DE10138103B4

DE10138103B4 - Verfahren zum Strukturieren einer Fotolackschicht auf einem Halbleitersubstrat

Info

Publication number: DE10138103B4
Application number: DE10138103A
Authority: DE
Inventors: Kay Lederer
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2001-08-03
Filing date: 2001-08-03
Publication date: 2007-07-26
Anticipated expiration: 2021-08-04
Also published as: JP2003086502A; JP4226287B2; US20030027087A1; US6858376B2; DE10138103A1

Abstract

Verfahren zum Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht auf einer Halbleiterscheibe mit den Verfahrensschritten
großflächiges Aufbringen einer Negativ-Fotolackschicht auf einer mit einer obersten Schicht versehenen Halbleiterscheibe,
bereichsweises Belichten der Negativ-Fotolackschicht, um eine Struktur auf der Negativ-Fotolackschicht abzubilden, und Entwickeln der Negativ-Fotolackschicht, um die Negativ-Fotolackschicht an den unbelichteten Bereichen zu entfernen,
dadurch gekennzeichnet, dass
die strukturierte Negativ-Fotolackschicht nur im Bereich der Grenzfläche zur obersten Schicht der Halbleiterscheibe kurzzeitig auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur wenigstens einer der Komponenten des Negativ-Fotolacks aufgeheizt wird, um mit der darunter liegenden Schicht an der Grenzfläche zu verschmelzen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer strukturieren Fotolackschicht auf einem Halbleitersubstrat sowie einen Fotolack zum Einsatz in einem solchen Verfahren.
Integrierte Schaltungen auf Halbleitersubstraten werden im Allgemeinen mit Hilfe der Planartechnik hergestellt. In der Planartechnik wird durch Einsatz lithographischer Verfahren eine lokale Bearbeitung der Halbleiterscheiben durchgeführt. Bei den fotolithographischen Verfahren wird zuerst ein dünner strahlungsempfindlicher Film, eine so genannte Fotolackschicht, auf der Halbleiterscheibe abgeschieden. Diese Fotolackschicht wird durch eine geeignete Maske, die die im Halbleitersubstrat auszubildende Struktur enthält, mit Licht bestrahlt. Alternativ können zur Abbildung der Strukturen auf der Fotolackschicht aber auch Röntgenstrahlung eingesetzt werden. Weiterhin besteht auch die Möglichkeit, die gewünschten Strukturen direkt auf dem Fotolack mit Hilfe eines Elektronenstrahls auszubilden.
Nach der Abbildung der Strukturen auf der Fotolackschicht wird der Lack entwickelt und anschließend gehärtet. Die so in der Fotolackschicht erzeugte Struktur wird dann mit Hilfe spezieller Ätzverfahren in die darunter liegende Halbleiterschicht übertragen. Die Fotolackschicht kann jedoch auch selbst als lokale Maskierung der Halbleiterschicht, z.B. für eine Ionenimplantation dienen.
Die Fotolithographie lässt sich in eine Positiv- und Negativ-Lacktechnik unterteilen. In der Positiv-Lacktechnik löst sich der Fotolack an den belichteten Stellen bei der Lackentwicklung auf, die nicht bestrahlten Bereiche dagegen bleiben maskiert. In der Negativ-Lacktechnik ist es genau entgegenge setzt. Die belichteten Stellen bleiben nach der Lackentwicklung maskiert, während sich die unbelichteten Stellen beim Entwickeln auflösen.
Die zunehmende Miniaturisierung der integrierten Schaltungen erfordert es, im Rahmen der Lithographietechnik immer kleinere Strukturbreiten in der Fotolackschicht auszubilden. Dabei erfordert der Einsatz der strukturierten Fotolackschicht als Ätzmaske zur Strukturierung der darunter liegenden Halbleiterschicht gleichzeitig eine vorgegebene Mindestschichtdicke, um zu gewährleisten, dass die Fotolackschicht der Ätzung standhält. Dies hat zur Folge, dass bei immer kleiner werdenden Bauteilbreiten das Aspektverhältnis der Fotolackstrukturen, d.h. die Relation von Breite zu Höhe der einzelnen Strukturen immer ungünstiger wird. Dies vergrößert die Gefahr, dass die Lackstrukturen bei einem nachfolgenden Prozessschritt umfallen, was dann zu fehlerhaften Strukturen bei der Übertragung der Lackstrukturen in die Halbleiterschicht und damit zu fehlerhaften integrierten Schaltungen führen kann.
Um ein Umfallen der Lackstrukturen zu verhindern, ist deshalb eine gute Lackhaftung auf der Halbleiteroberfläche notwendig. Um die Haftung des Fotolacks auf der Halbleiteroberfläche zu verbessern, wird im Allgemeinen vor der Lackaufbringung eine Oberflächenbenetzung mit einem sogenannten Primer, bei Siliciumscheiben üblicherweise HMDS (Hexamethyldisilazan), vorgenommen. Durch die HMDS-Benetzung der Siliciumscheibe wird eine organische Oberfläche erzeugt, die einen hohen Kontaktwinkel zur herkömmlicherweise ebenfalls organischen Fotolackschicht herstellt und damit für eine große Kontaktfläche sorgt. Alternativ zum Einsatz von HMDS als Primer wird zwischen der Fotolackschicht und dem Halbleitersubstrat auch eine organische Antireflexionsschicht eingesetzt, die ähnlich der HMDS-Schicht eine organische Oberfläche auf der Siliciumscheibe bewirkt und zusätzlich eine Reflexionsverminderung bei der Belichtung der Fotolackschicht gewährleistet. Trotz des Einsatzes solcher Primer besteht jedoch weiter die Gefahr eines Umfallens der Fotolackstrukturen, insbesondere bei Strukturbreiten im Sub-μm-Bereich.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein Fotolithographieverfahren und einen Fotolack zum Einsatz in einem solchen Fotolithographieverfahren bereitzustellen, mit denen eine verbesserte Lackhaftung auf der Halbleiteroberfläche gewährleistet wird.

