DE2504500A1 - Verfahren zur herstellung eines musters aus einer oder mehreren schichten auf einer unterlage durch oertliche entfernung dieser schicht oder schichten durch sputteraetzen und gegenstaende, insbesondere halbleiteranordnungen, die unter verwendung dieses verfahrens hergestellt sind - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines musters aus einer oder mehreren schichten auf einer unterlage durch oertliche entfernung dieser schicht oder schichten durch sputteraetzen und gegenstaende, insbesondere halbleiteranordnungen, die unter verwendung dieses verfahrens hergestellt sindInfo
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- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 18
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 1
- 101001077420 Homo sapiens Potassium voltage-gated channel subfamily H member 7 Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 102100025133 Potassium voltage-gated channel subfamily H member 7 Human genes 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Description
GÜNTHER M. DAVID 23-^1975
Pch.nic—-ssor S'fKR/JV/J-D
Anmelder: B. V. PHiUPS1 ÜLQEILAMPENFABRIEKEN ~rn/cnc\
Akte: PHN- 7355 2504500
Anmeldung vomi 3o Febr. 1975
"Verfahren zur Herstellung eines Musters aus einer oder mehreren Schichten auf einer Unterlage durch örtliche
Entfernung dieser Schicht oder Schichten durch Sputterätzen und Gegenstände, insbesondere Halbleiteranordnungen,
die unter Verwendung-dieses Verfahrens hergestellt
sind".
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Musters aus einer oder mehreren
Schichten auf einer Unterlage durch örtliche Entfernung dieser Schicht oder Schichten durch Sputterätzen über
wenigstens einen Teil der Dicke der Schicht oder des Systems von Schichten unter Verwendung eines gegen das
Sputterätzen beständigen Maskierungsmusters, das aus einem Photolack auf einer Zivischenschicli-t aus einem Material
509833/0640
ORIGINAL INSPECTED
Pi; λ. 7 Ό 5 - & - 23-1-19/·,
besteht, das in bezug auf die direkt darunter liegende
durch Sputterätzung in das gewünscht.! Muster rzw bringende
Schicht selektiv entfernt werden kann, wobei nach, dem
Sputterätzen der maskierende Phot υ lack. und. die Zwischenschicht
entfernt werden» Weiterhin bezieht sich die Erfindung
auf Gegenstände, insbesondere Ilalbleiteranorduungen,
die unter Verwendung dieses Verfahrens hergestellt sind.
Unter "Sputterätzen" ist hier ein Verfahren zu verstehen, dui"ch das Material durch Ionenbeschuss entfernt
wird. Das zu entfernende Material auf dem unterliegenden.
Substx^at kann dabei in einer Gasentladung selber' als
Kathode dienen oder kathodisch vorgespannt sein; es ist auch möglich, das Substrat mit der (den) örtlich zu entfernenden
Schicht (en) in der Bahn der bombardierenden Ionen der Gasentladung anzuordnen. Dadurch, dass die bombardierenden
Ionen etwa in der gleichen Richtung auf das Objekt mit dem zu entfernenden Materiall auffallen, wird1
die Begrenzung der Ätzung genau dem Rand der verwendeten Maskierung folgen. Auf diese Weise ist grundsätzlich eine
viel genauere Begrenzung wegzuätzender Schichten als beim chemischen Ätzen erzielbar, bei dem sich die Begrenzung
durch Unterätzung unter der Maskierung ausdehnen kann.
Pine Schwierigkeit beim Sputterätzen war.
jedoch das Erhalten einer guten Maskierung, die nach der Ätzbehandlung selektiv entfernt werden konnte. Es war
z.B. bekannt, zu diesem Zweck ein Material zu wählen,
S0I833/Ö8Ä0
PIlN. 7355 - 3 - . 23-1-1975
250A500
das mit einer vexliältnismäßsig Jiiodrigen Geschwindigkeit
im Arerg3 eich zu der (den) Schicht (on), die durch Sputterätzon
in ein bestimmtes Muster gebracht werden musste(n),
abgesputtert wurde und das in einem chemischen Ätzmittel
löslich war, das die darunter liegende örtlich zu maskierende Schicht nicht angriff. Die Maskierungsschicht wurde
mit Hilfe einer dünnen Photolackschicht in das gewünschte
Muster gebracht, wonach die Maskierungsschicht chemisch
geätzt wurde. Im allgemeinen wurde die Photolackschicht
dann entfernt, obgleich sie manchmal auch wohl erhalten bleiben konnte, weil bei der nachher durchzuführenden
chemischen Ätzbehandlung nach dem Sputterätzen eines im wesentlichen aus Silber bestehenden Systems von Schichten
zum Entfernen der Maskierungsschicht sich die Photolackschicht
doch ablöste. Beispielsweise wurde zum Sputterätzen eines solchen Systems von Schichten mit einer Dicke
von 1» /um eine Maskierungsschicht aus Aluminium mit einer
Dicke von 0,5/um verwendet, welches Aluminium sich leicht
mit Natronlauge selektiv ätzen Hess. Die Maskierungs- schicht war bei diesem bekannten Verfahren verhältnismässig
dick. Beim chemischen Ätzen eines Musters in diese verhältnismässig dicke Maskierungsschicht ist eine entsprechende
Unterätzung fast unumgänglich, wodurch die Begrenzung des Sputterätzens weniger genau definiert ist.
Auch war es bekannt, dass eine Photolackschicht selber sich gut als Maskierungsmuster beim Sputterätzen
PHN. 7355 - k - 24-1-1975
eignete. Eine Schwierigkeit dabei bestand darin, dass Photolacks chi cht en, die einem lonenbeschuss ausgesetzt
-waren, sich nachher schwer entfernen liessen. Um eine
solche einem Ionenbeschuss ausgesetzte Photolaclcschicht
besser entfernen zu können, war es bekanifc, eine Zwischenschicht
aus Pοlyvinylformal direkt auf den zu maskierenden
Teilen der örtlich durch Sputterätzen zu entfernenden Schicht anzubringen. Nach dem Sputterätzen wurde das
Photolackmuster mit der: unterliegenden Polyvinylformalschicht
durch eine Ultraschallbehandlung in Äthyl endi chi or id entfernt.
Eine solche Zwischenschicht aus Polyvinylformal
lässt sich aber schwer in geringer Dicke "anbringen und weist im allgemeinen mindestens eine Dicke von etwa 1 /um
auf. Zum Erhalten des Photolackmusters kann ein Entwickler verwendet werden, der auch die beim Entwicklungsvorgang
frei werdenden Teile der Polyvinylformalschicht löst, oder
aber sollen nach der Entwicklung diese frei gewordenen Teile in einem gesonderten Schritt gelöst werden. Dabei
ist es wichtig, dass dieses örtliche Lösen der frei werdenden Teile möglichst vollständig erfolgt. Organische Polymere
sind nämlich im allgemeinen gegen Sputterätzbehandlungen
beständig. Verbleibende Teile der Zwischenschicht an der
Stelle, an der der Photolack entfernt ist, können ein gleichmässiges Absputtern der unterliegenden Schicht(en)
erschweren oder verhindern. Dagegen kann durch eine längere
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Ätzbehandlung das Ablösen des Photolackmusters oder wenigstens eine gewisse Unterätzung dieses Musters er-.,
halten werden. Im letzteren Falle wird infolge der ver-.
hältnismässig grossen Dicke der Zwischenschicht eine
weniger genaue Definition der Begrenzung des Sputterätzens
erhalten. Etwaige infolge der Unterätzung hervorragende Randteile des Photolackmusters können nämlich beim Sputterätzen
absacken und sich bis auf die Seitenkanten der verbleibenden Teile der Zwischenschicht umfalten. Weiter
ist ess-möglich, dadd durch den ionenbeschuss und die
dabei ausgelöste Wärme auch die polymere Zwischenschicht,
weniger leicht entfernbar wird.
