JPH0373514A - レジスト塗布装置 - Google Patents

レジスト塗布装置

Info

Publication number
JPH0373514A
JPH0373514A JP20943189A JP20943189A JPH0373514A JP H0373514 A JPH0373514 A JP H0373514A JP 20943189 A JP20943189 A JP 20943189A JP 20943189 A JP20943189 A JP 20943189A JP H0373514 A JPH0373514 A JP H0373514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
semiconductor wafer
peripheral edge
wafer
resist coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20943189A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Sagawa
恒一 寒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP20943189A priority Critical patent/JPH0373514A/ja
Publication of JPH0373514A publication Critical patent/JPH0373514A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体集積回路装置を製造するプロセスで用い
るスピンナ方式のレジスト塗布装置に関し、特にネガ型
フォトレジストを塗布するのに好都合なレジスト塗布装
置に関するものである。
(従来の技術) スピンナ方式のレジスト塗布装置では、ドレインカップ
の中央部に設けられた回転軸の止端■ウェハー着手段に
半導体ウェハを固着し、その半導体ウェハの上方からレ
ジストを滴下する。半導体ウェハを回転させることによ
り、レジストを半導体ウェハ表面上に広げる。レジスト
を半導体ウェハ表面に遠心力で広げたとき、レジストが
半導体ウェハの下面に廻り込むことがある。レジストが
塗布され、プレベークされた後、半導体ウェハは現像工
程に送られるが、もし半導体ウェハ下面にもレジストが
ついている場合には、その半導体ウェハを露光装置のチ
ャックに固着したときに半導体ウェハに反りが発生し、
露光の勲にビンぼけが生じる原因となる。また、露光装
置のチャックに半導体ウェハを固着する際、下面に廻り
込んだレジストによって半導体ウェハこチャックの間に
隙間が生じ、露光装置が作動しなくなる虞れもあゐ。
そこで、レジスト塗布の際レジストが半導体ウェハ下面
に廻り込まないようにした以下の(A)〜(C)のよう
なレジスト塗布装置が提案されている。
(A)レジスト塗布装置に固着された半導体ウェハの周
縁部の上面及び下面からレジストを溶解する溶剤を吹き
つける。しかし、この方法では、溶剤が必要であるため
に材料コストが高くなり、また溶剤による廃液が増加し
廃液処理の工数も増加する。
(B)レジスト塗布装置に固着された半導体ウェハの下
面に外方向に向かってガスを吹きつける。
しかしながら、この方法によればガスにより振り切られ
たレジストが半導体ウェハ上面に付着してレジスト塗布
膜の品質を低下させる虞れがある。
(C)ウェハー着手段に固着された半導体ウェハの下面
の周縁部を被うリング状治具を設け、レジストが半導体
ウェハの下面に廻り込む隙間をなくす。しかしながら、
この方法ではリング状治具の加工精度が悪い場合や半導
体ウェハの平坦度に問題がある場合には、回転時に半導
体ウェハが接触破損する虞れがある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記の問題点を解決し、すなわち溶剤などを
使用せず、メンテナンス工数も増えず、レジスト塗布膜
の品質も低下させず、リング状治具のような高精度を要
求される余分な治具を必要とせずに、ウェハ下面へのレ
ジストの廻り込みを防止することのできるレジスト塗布
装置を提供することを目的とするものでる。
(課題を解決するための手段) 本発明のレジスト塗布装置では、ウェハー着手段に固着
された半導体ウェハの上面周縁部に紫外線を照射する手
段を備えた。
(作用) ウェハー着手段に半導体ウェハを固着し、ネガ型レジス
トを滴下し、紫外線照射手段から半導体ウェハの上面周
縁部に紫外線を照射しながら半導体ウェハを回転させる
と、Wi下されたレジストは遠心力によりウェハ表面を
周縁部方向に向かって広がる。レジストがウェハ周縁部
まで封達したとき、紫外線照射により硬化し、硬化した
レジストが障壁となってレジストがウェハ下面に廻り込
むのを防止する。
(実施例) 第1図は一実施例を表わす。
2は飛び散ったレジストを集め排出するドレインカップ
であり、下部に排出口を備えている。ドレインカップ2
の中央部にはモータ(図示Its)により回転駆動され
る回転軸4が設けられており、回転軸4の先端にはウェ
ハー着手段であるチャック6が設けられている。チャッ
ク6は半導体ウェハ8の下面を吸引して固着する。チャ
ック6の中央部上方にはレジストを滴下するレジストノ
ズル10が設けられている。
紫外線照射手段を構成するために、ドレインカップ2の
外側には紫外線ランプ12が設けられている。ランプ1
2は例えば低圧水銀ランプである。
14はランプ12を取り囲むランプカバー、16はラン
プカバー14で集められた紫外線をドレインカップ2へ
導く光ファイバ束である。光フアイバ束16の先端には
レンズ20が取りつけられており、レンズ20はドレイ
ンカップ2の上部位置に支持具18によって支持されて
おり、光ファイバ束工6により導かれた紫外線をチャッ
ク6に固着された半導体ウェハ8の上面周縁部に集光し
て照射する。
次に、本実施例の動作について説明する。
チャック6に半導体ウェハ8を固着し、ランプ12を点
灯する。レジストノズル1oからネガ型フォトレジスト
を半導体ウェハ8の中心部に滴下する0滴下されたレジ
スト22は、第2図(A)に示されるように、半導体ウ
ェハ8の上面中心部に存在する。
半導体ウェハ8をまず低速で回転させる。このときの回
転数は例えば20Orpm程度とし、約20〜30秒間
回転を続ける。これにより、第2図(B)に示されるよ
うに、レジスト22が遠心力で半導体ウェハ8の周縁部
まで広がり、周縁部でレンズ20により照射された紫外
線によって硬化する。22aは硬化したレジストである
その後、高速回転に切り替える。このときの回転数は例
えば500ppm程度とする。これにより第2図(C)
に示されるように、レジスト22は平坦になる。ウェハ
8の周縁部には硬化したレジスト22.aが存在するの
で、レジスト22は下面に廻り込むことが防止される。
(発明の効果) 本発明のレジスト塗布装置ではウェハー着手段に固着さ
れた半導体ウェハの上面周縁部に紫外線を照射する手段
を備えたので、溶剤や高精度な機械加工が要求される治
具を用いる必要がなく、ネガ型レジストが半導体ウェハ
下面に廻り込むのを防止することができる。また、半導
体ウェハ上面のレジスト塗布面を汚染することもない。
本発明のレジスト塗布装置は、機構も簡単であり、運転
コストも安い。
【図面の簡単な説明】
第1図は一実施例を示す概略構成図、第2図は動作を示
す半導体ウェハとレジストの断面図である。 2・・・・・・ドレインカップ、4・・・・・・回転軸
、6・・・・・・チャック、8・・・・・・半導体ウェ
ハ、10・・・・・・レジストノズル、12・・・・・
・紫外線ランプ、16・・・・・・光ファイバ束、20
・・・・・・レンズ、22・・・・・・レジスト、22
a・・・・・・レジストの硬化した部分。 第1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)回転軸の上端にウェハー着手段を備え、このウェ
    ハ固着手段の上方にレジスト滴下用ノズルを備えたスピ
    ンナ方式のレジスト塗布装置において、前記ウェハ固着
    手段に固着された半導体ウェハの上面周縁部に紫外線を
    照射する手段を備えたことを特徴とするレジスト塗布装
    置。
JP20943189A 1989-08-11 1989-08-11 レジスト塗布装置 Pending JPH0373514A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20943189A JPH0373514A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 レジスト塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20943189A JPH0373514A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 レジスト塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0373514A true JPH0373514A (ja) 1991-03-28

Family

ID=16572750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20943189A Pending JPH0373514A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 レジスト塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0373514A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100663013B1 (ko) * 2004-12-29 2006-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트 도포장치 및 기판 가장자리 포토레지스트제거방법
US7967128B2 (en) 2006-12-15 2011-06-28 Kao Corporation Article conveying device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100663013B1 (ko) * 2004-12-29 2006-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트 도포장치 및 기판 가장자리 포토레지스트제거방법
US7967128B2 (en) 2006-12-15 2011-06-28 Kao Corporation Article conveying device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0373514A (ja) レジスト塗布装置
JPH05259069A (ja) ウエハ周辺露光方法
JPH01132124A (ja) 露光方法及びその装置
CN107918250B (zh) Ntd工艺中的光阻去边方法以及光阻去边机台
WO2001082001A1 (en) Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer
JPS58159535A (ja) 感光性樹脂塗布装置
JP2001110714A (ja) 薬液塗布装置および薬液塗布方法
JPH01192117A (ja) レジスト処理装置及びレジスト処理方法
JPH1041206A (ja) 半導体処理装置および処理方法
JPH0669126A (ja) ウエハ周辺部クリーニング装置
JPH09260257A (ja) レンズ汚染を防止した投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイス製造プロセス
JPS63160332A (ja) レジスト除去装置
JPS62142321A (ja) ウエハ−処理装置
JPH01119024A (ja) レジスト塗布装置
JP2810680B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2615179B2 (ja) レジスト処理装置およびレジスト処理方法
JPH0554187B2 (ja)
JPS61226750A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2610601B2 (ja) ウエハ周辺露光装置
JPH03256321A (ja) レジスト膜形成装置
JP2601309B2 (ja) ウエハ周辺露光装置
CN113138535A (zh) 光刻胶涂覆装置及光刻胶涂覆方法
JPH0212811A (ja) ウエハ周辺露光方法
JPH04239721A (ja) フォトレジスト塗布方法および装置
KR20040061442A (ko) 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법