Aus der GB 23 394 79 A ist ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements bekannt, in dessen Verlauf ein Halbleitersubstrat mit einer Primer-Schicht versehen wird. Die auf der Primer-Schicht aufgebrachte und strukturierte Photolackschicht wird dabei in einem Heizschritt über den Erweichungspunkt erwärmt und verflüssigt und dient zur Verkleinerung der Strukturen. Aus der US 4,606,994 ist eine photohärtbare Schicht bekannt, deren Härte zusätzlich vor der Belichtung dadurch variiert wird, dass kristalline Bestandteile in der Polymermatrix der Schicht in einem Heizschritt aufgeschmolzen werden.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Erfindungsgemäß wird bei einem mit Hilfe der herkömmlichen Lithographietechnik strukturierten Negativ- bzw. Positiv-Fotolackschicht diese Fotolackschicht im Bereich der Grenzfläche zur darunter liegenden Schicht kurzfristig auf eine Temperatur oberhalb der Temperatur, bei der wenigstens eine Komponente der Fotolackschicht aufschmilzt, im weiteren auch als Schmelztemperatur bezeichnet, aufgeheizt, um die Fotolackschicht an der Grenzfläche mit der darunter liegenden Schicht zu verschmelzen.

Durch diese erfindungsgemäße Fotolackstrukturierungstechnik wird eine mechanische Stabilisierung der Fotolacklinien auf ihrem Untergrund erreicht. Das Aufschmelzen der Fotolackschicht an der Grenzfläche zur darunter liegenden Schicht sorgt dafür, dass Bestandteile der Fotolackschicht in diese Schicht eindringen und mit dieser an der Grenzfläche verschmelzen können. Hierdurch wird eine verstärkte Wechselwirkung zwischen der Fotolackschicht und der darunter liegenden Schicht erreicht.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform liegt die Temperatur, auf die die Fotolackschicht aufgeheizt wird, nur ca. 0,1°C oberhalb der Schmelztemperatur. Hierdurch wird zuverlässig gewährleistet, dass nur im Bereich der Grenzfläche ein Übergang in der Fotolackschicht von der festen in die flüssige Form stattfindet, also die Fotolackschicht nur in Monolagendicke aufschmilzt, die übrigen Teile der Fotolackschicht dagegen fest bleibt, was dafür sorgt, dass die Struktur der Fotolackschicht und damit das beim Belichtungsvorgang übertragene Maskenmuster nicht verändert wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird nach dem Heizschritt ein weiterer Abkühlungsschritt durchgeführt, der für ein sofortiges Erstarren der aufgeschmolzenen Fotolackschicht sorgt. Hierdurch wird gewährleistet, dass die Veränderung der Fotolackstruktur durch den Schmelzvorgang so gering wie möglich ausfällt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist als oberste Schicht auf der Halbleiterscheibe eine Schicht mit einem Bestandteil vorgesehen, dessen Schmelztemperatur im Wesentlichen der Schmelztemperatur des Fotolacks entspricht. Hierdurch wird erreicht, dass beim Aufheizen nicht nur die Fotolackschicht an der Grenzfläche, sondern auch die darunter liegende Schicht aufgeschmolzen wird, wodurch diese beiden Schichten an der Grenzfläche ineinander fließen und für eine optimale Verschmelzen und damit eine verstärkte Haftung der Fotolacklinien sorgen.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

1 eine erfindungsgemäße Negativ-Lithographietechnik;

2 eine erfindungsgemäße Positiv-Lithographietechnik und

3A und 3B zwei Ausführungsformen von Heizeinrichtungen zum Aufschmelzen der Fotolackschicht.

