CN1729430A - 阻质层涂覆方法、粘性材料的使用、粘性材料及阻质层 - Google Patents

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Abstract

本发明尤其说明了一种用于将一阻质层(12)涂覆于一基层(24，104)的方法，该阻质层(12)包含一粘性材料，其粘力在辐照期间会降低或增加，特别是，此一方法有助于该阻质层(12)残余物的剥离。

Description

阻质层涂覆方法、粘性材料的使用、粘性材料及阻质层
本发明是关于一种将阻质层涂覆到基层、选择性辐照与显影的方法。
举例而言，这样的方法是使用于平面印刷方法中，以在阻质层显影(develop)后将基层图样化(patterning)，或是使用于将接触区域沉积在基层中连接衬垫上的贾凡尼(galvanic)法中。将一光阻(photoresist)层以液相状态旋涂至基层，即作为此处所述的阻质层；在将光阻中所含的溶剂加热蒸发或烘烤移除之后，该阻质便开始作用并接着加以曝光。在旋涂过程期间的变因是由于光阻层厚度所致；此外，在显影之后，残余光阻层的移除亦相当复杂，举例而言，将所需使用的溶剂弃置时，亦将耗费一定成本；经旋涂的阻质层厚度通常小于30μm(微米)，在欲产生较厚的光阻层时，通常需要在之前所涂覆的阻质层发生作用之后，再适当地重复执行旋涂步骤。
本发明的目的之一在于提供一种用于涂覆阻质层的简单方法，此外亦提供了粘性材料的使用，特别是用于此一方法的粘性材料及阻质层。
关于本方法的构想可通过权利要求1所述的方法步骤而达成，而附属的权利要求项则说明了本方法的进一步发展。
在本发明方法中，将阻质层涂覆至固态的基层上，特别是以粘性接着的方式涂覆至基层上；此方式提供了许多优点，特别是可以在膜层厚度非常均匀的平面支撑物上(例如以连续制作的方式)形成该阻质层。
若直接在涂覆该阻质层前，即将一粘性层涂覆至该基层及/或该阻质层上(例如通过喷涂方式或涂敷方式)，则可将该阻质层固定至该基层；而基于粘性残余物的考量，另一种较洁净的生产技术则是使用具粘性的阻质层，或是在涂覆至该基层前，即已于该阻质层上涂布一层粘性层。
目前该阻质层所使用的多种材料皆适合作为阻质层中的辐射敏感材料，例如作为正性阻质的diazonaphthoquinone(双氮基醌)或naphthoquinonediazide，以及作为负性阻质的部分环化的polyisopropene；此外该阻质层亦含有适当的成膜剂，例如酚类树脂化合物；在该阻质层中，尤含有稳定剂及/或抑制剂等添加物。
本发明方法可在阻质膜的制造期间完全利用所使用的液态阻质材料；在传统的旋涂方式中，仅利用了约10％的阻质液体，由于氧化过程的原因，剩下的90％并不能被利用。
基于阻质层材料选择与阻质层曝光的考量，在执行本发明方法的发展例时即应考虑到后续的剥离操作(stripping operation)。此外，在本发明中，亦考量了粘性材料的粘性会随辐照作用而变化的问题；举例而言，辐照会使单体(monomer)或寡聚体(oligomer)形成聚合物(polymer)或共聚物(copolymer)，因而所产生的交联(crosslinking)作用将降低粘性，而另一方面，聚合物或共聚物亦会通过辐照作用而再分裂为单体或寡聚体，因而增加粘性；另一种粘性物质含有可将粘性物质分解的物质则可因辐照作用而被活化(activated)或去活化(deactivated)，而交联为不同成分的阻质层区域或粘性层区域则由不同速率的溶剂予以剥离，因此可以一种简单的方式来使该阻质层显影。
因此，可使用最初具有较低粘性的阻质层作为所谓的正性阻质，由于聚合物在曝光期间会分裂，因而虽然曝光区域中的粘性会增加，然这些区域比未曝光区域更容易被溶剂移除。
另一方面，原本就具有高粘性的材料可作为负性阻质之用，举例而言，在曝光期间，曝光区域会交联化，使得该等区域中的粘性会降低；而在显影期间，仅移除未曝光区域，亦即仅移除未交联化的区域。
