JPS61119062A - 金属配線パタ−ンの形成方法 - Google Patents
金属配線パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61119062A JPS61119062A JP24101684A JP24101684A JPS61119062A JP S61119062 A JPS61119062 A JP S61119062A JP 24101684 A JP24101684 A JP 24101684A JP 24101684 A JP24101684 A JP 24101684A JP S61119062 A JPS61119062 A JP S61119062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum film
- metal film
- sulfuric acid
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は金属配線の形成方法にかかり、特に半導体集積
回路の微細金属配線を高品質に歩留りよく製造する上で
有力な効果を発揮する金属配線パターンの幾膚古永に閲
十入＆の〒電入−（従来技術） 一般に半導体装置の金属配線パターンを形成するに当っ
てはまず基板上に真空蒸着法、スパッタ法等で金属膜を
被着し、然る後に該金属膜上に７オトレジストを被着し
、通常の技術により該フォトレジストをパターニングし
、上記フォトレジストをｉスフ材として前記金属膜をエ
ツチングするという方法がとられている。しかし配線が
微細化するに従ってこの一般的方法では品質上及び製造
上の問題が発生することがある様になった。即ち金属膜
被着後フォトレジスト被着前進の間に金属膜表面が変質
してしまったり、保管雰囲気中の不純物によゆ表面が汚
染されたりしてその結果金属膜表面と７オトレジストの
密着性が低下し、エツチングの際に配線が断線したり、
配線幅が局部的に狭くなる等の不都合が発生することが
あった。
回路の微細金属配線を高品質に歩留りよく製造する上で
有力な効果を発揮する金属配線パターンの幾膚古永に閲
十入＆の〒電入−（従来技術） 一般に半導体装置の金属配線パターンを形成するに当っ
てはまず基板上に真空蒸着法、スパッタ法等で金属膜を
被着し、然る後に該金属膜上に７オトレジストを被着し
、通常の技術により該フォトレジストをパターニングし
、上記フォトレジストをｉスフ材として前記金属膜をエ
ツチングするという方法がとられている。しかし配線が
微細化するに従ってこの一般的方法では品質上及び製造
上の問題が発生することがある様になった。即ち金属膜
被着後フォトレジスト被着前進の間に金属膜表面が変質
してしまったり、保管雰囲気中の不純物によゆ表面が汚
染されたりしてその結果金属膜表面と７オトレジストの
密着性が低下し、エツチングの際に配線が断線したり、
配線幅が局部的に狭くなる等の不都合が発生することが
あった。
（発明の目的）
本発明は上記の様な従来技術の欠点を除き品質及び製造
歩留りを向上させ得る金属配線パターンの形成方法を提
供するものである。
歩留りを向上させ得る金属配線パターンの形成方法を提
供するものである。
（発明の構成）
即ち本発明は基板上に金属膜を被着する工程を該金属膜
表面を希硫酸水溶液に曝す工程と、該金属膜上にフォト
レジストを被着し、露光・現像してフォトレジストをパ
ターニングする工程と、該フォトレジストをマスク材と
して前記金属膜を選択的にエツチングする工程とを含む
ことを特徴とする金属配線パターンの形成方法である。
表面を希硫酸水溶液に曝す工程と、該金属膜上にフォト
レジストを被着し、露光・現像してフォトレジストをパ
ターニングする工程と、該フォトレジストをマスク材と
して前記金属膜を選択的にエツチングする工程とを含む
ことを特徴とする金属配線パターンの形成方法である。
（作用）
本発明によれば金属膜表面に生成した変質層又は付着し
た汚染物質が希硫酸水溶液により有効に除去されるため
、金属膜表面と７オトレジストの密着性が安定して向上
し、この丸め金属膜のエツチングを安定して良好に行な
うことができる。
た汚染物質が希硫酸水溶液により有効に除去されるため
、金属膜表面と７オトレジストの密着性が安定して向上
し、この丸め金属膜のエツチングを安定して良好に行な
うことができる。
（実施例）
次に本発明を半導体装置のアルミニウム配線の形成に適
用した場合の実施例を工程順に説明する。
用した場合の実施例を工程順に説明する。
まず通常の方法により素子及び接続開口部を形成した半
導体基板上に真空蒸着法等でアルミニウム膜を例えば１
μｍ程度被着する。然る後にパターニング工程へ進むが
、実際の半導体装置の製造においては数時間〜数十時間
アルミニウム膜を空気等に曝した状態で保管することが
多い。この保管中にアルミニウム膜は表面が変質したり
、表面に汚染により有機物皮膜が付着したりすることが
あり、従来技術ではこの異物が７オトレジストアルミニ
ウム膜との密着性を低下させるという不都合があった。
導体基板上に真空蒸着法等でアルミニウム膜を例えば１
μｍ程度被着する。然る後にパターニング工程へ進むが
、実際の半導体装置の製造においては数時間〜数十時間
アルミニウム膜を空気等に曝した状態で保管することが
多い。この保管中にアルミニウム膜は表面が変質したり
、表面に汚染により有機物皮膜が付着したりすることが
あり、従来技術ではこの異物が７オトレジストアルミニ
ウム膜との密着性を低下させるという不都合があった。
本発明においては該アルミ二りム膜表面を希硫酸に曝す
ることによりアルミニウム膜を侵すことなく該異物の除
去を行なう。即ち例えば１０％程度に希釈した硫酸水溶
液中への１分間程度浸漬を行なう。さらに該基板Ｖｃ７
オトレジストを被着し、通常の方法で７オトレジストの
パターニングを行なりた後、リン酸溶液中に浸漬する等
の方法でアルミニウム膜のエツチングを行なう。
ることによりアルミニウム膜を侵すことなく該異物の除
去を行なう。即ち例えば１０％程度に希釈した硫酸水溶
液中への１分間程度浸漬を行なう。さらに該基板Ｖｃ７
オトレジストを被着し、通常の方法で７オトレジストの
パターニングを行なりた後、リン酸溶液中に浸漬する等
の方法でアルミニウム膜のエツチングを行なう。
この際アルミニウム膜と７オトレジストとの密着性は安
定的に保たれているので、エツチングを容易かつ安定に
行なうことができる。然る後に前記フォトレジストを有
機溶剤等で除去すれば所望のアルミニウム配線パターン
が形成できる。
定的に保たれているので、エツチングを容易かつ安定に
行なうことができる。然る後に前記フォトレジストを有
機溶剤等で除去すれば所望のアルミニウム配線パターン
が形成できる。
以上は本発馴を半導体装置のアルミニウム配線の形成に
適用し九場合の方法を述べたが、他の基板上の他の金属
配線の形成にも適用できることは容易愕類推できる。
適用し九場合の方法を述べたが、他の基板上の他の金属
配線の形成にも適用できることは容易愕類推できる。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によればアルミニウム等の金属
配線パターンを高品質に歩留りよく製造することができ
る。
配線パターンを高品質に歩留りよく製造することができ
る。
Claims (1)
- 基板上に金属膜を被着する工程と、該金属膜表面を希
硫酸水溶液に曝す工程と、然る後に該金属膜上にフォト
レジストを被着し、露光・現像してフォトレジストをパ
ターニングする工程と、該フォトレジストをマスク材と
して前記金属膜を選択的にエッチングする工程とを含む
ことを特徴とする金属配線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24101684A JPS61119062A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24101684A JPS61119062A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119062A true JPS61119062A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17068078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24101684A Pending JPS61119062A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125937A (ja) * | 1986-11-26 | 1989-05-18 | Meir I Janai | 集積回路の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP24101684A patent/JPS61119062A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125937A (ja) * | 1986-11-26 | 1989-05-18 | Meir I Janai | 集積回路の製造方法 |
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