JPH0669126A - ウエハ周辺部クリーニング装置 - Google Patents
ウエハ周辺部クリーニング装置Info
- Publication number
- JPH0669126A JPH0669126A JP21915992A JP21915992A JPH0669126A JP H0669126 A JPH0669126 A JP H0669126A JP 21915992 A JP21915992 A JP 21915992A JP 21915992 A JP21915992 A JP 21915992A JP H0669126 A JPH0669126 A JP H0669126A
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- Japan
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- wafer
- resist
- peripheral portion
- peripheral
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの周辺部のレジストを完全に除去でき
るとともに、レジスト以外のゴミ等も除去することがで
きるウエハ周辺部クリーニング装置を提供すること。 【構成】 ウエハ１の周辺部２ｄは有機溶剤がしみ込ん
でいるクリーニングリボン９と接触している。周辺部２
ｄがクリーニングリボン９に対して相対的に移動するこ
とにより、周辺露光やサイドリンス処理後に周辺部２ｄ
上に残っている不要レジスト等を完全に除去することが
できる。
るとともに、レジスト以外のゴミ等も除去することがで
きるウエハ周辺部クリーニング装置を提供すること。 【構成】 ウエハ１の周辺部２ｄは有機溶剤がしみ込ん
でいるクリーニングリボン９と接触している。周辺部２
ｄがクリーニングリボン９に対して相対的に移動するこ
とにより、周辺露光やサイドリンス処理後に周辺部２ｄ
上に残っている不要レジスト等を完全に除去することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハの周辺部に付
着した不要レジストやゴミを除去するウエハ周辺部クリ
ーニング装置に関するものである。
着した不要レジストやゴミを除去するウエハ周辺部クリ
ーニング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の１つにリソグラ
フィがある。リソグラフィは、ウエハ上にシリコン酸化
膜等の薄膜、レジストを順に形成し、レジストを所定の
パターンに露光し、そしてレジストをマスクとしてシリ
コン酸化膜等の薄膜をエッチング除去し、シリコン酸化
膜等の薄膜に所定のパターニングを施すことである。
フィがある。リソグラフィは、ウエハ上にシリコン酸化
膜等の薄膜、レジストを順に形成し、レジストを所定の
パターンに露光し、そしてレジストをマスクとしてシリ
コン酸化膜等の薄膜をエッチング除去し、シリコン酸化
膜等の薄膜に所定のパターニングを施すことである。
【０００３】図４はウエハの平面図である。ウエハ１上
にはシリコン酸化膜等の薄膜、レジストが順に形成され
ている。３はレジストを示している。２ｃはオリエンテ
ーションフラットである。
にはシリコン酸化膜等の薄膜、レジストが順に形成され
ている。３はレジストを示している。２ｃはオリエンテ
ーションフラットである。
【０００４】レジスト露光後、エッチングやイオン注入
等の工程があるが、エッチングやイオン注入等はウエハ
１の周辺部２ｄをクランプや爪等で固定することにより
行なう。クランプや爪等で固定する際にレジストによる
発塵を防ぐために、ウエハ１の周辺部２ｄでは２〜３ｍ
ｍの幅で予めレジスト３が除去される。
等の工程があるが、エッチングやイオン注入等はウエハ
１の周辺部２ｄをクランプや爪等で固定することにより
行なう。クランプや爪等で固定する際にレジストによる
発塵を防ぐために、ウエハ１の周辺部２ｄでは２〜３ｍ
ｍの幅で予めレジスト３が除去される。
【０００５】ウエハ１の周辺部２ｄ上にあるレジスト３
を除去する方法の一例としてサイドリンスがある。図５
はサイドリンスを行なっている状態を示す模式図であ
る。ウエハ回転軸１７上にはスピンチャック１５が固定
されており、スピンチャック１５上にはウエハ１が載置
されている。ウエハ１の周辺部上にはサイドリンスノズ
ル２３が位置しており、サイドリンスノズル２３からサ
イドリンス２５が滴下されている。
を除去する方法の一例としてサイドリンスがある。図５
はサイドリンスを行なっている状態を示す模式図であ
る。ウエハ回転軸１７上にはスピンチャック１５が固定
されており、スピンチャック１５上にはウエハ１が載置
されている。ウエハ１の周辺部上にはサイドリンスノズ
ル２３が位置しており、サイドリンスノズル２３からサ
イドリンス２５が滴下されている。
【０００６】サイドリンスによるウエハ周辺部上にある
レジスト除去について説明する。まず、ウエハ１上にレ
ジスト３を回転塗布した後、引続きウエハ１を回転させ
ながらサイドリンスノズル２３を用いて溶剤２５をウエ
ハ１の周辺部に滴下する。これによりウエハ１の周辺部
上にあるレジスト３は溶解する。そして溶解したレジス
ト３は遠心力によりウエハ１の周辺部上から振り切られ
これにより除去される。
レジスト除去について説明する。まず、ウエハ１上にレ
ジスト３を回転塗布した後、引続きウエハ１を回転させ
ながらサイドリンスノズル２３を用いて溶剤２５をウエ
ハ１の周辺部に滴下する。これによりウエハ１の周辺部
上にあるレジスト３は溶解する。そして溶解したレジス
ト３は遠心力によりウエハ１の周辺部上から振り切られ
これにより除去される。