因此，在本发明方法的一发展例或是在本发明的第二构想中，便使用由粘性物质所组成的阻质层，其中该粘性物质的粘性在辐照期间会因而提升或降低，此方式形成了一种可将显影之后残留在基层上的区域移除的简单方法。由于粘性物质的粘性原本就低、或是在辐照期间粘性会降低，因此这些区域可通过简单方式加以移除，例如利用剥离粘性胶带(stripping adhesive tap)，特别是无须使用其它的溶剂或品质较差的溶剂。
特别是在本发明方法与负性阻质有关的一项发展例中，在辐照期间粘性层的粘性会比在基层处的原始粘性降低30％以上、或50％以上、甚至是90％以上；其制造方式的详细规格则与在硅晶圆或聚酰胺(polyamide)晶圆处的粘性有关，例如：在硅处的原始粘性是高于1N/20mm或甚至高于10N/20mm，在曝光后，其粘性将降至0.16N/20mm，特别是亦可利用简单的方式来制造粘性可降低超过90％的物质。
在一替代发展例中，粘性可增加50％以上、或甚至超过100％，此类物质亦可利用简单的方式加以制造，并特别适合用于正性阻质。
在另一发展例中，是利用电磁辐射(electromagnetic)的方式而辐照或曝光该阻质层，较佳为利用紫外光辐射、或X射线(X-ray)辐射；而在一替代例中，亦可使用粒子束(例如电子束或离子束)。辐射是作为调整粘性之用，即通过辐射方式调整特殊化学物质，例如聚合、或是聚合物的分裂。
在一接续发展例中，在显影后残留在欲图样化膜层上的阻质层区域的粘性比未辐照阻质层更低，粘性的降低有助于后续的残余区域的移除步骤；当涉及一紧邻区域时，即可利用如镊钳等简单方式而将残余阻质层加以剥离。
在另一发展例中，是利用一粘性区域来剥离残余的阻质层，其中该粘性区域的粘性高于该阻质层降低的粘性，较佳为利用一粘性胶带(adhesive tape)或是一粘性薄片(adhesive sheet)；通过粘性胶带或粘性薄片的方式，即可在大范围中自由选择一剥离角度，且在剥离过程中亦可适当调整此一剥离角度。
在另一发展例中，是利用溶剂来移除该等残余区域；由于该等残余区域的粘性已大幅降低，因而利用溶剂的移除方式是目前为止较为简单的方式，特别是相较于在基层处作用的光阻质。
在本发明方法的另一发展例中，是使用一有机溶剂作为显影剂，特别是使用N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone，NMP)、或是二甲亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)，其中二甲亚砜的结构式如下：
H3C-SO-CH3
所述的显影剂目前已使用于光阻质的显影过程，且其成本并不高。
在一接续发展例中，该阻质层是通过一粘性区域的辅助而涂覆于该基层上，其中该粘性区域的粘性低于基层上的未辐照层的粘性；在一实施例中，则是使用一粘性胶带或一粘性薄片。在执行这样的涂覆方式时不会在涂覆工具处产生残余的粘性物质；举例而言，在一替代例中，该阻质层亦可利用类似网印(screen printing)的方式而涂覆于该基层上。
在一接续发展例中，所使用的阻质具有一抗反射层，使用抗反射层可于该阻质层及该基层的图样化期间降低其最小特征尺寸(minimumfeature size)；本发明方法可用于制造最小尺寸高于5或10微米的结构，然亦可用于制造最小特征尺寸为1微米甚至更低的结构。
在一接续发展例中，该阻质层的厚度大于30微米、或大于50微米、甚至大于100微米，在涂覆步骤中可涂覆这样厚的阻质层。在使用光阻质时，通常需要多个涂覆步骤，亦即旋涂、作用、再旋涂...等等，然利用本发明方法涂覆阻质层则较为简化。
在另一发展例中，该基层是根据显影后所残余的阻质层区域而加以图样化，较佳为利用干式蚀刻制程或湿式化学蚀刻制程的方式。在一替代例中，是将材料涂覆在该基层上阻质层残余区域之间，较佳为通过一贾凡尼(galvanic)方式、通过化学或化学-物理沉积方式(例如溅射方式)而加以涂覆。
在另一构想中，本发明更与一种粘性剂(adhesive agent)的使用有关，该粘性剂的粘性会在辐照期间产生变化，以将一膜层选择性图样化或将材料选择性涂覆至一膜层上；本发明亦另外保护了使用具有此一粘性剂的粘性胶带或粘性薄片来将一膜层选择性图样化或将材料选择性涂覆至一膜层上。
另一构想则保护了利用粘性胶带或粘性薄片来移除阻质层残余部分，特别是移除已根据本发明方法及其发展例而图样化的阻质层的残余部分。
本发明亦关于一种含有粘性层的粘性胶带或粘性薄片，其中该粘性层的粘性会在辐照期间产生变化；此外，粘性胶带或粘性薄片更包含一外部膜层于该粘性层的一侧，且相较于基层处的粘性层的粘性而言，移除该外部膜层所需耗费的力气相当低；举例而言，其粘性低于0.5N/20mm(即每20毫米低于0.5牛顿)，这表示在将外部膜层自20毫米宽的粘性层剥离时，仅须0.5牛顿的作用力；因此，其所需的作用力仅为粘接至基层的粘性层的粘性的50％、甚至仅10％；在该粘性层的另一侧配置了另一外部膜层，且同样可通过一微小作用力加以剥离；此一粘性胶带适于将粘性层以简单方式涂覆至该基层上。因此，首先移除一外部膜层，接着将该粘性胶带或粘性薄片粘性接着至该基层，然后仅须移除另一外部膜层，即可接着执行本发明方法及其发展例。
在一发展例中，该另一外部膜层是由一卷绕式粘性胶带相同外部膜层另一区段的外部膜层所形成，或由含有至少两粘性薄片的粘性薄片堆栈的另一粘性薄片的一外侧所形成；因此可多样化地使用该等外部膜层以覆盖两粘性层、或覆盖一粘性层的两区段。
本发明方法亦关于一种含有粘性层的粘性胶带或粘性薄片，其中该粘性层的粘性会在辐照期间产生变化；该粘性胶带或粘性薄片含有至少一抗反射层，其可避免或可降低辐射的反射作用。抗反射层的使用可减少该粘性层图样化期间的最小特征尺寸。
在一发展例中，该抗反射层是配置在该粘性层的中央、或该粘性层的边缘，举例而言，该反射层的折射率与该粘性层其它部分不同；此外，在一替代例中，该抗反射层的辐射吸收率比该粘性层更高。
特别是，在本发明方法及其发展例中，便使用了上述的粘性材料。
以下将参考下列图式来说明本发明的具体实施方式，其中：
图1表示一粘性胶带，
图2A与图2B说明了一集成电路装置上阻质层的图样化过程以及贾凡尼(galvanic)沉积过程，以及
图3A至图3C说明了一集成电路装置上阻质层的图样化过程以及后续膜层图样化过程。
图1说明了一粘性胶带10，该粘性胶带具有一粘性层12与一外部膜层14；该粘性层12所含物质的粘性可通过紫外光辐照的方式而降低。举例而言，在该粘性胶带10的制作过程中，硅晶圆上粘性层12的粘性为2.0N/20mm；在此具体实施例中，该粘性层12的厚度为50微米。以下将进一步详细说明该粘性层12的组成实例之一：举例而言，该外部膜层14是由PET或PETP(聚对苯二甲酸乙二(醇)酯)所组成，亦即由聚乙烯(polyethylene)或其它适合塑料所组成，该外部膜层14可轻易自该粘性层12剥离。
可将该粘性胶带10卷绕为一卷状物，因此该外部膜层14便可从两侧包围该粘性层12。
在另一具体实施例中，该粘性胶带10除包含该粘性层12与该外部膜层14外，亦包含一抗反射层16，且其组成成分可与该粘性层12相同，然该抗反射层16亦可包含可增加该抗反射层16对紫外光辐射的吸收程度的粒子。
图2A说明了含有例如晶体管的集成组件(图中未示)的一集成电路装置20，此外该集成电路装置20含有一氧化物层22(例如一二氧化硅层)，在该氧化物层22中具有一金属化层24，其包含了多个铜互连(copper interconnections)，如图2A所示的铜互连26与28；另为图式的清晰简化，在图2A中并未标示出阻障层(barrier layers)。
在执行CMP(化学机械抛光)方法与清洁方法后，该粘性胶带10即粘性接着至该集成电路装置20，接着通过如镊钳等人为方式的辅助、或是通过剥离粘性胶带与剥离设备的辅助而将该外部膜层14剥离。
接着利用光掩模(photomask)来执行选择性曝光，箭号30即表示照射的紫外光；曝光将使该粘性层12产生曝光区域32至36，其中该等曝光区域是位于该等铜互连26与28间的中间间隙。该等曝光区域32至36限定了分别位于铜互连26与28上方的未曝光区域38、40；在该等曝光区域32至36中，因曝光之故而形成了强交联的聚合物，该等聚合物降低了粘性层12曝光区域32至36的粘性，相较之下，未曝光区域38与40则仅存在弱交联或短链的聚合物，因此将不受影响而维持其高粘性。
如图2B所示，接着可通过溶剂的辅助来执行显影步骤，以将交联区域剥离至较低程度，亦即使未曝光区域38与40的范围比曝光区域32至36更大；因此在显影过程中移除该粘性层12的未曝光区域38与40，因而产生图案(cutout)50与52，该等图案50与52的底部则分别延伸至该等铜互连26与28。
接着通过贾凡尼电镀方式的辅助，而在图案50与在图案52中分别沉积铜接触54与56；在此可使用利用外部电流的贾凡尼电镀方式或是使用无外部电流的贾凡尼电镀方式。
在另一具体实施例中，则使用可作为正性阻质的粘性剂12，在此方式中，该粘性剂12原本具有低粘性；在曝光期间，区域38与40亦被曝光，因而在该等区域中的聚合物会因曝光之故而分裂，同时增加该等区域的粘性；而在显影过程中，同样再次移除该等区域38与40，而其它的方法步骤则同样如图2B所示者。
在图2A与图2B所说明的方法中，在电沉积后皆可使用涂覆于该粘性层12之一剥离粘性胶带，并接着将其剥除；在剥除的过程中，残余区域32至36仍维持其与该剥离粘性胶带接合的状态，因而可自该集成电路装置20移除。
如图3A所示，该粘性胶带10亦可用于膜层的图样化；一集成电路装置100含有一氧化物层102(例如一二氧化硅层或一BPSG(硼磷硅玻璃)层)，欲图样化的金属层104则位于该二氧化硅层102上，在此一具体实施例中，所述的金属层是由铝或添加物低于5％的铝合金所制成。
该粘性胶带10粘性接着于该铝金属层104，接着将该外部膜层14剥除，而在该金属层104上仅留下该粘性层12、或该粘性层与该抗反射层16；接着通过光掩模的辅助而选择性曝光该粘性层12(如箭号130所示)，因而产生了曝光区域132至136，该等曝光区域132至136限定了未曝光区域138与140。在该等曝光区域132至136中，曝光将导致强交联作用并降低该金属层104处的粘性层12的粘性。
如图3B所示，接着通过溶剂的辅助而将该粘性层12加以显影，而于该等曝光区域132至136之间形成图案150与152，该等图案150与152即分别位于原本未曝光区域138与140的位置。而该等曝光区域132至136在显影期间则仍维持不变。
如图3C所示，接着通过非等向性蚀刻制程的辅助，而根据粘性层12的结构图样化该金属层104；在此例中，图案150与152延伸经过该金属层104。在蚀刻过程结束时，图案150的底部是位于氧化物层102上，而图案152的底部同样位于氧化物层102上；在图样化过程中，可由连续的金属层104产生金属互连160至164。
在蚀刻制程后，即通过剥离粘性胶带的辅助而移除该粘性层12剩下的残余物132至136，如图2B所说明的方法。
在另一具体实施例中，图3A至图3C所述的方法亦可使用作为正性阻质的粘性层12，可参考图2A与图2B中关于正性阻质部分的说明。
在一具体实施例中，该粘性层12含有低分子量的化合物，其于每一分子中至少包含两个可光聚合的碳-碳双键，该粘性层12另包含一光聚合起始剂。
该光聚合化合物的平均分子量为10,000或低于10,000，较佳为5,000或5,000以下，每一分子中所含的光聚合碳-碳双键的数量应为2至6，特别是3至6，该等光聚合化合物的较佳实例为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate，TMPTA)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate，PETA)、PETEA(pentaerythritoltetraacrylate)、dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate与dipentaerythritol hexaacrylate等，亦可使用其它的光聚合化合物，包括l，4-丁二醇二丙烯酸酯(1，4-Butanediol Diacrylate，BDDA)、1，6-六二醇二丙烯酸酯(1，6-hexanediol diacrylate，HDDA)、聚乙二醇丙烯酸酯(polyethylene glycol diacrylate，PEGDA)与商用oligoester acrylate等。
