DE2536718C3 - Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem VerfahrenInfo
- Publication number
- DE2536718C3 DE2536718C3 DE2536718A DE2536718A DE2536718C3 DE 2536718 C3 DE2536718 C3 DE 2536718C3 DE 2536718 A DE2536718 A DE 2536718A DE 2536718 A DE2536718 A DE 2536718A DE 2536718 C3 DE2536718 C3 DE 2536718C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rate
- layer
- mask
- reactive gas
- atomization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0335—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
Description
Die Erfindung betrifft ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebene» Verfahren zur Herstellung
geätzter Strukturen in Fe>tkörperoberflächen durch Ionenätzung sowie eine Besirahlungsmaseke zur
Verwendung in diesem Verfahrea
In Festkörperoberflächen sind durch Beschüß mit
energiereichen Ionen Vertiefungen vorgegebener Form erzielbar. Dabei wird die Materie des festen Körpers
aufgrund von atomaren Koloisionen der einfallenden
Ionen mit den Bausteinen des Festkörpers abgetragen. Die Abtragungsrate der dem lonenbeschuß ausgesetzten
Fläche ist dabei unter anderem abhängig von der Masse und der Energie der Ionen, der Masse der
Bausteine des Festkörpers sowie von der Einfallsrichtung des Ionenstrahles, vgl. auch »Journal of Applied
Physics«, Vol. 30, (1959) Nr. 11, S. 1762 -1765.
Aus der französischen Patentschrift 15 08 463 und der deutschen Patentschrift Nr. 21 Vi 199 ist bekannt, daß
zur Herstellung vorgegebener Strukturen in den Festkörperoberflächen bei der Ionenätzung Ätzmasken
verwendet werden, wobei als Ätzmaske ein Film aus fotoempfindlichem Lack verwendet wird, der auf der
Oberfläche des Festkörpers aufgebracht wird. Das gewünschte Muster wird mit einem fotolithografischen
Prozeß erhalten, und die Abätzung der durch den Fotolackfilm nicht abgedeckten Teile der Festkörperoberfläche
erfolgt anschließend durch den lonenbeschuß, wobei das Kantenprofil der Ätzmaske in der zu
ätzenden Festkörperoberflüche durch diesen Ionenätzprozeß abgebildet wird. Bei der Ionenätzung wird die
Fotolackätzmaske jedoch selber von dem lonenbeschuß angegriffen. Dies hat einmal zur Folge, daß die in der
Festkörperoberfläche durch die Ätzung erzeugten Vertiefungen nicht von semkreehl zur Festkörperoberfläche
verlaufenden Flächen begrenzt werden, sondern von Flächen, die einen Böschungswinkel von etwa 60°
zu der Festkörperoberfläche aufweisen. Dieser Effekt ist einerseits erwünscht, da Schichten, die im weiteren
Verfahren auf die so geätzte Festkörperoberfläche aufgebracht werden, an nicht zu steilen Kanten besser
haften und eine bessere Dickenverteilung aufweisen als
bei senkrecht verlaufenden Kanten. Andererseits wird
aber die Fotolackmaske bei der Ionenätzung abgetragen und dadurch in ihren Abmessungen verkleinert
Dies hat zur Folge, daß die in der Festkörperoberfläche durch den IonenbeschuB herausgeätzten Strukturen in
ihren Abmessungen größer sind als die entsprechenden Strukturen der Fotolackschicht Dieser Umstand läßt
sich nur im begrenzten Umfang durch eine Maßvorgabe der Fotolackschicht ausgleichen, da bei den in der
Fotolackschicht mit einem fotolithografischen Verfahren erzeugten Strukturen aufgrund der bei der
lichtoptischen Projektion auftretenden Beugungserscheinungen ein Mindestabstand nicht unterschritten
werden kann.