Hochintegrierte Schaltungen werden in Halbleiterscheiben herkömmlicherweise mit Hilfe der Planartechnik realisiert. In der Planartechnik erfolgt die Strukturierung der Halbleiter scheiben durchwegs mit Hilfe der lithographischen Technik. Das wesentliche Merkmal dieser Technik ist eine strahlungsempfindliche Fotolackschicht, die in den gewünschten Bereichen so bestrahlt wird, dass in einem geeigneten Entwickler nur die bestrahlten bzw. unbestrahlten Bereiche entfernt werden. Das so entstandene Lackmuster dient dann als Maske für einen darauffolgenden Prozessschritt, z.B. einer Ätzung oder einer Ionenimplantation. Am Ende wird die Lackmaske dann wieder abgelöst. Für die Bestrahlung des Fotolacks kommen ultraviolettes Licht, Röntgenstrahlung sowie beschleunigte Elektronen und Ionen in Frage.
Die Lithographie lässt sich grundsätzlich in eine Positiv- und eine Negativ-Lacktechnik unterteilen. Bei der Positiv-Lacktechnik löst sich der Fotolack im Entwickler an den be lichteten Stellen auf, die nicht bestrahlten Bereiche dagegen bleiben maskiert. In der Negativ-Lacktechnik sind genau entgegengesetzt die belichteten Stellen maskiert, während der unbelichtete Lack sich beim Entwickeln auflöst. Grundsätzliches Problem bleibt die Stabilität und mechanische Belastbar keit der strukturierten Fotolackschicht. Aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung der integrierten Schaltungen auf den Halbleiterscheiben werden immer kleinere Lackstrukturen notwendig, was die Gefahr erhöht, dass diese Lackstrukturen im nachfolgenden Prozess beschädigt werden bzw. umfallen, wo durch es dann zu einer fehlerhaften Maskierung bzw. Strukturierung der Halbleiterschichten und damit zu fehlerhaften integrierten Schaltungen kommen kann.
Um eine verbesserte Lackhaftung zu erreichen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, nach dem Entwicklungsvorgang die strukturierte Fotolackschicht im Bereich der Grenzfläche zur darunter liegenden Schicht auf der Halbleiterscheibe kurzzeitig auf eine Temperatur oberhalb der Temperatur, bei der wenigstens eine Komponente der Fotolackschicht aufschmilzt, im weiteren auch als Schmelztemperatur bezeichnet, aufzuheizen, um die Fotolackschicht an dieser Grenzfläche mit der darunter liegenden Schicht zu verschmelzen und so für eine Verbindung der Fotolackschicht mit der darunter liegenden Schicht zu sorgen. Hierdurch wird eine verbesserte Haftung der strukturierten Fotolackschicht erreicht, mit der sich auch bei Strukturen im Sub-μm-Bereich ausreichend hohe Stabilitäten erreichen lassen, die ein Umfallen der Lackstruktur in nachfolgenden Prozessen verhindern.
Die erfindungsgemäße Lithographietechnik lässt sich sowohl in der Positiv- als auch in der Negativ-Lacktechnik einsetzen, wie nachfolgend beispielhaft gezeigt ist. 1 stellt dabei schematisch den Prozessablauf zur Erzeugung einer Lacklinie an der Oberfläche einer Siliciumscheibe mit Hilfe eines Negativ-Fotolacks dar.
Negativ-Fotolacke sind im Allgemeinen Polymere, die einen festen Matrixanteil und einen lichtempfindlichen Anteil enthalten. Der Matrixanteil bestimmt im Wesentlichen die thermischen Eigenschaften des Lackes. Der lichtempfindliche Anteil legt den Wellenlängenbereich und die Empfindlichkeit des Lacks fest. Der Negativ-Fotolack ist so ausgelegt, dass er im unbelichteten Zustand durch Entwicklerlösungen, vorzugsweise Laugen, gelöst werden kann. Durch die Belichtung wird eine chemische Reaktion des lichtempfindlichen Anteils ausgelöst, der in den belichteten Bereichen für eine Umwandlung des Negativ-Fotolacks sorgt, so dass diese Bereiche in der Entwick lerflüssigkeit nicht mehr löslich sind.
