der vorgestanzten bzw. vorgeformten Folie ein Waferflat berücksichtigt, so ist beim Aufbringen der Resistfolie auch auf die richtige Lage des Fiatbereiches zu achten.
Jedoch werden auch ungestanzte Bänder bzw. Blätter eingesetzt, wobei mit einer Schneide nach dem Aufbringen der Fo- lie, z.B. von einer Rolle, entlang des Waferrandes ein passendes Resiststück ausgeschnitten wird. Zentriervorgänge entfallen in diesem Fall.
Tape-La inierprozesse sind außerdem erheblich schneller und billiger als Belackungsprozesse. Die Belichtung lässt sich mit bisher verwendeten Mask-Aligner-Systemen ausführen. 16 Mit den Antire lexionseigenschaften der Folien können auch Metallleitbahnen über Topografien ohne Einschnürungen strukturiert werden.
Eine strahlungsempfindliche Komponente, z.B. eine UN-lichtempfindliche Komponente (ultraviolett) , im Resist und/oder im Klebstoff ermöglicht das restfreie Entfernen von der Scheibenoberfläche, insbesondere ohne Einrisse.
Härtet das Resist beim Bestrahlen weiter aus, so wird es beständiger gegen Plasmaangriffe. Durch das Verwenden temperaturstabiler Komponenten im Resist lässt sich die Plasmaleistung beim Strukturieren einer unter dem Resist liegenden Schicht weiter erhöhen.

Claims

17 Patentansprüche
1. Verfahren zum Aufbringen einer Resistschicht (12), bei dem auf eine Grundschicht (24, 104) eine Resistschicht (12) aufgebracht, selektiv bestrahlt und entwickelt wird, dadurch gekennzeichnet , dass die Resistschicht im festen Zustand auf die Grundschicht (24, 104) aufgebracht oder aufgeklebt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet , dass die Resistschicht vor dem Aufbringen auf die Grundschicht (24, 104) mit einem Schutzmaterial (14, 16) bedeckt wird,
und/oder dass das Schutzmaterial (14, 16) ein Aushärten eines an der Resistschicht (12) angeordneten Klebstoffes oder eines in der Resistschicht enthaltenen Klebstoffes verhindert,
und/oder dass das Schutzmaterial (14, 16) vor dem Aufbringen entfernt wird, vorzugsweise weniger als 10 Minuten vor dem Aufbringen,
und/oder dass als Grundschicht (24, 104) eine auf einem Halbleitersubstrat angeordnete Schicht oder ein Halbleitersub- strat verwendet wird, und/oder dass die Resistschicht (12) mit elektromagnetischer Strahlung, vorzugsweise mit ultravioletter Strahlung oder Röntgenstrahlung, oder mit einer Teilchenstrahlung bestrahlt wird, vorzugsweise mit einer Elektronen- oder einer Ionen- Strahlung.
3. Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht (12), insbesondere nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge kennzeichnet , dass eine Resistschicht (12) verwendet wird, dife einen Klebstoff enthält oder aus einem Klebstoff besteht, dessen Klebekraft sich bei der Bestrahlung verringert oder erhöht . 18
und/oder dass sich die Klebekraft um mehr als 30 % oder um mehr als 50 % oder um mehr als 90 % verringert oder dass sich die Klebekraft um mehr als 50 % oder um mehr als 100 % er- höht, vorzugsweise bezüglich der Klebekraft an der Grundfläche oder einem Siliziumsubstrat oder an einem Polyimid- substrat .
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn - zeichnet , dass nach dem Entwickeln auf der Grundschicht (24) verbleibende Bereiche (32 bis 36) der Resistschicht (12) eine verringerte Klebekraft im Vergleich zur unbestrahlten Resistschicht haben.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet , dass nach dem Entwickeln auf der Grundschicht (24) verbleibende Bereiche (32 bis 36) der Resistschicht (12) mit einer Klebefläche abgezogen werden, deren Klebekraft an den verbleibenden Bereichen (32 bis 36) größer als die Klebekraft der verbleibenden Bereiche bezüglich der Grundschicht (24, 104) ist, vorzugsweise mit einem Klebeband oder einem Klebeblatt.
'6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a - durch gekennzeichne t , dass nach dem Entwickeln auf der Grundschicht (24, 104) verbleibende Bereiche (32 bis 36) der Resistschicht (12) mit einem Lösungsmittel entfernt werden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet , dass als Entwickler ein organisches Lösungsmittel verwendet wird, insbesondere N_Methylpyrolidon oder Dimethylsulfooxid.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet , dass die Resistschicht (12) mit Hilfe einer Hilfsfläche (14) aufgebracht wird, die 19 mit kleinerer Klebekraft an der Resistschicht (12) klebt als die Klebekraft der unbestrahlten Resistschicht an der Grundschicht (24) ist, vorzugsweise mit Hilfe eines Hilfsbandes (14) oder eines Hilfsblattes.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet , dass in oder an der Resistschicht (12) bereits vor dem Aufbringen der Resistschicht (12) auf die Grundschicht eine Antireflexionsschicht (16) vorgesehen wird, die eine Reflexion der Strahlung an der Resistschicht (12) verhindert oder verringert.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet , dass eine Resistschicht (12) mit einer Dicke (Dl) größer als 30 μm oder größer als 50 μm oder größer als 100 μm in einem Aufbringvorgang aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da - durch gekennzeichnet , dass die Grundschicht
(104) gemäß den nach dem Entwickeln verbleibenden Bereichen (132 bis 136) der Resistschicht (12) strukturiert wird, vorzugsweise in einem Trockenätzverfahren oder in einem nass- chemischen Ätzverfahren, oder dass auf nach dem Entwickeln zwischen verbleibenden Bereichen (32 bis 36) der Resistschicht (12) angeordnete freiliegende Bereiche der Grundschicht (24) Material aufgebracht wird, vorzugsweise durch galvanische, chemische oder chemisch-physikalische- oder physikalische Aufbringung,
oder dass die Grundschicht (104) gemäß den nach dem Entwickeln verbleibenden Bereichen (132 bis 136) der Resistschicht (12) selektiv dotiert wird.