Zur Vermeidung eines Meßverlustes der Bestrahlungsmaske kann bei der Ionenätzung der Umgebungsatmosphäre, wie aus der DE-PS 21 17 199 weiterhin
bekannt ist, ein reaktives Gas zugesetzt werden, das eine Erniedrigung der Ätzrate der Metallmaske
verursacht Dies hat aber zur Folge, daß die Ionenätzung nicht mehr zu Böschungswinkeln von etwa
60° führt, sondern zu nahezu senkrecht verlaufenden Kanten. Dies wirkt sich dann nachteilig aus, wenn die
erzeugte Ätzstruktur anschließend mit einer Schicht gleichmäßig bedampft werden soll, weil diese aufgedampfte
Schicht dann an den senkrecht verlaufenden Kanten abreißen kann.
Ein Maßverlust der Fotolackmaske bei dem Ionenätzverfahren
kann teilweise vermieden werden, wenn Metallmasken verwendet werden. So ist aus dem IBM
Technical Disclosure Bulletin VoL 13, Sept 1970, Nr. 4 S. 884 ein Verfahren bekannt, bei dem auf dem Substrat,
das mit der Struktur versehen wird, eine Aluminiumschicht abgeschieden wird, deren Zerstäubungsrate
kleiner ist als die Zerstäubungsrate des Substrates. In diese Aluminiumschicht wird mittels eines Photolack-Ätzverfahrens
ein Muster geätzt Die mit dem Muster versehene Metallschicht dient für den weiteren Prozeß
als Maske für die Sputterätzung. Die entwickelte Photolackschicht kann bei der Sputterätzung auf der
Metallmaske bleiben; sie wird im weiteren Verfahren zusammen mit der Metallmaske entfernt Bei dem aus
dieser Druckschrift bekannten Verfahren wird zwar eine Bestrahlungsmaske verwendet, die aus zwei
Schichten mit unterschiedlicher Zerstäubungsrate, einer Metallschicht und einer darauf befindlichen Photolackschicht,
besteht, jedoch wird bei diesem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren die Schicht mit der
größeren Zerstäubungsrate auf der von der Festkörperoberfläche abgewandten Seite angeordnet. Das bedingt
eine Verkleinerung der Zerstäubungsmaske während der Ionenätzung.
Die erzeugte Ätzstruktur wird weitgehend durch die Aluminiumschicht der Ätzmaske bestimmt.
Aufgabe der Erfindung ist es, Maßnahmen für ein wie eingangs aufgeführtes Verfahren anzugeben, mit denen
sich bei den ionengeätzten Strukturen schräg verlaufende Kantenflächen erreichen lassen, ohne daß bei den
geätzten Strukturen ein störender Maßverlust gegenüber der verwendeten Ätzmaske auftritt
Diese Aufgabe wird bei einem wie eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß nach der im
kennzeichnendden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst
Während der Ionenätzung wird also die Zerstäubungsrate
der Maske zunächst gering gehalten. Dies hat zur Folge, daß die durch Ionenätzung in der
Festkörperoberfläche erzeugten Strukturen zunächst von senkrecht verlaufenden Kantenflächen begrenzt
werden und die Abmessungen der geätzten Strukturen den Abmessungen der Ätzmaske identisch entsprechen.
Wird dann die Zerstäubungsrate der Ätzmaske
s vergrößert, so werden bei fortschreitender Ionenätzung
die Kantenflächen der in der Festkörperoberfläche erzeugten Strukturen abgeschrägt Zwar erleidet in
diesem zweiten Teil des Ätzverfahrens die Ätzmaske einen Maßverlust, jedoch ist der durch diesen
ίο Maßverlust bewirkte Unterschied zwischen den Dimensionen
der ionengeätzten Strukturen und der ursprünglichen Ätzmaske vernachlässigbar gering.
