JPH0334050B2 - - Google Patents
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- JPH0334050B2 JPH0334050B2 JP11314782A JP11314782A JPH0334050B2 JP H0334050 B2 JPH0334050 B2 JP H0334050B2 JP 11314782 A JP11314782 A JP 11314782A JP 11314782 A JP11314782 A JP 11314782A JP H0334050 B2 JPH0334050 B2 JP H0334050B2
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- metal thin
- substrate
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置製造用基板の製造方法、特
に半導体ウエハの露光などに用いるマスクの製造
において、マスク周辺部分の上に成長される金属
薄膜の剥離を防止するマスクの製造方法に関す
る。
に半導体ウエハの露光などに用いるマスクの製造
において、マスク周辺部分の上に成長される金属
薄膜の剥離を防止するマスクの製造方法に関す
る。
(2) 技術の背景
現在、半導体装置の製造工程例えば半導体ウエ
ハの露光等に用いるマスクの製作にはガラス基板
（ハードブランクと呼ばれる）が用いられ、この
基板上に例えばクロム（Cr）の如き金属の薄膜
を成長する。かかる金属薄膜は露光、現像、エツ
チング、水洗等の工程によつてパターニングさ
れ、マスクが完成する。従来ハードブランク上に
金属薄膜を成長するには第１図の模式的平面図に
示される装置が用いられ、図において、１は回転
可能な基板搭載用の台、２はガラス基板を示す。
図にはかかる基板は３枚しか示されないが、それ
は台１のまわりに沿つてより多くのものが等間隔
で配置される。台１はガラス基板２を下向きに搭
載して回転し、台の下方からクロム粒子が下向き
のガラス基板２の表面に向けて飛ばされ、その上
に付着してクロム薄膜が成長する。なお同図にお
いて３はガラス基板２を台に固定するためのワイ
ヤの如き固定手段である。
ハの露光等に用いるマスクの製作にはガラス基板
（ハードブランクと呼ばれる）が用いられ、この
基板上に例えばクロム（Cr）の如き金属の薄膜
を成長する。かかる金属薄膜は露光、現像、エツ
チング、水洗等の工程によつてパターニングさ
れ、マスクが完成する。従来ハードブランク上に
金属薄膜を成長するには第１図の模式的平面図に
示される装置が用いられ、図において、１は回転
可能な基板搭載用の台、２はガラス基板を示す。
図にはかかる基板は３枚しか示されないが、それ
は台１のまわりに沿つてより多くのものが等間隔
で配置される。台１はガラス基板２を下向きに搭
載して回転し、台の下方からクロム粒子が下向き
のガラス基板２の表面に向けて飛ばされ、その上
に付着してクロム薄膜が成長する。なお同図にお
いて３はガラス基板２を台に固定するためのワイ
ヤの如き固定手段である。
(3) 従来技術と問題点
上記の如くにして金属薄膜が成長されたガラス
基板においては、その４隅の固定手段が接した部
分を除き、ガラス基板の全面上に金属薄膜が付着
している。
基板においては、その４隅の固定手段が接した部
分を除き、ガラス基板の全面上に金属薄膜が付着
している。
ところで、前記したガラス基板に対して行われ
る種々の工程において、ガラス基板は人手により
取り扱われることが多い。その際に作業者は手袋
を着用するなどしてガラス基板の縁部の近くの表
面を汚すことのないよう十分に注意するが、それ
でもガラス基板の４つの縁に沿つた表面が汚され
ることは避けられない。その結果、ガラス基板の
汚された部分においては金属薄膜のガラス基板に
対する付着力が弱くなり、金属薄膜が剥離され易
くなる。
る種々の工程において、ガラス基板は人手により
取り扱われることが多い。その際に作業者は手袋
を着用するなどしてガラス基板の縁部の近くの表
面を汚すことのないよう十分に注意するが、それ
でもガラス基板の４つの縁に沿つた表面が汚され
ることは避けられない。その結果、ガラス基板の
汚された部分においては金属薄膜のガラス基板に
対する付着力が弱くなり、金属薄膜が剥離され易
くなる。
液体（薬液、純水等）を用いる工程中にかかる
金属薄膜の剥離があると、剥離された金属薄膜の
小片が液体中に遊動し、ガラス基板の金属膜パタ
ーン（実パターン）やガラス部分に付着する。こ
のように実パターンやガラス部分に付着した剥離
片はそれを除去することがきわめて難しく、作業