Die vorliegende Erfindung bezweckt u.a., ein Verfahren zu schaffen, das die obengenannten Nachteile
nicht aufweist.
Nach der Erfindung ist ein erfahren der
eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet, dass die
Zwischenschicht aus einer dünnen Schicht eines Metalls
besteht, das durch Sputterätzen mit einer Geschwindigkeit entfernt werden kann, die mindestens in der gleichen
Grössenordnung wie die Geschwindigkeit der Entfernung
des Materials der unterliegenden örtlich zu entfernenden Schicht oder wie die mittlere Geschwindigkeit der Entfernung
des Systems der unterliegenden örtlich zu entfernenden Schichten durch Sputterätzen liegt, wobei nach der
Sputterätzbehandlung das Maskierungsmuster aus dem
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Photolack durch selektives Wegätzen der Zwischenschicht
entfernt wird. Yo hier von einer dünnen Schicht die Rede
ist, werden Dicken von weniger als O,5/um gemeint; vorzugsweise
ist die Dicke der Zwischenschicht höchstens
0,3 Aim. Eine derartige dünne Metallschicht eignet sich an sich nicht zur Anwendung als Maskierung gegen Sputterätzen.
0,3 Aim. Eine derartige dünne Metallschicht eignet sich an sich nicht zur Anwendung als Maskierung gegen Sputterätzen.
Wo hier die Sputterätzgeschwindigkeit der
Zwischenschicht mit der putterätzgeschwindigkeit der
unterliegenden örtlich zu entfernenden Schicht oder mit der mittleren Sputterätzgeschwindigkeit des örtlich zu
entfernenden Systems vom Schichten verglichen wird, bezieht sich dieser Vergleich auf auf gleiche Weise durchgeführte Sputterätzverfahreni Wenn hier von der mittleren Sputterätzgeschwindigkeit des Systems von Schichten die
Zwischenschicht mit der putterätzgeschwindigkeit der
unterliegenden örtlich zu entfernenden Schicht oder mit der mittleren Sputterätzgeschwindigkeit des örtlich zu
entfernenden Systems vom Schichten verglichen wird, bezieht sich dieser Vergleich auf auf gleiche Weise durchgeführte Sputterätzverfahreni Wenn hier von der mittleren Sputterätzgeschwindigkeit des Systems von Schichten die
Ü" d
Rede ist, wird der Quotient p~1 ^ dieses Systems von
Rede ist, wird der Quotient p~1 ^ dieses Systems von
ins
P= 1 Vp
η Schichten gemeint, wobei V für die Sputterätzgeschwindigkeit
des Materials der ρ Schicht und d für
■4- ryr\
die Dicke der ρ Schicht steht. Wo hier von zwei Geschwindigkeiten
der gleichen Grössenordnung die Rede ist, ist gemeint, dass die eine Geschwindigkeit mindestens
die Hälfte oder höchstens das Zweifache der anderen Geschwindigkeit ist.
die Hälfte oder höchstens das Zweifache der anderen Geschwindigkeit ist.
Wenn gemäss einer bevorzugten Ausführungsform
nach der Herstellung des Maskierungsmusters aus dem
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Photolack und vor der Sputterätzbehandluiag die frei liegenden
Teile der Zwischenschicht selektiv weggeätzt "werden,
ist infolge der geringen Dicke der Zwischenschicht eine
kurzzeitige Ätzbehandlung genügend, wobei TJnterätzung
entlang der Ränder des Maskierungsmusters auf ein Mindestmas s beschränkt werden kann. Auch ein etwaiges Absacken
der Randteile des Maskierungsmusters ist dabei minimal, so dass eine genauere Definition der Begrenzungen des
herzustellenden Musters erzielt verden kann,
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
ist es aber auch möglich, die letztere Ätzbehändlung der
frei liegenden Teile der Zwischenschicht völlig fortzulassen
und diese frei liegenden Teile bei der Sputterätzbehandlung mitzuentfernen, wodurch ein Unterätzeffekt gar
nicht berücksichtigt zu werden braucht. Im Gegensatz zu
der bekannten Zwischenschicht ist die Zwischenschicht bei
dem Verfahren nach der Erfindung wegen des darin verwendeten
Materials und ihrer geringen Dicke durch Sputter— ätzen leicht entfernbar. .