Vor der Aufbringung der Lackschicht wird im Allgemeinen eine Oberflächenbenetzung der Halbleiterscheibe 1 mit einem sogenannten Primer 2 vorgenommen, wie in 1A gezeigt ist. Als Primer bei Siliciumscheiben wird üblicherweise HMDS (Hexa methyldisilazan) eingesetzt. Zur Oberflächenbenetzung wird die Siliciumscheibe im Vakuum oder bei Atmosphärendruck in Stickstoffumgebung dem Dampf der HMDS-Flüssigkeit ausgesetzt, so dass die Silicium-Oberfläche benetzt. Alternativ zu einer Monolagen starken HMDS-Schicht wird oft auch eine organische Antireflexionsschicht vor dem Belacken aufgebracht, die zusätzlich dazu dient, Reflexionen der zur Bestrahlung der Fotolackschicht eingesetzten Lichtwelle an der Halbleiteroberfläche zu verhindern und somit Interferenzeffekte so weit wie möglich auszuschalten.
Die organische Primer-Schicht bzw. organische Antireflexionsschicht auf der Siliciumscheibe sorgt dafür, dass freie OH^–-Gruppen auf der Silicium-Oberfläche abgesättigt werden, die die Kontaktoberfläche für den aufzubringenden Lack vermindern und damit die Haftung herabsetzen würden.
Nach dem Aufschleudern des Negativ-Fotolacks 3, was in 1B gezeigt ist, wird zur Verbesserung der Schichtstabilität im Allgemeinen noch eine thermische Nachbehandlung durchgeführt, oder die Halbleiterscheibe in einem Temperaturbereich um 100°C einige Minuten getrocknet wird. Dann wird die Negativ-Fotolackschicht 3, wie in 1C gezeigt ist, mit Hilfe einer Fotomaske 4 belichtet. Die Fotomaske 4 enthält das Muster einer gewünschten Strukturierung der Halbleiterscheibe im Allgemeinen als eine Chromschicht auf einem transparenten Träger. Das Muster der Fotomaske 4 wird mit Hilfe der Belichtungsstrahlung auf der Fotolackschicht 3 abgebildet, wobei die Belichtungsstrahlung eine chemische Reaktion der fotosensitiven Bestandteile im Negativ-Fotolack hervorruft. Dieser Bereich ist in der Fotolackschicht 3 in 1D mit dem Bezugszeichen 31 gekennzeichnet. Die durch die Belichtung ausgelöste chemische Reaktion sorgt dafür, dass der entsprechende Bereich der Fotolackschicht von der später eingesetzten Entwicklerlösung kaum mehr angegriffen werden kann, d.h. gegenüber dieser Entwicklerlösung unlöslich bleibt. Die Halbleiterscheibe mit der Negativ-Fotolackschicht nach dem Entwicklerschritt ist in 1E gezeigt. Die Entwicklerlösung sorgt dafür, dass alle nicht belichteten Bereiche der Negativ-Fotolackschicht 3 gelöst werden, so dass nur noch der belichtete Bereich 31 zurückbleibt.
Um die Haftung der Negativ-Fotolackstruktur 31 auf der Halbleiterscheibe 1 zu erhöhen, wird nach dem Entwickeln der Fotolackschicht die zurückbleibende Lacklinie 31 kurzzeitig an der Grenzfläche zum darunter liegenden Haftvermittler 2 auf eine Temperatur aufgeheizt, die oberhalb der Schmelztemperatur wenigstens einer Komponente des Negativ-Fotolacks liegt. Die Schmelztemperatur der Negativ-Fotolack-Komponenten liegt üblicherweise im Bereich von 140 bis 150°C. Die Temperatur, auf die die Grenzfläche der Fotolacklinie 31 zum Untergrund aufgeheizt wird, wird vorzugsweise so gewählt, dass diese nur ca. 0,1°C über dieser Schmelztemperatur liegt. Die Aufheizung wird weiterhin so gesteuert, dass die Schmelztemperatur an der Grenzfläche der Lackschicht nur für einige Sekunden überschritten wird. Um eine schnelle Rekristallisation des aufgeschmolzenen Fotolacks zu bewirken, wird deshalb vorzugsweise nach dem Heizschritt ein weiterer Abkühlungsschritt durchgeführt, der für eine sofortige Erstarrung des aufgeschmolzenen Fotolacks sorgt. In der kurzen Zeitspanne, in der der dünne Lackfilm an der Grenzfläche zur darunter liegenden Schicht aufgeschmolzen ist, verfließt dieser und dringt in die darunter liegende Schicht 2 ein. Hierdurch kommt es zu einer Verschmelzungsschicht 32 (1F) aus den Bestandteilen der obersten Schicht 2 auf der Halbleiterscheibe 1 und der Fotolackschicht 3, die nach dem Erstarren der Fotolackbestandteile für eine verbesserte Haftung der Lacklinie auf dem Untergrund sorgen. Die Fotolackschicht und die darunter liegende Schicht werden dabei vorzugsweise so gewählt, dass bei dem Heizschritt auch die Schmelztemperatur wenigstens einer der Materialkomponenten der unter der Fotolackschicht liegenden Schicht an der Grenzfläche überschritten wird. Dies sorgt für ein verbessertes Verschmelzen und damit für eine weitere Verstärkung der Haftung der Lacklinien nach dem Wiedererstarren.
Die Aufheizung der Grenzfläche der Lacklinie zur darunter liegenden Schicht 2 kann, wie in 3A gezeigt ist, durch Bestrahlung, z.B. mit Hilfe einer Infrarotquelle 71 erfolgen und alternativ kann jedoch auch wie in 3B gezeigt, eine Heizplatte 72 eingesetzt werden. Die Heizplatte wird dabei so gewählt, dass deren thermische Masse klein gegenüber der Halbleiterscheibe 1 bleibt, um so eine schnelle Aufheizung zu bewirken. Entscheidend ist dabei, dass die Aufheizung schnell und mit einer hohen Homogenität erfolgt.
In 2A-F ist alternativ eine Prozessfolge für eine Strukturierung einer Fotolackscheibe 2 mit einem Positiv-Fotolack gezeigt. Positiv-Fotolacke bestehen im Allgemeinen aus einem festen Matrixmaterial, einem lichtempfindlichen Anteil und einem Lösungsmittel. Das Matrixmaterial ist herkömmlicherweise Phenolharz. Als lichtempfindlicher Anteil wird z.B. Diazonaphthochinon verwendet. Als Lösungsmittel wird Ethylenglycolethyletheracetat eingesetzt. Der Positiv-Fotolack wird ähnlich dem Negativ-Fotolack auf die mit einer Primer-Schicht 2 versehene Halbleiterscheibe 1 aufgeschleudert, wie dies in 2B gezeigt ist. Nach dem Trocknen der aufgeschleuderten Fotolackschicht 5 ist dieser in Laugen kaum löslich, d.h. die Fotolackschicht wird von Entwicklerlösungen nicht angegriffen. Eine Belichtung (2C) über eine Maske 6, die die gewünschte, in der Fotolackschicht auszubildende Struktur enthält, sorgt dafür, dass der lichtempfindliche Anteil in der Fotolackschicht 5 sich chemisch (20) so ändert, dass dieser von Entwicklerflüssigkeit gelöst werden kann. Nur der nicht belichtete Bereich des Fotolacks 51 bleibt deshalb nach dem Entwicklungsvorgang, wie er in 2E gezeigt ist, stehen.
Diese Positiv-Fotolacklinie 51 wird dann analog der Negativ-Fotolacklinie einer Temperaturbehandlung unterzogen, bei der die Grenzfläche zur darunter liegenden Primer-Schicht 2 für kurze Zeit auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur wenigstens einer der Bestandteile des Positiv-Fotolacks aufgeheizt wird. Hierbei wird vorzugsweise wiederum eine Heiztemperatur gewählt, die ca. 0,1°C oberhalb der Schmelztemperatur des Positiv-Fotolacks, der im Allgemeinen zwischen 140 und 150°C liegt. Die Aufheizung der Grenzfläche erfolgt dabei nur für einige Sekunden entweder durch Bestrahlung mit einer Lichtquelle, wie in 3A gezeigt ist, oder über eine Heizplatte, wie in 3B dargestellt ist. Durch das Aufschmelzen der Grenzfläche verfließt ein dünner Positiv-Fotolackfilm wiederum in die darunter liegende Primer-Schicht, verschmelzt mit dieser und sorgt nach dem Wiedererstarren für eine verbesserte Haftung der Lacklinie auf dem Untergrund.
Die in der vorstehenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausgestaltungen von Bedeutung sein.

Claims

Verfahren zum Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht auf einer Halbleiterscheibe mit den Verfahrensschritten großflächiges Aufbringen einer Negativ-Fotolackschicht auf einer mit einer obersten Schicht versehenen Halbleiterscheibe, bereichsweises Belichten der Negativ-Fotolackschicht, um eine Struktur auf der Negativ-Fotolackschicht abzubilden, und Entwickeln der Negativ-Fotolackschicht, um die Negativ-Fotolackschicht an den unbelichteten Bereichen zu entfernen, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Negativ-Fotolackschicht nur im Bereich der Grenzfläche zur obersten Schicht der Halbleiterscheibe kurzzeitig auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur wenigstens einer der Komponenten des Negativ-Fotolacks aufgeheizt wird, um mit der darunter liegenden Schicht an der Grenzfläche zu verschmelzen.
Verfahren zum Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht auf einer Halbleiterscheibe mit den Verfahrensschritten großflächiges Aufbringen einer Positiv-Fotolackschicht auf einer mit einer obersten Schicht versehenen Halbleiterscheibe, bereichsweises Belichten der Positiv-Fotolackschicht, um eine Struktur auf der Positiv-Fotolackschicht abzubilden, und Entwickeln der Positiv-Fotolackschicht, um die Positiv-Fotolackschicht an den belichteten Bereichen zu entfernen, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Positiv-Fotolackschicht nur im Bereich der Grenzfläche zur obersten Schicht der Halbleiterscheibe kurzzeitig auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur wenigstens einer der Komponenten des Positiv-Fotolacks aufgeheizt wird, um mit der darunter liegenden Schicht an der Grenzfläche zu verschmelzen.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur, auf die die Fotolackschicht aufgeheizt wird, ca. 0,1°C oberhalb der Schmelztemperatur der wenigstens einen Komponente des Fotolacks liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Heizschritt ein Abkühlungsschritt ausgeführt wird, um ein sofortiges Erstarren der Fotolackschicht zu bewirken.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe als oberste Schicht eine Schicht mit einem Bestandteil aufweist, dessen Schmelztemperatur der Schmelztemperatur wenigstens einer der Komponenten des Fotolacks entspricht, so dass beim Aufheizen der Fotolackschicht an der Grenzfläche zwischen der Fotolackschicht und der obersten Schicht der Halbleiterscheibe ein Aufschmelzen der darunter liegenden Schicht in diesem Bereich auftritt.