者が完全に取り除き得なかつたかまたは看過され
た剥離片がそのまま実パターンやガラス部分上に
残ると、露光においてその部分の下におかれたウ
エハのチツプはパターン欠陥または黒点不良とな
り、そのチツプの信頼性が損なわれる。
金属薄膜の剥離があると、剥離された金属薄膜の
小片が液体中に遊動し、ガラス基板の金属膜パタ
ーン（実パターン）やガラス部分に付着する。こ
のように実パターンやガラス部分に付着した剥離
片はそれを除去することがきわめて難しく、作業
者が完全に取り除き得なかつたかまたは看過され
た剥離片がそのまま実パターンやガラス部分上に
残ると、露光においてその部分の下におかれたウ
エハのチツプはパターン欠陥または黒点不良とな
り、そのチツプの信頼性が損なわれる。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、スパツタリン
グによつてハードブランクの上に金属薄膜を成長
し、金属薄膜をパターニングしてマスクを形成す
る工程において、前記金属薄膜の剥離することを
防止する方法を提供するにある。
グによつてハードブランクの上に金属薄膜を成長
し、金属薄膜をパターニングしてマスクを形成す
る工程において、前記金属薄膜の剥離することを
防止する方法を提供するにある。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、マスク製作
に使用されるガラス基板の如きハードブランクの
４つの縁に沿う基板表面上には金属薄膜が付着せ
しめられることのないように、金属薄膜の形成に
おいてマスクの周辺部をおおうものである。すな
わち、本発明は、基板上に金属薄膜を付着し該金
属薄膜をパターニングして半導体ウエハ等の露光
用のマスクを形成するにおいて、スパツタリング
装置の台の表面にほぼ基板の深さにＬ字型部を形
成して断面凹字形のくぼみを設け、該くぼみ内に
基板を台に密着して嵌合し該台のＬ字型部で該基
板の部分をおおい、基板の下方から金属薄幕形成
用の金属粒子を飛散させ、台の該Ｌ字型部でおお
われた該部分以外に金属薄膜を付着せしめること
を特徴とする半導体装置製造用基板の製造方法を
提供する。
に使用されるガラス基板の如きハードブランクの
４つの縁に沿う基板表面上には金属薄膜が付着せ
しめられることのないように、金属薄膜の形成に
おいてマスクの周辺部をおおうものである。すな
わち、本発明は、基板上に金属薄膜を付着し該金
属薄膜をパターニングして半導体ウエハ等の露光
用のマスクを形成するにおいて、スパツタリング
装置の台の表面にほぼ基板の深さにＬ字型部を形
成して断面凹字形のくぼみを設け、該くぼみ内に
基板を台に密着して嵌合し該台のＬ字型部で該基
板の部分をおおい、基板の下方から金属薄幕形成
用の金属粒子を飛散させ、台の該Ｌ字型部でおお
われた該部分以外に金属薄膜を付着せしめること
を特徴とする半導体装置製造用基板の製造方法を
提供する。
(6) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によつて説明する。
ガラス基板が方形である場合を例にとると、本
発明においては、第２図ａの平面図に示されるよ
うに（なお第２図以下において、既に図示された
部分と同じ部分は同一符号を付して示す）、金属
薄膜５は基板２の４つの縁に沿つた表面５以外の
表面部分に形成するものとし、ガラス基板が露出
した部分に金属薄膜４を付着させる。そして、こ
の金属薄膜が成長されない表面５の幅はマスクの
寸法によつて適宜定めるが、現在使用される通常
のマスクの場合５mm程度とする。
発明においては、第２図ａの平面図に示されるよ
うに（なお第２図以下において、既に図示された
部分と同じ部分は同一符号を付して示す）、金属
薄膜５は基板２の４つの縁に沿つた表面５以外の
表面部分に形成するものとし、ガラス基板が露出
した部分に金属薄膜４を付着させる。そして、こ
の金属薄膜が成長されない表面５の幅はマスクの
寸法によつて適宜定めるが、現在使用される通常
のマスクの場合５mm程度とする。
ガラス基板２が円形であるときは、そのまわり
に沿つた表面５上に金属薄膜を成長することをせ
ず、表面５の幅は方形のガラス基板の場合と同様
通常のマスクの場合５mm程度にする。
に沿つた表面５上に金属薄膜を成長することをせ
ず、表面５の幅は方形のガラス基板の場合と同様
通常のマスクの場合５mm程度にする。
第２図ｃは同図ａまたはｂに示した基板２の中
心線に沿う断面図で、表面５においては金属薄膜
が付着せずガラス基板がそのまま露出している。
心線に沿う断面図で、表面５においては金属薄膜
が付着せずガラス基板がそのまま露出している。
上記した構成のガラス基板を使用したところ、
金属薄膜の剥離がほとんど発生しないことが確認
された。
金属薄膜の剥離がほとんど発生しないことが確認
された。
ガラス基板上に上記の如く金属薄膜を付着する
には、スパツタリング装置の台１を第３図に示す
如く用意する。同図は台１のガラス基板装着部分
を断面で示し、スパツタリングは台１の下方から
白抜矢印の方向に向けてなされる。
には、スパツタリング装置の台１を第３図に示す
如く用意する。同図は台１のガラス基板装着部分
を断面で示し、スパツタリングは台１の下方から
白抜矢印の方向に向けてなされる。
台１の表面には、ほぼガラス基板２の深さにＬ
字部６を形成し、断面凹字形のくぼみ７を設け、
このくぼみ７内にガラス基板２を第３図に示され
るように台１に密着して嵌合する。Ｌ字部６の横
（または水平）部分の長さは金属薄膜を成長しな
い表面５の幅に対応して設定し、本実施例におい
ては５mmとした。くぼみ７は、使用されるガラス
基板の形状に対応して方形または円形とする。
字部６を形成し、断面凹字形のくぼみ７を設け、
このくぼみ７内にガラス基板２を第３図に示され
るように台１に密着して嵌合する。Ｌ字部６の横
（または水平）部分の長さは金属薄膜を成長しな
い表面５の幅に対応して設定し、本実施例におい
ては５mmとした。くぼみ７は、使用されるガラス
基板の形状に対応して方形または円形とする。
台１を図示の如くに用意することによつて、ガ
ラス基板２への金属薄膜の付着のためにはそれを
くぼみ７内に嵌め込むだけで足り、その状態で台
１のＬ字部６で基板２の部分５をおおい（マスキ
ングし）、他になんらの固定手段とかマスキング
手段を必要としないので、従来技術に用いられた
台に比べてより簡単に設置しうるだけでなく、ガ
ラス基板の装着、取外しが容易になされる利点が
ある。また、Ｌ字部６の横部分はスパツタリング
に対しガラス基板の４つの縁に沿う表面部分を完
全に遮蔽するので金属薄膜が付着せずガラス基板
が露出した部分５が正確に形成される。
ラス基板２への金属薄膜の付着のためにはそれを
くぼみ７内に嵌め込むだけで足り、その状態で台
１のＬ字部６で基板２の部分５をおおい（マスキ
ングし）、他になんらの固定手段とかマスキング
手段を必要としないので、従来技術に用いられた
台に比べてより簡単に設置しうるだけでなく、ガ
ラス基板の装着、取外しが容易になされる利点が
ある。また、Ｌ字部６の横部分はスパツタリング
に対しガラス基板の４つの縁に沿う表面部分を完
全に遮蔽するので金属薄膜が付着せずガラス基板
が露出した部分５が正確に形成される。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の方法に
おいては、ハードブランクの４つの縁に沿つて、
金属薄膜の成長されない基板の露出した表面部
分、すなわちハードブランクの周辺に金属薄膜を
付着しないことによつて、従来のハードブランク
の取り扱い中に見られた金属薄膜の剥離の問題が
解消され、製造されるウエハの如き半導体装置の
信頼性を高めるだけでなく、かかる構成のハード
ブランクの形成は容易になされうるので、マスク
製造の歩留りも改善される。なお上記においてク
ロムとガラス基板を例にとつて説明したが、本発
明の適用範囲はその場合に限定されるものではな
く、その他の材料を用いる場合にも及ぶものであ
る。
おいては、ハードブランクの４つの縁に沿つて、
金属薄膜の成長されない基板の露出した表面部
分、すなわちハードブランクの周辺に金属薄膜を
付着しないことによつて、従来のハードブランク
の取り扱い中に見られた金属薄膜の剥離の問題が
解消され、製造されるウエハの如き半導体装置の
信頼性を高めるだけでなく、かかる構成のハード
ブランクの形成は容易になされうるので、マスク
製造の歩留りも改善される。なお上記においてク
ロムとガラス基板を例にとつて説明したが、本発
明の適用範囲はその場合に限定されるものではな
く、その他の材料を用いる場合にも及ぶものであ
る。
第１図は従来のハードブランクに金属薄膜を成
長するスパツタリング装置のハードブランク搭載
用の台を下から見た図、第２図ａとｂは本発明に
よるハードブランクの平面図、そのｃは前記ハー
ドブランクの中心線に沿う断面図、第３図は第２
図のハードブランクを作るに用いられるスパツタ
リング装置のハードブランク搭載台のハードブラ
ンク装着部分の断面図である。 １……台、２……ガラス基板、３……固定手
段、４……金属薄膜、５……金属薄膜の付着され
ない表面部分、６……Ｌ字部、７……くぼみ。
長するスパツタリング装置のハードブランク搭載
用の台を下から見た図、第２図ａとｂは本発明に
よるハードブランクの平面図、そのｃは前記ハー
ドブランクの中心線に沿う断面図、第３図は第２
図のハードブランクを作るに用いられるスパツタ
リング装置のハードブランク搭載台のハードブラ
ンク装着部分の断面図である。 １……台、２……ガラス基板、３……固定手
段、４……金属薄膜、５……金属薄膜の付着され
ない表面部分、６……Ｌ字部、７……くぼみ。
Claims (1)
- １ 基板２上に金属薄膜４を付着し該金属薄膜を
パターニングして半導体ウエハ等の露光用のマス
クを形成するにおいて、スパツタリング装置の台
１の表面にほぼ基板２の深さにＬ字型部６を形成
して断面凹字形のくぼみ７を設け、該くぼみ７内
に基板２を台１に密着して嵌合し該台１のＬ字型
部６で該基板２の部分５をおおい、基板２の下方
から金属薄幕形成用の金属粒子を飛散させ、台１
の該Ｌ字型部６でおおわれた該部分５以外に金属
薄膜４を付着せしめることを特徴とする半導体装
置製造用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113147A JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113147A JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593437A JPS593437A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0334050B2 true JPH0334050B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=14604753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113147A Granted JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593437A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03110438U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-13 | ||
| JPH08149644A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Kyoei Fuensu Kogyo Kk | 高圧送電鉄塔取付用表示板 |
| JPWO2004051369A1 (ja) | 2002-12-03 | 2006-04-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
| JP2005210093A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| US20050238922A1 (en) * | 2003-12-25 | 2005-10-27 | Hoya Corporation | Substrate with a multilayer reflection film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and methods of manufacturing them |
| JP6428400B2 (ja) | 2015-03-13 | 2018-11-28 | 信越化学工業株式会社 | マスクブランクス及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4111154Y1 (ja) * | 1964-06-05 | 1966-05-25 | ||
| JPS5891450A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Nec Kyushu Ltd | フオトマスク |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113147A patent/JPS593437A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4111154Y1 (ja) * | 1964-06-05 | 1966-05-25 | ||
| JPS5891450A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Nec Kyushu Ltd | フオトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593437A (ja) | 1984-01-10 |
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