【０００７】ウエハの周辺部上にあるレジストを除去す
る他の方法として周辺露光がある。図６は周辺露光を行
なっている状態を示す模式図である。図５中の符号が示
すものと同一のものについては同一の符号を付すことに
より説明を省略する。２７は周辺露光照射ノズルであ
り、周辺露光照射ノズル２７からＵＶ光２９がウエハ１
の周辺部２ｄ上にあるレジスト３に照射されている。
る他の方法として周辺露光がある。図６は周辺露光を行
なっている状態を示す模式図である。図５中の符号が示
すものと同一のものについては同一の符号を付すことに
より説明を省略する。２７は周辺露光照射ノズルであ
り、周辺露光照射ノズル２７からＵＶ光２９がウエハ１
の周辺部２ｄ上にあるレジスト３に照射されている。
【０００８】周辺露光は次のようにしてウエハ１の周辺
部２ｄ上にあるレジスト３を除去する。まず、レジスト
３をウエハ１上に回転塗布した後、ウエハ１の中央部上
にあるレジスト３を所定のパターンに露光する前あるい
は露光した後に、ウエハ１の周辺部２ｄ上にあるレジス
ト３を露光する。次に感光したレジスト３を現像して除
去する。
部２ｄ上にあるレジスト３を除去する。まず、レジスト
３をウエハ１上に回転塗布した後、ウエハ１の中央部上
にあるレジスト３を所定のパターンに露光する前あるい
は露光した後に、ウエハ１の周辺部２ｄ上にあるレジス
ト３を露光する。次に感光したレジスト３を現像して除
去する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、サイドリンス
によるウエハ１の周辺部２ｄ上にあるレジスト３の除去
は完全ではない。すなわち、レジスト３と溶剤２５との
混合物が遠心力によってウエハ１上から振り切られると
き、周辺部２ｄ上に微量ではあるが糸状に混合物が残
る。また、図５に示すようにウエハ１を回転させながら
溶剤２５を滴下しているので、図４に示すオリエンテー
ションフラット２ｃ上には溶剤２５を滴下することがで
きない。したがってオリエンテーションフラット２ｃ上
にあるレジスト３は除去することができなかった。
によるウエハ１の周辺部２ｄ上にあるレジスト３の除去
は完全ではない。すなわち、レジスト３と溶剤２５との
混合物が遠心力によってウエハ１上から振り切られると
き、周辺部２ｄ上に微量ではあるが糸状に混合物が残
る。また、図５に示すようにウエハ１を回転させながら
溶剤２５を滴下しているので、図４に示すオリエンテー
ションフラット２ｃ上には溶剤２５を滴下することがで
きない。したがってオリエンテーションフラット２ｃ上
にあるレジスト３は除去することができなかった。
【００１０】周辺露光を用いればオリエンテーションフ
ラット２ｃのところにあるレジスト３を除去することが
できる。しかし周辺露光では、レジストの発泡や残渣と
いう問題が生じる。
ラット２ｃのところにあるレジスト３を除去することが
できる。しかし周辺露光では、レジストの発泡や残渣と
いう問題が生じる。
【００１１】すなわち、レジスト３を露光するとレジス
ト３中の感光剤は光により反応し、その際に気体を放出
する。この気体によりレジスト３が発泡する。レジスト
３が発泡すると発泡したレジストが飛び散りウエハ１上
の集積回路形成部に発泡したレジスト３が飛び散る場合
がある。これが原因で半導体装置が不良品になる場合が
ある。
ト３中の感光剤は光により反応し、その際に気体を放出
する。この気体によりレジスト３が発泡する。レジスト
３が発泡すると発泡したレジストが飛び散りウエハ１上
の集積回路形成部に発泡したレジスト３が飛び散る場合
がある。これが原因で半導体装置が不良品になる場合が
ある。
【００１２】また、オリエンテーションフラット２ｃと
周辺部２ｄとの境界部はレジスト３を回転塗布する際に
膜厚が他の部分よりも厚くなる。レジスト３が薄い部分
での発泡を防ぐために、露光は薄い部分を基準に行なう
が、このためレジスト３が厚い部分では露光が不十分と
なり残渣が生じやすい。レジスト３が厚い部分を基準に
露光すると薄い部分ではレジストの発泡が生じる他、周
辺露光の時間が長くなり、スループットが低下する。
周辺部２ｄとの境界部はレジスト３を回転塗布する際に
膜厚が他の部分よりも厚くなる。レジスト３が薄い部分
での発泡を防ぐために、露光は薄い部分を基準に行なう
が、このためレジスト３が厚い部分では露光が不十分と
なり残渣が生じやすい。レジスト３が厚い部分を基準に
露光すると薄い部分ではレジストの発泡が生じる他、周
辺露光の時間が長くなり、スループットが低下する。
【００１３】また、周辺露光ではウエハ１の周辺部２ｄ
のテーパ部上のレジスト３を完全に除去することは困難
であった。
のテーパ部上のレジスト３を完全に除去することは困難
であった。
【００１４】さらに、ウエハカセットやクランプを介し
てウエハ１の周辺部２ｄに付着したゴミは、周辺露光や
サイドリンスによっては除去することができなかった。
てウエハ１の周辺部２ｄに付着したゴミは、周辺露光や
サイドリンスによっては除去することができなかった。
【００１５】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。この発明の目的は、ウエハの
周辺部上のレジストを完全に除去できるとともに、レジ
スト以外のゴミ等の付着物も除去することができるウエ
ハ周辺部クリーニング装置を提供することである。
めになされたものである。この発明の目的は、ウエハの
周辺部上のレジストを完全に除去できるとともに、レジ
スト以外のゴミ等の付着物も除去することができるウエ
ハ周辺部クリーニング装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明はウエハの周辺
部に付着した付着物を除去するウエハ周辺部クリーニン
グ装置であって、周辺部と接触する接触手段と、周辺部
に接触手段を接触させた状態で周辺部を接触手段に対し
て相対的に移動させて付着物を除去する移動手段と、を
備えている。
部に付着した付着物を除去するウエハ周辺部クリーニン
グ装置であって、周辺部と接触する接触手段と、周辺部
に接触手段を接触させた状態で周辺部を接触手段に対し
て相対的に移動させて付着物を除去する移動手段と、を
備えている。
【００１７】
【作用】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態で、移
動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相対的
に移動させることにより、ウエハ周辺部の不要レジスト
やゴミ等の付着物を除去している。
置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態で、移
動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相対的
に移動させることにより、ウエハ周辺部の不要レジスト
やゴミ等の付着物を除去している。
【００１８】ウエハ周辺部のレジストを除去する場合、
予め周辺露光やサイドリンス処理を行なった後、この発
明を用いれば周辺露光やサイドリンスで除去しきれなか
ったレジストも除去することができる。
予め周辺露光やサイドリンス処理を行なった後、この発
明を用いれば周辺露光やサイドリンスで除去しきれなか
ったレジストも除去することができる。
【００１９】
【実施例】図１はこの発明に従ったウエハ周辺部クリー
ニング装置の一実施例の平面図であり、図２は断面図で
ある。図１および図２を参照して、ウエハ１上には薄
膜、レジスト３が順に形成されている。図１において薄
膜の図示が省略され、図２においては薄膜およびレジス
トの図示が省略されている。ウエハ１の周辺部２ｄにお
いては周辺露光を用いて大部分のレジストが除去されて
いる。クリーニングリボン９はリボンガイド７の部分で
図３に示すようにウエハ１の周辺部２ｄと接触してい
る。図３のウエハ１上にある薄膜やレジストは図示が省
略されている。
ニング装置の一実施例の平面図であり、図２は断面図で
ある。図１および図２を参照して、ウエハ１上には薄
膜、レジスト３が順に形成されている。図１において薄
膜の図示が省略され、図２においては薄膜およびレジス
トの図示が省略されている。ウエハ１の周辺部２ｄにお
いては周辺露光を用いて大部分のレジストが除去されて
いる。クリーニングリボン９はリボンガイド７の部分で
図３に示すようにウエハ１の周辺部２ｄと接触してい
る。図３のウエハ１上にある薄膜やレジストは図示が省
略されている。
【００２０】クリーニングリボン９は滑車５ａ、５ｂ、
駆動輪１１に掛けられており、駆動輪１１を駆動する駆
動用モータ２１により矢印Ｂ方向に動く。
駆動輪１１に掛けられており、駆動輪１１を駆動する駆
動用モータ２１により矢印Ｂ方向に動く。
【００２１】ウエハ回転軸１７上にはスピンチャック１
５が固定されており、スピンチャック１５上にはウエハ
１が載置されている。ウエハ回転軸１７を中心にウエハ
１はＡ方向に回転する。１９はならいカムである。リボ
ン湿潤用溶剤滴下ノズル１３からクリーニングリボン９
に溶剤が滴下される。
５が固定されており、スピンチャック１５上にはウエハ
１が載置されている。ウエハ回転軸１７を中心にウエハ
１はＡ方向に回転する。１９はならいカムである。リボ
ン湿潤用溶剤滴下ノズル１３からクリーニングリボン９
に溶剤が滴下される。
【００２２】周辺露光やサイドリンス処理後のウエハの
周辺部に残っているレジストを除去する場合、クリーニ
ングリボン９にアセトン、酢酸ブチル、ＭＭＰ（メチル
メトキシプロピオネート）などの有機溶剤をしみ込ませ
る。したがってクリーニングリボン９の材料はこれらの
有機溶剤に耐性のあるテフロン、セルロースエステル、
ポリプロピレン、ナイロン系の繊維を用いる。有機溶剤
が浸透、保持されるようにこれらの繊維を多層や多孔質
に加工してクリーニングリボン９にする。
周辺部に残っているレジストを除去する場合、クリーニ
ングリボン９にアセトン、酢酸ブチル、ＭＭＰ（メチル
メトキシプロピオネート）などの有機溶剤をしみ込ませ
る。したがってクリーニングリボン９の材料はこれらの
有機溶剤に耐性のあるテフロン、セルロースエステル、
ポリプロピレン、ナイロン系の繊維を用いる。有機溶剤
が浸透、保持されるようにこれらの繊維を多層や多孔質
に加工してクリーニングリボン９にする。
【００２３】ウエハ１の周辺部２ｄに付着したウエハの
破片等を除去する場合は、片面に粘着剤のついたクリー
ニングリボン９を用いる。
破片等を除去する場合は、片面に粘着剤のついたクリー
ニングリボン９を用いる。
【００２４】また、酸やアルカリを用いてウエハを洗浄
した後、ウエハ１の周辺部２ｄに付着した酸やアルカリ
の結晶からなる残渣を除去する場合は、水等を浸透させ
たクリーニングリボン９を用いる。
した後、ウエハ１の周辺部２ｄに付着した酸やアルカリ
の結晶からなる残渣を除去する場合は、水等を浸透させ
たクリーニングリボン９を用いる。
【００２５】図３に示すようにクリーニングリボン９は
ウエハ１の周辺部２ｄのテーパ２ａや側面２ｂにも接触
しているので、これらの面に付着したレジストやゴミ等
を除去することができる。
ウエハ１の周辺部２ｄのテーパ２ａや側面２ｂにも接触
しているので、これらの面に付着したレジストやゴミ等
を除去することができる。
【００２６】また、レジストの上にＣＥＬ（コントラン
ス エンハンスト リソグラフィ）やＡＲＣＯＲ（アン
チ リフレフティング コーティング オン レジス
ト）等の高分子膜を形成した場合、これらの高分子膜も
除去することができる。
ス エンハンスト リソグラフィ）やＡＲＣＯＲ（アン
チ リフレフティング コーティング オン レジス
ト）等の高分子膜を形成した場合、これらの高分子膜も
除去することができる。
【００２７】
【発明の効果】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニ
ング装置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態
で移動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相
対的に移動させているので、ウエハ周辺部に付着したレ
ジストやゴミ等を除去することができる。これにより半
導体装置製造工程のクリーン化を図ることができ、半導
体装置の歩留まりを向上させることができる。
ング装置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態
で移動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相
対的に移動させているので、ウエハ周辺部に付着したレ
ジストやゴミ等を除去することができる。これにより半
導体装置製造工程のクリーン化を図ることができ、半導
体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図１】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置の一実施例の平面図である。
置の一実施例の平面図である。
【図２】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置の一実施例の断面図である。
置の一実施例の断面図である。
【図３】クリーニングリボン９と周辺部２ｄとの接触状
態を示す拡大断面図である。
態を示す拡大断面図である。
【図４】ウエハの平面図である。
【図５】サイドリンスを行なっている状態を示す模式図
である。
である。
【図６】周辺露光を行なっている状態を示す模式図であ
る。
る。
１ ウエハ ２ｄ 周辺部 ３ レジスト ９ クリーニングリボン １７ ウエハ回転軸
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハの周辺部に付着した付着物を除去
するウエハ周辺部クリーニング装置であって、 前記周辺部と接触する接触手段と、 前記周辺部に前記接触手段を接触させた状態で前記周辺
部を前記接触手段に対して相対的に移動させて前記付着
物を除去する移動手段と、 を備えたウエハ周辺部クリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21915992A JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21915992A JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669126A true JPH0669126A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16731129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21915992A Withdrawn JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669126A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| WO2007001045A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2007157928A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理装置及び処理方法 |
| JP2007311734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2008084934A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2015035471A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21915992A patent/JPH0669126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| WO2007001045A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2007311734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2007157928A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理装置及び処理方法 |
| JP4716367B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-07-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP2008084934A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2015035471A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |