JPS593437A - 半導体装置製造用基板 - Google Patents
半導体装置製造用基板Info
- Publication number
- JPS593437A JPS593437A JP57113147A JP11314782A JPS593437A JP S593437 A JPS593437 A JP S593437A JP 57113147 A JP57113147 A JP 57113147A JP 11314782 A JP11314782 A JP 11314782A JP S593437 A JPS593437 A JP S593437A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- thin film
- metal thin
- film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は半導体装置製造用基板、詳しくはその上に成長
される金属ｉ膜の剥離を防止する構成のマスク製作に、
用いる基板に関する。
される金属ｉ膜の剥離を防止する構成のマスク製作に、
用いる基板に関する。
（２）技術の背景
現在、半導体装置の製造工程例えば半導体ウェハの露光
等に用いるマスクの製作にはガラス基板（ハードブラン
クと呼ばれる）が用いられ、この基板上に例えばクロム
（Ｃｒ）の如き金属の薄膜を成長する。かかる金属薄膜
は露光、現像、工・ノチング、水洗等の工程によってノ
でターニング゛され、マスクが完成する。従来ノ＼−ド
ブランク上Ｇこ金属薄膜を成長するには第１図の模式的
平面図に示される装置が用いられ、図において、１は回
転可能な基板搭載用の台、２はガラス基板を示す。図Ｇ
こはかかる基板は３枚しか示されないが、それ番よ台１
のまわりに沿ってより多くのものが等間隔で配置される
。台ｌはガラス基板２を下向きに搭載して回転し、台の
下方からクロム粒子が下向きの力′ラス基板２の表面に
向けて飛ばされ、その上にイ寸着してクロムｉ膜が成長
する。なお同図におし）で３はガラス基板２を台に固定
するためのワイヤの如き固定手段である。
等に用いるマスクの製作にはガラス基板（ハードブラン
クと呼ばれる）が用いられ、この基板上に例えばクロム
（Ｃｒ）の如き金属の薄膜を成長する。かかる金属薄膜
は露光、現像、工・ノチング、水洗等の工程によってノ
でターニング゛され、マスクが完成する。従来ノ＼−ド
ブランク上Ｇこ金属薄膜を成長するには第１図の模式的
平面図に示される装置が用いられ、図において、１は回
転可能な基板搭載用の台、２はガラス基板を示す。図Ｇ
こはかかる基板は３枚しか示されないが、それ番よ台１
のまわりに沿ってより多くのものが等間隔で配置される
。台ｌはガラス基板２を下向きに搭載して回転し、台の
下方からクロム粒子が下向きの力′ラス基板２の表面に
向けて飛ばされ、その上にイ寸着してクロムｉ膜が成長
する。なお同図におし）で３はガラス基板２を台に固定
するためのワイヤの如き固定手段である。
（３）従来技術と問題点
上記の如くにして金属１１１９が成長された力°ラス基
板においては、その４隅の固定手段が接した部分を除き
、ガラス基板の全面上に金属薄膜力（イ寸着している。
板においては、その４隅の固定手段が接した部分を除き
、ガラス基板の全面上に金属薄膜力（イ寸着している。
ところで、前記したガラス基板に対して行われる種々の
工程において、ガラス基板は人手により取り扱われるこ
とが多い。その際に作業者は手袋を着用するなどしてガ
ラス基板の縁部の近くの表面を汚すことのないよう十分
に注意するが、それでもガラス基板の４つの縁に沿った
表面が汚されることは避けられない。その結果、ガラス
基板の汚された部分においては金属薄膜のガラス基板に
対する付着力が弱（なり、金属薄膜が剥離され易くなる
。
工程において、ガラス基板は人手により取り扱われるこ
とが多い。その際に作業者は手袋を着用するなどしてガ
ラス基板の縁部の近くの表面を汚すことのないよう十分
に注意するが、それでもガラス基板の４つの縁に沿った
表面が汚されることは避けられない。その結果、ガラス
基板の汚された部分においては金属薄膜のガラス基板に
対する付着力が弱（なり、金属薄膜が剥離され易くなる
。
液体（薬液、純水等）を用いる工程中にかかる金属薄膜
の剥離があると、剥離された金属薄膜の小片が液体中を
遊動し、ガラス基板のガラス部分に付着する。ガラス部
分に付着した剥離片はそれを除去することがきわめて難
しい。作業者が完全に取り除き得なかったかまたば看過
された剥離片がそのままガラス部分上に残ると、露光に
おいてその部分の下におかれたウェハのチップは黒点不
良となり、そのチップの信頼性が損なわれる。
の剥離があると、剥離された金属薄膜の小片が液体中を
遊動し、ガラス基板のガラス部分に付着する。ガラス部
分に付着した剥離片はそれを除去することがきわめて難
しい。作業者が完全に取り除き得なかったかまたば看過
された剥離片がそのままガラス部分上に残ると、露光に
おいてその部分の下におかれたウェハのチップは黒点不
良となり、そのチップの信頼性が損なわれる。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、スパッタリングによっ
てその上に金属薄膜が成長されるハードブランクを、前
記金属薄膜の剥離する危険を解消して提供するにある。
てその上に金属薄膜が成長されるハードブランクを、前
記金属薄膜の剥離する危険を解消して提供するにある。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、マスク製作に使用さ
れるガラス基板の如きハードブランクにおいて、基板の
４つの縁に沿う基板表面上には金属薄膜が付着せしめら
れず、その表面が露出した基板を提供することによって
実現される。
れるガラス基板の如きハードブランクにおいて、基板の
４つの縁に沿う基板表面上には金属薄膜が付着せしめら
れず、その表面が露出した基板を提供することによって
実現される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって説明する。
ガラス基板が方形である場合を例にとると、本発明にお
いては、第２図（ａ）の平面図に示されるように（なお
第２図以下において、既に図示されたｆｌｉ分と同じも
のは同一符号を付して示す）、金属薄膜５は基板２０４
つの縁に沿った表面５を除く部分に形成し、表面４にお
いてはガラス基板を露出させる。そして、この金属薄膜
が成長されない表面４の幅はマスクの寸法によって適宜
定めるが、現在使用される、通常のマスクの場合５ｍｍ
程度とする。
いては、第２図（ａ）の平面図に示されるように（なお
第２図以下において、既に図示されたｆｌｉ分と同じも
のは同一符号を付して示す）、金属薄膜５は基板２０４
つの縁に沿った表面５を除く部分に形成し、表面４にお
いてはガラス基板を露出させる。そして、この金属薄膜
が成長されない表面４の幅はマスクの寸法によって適宜
定めるが、現在使用される、通常のマスクの場合５ｍｍ
程度とする。
ガラス基板２が円形であるときは、そのまわりに沿った
表面５上に金属薄膜を成長することをせず、表面５の幅
は方形のガラス基板の場合と同様通常のマスクの場合５
ｍｍ程度にする。
表面５上に金属薄膜を成長することをせず、表面５の幅
は方形のガラス基板の場合と同様通常のマスクの場合５
ｍｍ程度にする。
第２図（Ｃ）は同図（ａｌまたは（ｂ）に示した基板２
の中心線に沿う断面図で、表面５においてはガラス基板
がそのまま露出している。
の中心線に沿う断面図で、表面５においてはガラス基板
がそのまま露出している。
上記した構成のガラス基板を使用したところ、金属薄膜
の剥離がほとんど発生しないことが確認された。
の剥離がほとんど発生しないことが確認された。
ガラス基板上に上記の如く金属薄膜を付着するには、ス
パッタリング装置の台１を第３図に示す如く用意する。
パッタリング装置の台１を第３図に示す如く用意する。
同図は台Ｉのガラス基板装着部分を断面で示し、スパッ
タリングは台１の下方から矢印の方向に向けてなされる
。
タリングは台１の下方から矢印の方向に向けてなされる
。
台１の表面には、はぼガラス基板２の深さに５字部６を
形成し、断面凹字形のくぼみ７を設け、このくぼみ７内
にガラス基板２を嵌合する。５字部６の横（または水平
）部分の長さは金属薄膜を成長しない表面５０幅に対応
して設定し、本実施例においては５問とした。くぼみ７
は、使用されるガラス基板の形状に対応して方円または
円形とする。
形成し、断面凹字形のくぼみ７を設け、このくぼみ７内
にガラス基板２を嵌合する。５字部６の横（または水平
）部分の長さは金属薄膜を成長しない表面５０幅に対応
して設定し、本実施例においては５問とした。くぼみ７
は、使用されるガラス基板の形状に対応して方円または
円形とする。
台１を図示の如くに用意することによって、ガラス基板
２への金属薄膜の付着のためにはそれをくぼみ７内に嵌
め込むだけで足り、他になんらの固定手段も必要としな
いので、従来技術に用いられた台に比べてより簡単に設
置しうるだけでなく、ガラス基板の装着、取外しが容易
になされる利点がある。また、５字部６の横部分はスパ
ッタリングに対しガラス基板の４つの縁に沿う表面部分
を完全に遮蔽するので、金属薄膜が付着せずガラス基板
が露出した部分５が正確に形成される。
２への金属薄膜の付着のためにはそれをくぼみ７内に嵌
め込むだけで足り、他になんらの固定手段も必要としな
いので、従来技術に用いられた台に比べてより簡単に設
置しうるだけでなく、ガラス基板の装着、取外しが容易
になされる利点がある。また、５字部６の横部分はスパ
ッタリングに対しガラス基板の４つの縁に沿う表面部分
を完全に遮蔽するので、金属薄膜が付着せずガラス基板
が露出した部分５が正確に形成される。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のハードブランク
においては、その４つの縁に、沿って、金属薄膜の成長
されない基板の露出した表面部分を設けることによって
、従来のハードブランクの取り扱い中に見られた金属薄
膜の剥離の問題が解消され、製造されるウェハの如き半
導体装置の信頼性を高めるだけでなく、かかる構成のハ
ードブランクは容易に形成されうるので、マスク製造歩
留りも改善される。なお上記においてはクロムとガラス
基板を例にとって説明したが、本発明の適用範囲はその
場合に限定されるものでないことはいうまでもない。
においては、その４つの縁に、沿って、金属薄膜の成長
されない基板の露出した表面部分を設けることによって
、従来のハードブランクの取り扱い中に見られた金属薄
膜の剥離の問題が解消され、製造されるウェハの如き半
導体装置の信頼性を高めるだけでなく、かかる構成のハ
ードブランクは容易に形成されうるので、マスク製造歩
留りも改善される。なお上記においてはクロムとガラス
基板を例にとって説明したが、本発明の適用範囲はその
場合に限定されるものでないことはいうまでもない。
第１図は従来のハードブランクに金属薄膜を成長するス
パッタリング装置のハードブランク搭載用の台を下から
見た図、第２図（ａｌと（ｂｌは本発明によるハードブ
ランクの平面図、その（Ｃ１は前記ハードブランクの中
心線に沿う断面図、第３図は第２図のハードブランクを
作るに用いられるスパッタリング装置のハードブランク
搭載台のハードブランク装着部分の断面図である。 ■一台、２−ガラス基板、３−固定手段、４・−金属薄
膜、５−金属薄膜の付着されない表面部分、６−Ｌ字部
、７−・くぼみ
パッタリング装置のハードブランク搭載用の台を下から
見た図、第２図（ａｌと（ｂｌは本発明によるハードブ
ランクの平面図、その（Ｃ１は前記ハードブランクの中
心線に沿う断面図、第３図は第２図のハードブランクを
作るに用いられるスパッタリング装置のハードブランク
搭載台のハードブランク装着部分の断面図である。 ■一台、２−ガラス基板、３−固定手段、４・−金属薄
膜、５−金属薄膜の付着されない表面部分、６−Ｌ字部
、７−・くぼみ
Claims (1)
- 半導体ウェハ等の露光に用いるマスク形成用のものであ
りその上に金属薄膜が付着せしめられた基板において、
該基板の４つの縁に沿う表面には所定の幅で前記金属薄
膜が成長されず基板表面が露出していることを特徴とす
る半導体装置製造用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113147A JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113147A JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593437A true JPS593437A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0334050B2 JPH0334050B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=14604753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113147A Granted JPS593437A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置製造用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593437A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03110438U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-13 | ||
| JPH08149644A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Kyoei Fuensu Kogyo Kk | 高圧送電鉄塔取付用表示板 |
| WO2004051369A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
| JP2005210093A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| JP2011124612A (ja) * | 2003-12-25 | 2011-06-23 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| JP2016170320A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 信越化学工業株式会社 | マスクブランクス及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4111154Y1 (ja) * | 1964-06-05 | 1966-05-25 | ||
| JPS5891450A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Nec Kyushu Ltd | フオトマスク |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113147A patent/JPS593437A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4111154Y1 (ja) * | 1964-06-05 | 1966-05-25 | ||
| JPS5891450A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Nec Kyushu Ltd | フオトマスク |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03110438U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-13 | ||
| JPH08149644A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Kyoei Fuensu Kogyo Kk | 高圧送電鉄塔取付用表示板 |
| WO2004051369A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク、及びフォトマスク |
| KR100779956B1 (ko) | 2002-12-03 | 2007-11-28 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 제조방법 |
| JP2005210093A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| JP2011124612A (ja) * | 2003-12-25 | 2011-06-23 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| JP2016170320A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 信越化学工業株式会社 | マスクブランクス及びその製造方法 |
| US10488750B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-11-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mask blank and making method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334050B2 (ja) | 1991-05-21 |
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