JPS61137320A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
- Publication number
- JPS61137320A JPS61137320A JP59259140A JP25914084A JPS61137320A JP S61137320 A JPS61137320 A JP S61137320A JP 59259140 A JP59259140 A JP 59259140A JP 25914084 A JP25914084 A JP 25914084A JP S61137320 A JPS61137320 A JP S61137320A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- periphery
- processing apparatus
- wafer processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 54
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はウェハ処理技術、特に、ウェハ上に被着された
フォトレジストの剥がれ防止に通用して効果のある技術
に関する。
フォトレジストの剥がれ防止に通用して効果のある技術
に関する。
半導体装置の製造過程においてウェハ上にフォトレジス
トを塗布することが行われる。
トを塗布することが行われる。
その場合、ウェハをスピンナ上で低速から高速回転させ
ることにより遠心力でフォトレジストをウェハの中心側
から外側に拡げて行くのが通常である。
ることにより遠心力でフォトレジストをウェハの中心側
から外側に拡げて行くのが通常である。
そのため、ウェハ上のフォトレジストはウェハ全面でほ
ぼ均一な膜厚になるものの、ウェハの周辺部は他の部分
より厚くなり、また外周から裏面（下面）にまでフォト
レジストが厚く回り込む。
ぼ均一な膜厚になるものの、ウェハの周辺部は他の部分
より厚くなり、また外周から裏面（下面）にまでフォト
レジストが厚く回り込む。
その結果、ウェハ周辺部のフォトレジストが塗布後のハ
ンドリング中やドライエツチング工程等でウェハから剥
がれ落ちることにより、ウェハに再付着して異物となる
等の問題を引き起こすことがある。
ンドリング中やドライエツチング工程等でウェハから剥
がれ落ちることにより、ウェハに再付着して異物となる
等の問題を引き起こすことがある。
そこで、ウェハ周辺部からのフォトレジストの＠離を防
止するため、縁取り用マスクを利用して露光装置での露
光の前に周辺部を特別に感光させることが考えられるが
、工程数が増加し、特別な設備を必要とすることによる
コストの増大を来す等の問題がある。
止するため、縁取り用マスクを利用して露光装置での露
光の前に周辺部を特別に感光させることが考えられるが
、工程数が増加し、特別な設備を必要とすることによる
コストの増大を来す等の問題がある。
また、ウェハの裏面側から周辺部にシンナーの如き溶剤
を吹き付けて周辺部のフォトレジストのみを溶かして縁
取りすることが考えられる。しかし、この場合には、フ
ォトレジストの厚さによって処理条件が変動する等の困
難が伴うことが本発明者により見い出された。
を吹き付けて周辺部のフォトレジストのみを溶かして縁
取りすることが考えられる。しかし、この場合には、フ
ォトレジストの厚さによって処理条件が変動する等の困
難が伴うことが本発明者により見い出された。
なお、ウェハ処理装置については、株式会社工業調査会
、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料４１９８２
年別冊、Ｐ１Ｇ９〜Ｐ１１６に説明されている。
、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料４１９８２
年別冊、Ｐ１Ｇ９〜Ｐ１１６に説明されている。
（発明の目的〕
本発明の目的は、ウェハ周辺部からのフォトレジストの
剥がれを簡単かつ確実に防止し、異物の低減を図ること
のできる技術を提供することにある。
剥がれを簡単かつ確実に防止し、異物の低減を図ること
のできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
（発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、クエへの周辺部を露光させる手段を備えてい
ることにより、ウェハ周辺部のフォトレジストを除去し
、ウェハ周辺部からのレジスト剥がれによる異物発生を
低減できるものである。
ることにより、ウェハ周辺部のフォトレジストを除去し
、ウェハ周辺部からのレジスト剥がれによる異物発生を
低減できるものである。
第１図は本発明の一実施例であるウェハ処理装置の概要
を示す説明図、第２図はその要部の部分断面図である。
を示す説明図、第２図はその要部の部分断面図である。
本実施例におけるウェハ処理装置はエツチング装置であ
り、多数枚のウェハｌを収納したローダ２からアーム３
で１枚ずつプリアライメント部４に一旦移送してプリア
ライメント操作を施した後、他のアーム５でエツチング
部６にウェハｌを移送してエツチング部６において所望
のエツチング処理装置を施すものである。前記アーム３
と５は揺動軸７に互いに９０度の角度で取り付けられて
おり、揺動軸７を９０度の角度範囲で交互に揺動させる
ことにより、一方のアーム３でローダ２内のウェハ１を
プリアライメント部４に移送し、かつ他方のアーム５で
プリアライメント部４からウェハｌをエツチング部６内
に移送することができる。
り、多数枚のウェハｌを収納したローダ２からアーム３
で１枚ずつプリアライメント部４に一旦移送してプリア
ライメント操作を施した後、他のアーム５でエツチング
部６にウェハｌを移送してエツチング部６において所望
のエツチング処理装置を施すものである。前記アーム３
と５は揺動軸７に互いに９０度の角度で取り付けられて
おり、揺動軸７を９０度の角度範囲で交互に揺動させる
ことにより、一方のアーム３でローダ２内のウェハ１を
プリアライメント部４に移送し、かつ他方のアーム５で
プリアライメント部４からウェハｌをエツチング部６内
に移送することができる。
エツチング部６でフォトエンチングされたウェハ１は受
は渡しステーシラン８を経てアンローダ９に収納される
。
は渡しステーシラン８を経てアンローダ９に収納される
。
本実施例において、前記プリアライメント部４の上方に
は、レーザー光または紫外線発生装置よりなる光１１１
Ｇが配設されている。この光源１０はプリアライメント
部１０に送られてプリアライメントされたフォトレジス
ト塗布済みのウェハ１の周辺部に対してレーザー光また
は紫外線を照射し、ウェハ周辺部のフォトレジスト１１
を感光させる。その場合、フォトレジスト１１はレジス
ト塗布工程においてスピンナ（図示せず）上で高速回転
による遠心力で塗布される際に、第２図に１１ａで示す
如く、他の場合よりもやや厚く盛り上がりかつウェハ１
の外周から裏面側にかけて回り込んでいる。このウェハ
周辺部のフォトレジスト部分１１ａはそのままにしてお
くと、塗布後の取り扱い中等において搬送路や操作治具
等と衝突した際の衝撃力でウェハ１から剥離して異物と
なる。
は、レーザー光または紫外線発生装置よりなる光１１１
Ｇが配設されている。この光源１０はプリアライメント
部１０に送られてプリアライメントされたフォトレジス
ト塗布済みのウェハ１の周辺部に対してレーザー光また
は紫外線を照射し、ウェハ周辺部のフォトレジスト１１
を感光させる。その場合、フォトレジスト１１はレジス
ト塗布工程においてスピンナ（図示せず）上で高速回転
による遠心力で塗布される際に、第２図に１１ａで示す
如く、他の場合よりもやや厚く盛り上がりかつウェハ１
の外周から裏面側にかけて回り込んでいる。このウェハ
周辺部のフォトレジスト部分１１ａはそのままにしてお
くと、塗布後の取り扱い中等において搬送路や操作治具
等と衝突した際の衝撃力でウェハ１から剥離して異物と
なる。
ところが、本実施例では、プリアライメント部４におい
て前記の如くウェハ１の周辺部のフォトレジスト部分１
１ａに対し、光源１０からレーザー光または紫外線を照
射して感光させることにより、このフォトレジスト部分
１１ａはウェハ１の主面上に形成される集積回路パター
ン部のフォトレジスト１１を現像処理する際に該集積回
路パターンと共に除去される。
て前記の如くウェハ１の周辺部のフォトレジスト部分１
１ａに対し、光源１０からレーザー光または紫外線を照
射して感光させることにより、このフォトレジスト部分
１１ａはウェハ１の主面上に形成される集積回路パター
ン部のフォトレジスト１１を現像処理する際に該集積回
路パターンと共に除去される。
したがって、本実施例においては、ウェハｌ上のフォト
レジスト１１のうち周辺部のフォトレジスト部分１１ａ
が１ｕｉｔｔ、て異物となることを確実に防止すること
ができる。
レジスト１１のうち周辺部のフォトレジスト部分１１ａ
が１ｕｉｔｔ、て異物となることを確実に防止すること
ができる。
（１）、ウェハ上のフォトレジストのうちウェハ周辺部
のレジスト部分を露光させる光源を備えていることによ
り、ウェハ周辺部のフォトレジスト部分は現像処理によ
り除去されるので、ウェハ周辺部から剥離して異物とな
ることがなく、異物を低減できる。
のレジスト部分を露光させる光源を備えていることによ
り、ウェハ周辺部のフォトレジスト部分は現像処理によ
り除去されるので、ウェハ周辺部から剥離して異物とな
ることがなく、異物を低減できる。
（叱前記＋１１により、フォトレジスト剥がれに起因す
る異物がウェハの集積回路パターン上に付着してシッー
ト等を発生することがなく、歩留りを向上させることが
できる。
る異物がウェハの集積回路パターン上に付着してシッー
ト等を発生することがなく、歩留りを向上させることが
できる。
以上本発明者によりてなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、ウェハ周辺部に露光させるための光源はフォ
トレジスト塗布装置等に設けてもよい。
トレジスト塗布装置等に設けてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその雪景となった利用分野であるエツチング装置に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、フォトレジスト塗布装置等のウェ
ハ処理装置に広く適用できる。
をその雪景となった利用分野であるエツチング装置に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、フォトレジスト塗布装置等のウェ
ハ処理装置に広く適用できる。
第１図は本発明の一実施例であるウェハ処理装置の概要
を示す説明図、 第２図はその要部の部分断面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ローダ、３・・・アーム、４
・・・アライメント部、５・・・アーム、６・・・エツ
チング部、７・・・揺動軸、８・・・受は渡しステーシ
ラン、９・・・アンローダ、ｌＯ・・・光源、１１・・
・フォトレジスト、ｌｌａ・・・ウェハ周辺部のフォト
レジスト部分。
を示す説明図、 第２図はその要部の部分断面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ローダ、３・・・アーム、４
・・・アライメント部、５・・・アーム、６・・・エツ
チング部、７・・・揺動軸、８・・・受は渡しステーシ
ラン、９・・・アンローダ、ｌＯ・・・光源、１１・・
・フォトレジスト、ｌｌａ・・・ウェハ周辺部のフォト
レジスト部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトレジストを被着させたウェハの処理装置であ
って、ウェハの周辺部を露光させる光源を備えてなるこ
とを特徴とするウェハ処理装置。 ２、光源がレーザー光発生装置であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理装置。 ３、光源が紫外線発生装置であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウェハ処理装置。 ４、ウェハの周辺部の露光がプリアライメント工程で行
われることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
または第３項記載のウェハ処理装置。 ５、ウェハ処理装置がフォトレジスト塗布装置であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理
装置。 ６、ウェハ処理装置がエッチング装置であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259140A JPS61137320A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259140A JPS61137320A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137320A true JPS61137320A (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=17329879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59259140A Pending JPS61137320A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137320A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276828A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-12-01 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63133527A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Nec Corp | 露光プリアライメント装置 |
| US6697145B1 (en) | 1994-09-12 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Substrate processing apparatus for coating photoresist on a substrate and forming a predetermined pattern on a substrate by exposure |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59259140A patent/JPS61137320A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276828A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-12-01 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63133527A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Nec Corp | 露光プリアライメント装置 |
| JPH0569291B2 (ja) * | 1986-11-25 | 1993-09-30 | Nippon Electric Co | |
| US6697145B1 (en) | 1994-09-12 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Substrate processing apparatus for coating photoresist on a substrate and forming a predetermined pattern on a substrate by exposure |
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