Die Erfindung kann sehr allgemein in denjenigen Fällen Anwendung finden, in denen Schichten in ein genau
bestimmtes Muster gebracht werden müssen. Derartige grosse Genauigkeiten sind besonders wichtig für diejenigen Gebiete der Technik, in denen grosse Genauigkeiten und
Schichtteile mit mikroskopisch kleinen Abmessungen von
Bedeutung sind, wie in der Optik und in der Elektronik,
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PHN. 7355 - 8 - 27-1-1975
Insbesondere bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen,
z.B. integrierten Schaltungen. Dabei ist es z.B. bekannt, in einer Isolierschicht, z.B. einer Siliciumoxidschicht,
die auf einem Halbleiterkörper liegt, der z.B. aus Silicium besteht, Kontaktfenster sehr kleiner möglichst
genauer Abmessungen anzubringen. Insbesondere ist das Verfahren nach der Erfindung von Bedeutung beim Anbringen
von Leitermustern mit Leiterbahnen möglichst genauer, oft möglichst geringer Breiten in sehr geringen gegenseitigen
Abständen, wobei die Leiter eine angemessene Dicke aufweisen sollen, um den Widerstand der eiter niedrig
zu halten. Die verbleibenden Teile der örtlich entfernten Schicht oder des örtlich entfernten Systems von Schichten,
die aus einem elektrisch leitenden Material bzw. aus elektrisch leitenden Materialien bestehen, können vorteilhaft
in Halbleiteranordnungen als ein wenigstens teilweise auf einer Isolierschicht liegendes Muster von Leitern angewandt
werden. Es ist einleuchtend, dass für derartige Anwendungen das erfindungsgemässe Verfahren besonders
geeignet ist..So hat es sich als möglich erwiesen, bei einer icke der Schicht oder des Systems von Schichten
von mindestens 0,5/um örtlich einen Spalt mit einer
Breite von höchstens 2 /um anzubringen.
Grundsätzlich kann das Muster der Schicht oder des Systems aufeinander liegender Schichten örtlich über
die ganze Dicke durch Sputterätzen entfernt werden. Dabei
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PIiN. 7355 - 9 - · 27-1-1975
soll die Tatsache berücksichtigt werden, dass das Material des Substrats, das direkt unter dem abgesputterten
Material liegt, kurzzeitig dem lonenbeschuss ausgesetzt
sein kann. Von Fall zu Fall soll beobachtet werden, inwieweit dies zulässig ist. Im Falle der Herstellung eines
Leitermusters auf einem mit einer Isolierschicht überzogenen Halbleiter können auf diese. Isolierschicht auffallende
Ionen statische Ladungen erzeugen, die uner»
wünschte berflächeneigenschaften in dem Halbleiter, wie
Inversionskanäle und Unstabilitäten infolge langsamer
Wanderung dieser Ladungen, herbeiführen können. Weiter
kann die Substratoberfläche für das Ätzmittel empfindlich sein, das zum Entfernen der Zwischenschicht und zum Ablösen
der Photolackmaske verwendet wird, In solchen Fällen kann auf an sich bekannte Weise die Sputterätzbehandlung
fortgesetzt werden, bis noch eine dünne Schicht verbleibt. Diese kann dann durch eine kurzzeitige Ätzbehandlung
derart entfernt werden, dass eine Unterätzung auf ein Mindestmass beschränkt wird.
Die Erfindung wird nachstehend für ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Figuren 1 bis 4 schematisch im Querschnitt
Stufen beim Anbringen in geringen gegenseitigen Abständen liegender leitender Metallbahnen auf einem Substrat nach
dem Ausführungsbeispiel.
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PHN. 7355 -10 - 27-1-1975
Das Ausführungsbeispiel bezieht sich auf das Anbringen von Leiterbahnen auf einem Substrat, wie es
bei der Herstellung, von Halbleiteranordnungen verwendet
werden kann. Das Substrat besteht nach dem vorliegenden Beispiel aus einem Halbleiterkörper 1, z.B. aus Silicium,
auf dem eine Isolierschicht 2 angebracht ist, die z.B. aus Siliciumoxid besteht. Der Halbleiterkörper 1 kann
Teile verschiedener Leitfähigkeitstypen enthalten und in der Isolierschicht 2 können örtlich Kontaktfenster (nicht
dargestellt) angebracht sein, um unterliegende Teile·.! des Halbleiterkörpers mit Kontakten zu versehen, dadurch,
dass eine geeignete Metallschicht in einem derartigen Kontaktfenster angebracht wird. Ein solcher Kontakt kann
dann wieder mittels leitender Streifen auf der Isolierschicht mit anderen Kontakten oder mit Anschlussstellen
zum Anbringen von Anschlussleitern, z.B. in Form vpn Metalldrähten, verbunden sein. Bekanntlich kann bei planaren
Halbleiteranordnungen aus Silicium sowohl für ^Kontakte auf
p- und/oder η-leitendem Silicium in den Fenstern als auch für die leitenden Streifen auf der Isolierschicht Aluminium
verwendet werden. Auch kann Aluminium örtlich auf der Isolierschicht als Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors
mit einer Gate-Elektrode, die durch Isoliermaterial von dem Gate-Gebiet getrennt ist (iGFET), verwendet
werden. Mit dem vorliegenden Beispiel wird veranschaulicht, wie es möglich ist, e*ine Anzahl schmaler
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PHN. 7355 - it - · 27-1-1975
leitender Streifen in geringen gegenseitigen Abständen
anzubringen, was von besonderer Bedeutung ist bei der Herstellung monolithischer integrierter Schaltungen sehr
gedrängter Bauart.
Zum Anbringen leitender Streifen mit niedrigem Widerstand ist es wichtig, dass die Streifen einen nicht ·
zu geringen Querschnitt aufweisen. Da für eine gedrängte Ausführung die Spurbreite klein sein muss, wird die Anwendung
einer genügenden Dicke angestrebt.
Im nachstehenden Beispiel werden Aluminium— bahnen mit einer Dicke von lyum, einer Breite von ί bis
1,5 /um und einem gegenseitgen Abstand von 1,5 bis"2/um
hergestellt. Zu diesem Zwebk wird zunächst auf an sich bekannte Yeise auf der ganzen Seite des Substrats, auf
der der Halbleiterkörper 1 (wenigstens teilweise) mit der Isolierschicht 2 überzogen ist, eine Schicht 3 aus Aluminium
mit einer Dicke von 1 /um z.B. durch Aufdampfen im Vakuum
angebracht. In dieser Schicht 3 muss durch örtliches.
Ätzen das gewünschte Muster von Leiterbahnen gebildet werden, wobei eine Photοlackschicht benutzt wird. Vor der
Anbringung der Photolackschicht wird jedoch zunächst eine dünne metallene Zwischenschicht k aus Molybdän mit z.B.
einer Dicke von nur 0,2 /um angebracht. Die Geschwindigkeit,
mit der bei einer bestimmten Sputterätzbehandlung Molybdän abgesputtert werden kann, liegt in der gleichen Grössenordnung
wie die (beträgt nämlich vier Fünftel der) Ge-
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PHN. 7355 27-1-1975
Al
schwindigkeit", rait der bei einer entsprechenden Sputterätzbehandlung
Aluminium abgesputtert werden kann. Die dünne Molybdängschicht h kann auf an sich bekannte Weise
durch Sputtern angebracht werden.-
Dann wird eine Photolackschicht mit z.B. einer Dicke von 1 /um angebracht. Die Photolackschicht ist von
der Aluminiumschicht 3 durch die dünne Molybdänzwischenschicht
h getrennt. Aus dem Photolack wird auf an /sich bekannte Weise ein Muster 5 gebildet, das als Maskierung
bei den anschliessend durchzuführenden Ätzbehandlungen verwendet werden kann. Die erhaltene Stufe ist in Fig. 1
dargestellt.
Durch eine kurzzeitige Ätzbehandlung können
die frei liegenden Teile der dünnen Molybdänschicht 4 weggeätzt
werden.. Infolge der Tatsache, dass die Molybdänschicht sehr dünn ist, werden die frei liegenden Teile
der Molybdäns chi cht in genügend kurzer Zeit völlig weggeätzt, um nur eine geringe Unterätzung unter dem Photolackmuster
5 herbeizuführen, vorausgesetzt, dass die Ätzbehandlung rechtzeitig beendet wird.
Im vorliegenden Beispiel wird jedoch dieser Atzschritt fortgelassen, wobei auch die obenbeschriebene
sehr geringe Unterätzung vermieden wird.
Zur Bildung des gewünschten Aluminiummusters werden die nicht maskierten Teile der Molybdänschicht h
und die darunterliegenden Teile der Aluminiumschicht 3
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einer Sputterätzbehandlung unterworfen, dadurch, dass auf
übliche ¥eise ein Beschuss mit aus einer Gasentladung in einer Argonatmosphäre erhaltener Ionenstvrahlung 6 durch—
geführt wird. Λ '
Die Sputterätzbehandlung wird solange forgesetzt,
bis an den Stellen der nicht maskierten Oberfiächenteile
noch dünne Teile 8 der Aluminiumschicht 3 mit einer
Dicke von 0,1 bis 0,2/Um übrigbleiben, 'wobei die dazu
benötigte Zeit durch vorhergehende Ätzung mit Versuchsproben experimentell bestimmt wird. Die erhaltene Stufe
ist in Fig. 2 dargestellt. Unter der Photolackmaskierung
5 und den darunter liegendem verbleibenden Teilen der dünnen Molybdänzwischenschicht h bleiben Teile 7 der
Aluminiumschicht 3 mit der ursprünglichen Dicke von 1 /um
erhalten. Die. durch den Ionenbeschuss örtlich an der Oberfläche erzeugte Ladung wird über das verbleibende Aluminium
abgeführt, nirch Aufrechterhaltung der dünnen
Aluminiumteile 8 wird verhindert, dass sich ^adung an
der Oberfläche der Isolierschicht 2 anhäufen wird.
Anschiiessend wird eine kurzzeitige chemische Ätzbehandlung in Phosphorsäure durchgeführt, bis'die
Schichtteile 8 aus Aluminium völlig weggeätzt sind. Dabei tritt nur eine geringe Verengung der dickeil Teile 7
durch Unterätzung auf. Die erhaltene Stufe ist in Fig. 3 dargestellt.
Zum Entfernen des maskierenden Photοlack-
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PIIN. 7355 27-1-1975
musters 5 werden schliessUch die unterliegenden Teile der
Molybdänzwischens chi ent h durch chemisches Ätzen entfernt.
Im vorliegenden Beispiel wird ein schnell arbeitendes Ätzmittel, und zwar rauchende Salpetersäure, verwendet,
das das unterliegende Aluminium nicht angreift, Die erhaltene Stufe ist in Fig. h dargestellt. Die in dieser
Figur dargestellten nebeneinander liegenden Aluminiumstreifen
7 mit Dicken von 1 /um und Breiten zwischen 1 und 1,5/um weisen Zwischenräume 9 mit Breiten von höchstens
2 /um auf.
Die .Erfindung beschränkt sich selbstverständlich nicht auf das beschriebene Ausführungsbeispiel. Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung sind viele andere Kombinationen absputterbarer Materialien und geeigneter
Metalle für die Zwischenschichten möglich. Vergleiche von
Absputtergeschwindigkeiten verschiedener Metalle und anderer Materialien sind an sich bekannt, während der
Fachmann auch leicht in Kombination mit verschiedenen örtlich abzusputternden Materialien geeignete selektiv
ätzbare Metalle zur Anwendung als Zwischenschicht wählen
kann. Es ist z.B. auch möglich, Molybdänmuster durch Sputterätzen unter Verwendung einer dünnen Aluminiumzwischenschicht
zu erhalten. Das Aluminium kann dabei selektiv mit Phosphorsäure gelöst werden.
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Claims (8)
1. ) Verfahren zur Herstellung eines Musters aus
einer oder mehreren Schichten auf einer Unterlage durch
örtliches Entfernen dieser Schicht oder Schichten durch Sputterätzen über wenigstens einen Teil der Dicke der
Schicht oder des Systems von Schichten unter Verwendung eines gegen das Sputterätzen beständigen Maskierungs;-. · ■' '■
musters, das aus einem Photolack auf einer Zwischenschicht
aus einem Material besteht, das in bezug auf die direkt
darunter liegende durch Sputterätzen in das gewünschte Muster zu bringende Schicht selektiv entfernt werden kann,
wobei nach dem Sputterätzen der maskierende Photolack und die Zwischenschicht entfernt werden, dadurch gekennzeichnet,
dass die Zwischenschicht aus einer dünnen Schicht
eines Metalls besteht, das durch Sputterätzen mit einer Geschwindigkeit entfernt werden kann, die mindestens in
der gleichen G-rössenordnung wie die Geschwindigkeit—der
Entfernung des Materials der unterliegenden örtlich· zu entfernenden Schicht oder wie die mittlere Geschwindigkeit der Entfernung des Systemsi:der unterliegenden örtlich
zu entfernenden Schichten durch Sputterätzen liegt, wobei nach der Sputterätzen liegt, wobei nach der -Sputteratz- ■
behandlung das Maskxerungsmuster aus dem Photolack durch selektives Wegätzen der Zwischenschicht entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch; gekennzeichnet, dass die dünne Zwischenschicht eine Dicke von
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höchstens O,3/um aufweist.
3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Bildung
des Photolackmusters und vor der Sputteratzbehandlung die
frei liegenden Teile der dünnen Zwischenschicht durch
selektives Ätzen entfernt werden.
h. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass nach der Bildung des Photolackmusters die frei liegenden Teile der dünnen Zwischenschicht durch
Sputterätzen entfernt werden.
5· Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht oder
das System von Schichten eine Dicke von mehr als 0,5/uni
aufweist und darin örtlich ein Spalt mit einer Breite von höchstens 2 /um angebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die verbleibenden
Teile der örtlich entfernten Schicht oder des örtlich entfernten Systems von Schichten je aus einem elektrisch
leitenden Material bestehen und ein wenigstens teilweise auf einer Isolierschicht liegendes Muster von Leiterbahnen
bilden.
7· Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterlage von einem
Körper gebildet wird, die wenigstens teilweise aus Halbleitermaterial besteht.
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8. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen,
dadurch gekennzeichnet, dass ein Verfahren gemäss Anspruch 7 verwendet wird.
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Leerse ite
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7401859A NL7401859A (nl) | 1974-02-12 | 1974-02-12 | Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze. |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2504500A1 true DE2504500A1 (de) | 1975-08-14 |
Family
ID=19820730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3984300A (de) |
| JP (1) | JPS5530289B2 (de) |
| DE (1) | DE2504500A1 (de) |
| FR (1) | FR2260451B1 (de) |
| GB (1) | GB1491746A (de) |
| IT (1) | IT1031555B (de) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| 8131 | Rejection |