该等光聚合化合物可单独使用或混合使用，其使用量为相对于100份重量的基底聚合物搭配1至100份重量的光聚合化合物；若光聚合化合物的使用量太少，则在该感压粘性层12曝光时所产生的三维网状结构便较少，因而该集成电路排列20的薄粘性层12的粘性降低程度亦较低；另一方面，若使用的光聚合化合物量太多，所产生的感压粘性层的可塑性便会明显增加，因而导致其原始粘性过高。可作为光聚合起始剂的例子有：异丙基苯醚(isopropyl benzoin ether)、异丁基苯醚(isobutyl benzoin ether)、苯酚(benzophenone)、四甲基二胺基二苯甲酮(Michler′s ketone)、氯噻吨酮(chlorothioxanthone)、十二苯基噻吨酮(dodecylthioxanthone)、对苯基噻吨酮(dimethylthioxanthone)、对乙二苯基噻吨酮(diethylthioxanthone)、苯乙酮对乙二苯基酮缩醇(acetophenone diethyl ketal)、苯甲基对苯基酮缩醇(benzyl dimethylketal)、α-羟基环己基苯基酮(α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)与2-羟基甲基苯基丙烷(2-hydroxymethylphenyl propane)，该等化合物可单独使用亦可以混合方式使用。
在具体的方式中，使用100份的丙烯酸丁酯(butylacrylate，BA)、5份的丙烯睛(acrylonitrile，AN)与5份的丙烯酸于甲苯中共聚合，以制备平均分子量为300,000的丙烯酸共聚物。
添加下述化合物至100份的丙烯酸共聚物：5份聚异氰酸酯化合物(其为由Nippon Polyurethane Co.Ltd.所制备的商品“Coronate L”)、15份dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate与1份α-羟基环己基苯基酮，将上述化合物共同混合以产生粘性层12。
将上述组成涂覆至该外部膜层14表面而形成一膜层并于130℃干燥数分钟(例如3分钟)，其中该外部膜层厚度D1为50微米。
在另一具体实施例中所制备的丙烯酸共聚物的平均分子量为3,000或30,000，并接着将上述化合物加入该丙烯酸共聚物中。
亦可使用其它的已知组成来取代上述的粘性层12的组成。
特别是，通过上述方式可使阻质层具有均匀厚度，可简单达成低于+/-3％的厚度容限值。
举例而言，在某些晶圆生产过程中，为了确保在晶圆于设备中传输或将晶圆引入设备中不会产生问题、或为确保贾凡尼法中的电流连接不会产生问题，一般在薄片边缘皆不希望有阻质覆层形成，而为了移除边缘处的阻质而将溶剂仅喷涂在该边缘处将导致薄片边缘厚度增加达15％，这是因为在注入溶剂时，亦无可避免地会将溶剂注入不须移除的阻质中。
利用胶带型或薄片型阻质即可避免执行移除周围边缘区域的额外步骤，将该胶带型或薄片型阻质层事先压印(事先切割)为小于晶圆直径至少2毫米或至少5毫米的尺寸；在此情形中需要执行一个集中步骤(centering step)，若使用具有晶圆外型的薄膜时亦需要此一集中步骤；当考虑到位于事先压印或事先成型的薄膜上的晶圆平板时，必须再涂覆阻质薄膜层时同时考虑到该平板区域的正确位置。
然而，亦可使用未经压印的胶带或薄片，而在涂覆该薄膜后通过切割边缘的方式(例如利用滚轮方式)而沿着晶圆边缘切割出相配的阻质片，在此情形中便无须执行集中步骤。
相较于阻质涂布(coating)过程而言，胶带压合过程较为快速且成本较低，可利用目前使用的光掩模校准系统来执行曝光程序。
利用该等膜层的抗反射性质即可不受限制地将金属互连图样化为所欲形貌(topography)。
在该阻质层及/或该粘性层中的一辐射敏感成分，例如一UV光感成分(紫外光)可在移除边缘表面时不留下任何残留物，特别是不留下撕裂痕迹(tears)。
若该阻质在辐照期间进一步作用，则其对于等离子(plasma)侵袭的抵抗能力会更高，在阻质中使用热稳定成分则可于图样化该阻质下方的膜层时，进一步增加等离子功率。
组件代表符号说明
图1
10                 粘性胶带                   12                   粘性层
14                 外部膜层                   16                   抗反射层
20、100            集成电路装                 22、102              氧化物层
                   置
24                 金属化层                   26、28               铜互连
30、130            箭号                       32、34、36           曝光区域
38、40             未曝光区域                 50、52、150、152     图案
54、56             铜接触                     104                  金属层
132、134、136      曝光区域                   138、140             未曝光区域
160、162、164      金属互连

Claims (19)

1.一种用于涂覆一阻质层(12)的方法，其中将一阻质层(12)涂覆于一基层(24，104)上，并加以选择性辐照与显影，其中该阻质层是涂覆、或粘性接着于固态的该基层(24，104)。
2.如权利要求1所述的方法，其中在将该阻质层涂覆至该基层(24，104)前，先以一保护材料(14，16)覆盖该阻质层，
及/或其中该保护材料(14，16)可避免配置在该阻质层(12)处的粘着剂、或该阻质层内所含的粘着剂凝固，
及/或其中在涂覆之前，较佳为在涂覆前10分钟内，即先移除该保护材料(14，16)，
及/或其中利用配置在一半导体基板上的一膜层、或一半导体基板作为该基层(24，104)，
及/或其中以电磁辐射的方式辐照该阻质层(12)，较佳为利用紫外光辐射、X-射线辐射、或粒子辐射的方式，较佳为利用电子辐射或离子辐射的方式辐照该阻质层(12)。
3.一种用于图样化一阻质层(12)的方法，特别是如权利要求1或2所述，其中所使用的一阻质层(12)含有一粘着剂、或包含一种粘力会在辐照期间减少或增加的粘着剂，
及/或其中该粘力会减少超过30％、或超过50、或超过90％，或其中该粘力会增加超过50％或100％，较佳为相对于基底区域或一硅基板或一聚酰胺基板处的粘力而言。
4.如权利要求3所述的方法，其中在显影后仍残留在该基层(24)上的该阻质层(12)的区域(32至36)的粘力低于未辐照阻质层的粘力。
5.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中在显影后仍残留在该基层(24)上的该阻质层(12)的区域(32至36)是以一粘性区域而加以剥离，该粘性区域在残留区域(32至36)处的粘力比该基层(24，104)处残留区域的粘力高，较佳为以一粘性胶带或一粘性薄片而加以剥离。
6.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中在显影后仍残留在该基层(24，104)上的该阻质层(12)的区域(32至36)是以一溶剂加以移除。
7.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中使用一有机溶剂作为显影剂，特别是使用N-甲基吡咯烷酮或二甲亚砜。
8.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中该阻质层(12)的涂覆是通过一辅助区域(14)的辅助而执行，该辅助层(14)粘着至粘力比基层(24)处的未辐照阻质层小的阻质层(12)，较佳为通过一辅助胶带(14)或一辅助薄片的辅助而执行。
9.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中在将该阻质层(12)涂覆至该基层之前即先提供一抗反射层(16)于该阻质层(12)中或该阻质层(12)处，所述的抗反射层可避免或降低该阻质层(12)处的辐照反射。
10.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中在一涂覆步骤中所涂覆的一阻质层(12)的厚度D1大于30微米、或大于50微米、或大于100微米。
11.如先前各项权利要求中任一项所述的方法，其中该基层(24，104)是根据显影后残留的该阻质层(12)区域(132至136)而加以图样化，较佳为利用一干式蚀刻方式或一湿式化学蚀刻方式加以图样化，
或其中将材料涂覆至显影后所残留的该阻质层(12)区域(32至36)间的该基层(24)的未覆盖区域，较佳为利用贾凡尼法、化学或化学-物理或物理涂覆方法，或其中该基层(24，104)是根据显影后残留的该阻质层(12)区域(132至136)而选择性掺杂。
12.一种粘着剂(12)的使用方法，在辐照期间，该粘着剂(12)的粘力会降低或增加，或一种具有此一粘着剂的粘性胶带(10)或粘性薄片的使用方法，用于选择性图样化一膜层(104)、或用于将材料选择性涂覆至一膜层(24)、或用于一膜层(24)的某些其它选择性处理制程，特别是如先前各项权利要求中任一项所述的方法。
13.一种粘性胶带或粘性薄片的使用方法，用于移除一阻质层(12)的残余物，特别是用于移除已利用如权利要求1至11中任一项所述的方法而加以图样化的阻质层(12)。
14.一种粘性胶带(10)或粘性薄片，其具有一粘性层(12)与一外部膜层(14)，其中该粘性层(12)的粘力在辐照期间会降低或增加，而该外部膜层(14)是配置在该粘性层(12)的一侧，且以一低于2N/20mm或低于1N/20mm或低于0.25N/20mm的粘力粘着至该粘性层(12)，
在该粘性层(12)的另一侧配置了另一外部膜层，所述的另一外部膜层是以一低于2N/20mm或低于1N/20mm或低于0.25N/20mm的粘力粘着至该粘性层(12)。
15.如权利要求14所述的粘性胶带(10)或粘性薄片，其中该另一外部膜层是由一卷绕式粘性胶带的另一区段的一外部膜层(12)所形成、或通过一含有至少两粘性薄片的粘性薄片堆栈的另一粘性薄片的一外部膜层所形成，
及/或其中该粘性层(12)材料适用于一集成电路装置制造中的选择性曝光与显影步骤。
16.一种粘性胶带(10)或粘性薄片，特别是如权利要求14或15中任一项所述者，其具有一粘性层(12)，该粘性层(12)的粘力在辐照期间会降低或增加，
该粘性胶带(10)或该粘性薄片含有至少一抗反射层(16)，其可避免或减少辐照反射。
17.如权利要求16所述的粘性胶带(10)或粘性薄片，其中该抗反射层(16)是配置在该粘性层(12)中或该粘性层(12)处，
及/或该抗反射层(16)的折射率与该粘性层(12)不同，较佳为，该抗反射层(16)的折射率等于在图样化期间所接合的膜层的折射率的几何平均值，及/或该抗反射层(16)的厚度较佳为等于nλ/4，其中λ是辐照波长，而n是该抗反射层(16)的折射率，
及/或该抗反射层(16)对于辐照的吸收度比该粘性层(12)高。
18.一种阻质层，特别是用于如权利要求1至11中任一项所述方法中的一种阻质层，该阻质层(12)含有一固态材料或包含一固态材料，
且该阻质层(12)的材料适用于一集成电路装置制造中的选择性曝光与显影步骤，
其中该阻质层(12)的配置方式可使其于一载体上自由移动、或粘性接着至一载体材料或一保护材料(14，16)，且无须破坏或损伤该阻质层即可将该保护材料(14，16)自该阻质层(12)移除。
19.如权利要求18所述的阻质层(12)，其中该保护材料(14，16)是一胶带或薄片，其以一低于2N/20mm或低于1N/20mm或低于0.25N/20mm的粘力粘着至该阻质层(12)。
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