Eine bevorzugte Maßnahme, mit der während des Ionenätzverfahrens die Ätzrate der verwendeten
is Maske vergrößert werden kann, besteht darin, daß
entsprechend der im Anspruch 2 angegebenen Weise eine Maske verwendet wird, die aus Schichten mit
unterschiedlicher Zerstäubungsrate besteht, und die so angeordnet ist, daß die Schicht mit der größeren
Zerstäubungsrate auf der der Festkörperoberfläche zugekehrten Seite der Maske liegt
Das bewirkt daß durch den ionenbescf aß zunächst in der Festkörperoberfläche Strukturen mit senkrecht
verlaufenden Kanten erzeugt werden, da die Abtragungsgeschwindigkeit
des Festkörpers wesentlich größer ist 2h die der Atzmaske. Sobald die erste Schicht der
Ätzmaske durch die Ionen abgetragen ist und die zweite Schicht der Ätzmaske dem Ionenbeschuß ausgesetzt
wird, wird die Zerstäubungsrate der Ätzmaske größer.
Dies führt dazu, daß die Kanten der Ätzmaske und damit auch die Kanten der in der Festkörperoberfläche
erzeugten Vertiefung abgeschrägt werden. Die Größe des Böschungswinkels der in der Festkörperoberfläche
erzeugten Strukturen wird durch die Wahl der
Schichtdicken der Ätzmaske sowie durch die Zerstäubungsraten dieser Schichten bestimmt
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen dieses Verfahrens sehen vor, daß für das Material der Schicht mit der
kleineren Zerstäubungsrate ein Metall gewählt wird, daß die Schicht mit der größeren Zerstäubungsrate aus
organischem Material, insbesondere aus fotoempfindliche.η Lack, besteht und daß für die Schicht mit der
kleineren Zerstäubungsrate eines der Metalle Al, Ti, Cr, Mn, Mo, Ta, Zr, V als Material verwendet wird
In einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als Metal! mit
größeren Zerstäubungsraten Al und als Material mit der kleineren Zerstäubungsrate eines der Metalle Ti, Cr1 V,
Mn, Mo, Ta verwendet Dabei kann vorteilhafterweise bei dem Zerstäubungsvorgang in der Umgebungsatmosphäre
ein reaktives Gas vorhanden sein, das die Zerstäubungsrate der Schicht mit der kleineren
Zerstäubungsrate erniedrigt. Das reaktive Gas kann vorte:lhfcfterweise Sauerstoff sein, wobei der Partialdruck
des Sauerstoffes vorteilhafterweise zwischen etwa ΙΟ-5 und iC~4Torr liegt Weiterhin kann es
vorteilhaft sein, daß das reaktive Gas CF* ist
Bei einem solchen Zusatz ist die Änderung der Zerstäubungsrate des Metalles mit der höheren
Zerstäubungsrate im Vergleich zur Änderung der Zerstäubungsrate der Metallschicht mit der niedrigeren
Zerstäubungsrate unwesentlich.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Maske als mit
6j einer Struktur versehene Metallschicht auf der Festkörperoberfläche
aufgebracht und durch Zugabe eines reaktiven Gases zu der Umgebungstemperatur die
Ätzrate dieser Metallschicht eingestellt Dabei kann
vorteilhafterweise zu Beginn der Ionenätzung eine Zufuhr eines reaktiven Gase:» erfolgen, das die
Zerstäubungsrate der Metallschicht erniedrigt, und diese Zufuhr später abgebrochen werden. Die Ätzrate
der Metallmaske steigt dann an, und dies führt, wie , bereits beschrieben, zu einer Abflachung der Kanten
von den in der Festkörperoberfläche erzielten Strukturen.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung kann auch erst im Verlauf der Ionenätzung ein die
Zerstäubungsrate der Metallschicht erhöhendes reaktives Gas zugeführt werden.
Die Metallschicht kann dabei vorteilhafterweise aus einem der Metalle Al, Ti, Mn, Mo, Ta, Zr, V bestehen, als
reaktives Gas Sauerstoff verwendet werden und der Partialdrjck des Sauerstoffes in der Umgebungsatmosphäre
bei der Ionenätzung zwischen etwa 10~5 und
10-* Torr liegen. Als reaktives Gas kann vorteilhafterweise auch CF4 verwendet werden.
i?: η—*—ui „„„ι... „ \/ ,4 :_ λ
L.IIII. LiVStI arnuiigjiiiajnt. i.ui ·τ.ι nLiiuuiig in ui.111
erfindungsgemäßen Verfahren kann aus zwei Schichten bestehen, welche sich in ihrer Zerstäubungsrate
unterscheiden. Vorteilhafterweise kann die Schicht mit der kleineren Zerstäubungsrate aus Chrom und die
Schicht mit der größeren Zerstäubungsrate aus Vanadium bestehen. In einer vorteilhaften Weiterbildung
der Bestrahlungsmaske besteht die Schicht mit der kleineren Zerstäubungsrate aus Vanadium und die
Schicht mit der größeren Zerstäubungsrate aus Mangan.
In den Fig. 1 bis 4 sind Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens schematisch dargestellt.
Dabei zeigen
F i g. 1 und 2 ein Verfahren, bei dem eine aus zwei Schichten bestehende Ätzmaske verwendet wird, die
F i g. 3 und 4 veranschaulichen ein Verfahren, bei dem als Maske eine Metallschicht verwendet wird und bei
dem ein reaktives Gas während des lonenätzvorganges der Umgebungsatmosphäre zugesetzt wird, wobei das
Gas die Zerstäubungsrate der Metallschicht erniedrigt.
Als Ausführungsbeispiel diene die Herstellung von Ätzmustern in einer Siliziumdioxidschicht 2, die auf
einem Substrat 1 aus Silizium aufgebracht ist. Auf diese Siliziumdioxidschicht 2 wird zunächst eine Schicht 3 aus
fotoempfindlichem Lack aufgebracht sodann belichtet und entwickelt, so daß auf der Siliziumdioxidscliicht 2
ein vorgegebenes Muster einer Fotolackschicht 3 zurückbleibt. Auf diese Fotolackschicht wird sodann ein
Metall 4 aufgedampft, beispielsweise Ti. Diese Ti-Schich; wird dann nach einem weiteren Verfahren, z. B.
in einem fotolithografischen Verfahren, chemisch geätzt, so daß auf der Fotolackschicht eine mit dieser
Fotolackschicht deckungsgleiche Ti-Schicht zurückbleibt. Bei Anwendung einer Metalldoppelschicht wird
die Doppelmetallmaske mit einer Abhebe-Technik hergestellt. Sodann wird das mit diesen Schichten
versehene Substrat einem Ionenstrahl 5 ausgesetzt oder es wird mit einem Trägergas, beispielsweise Argon, eine
Ionenätzung vorgenommen. Durch diese Ionenätzung wird die Siliziumdioxidschicht an den freien Stellen
abgetragen; ebenso wird auch das Metall der Maske abgetragen, jedoch mit einer gegenüber der Siliziumdioxidschicht
wesentlich kleineren Abtragungsgeschwindigkeit. Auf diese Weise entstehen in der Siliziumdioxidscnichi
Veriiefungen, deren Bcgrciiiurigsfiäciieri beinahe
senkrecht zu der Oberfläche des Halbleiters verlaufen (Fig. 1). FOr die Ätzung werden elektrisch
beschleunigte Argonionen verwendet, die eine kinetische Energie zwischen 200 und 120OeV besitzen. Bei
Verwendung eines sogenannten Sputterätzverfahrens, bei dem die Ionen durch eine Hochfrequenzspunnung
beschleunigt werden, beträgt die angelegte Hochfrequenzspannung zwischen 500 und 2000 V. Bei Verwendung
eines .-,/gonionenstrahles mit einer Intensität von
etwa 10" Ionen pro cm2 und see, die eine kinetische
Energie von 600 eV besitzen, wird zur Abtragung einer SiCVSchicht von 0,5 μίτ« Dicke etwa tine halbe Stunde
benötigt. Wenn von den Ionen die obere Metallschicht der Ätzmaske, die beispielsweise eine Ti-Schicht von
einem Zehntel μπι Dicke ist, abgetragen und die
Fotolackschicht oder die darunterliegende Metallschicht, die z. B. aus Al besteht, freigelegt ist, werden bei
der fortschreitenden Ionenätzung die entsprechenden Kantenflächen abgeschrägt (vgL F i g. 2). Diesem Übergang
zu einer Ätzmaske mit höherer Abtragungsrate entspricht bei dem in den Fig.3 und 4 dargestellten
Verfahren die Unterbrechung der Zufuhr des reaktiven Gases.
Claims (20)
1. Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen
in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung, wobei eine auf der Oberfläche des Festkörpers befindliche
Maske verwendet wird und wobei durch Ionenbeschuß Material des Festkörpers und der Maske
zerstäubt und dadurch abgetragen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß während der Ionenätzung die Zerstäubungsrate der Maske vergrößert
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maske verwendet wird, die aus
Schichten (3,4) mit unterschiedlicher Zerstäubungsrate
besteht und so angeordnet ist, daß die Schicht (3) mit der größeren Zerstäubungsrate auf der der
Festkörperoberfläche zugekehrten Seite der Maske Hegt
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß fiir das Material der Schicht (4) mit der kleineren Zerstäubungsrate ein Metall gewählt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) mit der größeren
Zerstäubungsrate aus organischem Material, insbesondere aus fotoempfindlichem Lack, besteht
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß für die Schicht (4) mit der kleineren
Zerstäubungsrate eines der Metalle Al, Ti, Cr, Mn, Mo, Ta, Zr oder V als Material verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daU als Material mit der größeren
Zerstäubungsrate AI, ab Materal mit der kleineren Zerstäubungsrate eines der Metalle Ti, Cr, V, Mn,
Mo oder Ta verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Zerstäubungsvorgang in der
Umgebungsaimosphäre ein reaktives Gas vorhanden ist das die Zerstäubungsrate der Schicht mit der
kleineren Zerstäubungsrate erniedrigt
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Gas Sauerstoff ist
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß der Partialdruck des Sauerstoffes zwischen etwa I0~5und ΙΟ-4 Torr liegt.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß das reaktive Gas CF4 ist.
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Maske als mit einer Struktur versehene Metallschicht auf der Festkörperoberfläehe
aufgebracht und daß durch Zugabe eines reaktiven Gases zu der Umgebungsatmosphäre die
Ätzrate dieser Metallschicht eingestellt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß zu Beginn der Ionenätzung eine Zufuhr eines reaktiven Gases erfolgt, das die
Zerstäubungsrate der Metallschicht erniedrigt, und daß diese Zufuhr später abgebrochen wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß erst im Verlauf der Ionenätzung ein die Zerstäubungsrate der Metallschicht
erhöhendes reaktives Gas zugeführt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einem der Metalle Al, Ti, Mn, Mo, Ta, Zr oder V
besteht.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche II, 12
oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive
Gas Sauerstoff verwendet wird,
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Sauerstoffes
in der Umgebungsatmosphiiire bei der Ionenätzung zwischen etwa ΙΟ-5 und 1O-4 Torr liegt
17. Verfahren nach einem d»a· Ansprüche 11T 12
oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß als das reaktive Gas CF4 verwendet wird.
18. Bestrahlungsmaske zur Verwendung \p einem
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus zwei Schichten
(3,4) besteht, welche sich in ihrer Zerstäubungsrate
unterscheiden.
19. Bestrahlungsmaske nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet daß die Schicht (4) mit der kleineren
Zerstäubungsrate aus Chrom ur d die Schicht (3) mit der größeren Zerstäubungsrate aus Vanadium
besteht
20. Bestrahlungsmaske nach Anspruch 18, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schicht (4) mit der kleineren Zerstäubungsrate aus Vanadium und die Schicht (3)
mit der größeren Zerstäubun^srate aus Mangan
besteht
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2536718A DE2536718C3 (de) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren |
US05/705,785 US4092210A (en) | 1975-08-18 | 1976-07-16 | Process for the production of etched structures in a surface of a solid body by ionic etching |
GB30095/76A GB1513218A (en) | 1975-08-18 | 1976-07-20 | Production of patterns in the surfaces of solid bodies by ion etching or sputter etching |
FR7622729A FR2321367A1 (fr) | 1975-08-18 | 1976-07-26 | Procede pour realiser des structures dans des surfaces de corps solides par attaque ionique |
JP51096889A JPS6013071B2 (ja) | 1975-08-18 | 1976-08-13 | 固体表面の蝕刻構造の製作方法 |
CA259,233A CA1070264A (en) | 1975-08-18 | 1976-08-17 | Process for the production of etched structures in a surface of a solid body by ionic etching |
BE169897A BE845291A (fr) | 1975-08-18 | 1976-08-18 | Procede pour realiser des structures dans des surfaces de corps solides par attaque ionique |
NL7609175A NL7609175A (nl) | 1975-08-18 | 1976-08-18 | Werkwijze voor de vervaardiging van geetste structuren in oppervlakken van vaste lichamen door middel van ionenetsing (sputteretsing). |
IT26095/76A IT1066889B (it) | 1975-08-18 | 1976-09-06 | Procedimento per formare strutture incise in superfici di solidi mediante incisione ionica |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2536718A DE2536718C3 (de) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2536718A1 DE2536718A1 (de) | 1977-02-24 |
DE2536718B2 DE2536718B2 (de) | 1977-08-25 |
DE2536718C3 true DE2536718C3 (de) | 1978-04-27 |
Family
ID=5954228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2536718A Expired DE2536718C3 (de) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4092210A (de) |
JP (1) | JPS6013071B2 (de) |
BE (1) | BE845291A (de) |
CA (1) | CA1070264A (de) |
DE (1) | DE2536718C3 (de) |
FR (1) | FR2321367A1 (de) |
GB (1) | GB1513218A (de) |
IT (1) | IT1066889B (de) |
NL (1) | NL7609175A (de) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4292384A (en) * | 1977-09-30 | 1981-09-29 | Horizons Research Incorporated | Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation |
US4180432A (en) * | 1977-12-19 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Process for etching SiO2 layers to silicon in a moderate vacuum gas plasma |
US4226666A (en) * | 1978-08-21 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Etching method employing radiation and noble gas halide |
US4183780A (en) * | 1978-08-21 | 1980-01-15 | International Business Machines Corporation | Photon enhanced reactive ion etching |
US4340276A (en) | 1978-11-01 | 1982-07-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby |
JPS5565365A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern forming method |
US4275286A (en) * | 1978-12-04 | 1981-06-23 | Hughes Aircraft Company | Process and mask for ion beam etching of fine patterns |
US4289574A (en) * | 1979-04-30 | 1981-09-15 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Process for patterning metal connections on a semiconductor structure by using an aluminum oxide etch resistant layer |
US4243476A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-06 | International Business Machines Corporation | Modification of etch rates by solid masking materials |
US4259145A (en) * | 1979-06-29 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Ion source for reactive ion etching |
EP0048291B1 (de) * | 1980-09-19 | 1985-07-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Struktur mit einem eine durchgehende Öffnung aufweisenden Siliciumkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4326936A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-27 | Rockwell International Corporation | Repeatable method for sloping walls of thin film material |
JPS5775429A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
US4344996A (en) * | 1980-12-19 | 1982-08-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Surface texturing of fluoropolymers |
US4351698A (en) * | 1981-10-16 | 1982-09-28 | Memorex Corporation | Variable sloped etching of thin film heads |
US4362598A (en) * | 1981-10-26 | 1982-12-07 | General Electric Company | Method of patterning a thick resist layer of polymeric plastic |
US4385975A (en) * | 1981-12-30 | 1983-05-31 | International Business Machines Corp. | Method of forming wide, deep dielectric filled isolation trenches in the surface of a silicon semiconductor substrate |
DE3221981C2 (de) * | 1982-06-11 | 1985-08-29 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von aus Trennkörpern mit Abschlußplatten bestehenden Trenndüsenelementen zur Trennung gas- oder dampfförmiger Gemische |
US4496419A (en) * | 1983-02-28 | 1985-01-29 | Cornell Research Foundation, Inc. | Fine line patterning method for submicron devices |
US4522681A (en) * | 1984-04-23 | 1985-06-11 | General Electric Company | Method for tapered dry etching |
CA1281307C (en) * | 1985-04-01 | 1991-03-12 | Allan R. Knoll | Method of plasma etching a substrate with a gaseous organohalide compound |
US4655384A (en) * | 1985-10-18 | 1987-04-07 | The Babcock & Wilcox Company | Method of fabricating fiber-reinforced metal composites |
GB8606821D0 (en) | 1986-03-19 | 1986-04-23 | Pa Consulting Services | Corneal reprofiling |
US5091047A (en) * | 1986-09-11 | 1992-02-25 | National Semiconductor Corp. | Plasma etching using a bilayer mask |
US4906594A (en) * | 1987-06-12 | 1990-03-06 | Agency Of Industrial Science And Technology | Surface smoothing method and method of forming SOI substrate using the surface smoothing method |
US4869777A (en) * | 1988-12-16 | 1989-09-26 | Ibm Corporation | Method for selectively etching the materials of a composite of two materials |
US4938841A (en) * | 1989-10-31 | 1990-07-03 | Bell Communications Research, Inc. | Two-level lithographic mask for producing tapered depth |
US5275695A (en) * | 1992-12-18 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Process for generating beveled edges |
US5804088A (en) * | 1996-07-12 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
US5881445A (en) * | 1997-07-30 | 1999-03-16 | Mauro; George | Method of producing micro-apertures in optically flat surfaces and structures when made by the method |
FR2794892B1 (fr) * | 1999-06-08 | 2003-06-27 | X Ion | Procede de gravure de couche mince dielectrique sur substrat de silicium et equipement de mise en oeuvre |
US6613243B2 (en) | 2000-07-25 | 2003-09-02 | Shipley Company, L.L.C. | Method of making a 3-D structure using an erodable mask formed from a film having a composition that varies in its direction of thickness |
JP3671854B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2005-07-13 | 松下電器産業株式会社 | シリコン系基板の表面処理方法 |
US7737534B2 (en) * | 2008-06-10 | 2010-06-15 | Northrop Grumman Systems Corporation | Semiconductor devices that include germanium nanofilm layer disposed within openings of silicon dioxide layer |
CN103165416B (zh) * | 2011-12-13 | 2015-09-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于刻蚀的硬掩膜及其制备方法以及mos器件的制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3880684A (en) * | 1973-08-03 | 1975-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Process for preparing semiconductor |
NL7401859A (nl) * | 1974-02-12 | 1975-08-14 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze. |
US3975252A (en) * | 1975-03-14 | 1976-08-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High-resolution sputter etching |
US3986912A (en) * | 1975-09-04 | 1976-10-19 | International Business Machines Corporation | Process for controlling the wall inclination of a plasma etched via hole |
-
1975
- 1975-08-18 DE DE2536718A patent/DE2536718C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-07-16 US US05/705,785 patent/US4092210A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-07-20 GB GB30095/76A patent/GB1513218A/en not_active Expired
- 1976-07-26 FR FR7622729A patent/FR2321367A1/fr active Granted
- 1976-08-13 JP JP51096889A patent/JPS6013071B2/ja not_active Expired
- 1976-08-17 CA CA259,233A patent/CA1070264A/en not_active Expired
- 1976-08-18 BE BE169897A patent/BE845291A/xx unknown
- 1976-08-18 NL NL7609175A patent/NL7609175A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-09-06 IT IT26095/76A patent/IT1066889B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4092210A (en) | 1978-05-30 |
CA1070264A (en) | 1980-01-22 |
FR2321367A1 (fr) | 1977-03-18 |
FR2321367B1 (de) | 1981-01-30 |
IT1066889B (it) | 1985-03-12 |
GB1513218A (en) | 1978-06-07 |
DE2536718B2 (de) | 1977-08-25 |
JPS5224946A (en) | 1977-02-24 |
DE2536718A1 (de) | 1977-02-24 |
JPS6013071B2 (ja) | 1985-04-04 |
NL7609175A (nl) | 1977-02-22 |
BE845291A (fr) | 1976-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2536718C3 (de) | Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren | |
DE2610014C2 (de) | ||
DE2624832C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lackmustern | |
EP0057254B1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von extremen Feinstrukturen | |
DE3706127A1 (de) | Diskontinuierliches aetzverfahren | |
DE3325832A1 (de) | Roentgenstrahlenlithographie-maske und verfahren zu seiner herstellung | |
EP0056845B1 (de) | Strukturierung von Metalloxidmasken, insbesondere durch reaktives Ionenstrahlätzen | |
DE2432719B2 (de) | Verfahren zum erzeugen von feinen strukturen aus aufdampfbaren materialien auf einer unterlage und anwendung des verfahrens | |
DE102013107947A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer medizinischen Vorrichtung, Verfahren zum Modifizieren der Oberfläche einer medizinischen Vorrichtung, medizinische Vorrichtung und Schichtverbund mit einem Substrat | |
EP0298274A1 (de) | Verfahren zum Strukturieren einer Kupfer- und/oder Permalloyschicht mittels Trockenätzen | |
DE2117199C3 (de) | Verfahren zur Herstellung geätzter Muster in dünnen Schichten mit definierten Kantenprofilen | |
EP0218039B1 (de) | Verfahren zur Übertragung feinster Fotolackstrukturen | |
DE4316114C2 (de) | Röntgenstrahlen-Maske und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0728298B1 (de) | Verfahren zum erzeugen wenigstens einer ausnehmung in einer oberfläche eines substrats als formbett für eine membran durch trockenätzen | |
EP0104684B1 (de) | Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2261123A1 (de) | Maske fuer photolithographische verfahren | |
DE19536474C2 (de) | Reinigungsverfahren für ein zu strukturierendes, beschichtetes Werkstück | |
DE2526382C3 (de) | Kathodenzerstäubungsverf ahren zur Herstellung geätzter Strukturen | |
EP1407520A2 (de) | Strahlformungselement für optische strahlung sowie verfahren zur herstellung | |
EP1015843B1 (de) | Hebelarm für ein rasterkraftmikroskop | |
DE2534043A1 (de) | Verfahren zur herstellung von loechern in auf halbleiterkoerpern befindlichen isolatorschichten | |
DE2751871C2 (de) | Verfahren zum Polarisieren von piezoelektrischen keramischen Elementen | |
EP0132823A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von masshaltigen Strukturen mit hohem Aspektverhältnis im 1 Millimikron-Bereich und darunter für die Mikroelektronik und Anwendung dieses Verfahrens zur Herstellung einer Röntgenabsorbermaske | |
CH587567A5 (en) | Josephson contact tunnel layer - is produced in reactor on base electrode and followed by counter electrode without interruption | |
DE3809722A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |