JPH01192117A - レジスト処理装置及びレジスト処理方法 - Google Patents

レジスト処理装置及びレジスト処理方法

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JPH01192117A
JPH01192117A JP63016539A JP1653988A JPH01192117A JP H01192117 A JPH01192117 A JP H01192117A JP 63016539 A JP63016539 A JP 63016539A JP 1653988 A JP1653988 A JP 1653988A JP H01192117 A JPH01192117 A JP H01192117A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
exposed
optical fiber
orientation flat
light source
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JP63016539A
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Satoshi Nakajima
中嶋 敏
Mamoru Sugita
守 杉田
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハの露光装置に関する。
(従来の技術) 半導体製造において、半導体ウェハの表面にフォトレジ
スト膜を形成して配線等のパタ″−ニングが行われてい
る。そして、上記フォトレジスト膜は一般に半導体ウェ
ハを回転させながらレジスト液を滴下して塗布するスピ
ンナー法にて、塗布形成される。
ところで、上記半導体ウェハの外周部分に存在するレジ
スト膜は、例えば、半導体ウェハの搬送中に機械的に破
壊されたりしてゴミとして飛散する可能性があるので、
半導体チップの収率に影響を与えない部分をレジストの
塗布現像工程で予め除去しておくのが望ましい。
上記レジストの除去について、例えば特開昭58−15
9535、 特開昭59−138335、特開昭61−
73330号公報等にて開示された装置がある。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記開示された装置は、レジスト膜の露
光用光源を半導体ウェハの外周部に固定配置し、上記半
導体ウェハを回転して外周部を露光する構成であるため
、半導体ウェハのオリエンテーションフラットと呼称さ
れる切り欠は部分を露光することができず。したがって
この部分のレジスト膜を除去す、ることはできない。
本発明は上記従来事情に対処してなされたもので、半導
体ウェハの外周部全域に渡り露光可能な半導体ウェハの
露光装置を提供しようとするものである。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) すなわち本発明は、半導体ウェハを保持回転する回転機
構と、上記半導体ウェハに形成されたレジスト膜の周辺
に沿って露光用光源を移動する移動機構を備えたことを
特徴とする。
(作 用) 本発明半導体ウェハの露光装置では、半導体ウェハを回
転し、また露光用光源を移動することができるので、半
導体ウェハのオリエンテーションフラット部分をも露光
できる。
(実施例) 以下1本発明半導体ウェハの露光装置の一実施例を図面
を参照して説明する。
基台のには、半導体ウェハ■を吸着保持するチャック■
を備え、このチャック■をモータ等により回転すること
により上記半導体ウェハ■を回転する回転機構に)が取
着されている。
また、この回転機構に)の近傍には、半導体ウェハ■に
形成されたレジスト膜■を露光するための露光用光源例
えば光ファイバー0を横(X)方向および縦(Y)方向
に移動する移動機構ユが基台■に取着されている。
この移動機構ユは、基台■に取着されたモータ■等の回
転装置によって回転されるボールスクリュー■に嵌合し
、かつ摺動可能に貫通したガイドシャフト(10)等に
より支持され、上記ボールスクリュー■を回転すること
により縦(Y)方向に移動可能に構成された移動台(1
1)と、この移動台(11)に取着されたモータ(12
)等の回転装置によって回転されるボールスクリュー(
13)に嵌合し、このボールスクリュー(13)を回転
することにより横(X)方向に移動可能であり、かつ露
光用の光ファイバー0を保持する保持部材(14)等か
ら構成され、光ファイバー■をXY力方向移動可能に構
成されている。なお、上記モータ■(12)は、移動制
御機構(図示せず)により所定通りに回転駆動される。
次に、動作を説明する。
先ず、露光すべき半導体ウェハ■を搬送装置(図示せず
)により搬入し、上記半導体ウェハ■を所定の状態例え
ばこの半導体ウェハ■の中心(図示せず)とチャック■
の中心(図示せず)とを一致させ、かつ半導体ウェハ■
のオリエンテーラ1ンフラツト(15)とX方向が平行
となるような状態でチャック■上に載置して保持する。
そして、移動機構Q−のモータ(へ)を回転させて光フ
ァイバー〇を半導体ウェハ■に向ってY方向移動させ、
この半導体ウェハ■の外周部分の露光部分(16)に対
応した所定の位置例えば、オリエンテーションフラット
(15)の一端部X方向位置A (17)、かつY方向
位[B (18)に移動させる。
次に、光ファイバー■を露光可能な状態に点灯し1回転
機構に)を動作させて半導体ウェハ■を上記位置から1
回転させて外周部分の露光部分(16)のうちオリエン
テーションフラット(15)以外の部分を先ず露光する
。この後、移動機構ユのモータ(12)を回転させて光
ファイバー〇をX方向に向って例えばオリエンテーショ
ンフラット(15)の他端部の位ff1i C(19)
まで移動させて、オリエンテーションフラット(15)
部分を露光して、露光部分(16)をすべて露光する。
なお、上記露光の順序は、先にオリエンテーションフラ
ット(15)部分を露光し、次に外周部分の露光部分(
16)を露光してもよい。
また、光ファイバー〇の位置は、半導体ウェハ■の搬送
に支障が無ければ当初から位置A (17)位f2 B
 (18)に位置させておいてもよい。
また、光ファイバー■は、ある半導体ウェハ■の露光が
オリエンテーションフラット(15)の位置C(19)
の位置にて終了した場合、上記光ファイバー〇を位fi
! A (17)に戻す必要はなく、次の半導体ウェハ
■の露光は上記位置C(19)から始めて位置A(17
)にて終るようにしてもよい。
上記位II A (17) B (18) C(19)
は半導体ウェハ■の大きさに対応して設定するのは言う
までもない。
なお、本発明半導体ウェハの露光装置は、例えば露光用
光源部分をライン型の発光・受光素子等で構成し、露光
幅を一定、つまり遮光量を一定となるように移動機構を
制御駆動することにより。
上記半導体ウェハのみならず、例えば、角状型、楕円型
のものの外周部をも露光することが可能となる。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明半導体ウェハの露光装置によれ
ば、半導体ウェハのオリエンテーションフラットの部分
も容易に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明半導体ウェハの露光装置の一実施例を
示す構成図である。 2・・・半導体ウェハ、 4・・・回転機構、6・・・
光ファイバー、−7−・・・移動機構、15・・・オリ
エンテーションフラット、16・・・露光部分。 第1図 秒□

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハを保持回転する回転機構と、上記半導体
    ウェハに形成されたレジスト膜の周辺に沿って露光用光
    源を移動する移動機構を備えたことを特徴とする半導体
    ウェハの露光装置。
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