JP2674237B2 - 基板の切断方法 - Google Patents
基板の切断方法Info
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- JP2674237B2 JP2674237B2 JP24731689A JP24731689A JP2674237B2 JP 2674237 B2 JP2674237 B2 JP 2674237B2 JP 24731689 A JP24731689 A JP 24731689A JP 24731689 A JP24731689 A JP 24731689A JP 2674237 B2 JP2674237 B2 JP 2674237B2
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- orientation flat
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 オリエンテーションフラットを有して表面にパターン
を形成した第1の基板をオリエンテーションフラットを
有して前記基板より小さい径の第2の基板にする基板の
切断方法に関し、 新しいオリエンテーションフラットを元のオリエンテ
ーションフラットに対して高精度の平行度で形成するこ
とのできる基板の切断方法を提供することを目的とし、 パターンを形成したオリエンテーションフラットを有
する切欠円状の第1の基板をより小さな径のオリエンテ
ーションフラットを有する切欠円状の第2の基板への切
断を、第1の基板のオリエンテーションフラットの方向
と第1の基板上のパターンとから第1の基板の方向と位
置を定めて回転手段に固定する工程と、第1の基板のオ
リエンテーションフラットと平行に第1の切断手段を移
動させて第1の基板を切断して第2の基板のオリエンテ
ーションフラットを形成する工程と、回転手段により第
1の基板を水平に回転させて第1の基板を第2の切断手
段により切断して第2の基板の円形部を形成する工程と
を含んで構成する。
を形成した第1の基板をオリエンテーションフラットを
有して前記基板より小さい径の第2の基板にする基板の
切断方法に関し、 新しいオリエンテーションフラットを元のオリエンテ
ーションフラットに対して高精度の平行度で形成するこ
とのできる基板の切断方法を提供することを目的とし、 パターンを形成したオリエンテーションフラットを有
する切欠円状の第1の基板をより小さな径のオリエンテ
ーションフラットを有する切欠円状の第2の基板への切
断を、第1の基板のオリエンテーションフラットの方向
と第1の基板上のパターンとから第1の基板の方向と位
置を定めて回転手段に固定する工程と、第1の基板のオ
リエンテーションフラットと平行に第1の切断手段を移
動させて第1の基板を切断して第2の基板のオリエンテ
ーションフラットを形成する工程と、回転手段により第
1の基板を水平に回転させて第1の基板を第2の切断手
段により切断して第2の基板の円形部を形成する工程と
を含んで構成する。
また、第2の基板のオリエンテーションフラットを第
1の基板のオリエンテーションフラットにより形成する
ように構成することもできる。
1の基板のオリエンテーションフラットにより形成する
ように構成することもできる。
本発明は、オリエンテーションフラットを有して表面
にパターンを形成した基板をオリエンテーションフラッ
トを有して前記基板より小さい径の基板にする基板の切
断方法、特に新しいオリエンテーションフラットを元の
オリエンテーションフラットに対して高精度の平行度で
形成することのできる基板の切断方法に関する。
にパターンを形成した基板をオリエンテーションフラッ
トを有して前記基板より小さい径の基板にする基板の切
断方法、特に新しいオリエンテーションフラットを元の
オリエンテーションフラットに対して高精度の平行度で
形成することのできる基板の切断方法に関する。
半導体工場の半導体ウェーハプロセスラインはウェー
ハサイズによって別々のラインに構成されるのが通例で
ある。
ハサイズによって別々のラインに構成されるのが通例で
ある。
しかし、半導体工場の運営にあたっては、既にパター
ン等を表面に形成した半導体ウェーハをウェーハサイズ
の異なるラインで流せると良都合となることも少なくな
い。
ン等を表面に形成した半導体ウェーハをウェーハサイズ
の異なるラインで流せると良都合となることも少なくな
い。
小さなウェーハサイズのものを大きなウェーハサイズ
用のラインで流すことは、実際上きわめて困難である。
用のラインで流すことは、実際上きわめて困難である。
ところが、半導体ウェーハをこれより小さなサイズに
切断(例えば6インチサイズを5インチサイズに切断)
すれば、途中工程まで大きなウェーハサイズ用のライン
で流して表面にパターンを形成した半導体ウェーハでも
小さなウェーハサイズ用のラインでも流すことが可能と
なる。
切断(例えば6インチサイズを5インチサイズに切断)
すれば、途中工程まで大きなウェーハサイズ用のライン
で流して表面にパターンを形成した半導体ウェーハでも
小さなウェーハサイズ用のラインでも流すことが可能と
なる。
次に、オリエンテーションフラットを有する基板とし
て半導体ウェーハを採り上げ、従来の切断方法について
図面を参照しながら説明する。
て半導体ウェーハを採り上げ、従来の切断方法について
図面を参照しながら説明する。
第3図は、従来の半導体ウェーハの切断方法を説明す
るための図であって、即ち同図(a)は切断前後の半導
体ウェーハの平面形状を示す図、同図(b)は半導体ウ
ェーハの円周部を形成する切断方法を説明するための平
面図、オリエンテーションフラットを形成する切断方法
を説明するための平面図である。
るための図であって、即ち同図(a)は切断前後の半導
体ウェーハの平面形状を示す図、同図(b)は半導体ウ
ェーハの円周部を形成する切断方法を説明するための平
面図、オリエンテーションフラットを形成する切断方法
を説明するための平面図である。
第3図の(a)図に示すように半導体ウェーハ32は、
半導体ウェーハ31を点線で示す如く切断して形成したも
ので、半導体ウェーハ32の円形部32bの中心点31cは半導
体ウェーハ31の中心点にもなっている。
半導体ウェーハ31を点線で示す如く切断して形成したも
ので、半導体ウェーハ32の円形部32bの中心点31cは半導
体ウェーハ31の中心点にもなっている。
次に、半導体ウェーハ31を切断して円形部32bとオリ
エンテーションフラット32aとを有する半導体ウェーハ3
2にするための切断方法について説明する。
エンテーションフラット32aとを有する半導体ウェーハ3
2にするための切断方法について説明する。
半導体ウェーハ32のオリエンテーションフラット32a
と円形部32bの形成は、円形部32bを形成した後に、オリ
エンテーションフラット32aを形成するので円形部32bの
形成法から説明する。
と円形部32bの形成は、円形部32bを形成した後に、オリ
エンテーションフラット32aを形成するので円形部32bの
形成法から説明する。
まず、同図(b)に示すように半導体ウェーハ31を真
空吸着機構を備えた回転チャック33上に半導体ウェーハ
31の中心点31cと回転チャック33の回転中心33aとを一致
させて載置する。
空吸着機構を備えた回転チャック33上に半導体ウェーハ
31の中心点31cと回転チャック33の回転中心33aとを一致
させて載置する。
そして、直ちに真空吸着機構を作動させて半導体ウェ
ーハ31を真空吸着して確りと固定する。
ーハ31を真空吸着して確りと固定する。
この後、回転砥石34を矢印の方向に回転させながら、
回転砥石34を同図(a)のオリエンテーションフラット
31aの左部近傍に当接させる。
回転砥石34を同図(a)のオリエンテーションフラット
31aの左部近傍に当接させる。
そして、回転砥石34を半導体ウェーハ31の円形部32b
の径方向に半導体ウェーハ32の円形部32bとなる切断予
定線32b'まで進める。
の径方向に半導体ウェーハ32の円形部32bとなる切断予
定線32b'まで進める。
次いで、回転チャック33の図示してない回転駆動装置
を作動して回転チャック33と半導体ウェーハ31と矢印の
方向に回転させながら半導体ウェーハ31を切断し、半導
体ウェーハ32の円形部32bを形成する。
を作動して回転チャック33と半導体ウェーハ31と矢印の
方向に回転させながら半導体ウェーハ31を切断し、半導
体ウェーハ32の円形部32bを形成する。
なお、半導体ウェーハ32の円形部32bの形成が終了し
た後、回転砥石34と回転チャック33の回転を一旦停止さ
せる。
た後、回転砥石34と回転チャック33の回転を一旦停止さ
せる。
円形部32bに続いてのオリエンテーションフラット32a
の形成は、回転砥石34の先端をオリエンテーションフラ
ット32aとなる切断予定線32a'に一致させてから、再び
回転砥石34を矢印の方向に回転させると共に、回転チャ
ック33の図示してない直線駆動装置を作動させて回転砥
石34の研削速度に応じて矢印の方向に移動して切断予定
線32a'に沿って切断して形成する。
の形成は、回転砥石34の先端をオリエンテーションフラ
ット32aとなる切断予定線32a'に一致させてから、再び
回転砥石34を矢印の方向に回転させると共に、回転チャ
ック33の図示してない直線駆動装置を作動させて回転砥
石34の研削速度に応じて矢印の方向に移動して切断予定
線32a'に沿って切断して形成する。
斯くして、半導体ウェーハ31からオリエンテーション
フラット32aと円形部32bを有する切欠円状の半導体ウェ
ーハ32への形成が完了する。
