JPH0232526A - 基板周縁露光装置 - Google Patents
基板周縁露光装置Info
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- JPH0232526A JPH0232526A JP63184012A JP18401288A JPH0232526A JP H0232526 A JPH0232526 A JP H0232526A JP 63184012 A JP63184012 A JP 63184012A JP 18401288 A JP18401288 A JP 18401288A JP H0232526 A JPH0232526 A JP H0232526A
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- photoresist film
- vacuum chuck
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- semiconductor substrate
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
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- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造プロセスにおいて用いられる基
板周縁露光装置に関する。
板周縁露光装置に関する。
近年、半導体素子の高集積化・高密度化の進展に伴って
半導体製造プロセスにおける回路パターンの欠陥が素子
の信顛性や性能、歩留まりなどの面において大きな影響
を及ぼすようになっている。
半導体製造プロセスにおける回路パターンの欠陥が素子
の信顛性や性能、歩留まりなどの面において大きな影響
を及ぼすようになっている。
しかし、従来の半導体製造プロセスにおいては、加工処
理中の半導体基板の端縁部が製造装置などに接触するこ
とがあるため、半導体基板の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜の剥離が生じてしまい、剥離したレジスト材料
が半導体基板の表面上に飛散して残存する結果、回路パ
ターンとなるレジストパターンに欠陥が発生してしまう
という問題があった。
理中の半導体基板の端縁部が製造装置などに接触するこ
とがあるため、半導体基板の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜の剥離が生じてしまい、剥離したレジスト材料
が半導体基板の表面上に飛散して残存する結果、回路パ
ターンとなるレジストパターンに欠陥が発生してしまう
という問題があった。
そこで、このような問題の発生を防止する方法の一つと
して、第３図で示すように構成された基板周縁露光装置
を用いることにより、半導体基板１の全表面にわたって
形成されたフォトレジスト膜２のうちのレジストパター
ンが形成されるべき中央部２ａを残存させる一方、その
周縁部２ｂのみをあらかじめ除去してしまう方法が採用
されている。この基板周縁露光装置は、半導体基板１を
吸着保持して縦軸周りに回転する真空チャック３と、そ
の上方の所定位置に配設されてフォトレジスト膜２の周
縁部２ｂのみを露光する光ｆｉ４とから構成されている
。
して、第３図で示すように構成された基板周縁露光装置
を用いることにより、半導体基板１の全表面にわたって
形成されたフォトレジスト膜２のうちのレジストパター
ンが形成されるべき中央部２ａを残存させる一方、その
周縁部２ｂのみをあらかじめ除去してしまう方法が採用
されている。この基板周縁露光装置は、半導体基板１を
吸着保持して縦軸周りに回転する真空チャック３と、そ
の上方の所定位置に配設されてフォトレジスト膜２の周
縁部２ｂのみを露光する光ｆｉ４とから構成されている
。
そして、この基板周縁露光装置によるフォトレジスト膜
周縁部２ｂの除去は、つぎのようにして行われる。
周縁部２ｂの除去は、つぎのようにして行われる。
まず、フォトレジスト膜２が全表面にわたって形成され
た半導体基板１を真空チャック３上に載置して吸着固定
したのち、光源４からレジスト材料が感光する光を照射
して露光しつつ、真空チャック３を回転させる。したが
って、この処理によれば、フォトレジスト膜２の周縁部
２ｂのみが露光されることになり、このフォトレジスト
膜２に対して現像処理を施した際には、フォトレジスト
膜２の周縁部２ｂのみが除去され、半導体基板１の表面
にはフォトレジスト膜２の中央部２ａのみが残存するこ
とになる。
た半導体基板１を真空チャック３上に載置して吸着固定
したのち、光源４からレジスト材料が感光する光を照射
して露光しつつ、真空チャック３を回転させる。したが
って、この処理によれば、フォトレジスト膜２の周縁部
２ｂのみが露光されることになり、このフォトレジスト
膜２に対して現像処理を施した際には、フォトレジスト
膜２の周縁部２ｂのみが除去され、半導体基板１の表面
にはフォトレジスト膜２の中央部２ａのみが残存するこ
とになる。
ところで、前述した基板周縁露光装置を用いてフォトレ
ジスト膜周縁部２ｂの露光を行う際には、多大な露光量
が必要とされるため、公知文献「Ｋｏｄａｋ Ｍｉ
ｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＳｅｍｉｎａｒ Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ （１９７９）」の１２５〜１
３４ページで明らかにされているように、レジスト材料
の光反応に基づく窒素（Ｎ２）の発生によって発泡現象
が起こり、かつ、これによって剥離したレジスト材料が
フォトレジスト膜２の中央部２ａにまで飛散して第４図
で示すように付着してしまう。その結果、このようにし
て付着したレジスト材料によってレジストパターンの欠
陥が発生することになるため、レジストパターン欠陥の
発生を有効に防止することはできなかった。
ジスト膜周縁部２ｂの露光を行う際には、多大な露光量
が必要とされるため、公知文献「Ｋｏｄａｋ Ｍｉ
ｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＳｅｍｉｎａｒ Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ （１９７９）」の１２５〜１
３４ページで明らかにされているように、レジスト材料
の光反応に基づく窒素（Ｎ２）の発生によって発泡現象
が起こり、かつ、これによって剥離したレジスト材料が
フォトレジスト膜２の中央部２ａにまで飛散して第４図
で示すように付着してしまう。その結果、このようにし
て付着したレジスト材料によってレジストパターンの欠
陥が発生することになるため、レジストパターン欠陥の
発生を有効に防止することはできなかった。
なお、露光処理にあたって多大な露光量が必要となるの
は、つぎのような理由によるものである。
は、つぎのような理由によるものである。
すなわち、半導体製造プロセスでは、フォトレジスト膜
周縁部２ｂを除去する工程に先立つ製造工程において、
半導体基板１の表面にレジスト材料を滴下したうえで真
空チャック３を高速回転させることによって均一な厚み
のフォトレジスト膜２を形成しているが、このとき、レ
ジスト材料の若干量が半導体基板１の裏面側にまで回り
込んで付着してしまう。そこで、この半導体基板ｌの裏
面をレジスト溶解液で洗浄することによって回り込んだ
レジスト材料を除去することが行われるが、このような
洗浄に伴い、半導体基板１の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜２の端縁部が第５図で拡大して示すように盛り
上がってしまう。したがって、このように盛り上がった
フォトレジスト膜２の端縁部を露光して除去するために
は、多大な露光量が必要となってしまう。
周縁部２ｂを除去する工程に先立つ製造工程において、
半導体基板１の表面にレジスト材料を滴下したうえで真
空チャック３を高速回転させることによって均一な厚み
のフォトレジスト膜２を形成しているが、このとき、レ
ジスト材料の若干量が半導体基板１の裏面側にまで回り
込んで付着してしまう。そこで、この半導体基板ｌの裏
面をレジスト溶解液で洗浄することによって回り込んだ
レジスト材料を除去することが行われるが、このような
洗浄に伴い、半導体基板１の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜２の端縁部が第５図で拡大して示すように盛り
上がってしまう。したがって、このように盛り上がった
フォトレジスト膜２の端縁部を露光して除去するために
は、多大な露光量が必要となってしまう。
この発明は、このような不都合を解消するために創案さ
れたものであり、半導体基板に形成されたフォトレジス
ト膜周縁部の露光を行う際におけるレジスト材料の発泡
現象に伴って生じるレジストパターン欠陥の発生を有効
に防止することができる基板周縁露光装置の提供を目的
としている。
れたものであり、半導体基板に形成されたフォトレジス
ト膜周縁部の露光を行う際におけるレジスト材料の発泡
現象に伴って生じるレジストパターン欠陥の発生を有効
に防止することができる基板周縁露光装置の提供を目的
としている。
この発明は、フォトレジスト膜が形成された半導体基板
を吸着保持して縦軸周りに回転する真空チャックと、そ
の上方の所定位置に配設されて前記フォトレジスト膜の
周縁部のみを露光する光源とを備えた基板周縁露光装置
において、前記真空チャックの上方に、前記フォトレジ
スト膜の中央部を覆いうる保護カバーを上下動可能に設
けた構成に特徴を有するものである。
を吸着保持して縦軸周りに回転する真空チャックと、そ
の上方の所定位置に配設されて前記フォトレジスト膜の
周縁部のみを露光する光源とを備えた基板周縁露光装置
において、前記真空チャックの上方に、前記フォトレジ
スト膜の中央部を覆いうる保護カバーを上下動可能に設
けた構成に特徴を有するものである。
上記構成によれば、下降した保護カバーによってフォト
レジスト膜の中央部を覆ったのち、光源からレジスト材
料が感光する光を照射することによってフォトレジスト
膜の周縁部のみを露光するので、露光量が多大となって
レジスト材料が飛散しても、飛散してきたレジスト材料
は保護カバーに付着することになる。したがって、この
ようなレジスト材料が半導体基板の表面上に形成された
フォトレジスト膜の中央部、すなわち、レジストパター
ン形成部に付着することはなくなり、レジストパターン
欠陥の発生が有効に防止されることになる。
レジスト膜の中央部を覆ったのち、光源からレジスト材
料が感光する光を照射することによってフォトレジスト
膜の周縁部のみを露光するので、露光量が多大となって
レジスト材料が飛散しても、飛散してきたレジスト材料
は保護カバーに付着することになる。したがって、この
ようなレジスト材料が半導体基板の表面上に形成された
フォトレジスト膜の中央部、すなわち、レジストパター
ン形成部に付着することはなくなり、レジストパターン
欠陥の発生が有効に防止されることになる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板周縁露光装置の
構成を示す断面図である。なお、本実施例に示す基板周
縁露光装置の構成については、保護カバーが設けられた
以外、前述した従来例と基本的に異ならないので、第１
図において第３図と互いに同一もしくは相当する部品、
部分については同一符号を付し、その説明は省略する。
構成を示す断面図である。なお、本実施例に示す基板周
縁露光装置の構成については、保護カバーが設けられた
以外、前述した従来例と基本的に異ならないので、第１
図において第３図と互いに同一もしくは相当する部品、
部分については同一符号を付し、その説明は省略する。
第１図における符号５は、半導体基板ｌに形成されたフ
ォトレジスト膜２の中央部２ａ、すなわち、レジストパ
ターンが形成されるべき部分をその上方から覆いうる保
護カバーであって、この保護カバー５は下側に開口を有
する円形箱状に形成されている。そして、この保護カバ
ー５は真空チャック３の上方に所定間隔だけ離間した対
向位置に配設されており、その上面中央に取りつけられ
た支持棒６によって上下動可能に支持されている。
ォトレジスト膜２の中央部２ａ、すなわち、レジストパ
ターンが形成されるべき部分をその上方から覆いうる保
護カバーであって、この保護カバー５は下側に開口を有
する円形箱状に形成されている。そして、この保護カバ
ー５は真空チャック３の上方に所定間隔だけ離間した対
向位置に配設されており、その上面中央に取りつけられ
た支持棒６によって上下動可能に支持されている。
つぎに、本実施例に係る基板周縁露光装置によるフォト
レジスト膜２の露光処理について説明する。
レジスト膜２の露光処理について説明する。
まず、フォトレジスト膜２が全表面にわたって形成され
た半導体基板１を真空チャック３上に載置して吸着固定
したのち、真空チャック３上に吸着保持された半導体基
板１の上方から保護カバー５を下降させる。そして、こ
の保護カバー５の下端面をフォトレジスト膜２の上面か
ら若干離間した非密着位置、すなわち、浮かせた位置に
配置し、この保護カバー５によってレジストパターンが
形成されるべきフォトレジスト膜２の中央部２ａのみを
覆う、つぎに、この保護カバー５の側部に配設された光
源４からレジスト材料が感光する光を照射して露光しつ
つ、真空チャック３を回転させる。このことにより、保
護カバー５で覆われていないフォトレジスト膜２の周縁
部２ｂのみが露光され、保護カバー５で覆われたフォト
レジスト膜２の中央部２ａは露光されないままで残存す
ることになる。
た半導体基板１を真空チャック３上に載置して吸着固定
したのち、真空チャック３上に吸着保持された半導体基
板１の上方から保護カバー５を下降させる。そして、こ
の保護カバー５の下端面をフォトレジスト膜２の上面か
ら若干離間した非密着位置、すなわち、浮かせた位置に
配置し、この保護カバー５によってレジストパターンが
形成されるべきフォトレジスト膜２の中央部２ａのみを
覆う、つぎに、この保護カバー５の側部に配設された光
源４からレジスト材料が感光する光を照射して露光しつ
つ、真空チャック３を回転させる。このことにより、保
護カバー５で覆われていないフォトレジスト膜２の周縁
部２ｂのみが露光され、保護カバー５で覆われたフォト
レジスト膜２の中央部２ａは露光されないままで残存す
ることになる。
そして、このとき、フォトレジスト膜２の周縁部２ｂに
おいては、前述したような発泡現象が起こるが、剥離し
て飛散したレジスト材料はフォトレジスト膜２の中央部
２ａ上に配置された保護カバー５の側壁にあたって付着
することになるので、飛散したレジスト材料がフォトレ
ジスト膜２の中央部２ａに付着することはなくなる。そ
のため、露光処理の終了後に保護カバー５を上方に引き
上げれば、第２図に示すように、何らのパターン欠陥が
発生していない良好なフォトレジスト膜２の中央部２ａ
、すなわち、レジストパターン形成部を得ることができ
る。
おいては、前述したような発泡現象が起こるが、剥離し
て飛散したレジスト材料はフォトレジスト膜２の中央部
２ａ上に配置された保護カバー５の側壁にあたって付着
することになるので、飛散したレジスト材料がフォトレ
ジスト膜２の中央部２ａに付着することはなくなる。そ
のため、露光処理の終了後に保護カバー５を上方に引き
上げれば、第２図に示すように、何らのパターン欠陥が
発生していない良好なフォトレジスト膜２の中央部２ａ
、すなわち、レジストパターン形成部を得ることができ
る。
なお、以上の説明においては、フォトレジスト膜２の中
央部２ａを覆う保護カバー５の形状が下側に開口を存す
る円形箱状であるものとして説明したが、この形状に限
定されるものではない。すなわち、この保護カバー５は
フォトレジスト膜周縁部２ｂから剥離したレジスト材料
がフォトレジスト膜中央部２ａに付着することを防止で
きさえすればよく、この中央部２ａを部分的に覆う形状
のものであってもよい。
央部２ａを覆う保護カバー５の形状が下側に開口を存す
る円形箱状であるものとして説明したが、この形状に限
定されるものではない。すなわち、この保護カバー５は
フォトレジスト膜周縁部２ｂから剥離したレジスト材料
がフォトレジスト膜中央部２ａに付着することを防止で
きさえすればよく、この中央部２ａを部分的に覆う形状
のものであってもよい。
以上説明したように、この発明によれば、半導体基板上
に形成されたフォトレジスト膜の中央部、すなわち、レ
ジストパターンが形成されるべき部分を覆いうる保護カ
バーを上下動可能に設けるとともに、露光処理時には保
護カバーによって前記中央部を覆うので、この露光処理
に伴う発泡現象によって剥離して飛散したレジスト材料
は保護カバーに付着することになる。したがって、飛散
したレジスト材料がフォトレジスト膜の中央部に付着す
ることはなくなり、レジストパターン欠陥の発生が有効
に防止されることになる。そのため、このようなレジス
トパターンの欠陥による回路パターン欠陥の発生を、有
効に防止することができる。
に形成されたフォトレジスト膜の中央部、すなわち、レ
ジストパターンが形成されるべき部分を覆いうる保護カ
バーを上下動可能に設けるとともに、露光処理時には保
護カバーによって前記中央部を覆うので、この露光処理
に伴う発泡現象によって剥離して飛散したレジスト材料
は保護カバーに付着することになる。したがって、飛散
したレジスト材料がフォトレジスト膜の中央部に付着す
ることはなくなり、レジストパターン欠陥の発生が有効
に防止されることになる。そのため、このようなレジス
トパターンの欠陥による回路パターン欠陥の発生を、有
効に防止することができる。
第１図および第２図は本発明に係り、第１図は基板周縁
露光装置の構成を示す断面図であり、第２図はこの装置
の使用によって得られたフォトレジスト膜の形状を示す
断面図である。 また、第３図ないし第５図は従来例に係り、第３図は基
板周縁露光装置の構成を示す断面図、第４図はこの装置
の使用によって得られたフォトレシスト膜の形状を示す
断面図であり、第５図は製造工程におけるフォトレジス
ト膜の端縁部形状を拡大して示す説明図である。 図における符号１は半導体基板、２はフォトレジスト膜
、２ａはその中央部、２ｂはその周縁部、３は真空チャ
ック、４は光源、５は保護カバーである。 なお、図中の同一符号は、互いに同一または相当する部
品、部分を示している。
露光装置の構成を示す断面図であり、第２図はこの装置
の使用によって得られたフォトレジスト膜の形状を示す
断面図である。 また、第３図ないし第５図は従来例に係り、第３図は基
板周縁露光装置の構成を示す断面図、第４図はこの装置
の使用によって得られたフォトレシスト膜の形状を示す
断面図であり、第５図は製造工程におけるフォトレジス
ト膜の端縁部形状を拡大して示す説明図である。 図における符号１は半導体基板、２はフォトレジスト膜
、２ａはその中央部、２ｂはその周縁部、３は真空チャ
ック、４は光源、５は保護カバーである。 なお、図中の同一符号は、互いに同一または相当する部
品、部分を示している。
Claims (1)
- （１）フォトレジスト膜が形成された半導体基板を吸着
保持して縦軸周りに回転する真空チャックと、その上方
の所定位置に配設されて前記フォトレジスト膜の周縁部
のみを露光する光源とを備えた基板周縁露光装置におい
て、 前記真空チャックの上方に、前記フォトレジスト膜の中
央部を覆いうる保護カバーを上下動可能に設けたことを
特徴とする基板周縁露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184012A JP2652043B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | フォトレジスト膜の周縁露光装置及び周縁露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184012A JP2652043B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | フォトレジスト膜の周縁露光装置及び周縁露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0232526A true JPH0232526A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2652043B2 JP2652043B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16145789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184012A Expired - Lifetime JP2652043B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | フォトレジスト膜の周縁露光装置及び周縁露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652043B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04121728U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-10-30 | 太陽誘電株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| WO2011122225A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 芦森工業株式会社 | タング |
| CN106527062A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-03-22 | 惠科股份有限公司 | 一种曝光机及其图像偏移防治方法和系统 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107799456B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-02-04 | 德淮半导体有限公司 | 静电吸盘的保护治具及打磨方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5111573A (en) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Nippon Electric Co | Handotaisoshino seizohoho |
| JPS5724538A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS617330A (ja) * | 1984-04-11 | 1986-01-14 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 熱硬化性シアネ−ト樹脂並びに複合材及びｉｐｎ製造への使用 |
| JPS61226750A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184012A patent/JP2652043B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2652043B2 (ja) | 1997-09-10 |
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