12. Verwendung eines Klebemittels (12), dessen Klebekraft sich bei einer Bestrahlung verringert oder erhöht oder Verwendung eines Klebebandes (10) oder eines Klebeblattes mit 20 einem solchen Klebemittel zum selektiven Strukturieren einer Schicht (104) oder zum selektiven Materialaufbringen auf eine Schicht (24) oder zum sonstigen selektiven Bearbeiten einer Schicht, insbesondere in einem Verfahren nach einem der vor- hergehenden Ansprüche.
13. Verwendung eines Klebebandes oder Klebeblattes zum Entfernen von Resten einer Resistschicht (12) , insbesondere einer Resistschicht (12) , die mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 strukturiert worden ist.
14. Klebeband (10) oder Klebeblatt, mit einer . Klebeschicht (12), deren Klebekraft sich bei einer Bestrahlung verringert oder erhöht, und mit einer auf einer Seite der Klebeschicht (12) angeordneten Außenschicht (14), die mit einer Adhäsionskraft kleiner als 2 N/20 mm oder kleiner als 1 N/20 mm oder kleiner als 0,25 N/20 mm an der Klebeschicht (12) klebt, wobei auf der anderen Seite der Klebeschicht (12) eine weite- re Außenschicht angeordnet ist, die mit einer Adhäsionskraft kleiner als 2 N/20 mm oder kleiner als 1 N/20 mm oder kleiner als 0,25 N/20 mm an der Klebeschicht (12) klebt.
•15. Klebeband (10) oder Klebeblatt nach Anspruch 14, d a - durch gekennz ei chnet , dass die weitere Außenschicht durch eine Außenschicht (12) eines anderen Abschnitts eines zusammengerollten Klebebandes (10) oder durch eine Außenschicht eines anderen Klebeblattes eines Klebeblattsta- pels gebildet wird, der mindestens zwei Klebeblätter enthält,
und/oder dass das Material der Klebeschicht (12) für eine selektive Belichtung und Entwicklung zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung geeignet ist .
16. Klebφband (10) oder Klebeblatt, insbesondere nach Anspruch 14 oder 15, 21 mit einer Klebeschicht (12) , deren Klebekraft sich bei einer Bestrahlung verringert oder erhöht, wobei das Klebeband (10) oder das Klebeblatt mindestens eine Antireflexionsschicht (16) enthält, die eine Reflexion der Strahlung verhindert oder verringert .
17. Klebeband (10) oder Klebeblatt nach Anspruch 16, da durch gekennz e i chne t , dass die Antireflexionsschicht (16) in der Klebeschicht (12) oder an der Klebe- Schicht (12) angeordnet wird, und/oder wobei die Antireflexionsschicht (12) eine andere Brechzahl als die Klebeschicht (12) hat, wobei die Brechzahl der Antireflexionsschicht (16) vorzugsweise gleich dem geometrischen Mittel aus den Brechzahlen von bei der Strukturie- rung angrenzenden Schichten ist und/oder wobei die Dicke der Antireflexionsschicht (16) vorzugsweise gleich n λ/4 ist, wobei λ die Wellenlänge der Strahlung und n die Brechzahl der Antireflexionsschicht (16) sind, und/oder wobei die Antireflexionsschicht (16) eine höhere Absorption für die Strahlung als die Klebeschicht (12) hat.
18. Resistschicht, insbesondere in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis ll verwendete Resistschicht, wobei die Resistschicht (12) ein festen Material enthält oder aus einem festen Material besteht, und wobei das Material der Resistschicht (12) für eine selektive Belichtung und Entwicklung zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung geeignet ist, dadurch gekennz e i chne t , dass die Re- sistschicht (12) frei bewegbar auf einem Träger angeordnet ist oder mit einem Trägermaterial oder einem Schutzmaterial (14, 16) verklebt ist, das von der Resistschicht (12) ohne Zerstörung oder Beschädigung der Resistschicht gelöst werden kann.
19 . Resistschicht ( 12 ) nach Anspruch 18 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das Schutzmaterial ( 14 , 16 ) ein 22 Band oder ein Blatt ist, dass an der Resistschicht (12) mit einer Adhäsionskraft kleiner als 2 N/20 mm oder kleiner als 1 N/20 mm oder kleiner als 0,25 N/20 mm klebt.
EP03767816A 2002-12-20 2003-12-18 Verfahren zum aufbringen einer resistschicht, verwendungen von klebematerialien sowie klebematerialien und resistschicht Withdrawn EP1573400A2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10260235 2002-12-20
DE10260235A DE10260235B4 (de) 2002-12-20 2002-12-20 Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht
PCT/EP2003/014460 WO2004059393A2 (de) 2002-12-20 2003-12-18 Verfahren zum aufbringen einer resistschicht, verwendungen von klebematerialien sowie klebematerialien und resistschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1573400A2 true EP1573400A2 (de) 2005-09-14

Family

ID=32519239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP03767816A Withdrawn EP1573400A2 (de) 2002-12-20 2003-12-18 Verfahren zum aufbringen einer resistschicht, verwendungen von klebematerialien sowie klebematerialien und resistschicht

Country Status (8)

Country Link
US (4) US7351514B2 (de)
EP (1) EP1573400A2 (de)
JP (1) JP2006510064A (de)
CN (1) CN1729430A (de)
AU (1) AU2003292253A1 (de)
DE (1) DE10260235B4 (de)
TW (1) TWI233540B (de)
WO (1) WO2004059393A2 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9289618B1 (en) 1996-01-08 2016-03-22 Impulse Dynamics Nv Electrical muscle controller
JP4175662B2 (ja) 1996-01-08 2008-11-05 インパルス ダイナミクス エヌ．ヴイ． 電気的筋肉制御装置
US9713723B2 (en) 1996-01-11 2017-07-25 Impulse Dynamics Nv Signal delivery through the right ventricular septum
WO2006073671A1 (en) 2004-12-09 2006-07-13 Impulse Dynamics Nv Protein activity modification
DE10260235B4 (de) * 2002-12-20 2010-10-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht
US11439815B2 (en) 2003-03-10 2022-09-13 Impulse Dynamics Nv Protein activity modification
US8548583B2 (en) 2004-03-10 2013-10-01 Impulse Dynamics Nv Protein activity modification
US11779768B2 (en) 2004-03-10 2023-10-10 Impulse Dynamics Nv Protein activity modification
KR101318517B1 (ko) * 2008-05-30 2013-10-16 코오롱인더스트리 주식회사 필름형 광분해성 전사재료
WO2011092710A2 (en) 2010-02-01 2011-08-04 Metacure Limited Gastrointestinal electrical therapy
KR101084811B1 (ko) 2010-08-20 2011-11-21 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN107645854A (zh) * 2017-09-21 2018-01-30 台州学院 一种多层柔性电路板形成过孔连接的方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3469982A (en) * 1968-09-11 1969-09-30 Jack Richard Celeste Process for making photoresists
JPS4829541B1 (de) * 1969-06-13 1973-09-11
CA1099435A (en) * 1971-04-01 1981-04-14 Gwendyline Y. Y. T. Chen Photosensitive block copolymer composition and elements
US3961961A (en) * 1972-11-20 1976-06-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Positive or negative developable photosensitive composition
JPS6032173B2 (ja) * 1974-12-28 1985-07-26 富士写真フイルム株式会社 画像形成法
GB2049972B (en) * 1977-07-12 1982-06-23 Asahi Chemical Ind Photosensitive element for producing a printed circuit board
US4289841A (en) * 1978-02-26 1981-09-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dry-developing photosensitive dry film resist
JPS55501072A (de) * 1978-12-25 1980-12-04
US4349620A (en) * 1979-06-15 1982-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solvent developable photoresist film
US4289481A (en) * 1979-07-06 1981-09-15 Comet, Inc. Fuel and apparatus for drying grain
US4357413A (en) * 1980-04-28 1982-11-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dry-developing photosensitive dry film resist
US4528261A (en) * 1983-03-28 1985-07-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Prelamination, imagewise exposure of photohardenable layer in process for sensitizing, registering and exposing circuit boards
EP0143437B1 (de) * 1983-11-26 1988-07-27 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Resistmustern und für dieses Verfahren geeigneter Trockenresist
US4571374A (en) * 1984-12-27 1986-02-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Multilayer dry-film positive-acting laminable photoresist with two photoresist layers wherein one layer includes thermal adhesive
US4652513A (en) * 1985-09-18 1987-03-24 Vacuum Applied Coatings Corp. Method for creating a design in relief in a hard smooth substrate and apparatus for use in the method
US4826705A (en) * 1986-07-02 1989-05-02 Loctite Corporation Radiation curable temporary solder mask
US4698294A (en) * 1986-09-12 1987-10-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lamination of photopolymerizable film onto a substrate employing an intermediate nonphotosensitive liquid layer
US5015059A (en) * 1988-01-15 1991-05-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Optical fiber connector assemblies and methods of making the assemblies
JPH0796664B2 (ja) * 1988-11-08 1995-10-18 出光石油化学株式会社 硬化性樹脂組成物
US5049623A (en) * 1989-08-03 1991-09-17 Monsanto Company Ethylenically unsaturated carbamates and coating compositions
US5098501A (en) * 1989-12-08 1992-03-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
DE4000038A1 (de) * 1990-01-03 1991-07-04 Hoechst Ag Polyesterfolie mit verbesserten hafteigenschaften
US5077174A (en) * 1990-04-10 1991-12-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working dry film element having a layer of resist composition
US5106450A (en) * 1990-12-20 1992-04-21 International Business Machines Corporation Dry film resist transport and lamination system for semiconductor wafers
US5250387A (en) * 1992-01-29 1993-10-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transfer process using ultraviolet curable, non-prolonged tack toning materials
EP0559248B1 (de) * 1992-02-29 1999-06-16 Agfa-Gevaert N.V. Bildaufzeichnungselement, als photoempfindliches Element eine photopolymerisierbare Zusammensetzung enthaltend
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
US5378298A (en) * 1993-06-01 1995-01-03 Motorola, Inc. Radiation sensitive adhesive composition and method of photoimagingsame
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
JP3396357B2 (ja) * 1995-11-16 2003-04-14 日東電工株式会社 レジスト除去装置
JP3800650B2 (ja) * 1995-11-17 2006-07-26 凸版印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US6224976B1 (en) * 1996-08-14 2001-05-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive transparent resin and a composite including the same
JPH1167626A (ja) * 1997-08-12 1999-03-09 Hitachi Ltd レジスト除去方法および装置
MY120763A (en) * 1997-09-19 2005-11-30 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive film, process for laminating photosensitive resin layer, photosensitive resin layer-laminated substrate and process for curing photosensitive resin layer
US6100006A (en) * 1999-08-19 2000-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Peel-apart photosensitive elements and their process of use
US20030091926A1 (en) * 1999-11-03 2003-05-15 Shipley Company, L.L.C. Dry film photoresist
KR100886161B1 (ko) 2000-07-11 2009-02-27 파르마 마르, 에스.에이. 항암제로서의 배리올린 유도체
JP2002231600A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Nitto Denko Corp レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法
EP1452309B1 (de) * 2001-12-10 2012-03-21 Teijin Dupont Films Japan Limited Polyesterklebefolie zur optischen verwendung
DE10260235B4 (de) * 2002-12-20 2010-10-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht
US6842288B1 (en) * 2003-10-30 2005-01-11 3M Innovative Properties Company Multilayer optical adhesives and articles
KR101318517B1 (ko) * 2008-05-30 2013-10-16 코오롱인더스트리 주식회사 필름형 광분해성 전사재료

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2004059393A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20080305428A1 (en) 2008-12-11
CN1729430A (zh) 2006-02-01
DE10260235B4 (de) 2010-10-28
WO2004059393A3 (de) 2005-04-07
DE10260235A1 (de) 2004-07-22
AU2003292253A1 (en) 2004-07-22
US20050266353A1 (en) 2005-12-01
JP2006510064A (ja) 2006-03-23
US8415080B2 (en) 2013-04-09
US20110269073A1 (en) 2011-11-03
TWI233540B (en) 2005-06-01
TW200413857A (en) 2004-08-01
USRE42980E1 (en) 2011-11-29
US7351514B2 (en) 2008-04-01
WO2004059393A2 (de) 2004-07-15
AU2003292253A8 (en) 2004-07-22
US8003292B2 (en) 2011-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0002795B1 (de) Verfahren zum Erzeugen von Masken für lithographische Prozesse unter Verwendung von Photolack
DE2451902C3 (de) Hochempfindlicher positiver Photolackschichtaufbau aus durch Strahlung abbaubaren, entwicklungsfähigen organischen Polymeren und Verfahren zur Herstellung einer Photolackmaske
DE2460988C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat
DE69937561T2 (de) Photolithographisch hergestellter, integrierter kondensator mit selbst-ausgerichteten elektroden und dielektrika
USRE42980E1 (en) Method for applying a resist layer, uses of adhesive materials, and adhesive materials and resist layer
DE4300983C2 (de) Ätzverfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102006030266A1 (de) Verringern der Kontamination von Halbleitersubstraten während der Metallisierungsbearbeitung durch Bereitstellen einer Schutzschicht am Substratrand
DE10328610A1 (de) Mikromuster erzeugendes Material, Verfahren zum Erzeugen von Mikromustern und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
EP0002669A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern
DE102004047355B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Maskenrohlingen
DE10219122B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Hartmasken
DE10131139B4 (de) Verfahren zur Herstellung großflächiger Membranmasken mittels Trockenätzen
DE4341302A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und einer darin verwendeten Resistverbindung
DE2504500A1 (de) Verfahren zur herstellung eines musters aus einer oder mehreren schichten auf einer unterlage durch oertliche entfernung dieser schicht oder schichten durch sputteraetzen und gegenstaende, insbesondere halbleiteranordnungen, die unter verwendung dieses verfahrens hergestellt sind
DE102007035767A1 (de) Resistdeckfilm ausbildendes Material, Ausbildungsverfahren für Resiststruktur, und elektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102005002550B4 (de) Lift-Off-Verfahren
DE10138105A1 (de) Fotolack und Verfahren zum Strukturieren eines solchen Fotolacks
DE102006046364A1 (de) ARC-Schicht mit geringerer Neigung zum Ablösen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10240748B4 (de) Verfahren zur Planarisierung einer Halbleiterprobe
DE68912664T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Feinstrukturen.
DE10338503B3 (de) Herstellungsverfahren für eine Hartmaske für eine Halbleiterstruktur
DE10237140A1 (de) Wolframhartmaske
DE112018007677B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergerätes
WO2019243064A1 (de) Verfahren zum lokalen entfernen und/oder modifizieren eines polymermaterials auf einer oberfläche
DE10138103B4 (de) Verfahren zum Strukturieren einer Fotolackschicht auf einem Halbleitersubstrat

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20050601

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN WITHDRAWN

18W Application withdrawn

Effective date: 20051031