フラット32aと円形部32bを有する切欠円状の半導体ウェ
ーハ32への形成が完了する。
半導体ウェーハの表面にパターンを形成するためのレ
ジストの露光をする際には、半導体ウェーハのオリエン
テーションフラットを衝基準にして固定した後に表面の
レジストを露光している。
ジストの露光をする際には、半導体ウェーハのオリエン
テーションフラットを衝基準にして固定した後に表面の
レジストを露光している。
従って、半導体ウェーハ31の表面に形成されているパ
ターンは、全てオリエンテーションフラット31aを基準
にしている。
ターンは、全てオリエンテーションフラット31aを基準
にしている。
しかしながら、前述したように半導体ウェーハ31から
半導体ウェーハ32を形成するための従来の切断は、単に
半導体ウェーハ31の中心点31cと回転チャック33の回転
中心33aとが一致するようにして行っているだけであっ
た。
半導体ウェーハ32を形成するための従来の切断は、単に
半導体ウェーハ31の中心点31cと回転チャック33の回転
中心33aとが一致するようにして行っているだけであっ
た。
この為に、半導体ウェーハ31のオリエンテーションフ
ラット31aを基準にして形成された前記パターンと、半
導体ウェーハ31を切断して形成した半導体ウェーハ32の
オリエンテーションフラット32aとの間には傾きが発生
することが避けられなかった。
ラット31aを基準にして形成された前記パターンと、半
導体ウェーハ31を切断して形成した半導体ウェーハ32の
オリエンテーションフラット32aとの間には傾きが発生
することが避けられなかった。
特に、半導体ウェーハ32のパターンが微細配線パター
ンである場合は、ステッパーにセットしたホトマスクと
前記微細配線パターンとの位置合わせ作業においてホト
マスクと前記微細配線パターンとの傾きを修正するため
の角度調整が必要となり、多くの時間をこの角度調整の
ために掛けなければならない問題があった。
ンである場合は、ステッパーにセットしたホトマスクと
前記微細配線パターンとの位置合わせ作業においてホト
マスクと前記微細配線パターンとの傾きを修正するため
の角度調整が必要となり、多くの時間をこの角度調整の
ために掛けなければならない問題があった。
本発明は、斯かる問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は新しいオリエンテーションフラットを元
のオリエンテーションフラットに対して高精度の平行度
で形成することのできる基板の切断方法を提供すること
にある。
て、その目的は新しいオリエンテーションフラットを元
のオリエンテーションフラットに対して高精度の平行度
で形成することのできる基板の切断方法を提供すること
にある。
前記目的は第1図及び第2図に示すように、パターン
を形成したオリエンテーションフラット11aを有する切
欠円状の第1の基板11を該基板11より小さな径のオリエ
ンテーションフラット12aを有する切欠円状の第2の基
板12への切断を、前記基板11のオリエンテーションフラ
ット11aの方向と該基板11上のパターンとから該基板11
の方向と位置を定めて回転手段13に固定する工程と、基
板11のオリエンテーションフラット11aと平行に第1の
切断手段14を移動させて該基板11を切断して基板12のオ
リエンテーションフラット12aを形成する工程と、回転
手段13により基板11を水平に回転させて該基板11を第2
の切断手段15により切断して前記基板12の円形部12bを
形成する工程とを含んで行うことを特徴とする基板の切
断方法により達成される。
を形成したオリエンテーションフラット11aを有する切
欠円状の第1の基板11を該基板11より小さな径のオリエ
ンテーションフラット12aを有する切欠円状の第2の基
板12への切断を、前記基板11のオリエンテーションフラ
ット11aの方向と該基板11上のパターンとから該基板11
の方向と位置を定めて回転手段13に固定する工程と、基
板11のオリエンテーションフラット11aと平行に第1の
切断手段14を移動させて該基板11を切断して基板12のオ
リエンテーションフラット12aを形成する工程と、回転
手段13により基板11を水平に回転させて該基板11を第2
の切断手段15により切断して前記基板12の円形部12bを
形成する工程とを含んで行うことを特徴とする基板の切
断方法により達成される。
また、第2の基板12のオリエンテーションフラット12
aが第1の基板11のオリエンテーションフラット11aによ
り形成されていることを特徴とする基板によっても達成
することができる。
aが第1の基板11のオリエンテーションフラット11aによ
り形成されていることを特徴とする基板によっても達成
することができる。
第1の基板11の4オリエンテーションフラット11aと
該基板11のパターンとから該基板11の方向と位置を定め
て固定した後に、基板11のオリエンテーションフラット
11aと平行に第1の切断手段14を移動させて該基板11を
切断して基板12のオリエンテーションフラット12aを形
成し、回転手段13により基板11を水平に回転させて該基
板11を第2の切断手段15により切断して前記基板12の円
形部12bを形成している。
該基板11のパターンとから該基板11の方向と位置を定め
て固定した後に、基板11のオリエンテーションフラット
11aと平行に第1の切断手段14を移動させて該基板11を
切断して基板12のオリエンテーションフラット12aを形
成し、回転手段13により基板11を水平に回転させて該基
板11を第2の切断手段15により切断して前記基板12の円
形部12bを形成している。
従って、第2の基板のオリエンテーションフラット12
aは、第1の基板のオリエンテーションフラット11aに対
して高精度の平行度で形成されているために、第2の基
板のオリエンテーションフラット12aと該基板のパター
ンとの間が傾斜することはない。
aは、第1の基板のオリエンテーションフラット11aに対
して高精度の平行度で形成されているために、第2の基
板のオリエンテーションフラット12aと該基板のパター
ンとの間が傾斜することはない。
また、第2の基板12のオリエンテーションフラット12
aを第1の基板11のオリエンテーションフラット11aで形
成することにより、第2の基板12のオリエンテーション
フラット12aと該基板12のパターンとの間が傾斜するこ
とはない。
aを第1の基板11のオリエンテーションフラット11aで形
成することにより、第2の基板12のオリエンテーション
フラット12aと該基板12のパターンとの間が傾斜するこ
とはない。
以下、本発明の実施例について第1図及び第2図を参
照しながら詳細に説明する。
照しながら詳細に説明する。
第1図は本発明に係る基板の切断状態を示す平面図で
あって、同図(a)は第1の切断例の基板の平面図、同
図(b)は第2の切断例の基板の平面図である。
あって、同図(a)は第1の切断例の基板の平面図、同
図(b)は第2の切断例の基板の平面図である。
第2図は本発明の一実施例を説明するための工程順平
面図であって、同図(a)〜同図(f)は第1図の
(a)図に示す如くに基板を切断する工程を工程順に説
明するためのものである。
面図であって、同図(a)〜同図(f)は第1図の
(a)図に示す如くに基板を切断する工程を工程順に説
明するためのものである。
初めに、第1図の(a)図に示すように基板を切断す
る方法について説明する。
る方法について説明する。
この切断においては、まず切断すべき第1の基板11の
表面を上方に向けてフォーク16に載置した後、このフォ
ーク16を制御して第1の基板11を回転手段13(例えば、
回転チャック)上に載置して固定する(第2図の(a)
図参照)。
表面を上方に向けてフォーク16に載置した後、このフォ
ーク16を制御して第1の基板11を回転手段13(例えば、
回転チャック)上に載置して固定する(第2図の(a)
図参照)。
なお、フォーク16は、互いに直交するX軸(紙面左右
方向)、Y軸(紙面上下方向)、Z軸方向(紙面垂直方
向)にそれぞれ自在に移動可能に構成したものである。
方向)、Y軸(紙面上下方向)、Z軸方向(紙面垂直方
向)にそれぞれ自在に移動可能に構成したものである。
また、回転チャック13は、第1の基板11の裏面を真空
吸着して確りと固定するとともに、図示してない回転駆
動装置により回転中心13aの周りを水平に回転するよう
に構成されている。
吸着して確りと固定するとともに、図示してない回転駆
動装置により回転中心13aの周りを水平に回転するよう
に構成されている。
次いで、回転チャック13の前記回転駆動装置を作動
し、回転チャック13と第1の基板11とを矢印方向に回転
させるとともに、第1の基板11のオリエンテーションフ
ラット11aの方向を検出するフォトセンサ17を作動させ
る。
し、回転チャック13と第1の基板11とを矢印方向に回転
させるとともに、第1の基板11のオリエンテーションフ
ラット11aの方向を検出するフォトセンサ17を作動させ
る。
すると、フォトセンサ17は、第1の基板11のオリエン
テーションフラット11aを検出すると共に、前記回転駆
動装置を制御してオリエンテーションフラット11aが前
記X軸と平行になった位置で該回転駆動装置を停止させ
る(同図(b)参照)。
テーションフラット11aを検出すると共に、前記回転駆
動装置を制御してオリエンテーションフラット11aが前
記X軸と平行になった位置で該回転駆動装置を停止させ
る(同図(b)参照)。
この後、フォーク16は、第1の基板11の裏面を支持し
て該基板11を図示してない座標読取部にそのまま移動す
る(第2図の(c)図参照)。
て該基板11を図示してない座標読取部にそのまま移動す
る(第2図の(c)図参照)。
前記座標読取部は、第1の基板11のパターンの予め定
めた基準点18の座標読取部の基準点19からのずれを検出
した後に、このずれ及び前記基準点18と第1の基板11の
中心点11cとの位置関係に基づいて、第1の基板11の中
心点11cを回転チャック13の回転中心13aに一致させて第
1の基板11を回転チャック13に載置するためのフォーク
16の移動量を算出する。
めた基準点18の座標読取部の基準点19からのずれを検出
した後に、このずれ及び前記基準点18と第1の基板11の
中心点11cとの位置関係に基づいて、第1の基板11の中
心点11cを回転チャック13の回転中心13aに一致させて第
1の基板11を回転チャック13に載置するためのフォーク
16の移動量を算出する。
この後、フォーク16は、前記移動量データに基づいて
移動して、第1の基板11の中心点11cを回転チャック13
の回転中心13aに一致させて回転チャック13上に載置し
て固定する(第2図の(d)図参照)。
移動して、第1の基板11の中心点11cを回転チャック13
の回転中心13aに一致させて回転チャック13上に載置し
て固定する(第2図の(d)図参照)。
斯かる状態において、第1の回転砥石14の回転砥石を
矢印の方向に回転させて第1の基板11のオリエンテーシ
ョンフラット11aの左端部に当接させると共に、第1の
回転砥石14の研削速度に応じて矢印で示す方向に第1の
回転砥石14をオリエンテーションフラット12aの切断予
定線12a'に沿って直線移動させてオリエンテーションフ
ラット12aを形成する(第2図の(e)図参照)。
矢印の方向に回転させて第1の基板11のオリエンテーシ
ョンフラット11aの左端部に当接させると共に、第1の
回転砥石14の研削速度に応じて矢印で示す方向に第1の
回転砥石14をオリエンテーションフラット12aの切断予
定線12a'に沿って直線移動させてオリエンテーションフ
ラット12aを形成する(第2図の(e)図参照)。
次に、第2の基板12の円形部12bの形成に移行するこ
ととなるが、このためにはまず第2の切断手段15、例え
ば第2の回転砥石を矢印の方向に回転させて前記切断作
業により形成したオリエンテーションフラット12aの右
部近傍の第1の半導体ウェーハ11の円形部11bに当接さ
せる。
ととなるが、このためにはまず第2の切断手段15、例え
ば第2の回転砥石を矢印の方向に回転させて前記切断作
業により形成したオリエンテーションフラット12aの右
部近傍の第1の半導体ウェーハ11の円形部11bに当接さ
せる。
そして、第2の回転砥石15の研削速度に応じて第1の
基板11を矢印方向に回転しながら第2の基板12の円形部
12bの切断予定線12b'の外側部分を切り落とす(第2図
の(f)図参照)。
基板11を矢印方向に回転しながら第2の基板12の円形部
12bの切断予定線12b'の外側部分を切り落とす(第2図
の(f)図参照)。
斯くして、第2の基板12は、第1の基板11のオリエン
テーションフラット11aに対して高精度の平行度を持つ
オリエンテーションフラット12aを有して形成される。
テーションフラット11aに対して高精度の平行度を持つ
オリエンテーションフラット12aを有して形成される。
また、第1図の(b)図に示すような第1の基板11の
オリエンテーションフラット11aのそのままオリエンテ
ーションフラット12a'とする第3の基板12'は、前記切
断方法において第1の基板11の中心点11cを回転チャッ
ク13の回転中心13aに対してオリエンテーションフラッ
ト11aの方向に近づけて第1の基板11を回転チャック13
に固定して、第2の回転砥石15により第1の基板11の円
形部11bの外周部を切断することにより簡単に形成する
ことができる。
オリエンテーションフラット11aのそのままオリエンテ
ーションフラット12a'とする第3の基板12'は、前記切
断方法において第1の基板11の中心点11cを回転チャッ
ク13の回転中心13aに対してオリエンテーションフラッ
ト11aの方向に近づけて第1の基板11を回転チャック13
に固定して、第2の回転砥石15により第1の基板11の円
形部11bの外周部を切断することにより簡単に形成する
ことができる。
〔発明の効果〕 以上の説明で明らかなように本発明によれば、切断後
の基板のオリエンテーションフラットは切断前のオリエ
ンテーションフラットに対して高精度な平行状態で形成
されている。
の基板のオリエンテーションフラットは切断前のオリエ
ンテーションフラットに対して高精度な平行状態で形成
されている。
従って、切断後の露光作業等において前記オリエンテ
ーションフラットを基準衝にしてもフォトマスクと基板
のパターンとが傾くことがないために、フォトマスク若
しくは基板をオリエンテーションフラットの方向と該オ
リエンテーションフラットと直交する方向だけの調整で
済むために位置合わせ作業を短時間で、然も簡単に行う
ことが可能となる。
ーションフラットを基準衝にしてもフォトマスクと基板
のパターンとが傾くことがないために、フォトマスク若
しくは基板をオリエンテーションフラットの方向と該オ
リエンテーションフラットと直交する方向だけの調整で
済むために位置合わせ作業を短時間で、然も簡単に行う
ことが可能となる。
第1図は、本発明に係る基板の切断状態を示す平面図、 第2図は、本発明の一実施例を説明するための工程順平
面図、 第3図は、従来の半導体ウェーハの切断方法を説明する
ための図である。 図において、 11は第1の基板、 12は第2の基板、 12′は第3の基板、 13は回転手段(回転チャック)、 14は第1の切断手段(第1の回転砥石)、 15は第2の切断手段(第2の回転砥石)、 16はフォーク、 17はフォトセンサ、 18は第1の基板のパターン上の任意の定めた基準点、 19は座標読取部の基準点をそれぞれ示す。
面図、 第3図は、従来の半導体ウェーハの切断方法を説明する
ための図である。 図において、 11は第1の基板、 12は第2の基板、 12′は第3の基板、 13は回転手段(回転チャック)、 14は第1の切断手段(第1の回転砥石)、 15は第2の切断手段(第2の回転砥石)、 16はフォーク、 17はフォトセンサ、 18は第1の基板のパターン上の任意の定めた基準点、 19は座標読取部の基準点をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項1】パターンを形成したオリエンテーションフ
ラット(11a)を有する切欠円状の第1の基板(11)を
該基板(11)より小さな径のオリエンテーションフラッ
ト(12a)を有する切欠円状の第2の基板(12)への切
断を、前記基板(11)のオリエンテーションフラット
(11a)の方向と該基板(11)上のパターンとから該基
板(11)の方向と位置を定めて回転手段(13)に固定す
る工程と、 前記基板(11)のオリエンテーションフラット(11a)
と平行に第1の切断手段(14)を移動させて該基板(1
1)を切断して前記基板(12)のオリエンテーションフ
ラット(12a)を形成する工程と、 前記回転手段(13)により前記基板(11)を水平に回転
させて該基板(11)を第2の切断手段(15)により切断
して前記基板(12)の円形部(12b)を形成する工程と
を含んで行うことを特徴とする基板の切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24731689A JP2674237B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 基板の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24731689A JP2674237B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 基板の切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03108513A JPH03108513A (ja) | 1991-05-08 |
JP2674237B2 true JP2674237B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17161585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24731689A Expired - Fee Related JP2674237B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 基板の切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2674237B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6684603B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2020-04-22 | 株式会社松崎製作所 | 再生半導体ウエハの製造方法 |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP24731689A patent/JP2674237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03108513A (ja) | 1991-05-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |