IT1031555B - Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo - Google Patents

Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo

Info

Publication number
IT1031555B
IT1031555B IT20050/75A IT2005075A IT1031555B IT 1031555 B IT1031555 B IT 1031555B IT 20050/75 A IT20050/75 A IT 20050/75A IT 2005075 A IT2005075 A IT 2005075A IT 1031555 B IT1031555 B IT 1031555B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
layers
riu
items
attachment
substrate
Prior art date
Application number
IT20050/75A
Other languages
English (en)
Italian (it)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of IT1031555B publication Critical patent/IT1031555B/it

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
IT20050/75A 1974-02-12 1975-02-07 Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo IT1031555B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7401859A NL7401859A (nl) 1974-02-12 1974-02-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
IT1031555B true IT1031555B (it) 1979-05-10

Family

ID=19820730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT20050/75A IT1031555B (it) 1974-02-12 1975-02-07 Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3984300A (de)
JP (1) JPS5530289B2 (de)
DE (1) DE2504500A1 (de)
FR (1) FR2260451B1 (de)
GB (1) GB1491746A (de)
IT (1) IT1031555B (de)
NL (1) NL7401859A (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057831A (en) * 1972-09-05 1977-11-08 U.S. Philips Corporation Video record disc manufactured by a process involving chemical or sputter etching
DE2536718C3 (de) * 1975-08-18 1978-04-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren
US4057460A (en) * 1976-11-22 1977-11-08 Data General Corporation Plasma etching process
DE2754526C2 (de) * 1977-12-07 1985-09-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung des Kathodensystems eines Röntgen- oder Gammastrahlenkonverters
JPS5496775A (en) * 1978-01-17 1979-07-31 Hitachi Ltd Method of forming circuit
US4340276A (en) 1978-11-01 1982-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby
JPS57157523A (en) * 1981-03-25 1982-09-29 Hitachi Ltd Forming method for pattern
US4375390A (en) * 1982-03-15 1983-03-01 Anderson Nathaniel C Thin film techniques for fabricating narrow track ferrite heads
GB2148769A (en) * 1983-10-22 1985-06-05 Standard Telephones Cables Ltd Topographic feature formation by ion beam milling of a substrate
DE3534418A1 (de) * 1985-09-27 1987-04-02 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zum herstellen von vertiefungen in einem halbleiterbauelemente enthaltenden halbleiterkoerper
US4767418A (en) * 1986-02-13 1988-08-30 California Institute Of Technology Luminal surface fabrication for cardiovascular prostheses
US5139974A (en) * 1991-01-25 1992-08-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor manufacturing process for decreasing the optical refelctivity of a metal layer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3400066A (en) * 1965-11-15 1968-09-03 Ibm Sputtering processes for depositing thin films of controlled thickness
US3436327A (en) * 1966-07-18 1969-04-01 Collins Radio Co Selective sputtering rate circuit forming process
US3649503A (en) * 1969-12-03 1972-03-14 Motorola Inc Sputter etch mask
US3676317A (en) * 1970-10-23 1972-07-11 Stromberg Datagraphix Inc Sputter etching process
US3791952A (en) * 1972-07-24 1974-02-12 Bell Telephone Labor Inc Method for neutralizing charge in semiconductor bodies and dielectric coatings induced by cathodic etching

Also Published As

Publication number Publication date
NL7401859A (nl) 1975-08-14
JPS50110073A (de) 1975-08-29
US3984300A (en) 1976-10-05
GB1491746A (en) 1977-11-16
FR2260451B1 (de) 1980-03-21
DE2504500A1 (de) 1975-08-14
JPS5530289B2 (de) 1980-08-09
FR2260451A1 (de) 1975-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1031555B (it) Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo
SE384233B (sv) Forfarande for avsettning av en elektriskt ledande, transparent metalloxidfilm pa ett underlag samt anordning for genomforande av forfarandet
SE435170B (sv) Sett att bilda en metalloxidbeleggning pa ett substrat
CH558075A (de) Bauelement fuer elektronische schaltungen mit einem substrat und einer duennschicht.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL162250B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
IT1007177B (it) Procedimento per realizzare circui ti elettrici a strati provvisti di strati elettroconduttori su entram be le facce di un substrato di ma teriale ceramico
NL189909C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een glassubstraat met een tinoxidelaag.
CH501064A (de) Vorrichtung zum Aufdampfen von Schichten im Vakuum auf plattenförmigen Teilen
SE402378B (sv) Bipoler transistor i ett halvledarskikt som er epitaktiskt anordnat pa ett isolerande substrat och forfarande for dess framstellning
BE791510A (fr) Substrat muni d'un revetement et son procede de fabrication
IT977622B (it) Procedimento per produrre su un substrato uno strato a disegno di vetro fosfolicico particolarmente in applicazione a dispositivi semi conduttori
NL174641C (nl) Inrichting om het oppervlak van een glasplaat te voorzien van een metaaloxydelaag.
IT1143690B (it) Procedimento per produrre su un substrato uno strato dotato di struttura nella tecnologia dei semiconduttori
AR215897A1 (es) Un procedimiento de revestimiento de la superficie de objetos de vidrio mediante una capa constituida por al menos un oxido de un elemento de transicion de caracter metalico
FI47875C (fi) Menetelmä sähkösaostettaessa tarttuvaa, sileää ja ei-huokoista lyijydi oksidikerrosta substraatille
CH509393A (de) Mit einer Klebstoffschicht versehenes Substrat
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
FI49706C (fi) Menetelmä lasinauhan yläpinnan pinnoittamiseksi.
NL7702439A (nl) Halfgeleiderbouwsteen met elektrische contacten en een werkwijze voor het vervaardigen van dergelijke contacten.
AT289500B (de) Vorrichtung zur Aufdampfung einer dünnen Schicht bestimmten Profils auf eine Unterlage im Vakuum
NL156378B (nl) Werkwijze voor het met behulp van spuitdelen afzetten van een oppervlaktelaag op een vlak van een glasstrook en glasstrook verkregen volgens de werkwijze.
ATA1035072A (de) Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung mit halbleiterschichten auf isolierendem substrat
FR2280924A1 (fr) Procede de protection de masques de photogravure et masques obtenus
IT1051793B (it) Dispositivo di connessione elettrico e di sostegno per un substrato di ceramica o di vetro con configurazioni circuitali disposte su questo con la tecnologia dei circuiti a strati