JPH04291914A - ウエハ上の不要レジスト露光方法 - Google Patents

ウエハ上の不要レジスト露光方法

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JPH04291914A
JPH04291914A JP3080472A JP8047291A JPH04291914A JP H04291914 A JPH04291914 A JP H04291914A JP 3080472 A JP3080472 A JP 3080472A JP 8047291 A JP8047291 A JP 8047291A JP H04291914 A JPH04291914 A JP H04291914A
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wafer
resist
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unnecessary resist
light irradiation
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裕子 鈴木
Shinetsu Miura
三浦 真悦
Yoshiki Mimura
芳樹 三村
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Ushio Denki KK
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ上の不要レジス
トを現像工程で除去するために必要とされるウエハ上の
不要レジスト露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えばIC、LSI等の製造工程におい
ては、シリコンウエハ等の半導体ウエハの表面にレジス
トを塗布し、次いで回路パターンを露光し、これを現像
して、レジストパターンを形成することが行われている
。レジストの塗布は、通常、ウエハ表面の中心位置にレ
ジストを注ぎながらウエハを回転させ、遠心力によって
ウエハの全表面にレジストを塗布するスピンコート法が
用いられている。従って、ウエハの周縁部にもレジスト
が塗布されることになる。しかし、ウエハの周縁部はパ
ターン形成領域に利用されることはあまりない。これは
、ウエハが種々の処理工程に付される際に、その周縁部
を利用して搬送、保持されることが多く、また周縁部で
はパターンの歪みが生じやすく歩留りが悪いからである
。従って、レジストがポジ型レジストである場合には、
周縁部が露光されないため現像後も周縁部にレジストが
残留し、このレジストがウエハの搬送、保持の際に周辺
機器を汚染し、ひいてはウエハ表面の汚染となり、歩留
りの低下を招く原因となっていた。
【0003】そこで、最近においては、ウエハ周縁部の
不要レジストを現像工程で除去するために、パターン形
成領域における回路パターンの露光工程とは別個に、ウ
エハ周縁部の不要レジストを露光する周縁露光が行われ
ている(例えば特開昭61− 73330号公報等参照
)。この周縁露光は、レジストが塗布されたウエハを回
転しながら、光ファイバにより導かれた光をウエハ周縁
部の不要レジストに照射して行われている。しかし、ウ
エハには、通常、結晶の方向性を示すオリエンテーショ
ンフラット(以下単に「オリフラ」と略称する。)と称
される直線状の周縁が設けられているため、完全な円形
ではない。またウエハもその中心が回転台の中心と一致
して載置しているわけではない。このため光ファイバの
出射端を固定してウエハを単に回転させるのみではウエ
ハ周縁部の不要レジストを適正に露光することができな
い。このような問題点を解決するために例えば特開平2
− 73621号公報に示すようなウエハの周縁のエッ
ヂを検出しながら、光ファイバの出射端を微動させる方
法がある。
【0004】また、最近においては、逐次移動型縮小投
影露光装置(以下「ステッパー」と称する。)によって
ウエハの表面が碁盤の目のように区画されて逐次露光さ
れることが多いが、この場合には、正しく1チップ分の
回路パターンを露光できない周縁部分の形状は、1チッ
プの大きさ等のウエハの利用設計の条件によって様々に
変化し、従って、パターン形成領域の形状も一様ではな
い。またこの場合、回路パターン外側の不要レジストも
階段状の形になり、この形も回路パターンの様々の変化
によって変わる。
【0005】また、ウエハ上にスピンコート法によりレ
ジストを塗布する際には、特に、ウエハの周縁部上にお
いてレジストが厚く盛り上がりやすい。そのため、周縁
部上のレジストをあまり強い光で急激に露光すると発泡
し、他のウエハ等を汚染する問題が発生する。従って、
不要レジストの周縁部の厚い部分については弱い光で露
光することが必要となる。一方、ウエハのパターン形成
領域の形状に沿ったその外側部分ではレジストが厚く盛
り上がるおそれが少ないので、迅速な処理を達成するた
めには強い光で露光することが望ましい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の周縁露光技術は、ウエハ周縁部の不要レジストの
形状が階段状である場合には、その不要レジストを階段
状に沿って正確さらに迅速に除去することができない問
題がある。また、強い光で露光するとウエハの周縁部上
のレジストが発泡したり、弱い光で露光するとパターン
形成領域の形状に沿ったその外側部分上のレジストの露
光に時間がかかってしまうという問題点がある。
【0007】本発明は以上のような事情に基づいてなさ
れたものであって、その第1目的は、ウエハの載置状態
および不要レジストの形状にかかわらず、不要レジスト
をその形状に従って迅速にかつ正確に露光することがで
きるウエハ上の不要レジスト露光方法を提供することに
ある。また、本発明の第2目的は、ウエハの周縁部上の
レジストを発泡を伴わずに良好に露光することができ、
しかもウエハのパターン形成領域の形状に沿ったその外
側部分上の不要レジストを迅速に露光することができる
ウエハ上の不要レジスト露光方法を提供することにある
【0008】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明のウエハ上の不要レジスト露光方法は、周縁
に特異点を有し表面にレジストが塗布されたウエハ上の
不要レジストを露光する方法において、第1の光照射手
段によりウエハを回転させながらウエハの周縁部上の不
要レジストを露光する工程と、第2の光照射手段により
ウエハのパターン形成領域の形状に沿ってその外側部分
上の不要レジストを露光する工程とを含むことを特徴と
する。また、第1の光照射手段により露光する工程と同
時にウエハの回転台での載置状態を検出する工程を含む
ことを特徴とする。また、第1の光照射手段における露
光波長領域の光照度は、第2の光照射手段における露光
波長領域の光照度よりも低いことを特徴とする。さらに
、ウエハを加熱した状態で、第1の光照射手段によりウ
エハを回転させながらウエハの外周縁部上の不要レジス
トを露光することを特徴とする。
【0009】
【作用】上記構成によれば、回転台にどのような状態で
ウエハが載置されても、特異点を基準にした露光開始状
態にウエハの位置が設定され、また露光領域設定手段に
よりレジストの露光される領域が設定されるので、ウエ
ハ周縁部の不要レジストの形状にかかわらず高い精度で
不要レジストを露光することができる。また、2つの光
照射手段を設けたので、ウエハの周縁部上に厚く盛り上
がった不要レジストを発泡させずに露光することができ
、しかもパターン形成領域の形状に沿ったその外側部分
上の不要レジストについては迅速に露光することが可能
となる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1は、
本発明の不要レジスト露光方法に使用することができる
不要レジスト露光装置の一例を示す説明図である。
【0011】1はウエハ回転手段であり、モータを内蔵
し、周縁WAに特異点を有し表面にレジストが塗布され
たウエハWが載置される回転台2を備えている。回転台
2にはウエハWを保持するための真空吸着孔(図示省略
)が設けられている。また、この回転台2には、ヒータ
からなる加熱手段21が設けられており、ウエハWを加
熱した状態で、後述する第1の光照射手段7Aによりウ
エハWを回転させながらウエハWの周縁部上の不要レジ
ストを露光することができるようになっている。従って
、周縁部上の不要レジストを光照度の低い光スポットで
露光を行う際に、回転台2の回転速度を低くせずに迅速
でかつ十分な露光を達成することができる。
【0012】3は周縁検出センサーであり、回転するウ
エハWの周縁WAを検出するものである。この周縁検出
センサー3は、例えば図2に示すように、発光器31と
、受光器32とを備えている。
【0013】4は周縁検出センサー駆動手段であり、周
縁検出センサー3がウエハWの周縁WAに常に位置する
ようにウエハ回転手段1の回転の半径方向(図1におい
て矢印Aで示す)に移動させるものである。この周縁検
出センサー駆動手段4は、例えば図2に示すように、増
幅器41と、比較器42と、サーボモータからなる駆動
源43とを備えてなる。周縁検出センサー3の発光器3
1からの光を受けた受光器32の光電流は、増幅器41
で増幅され、比較器42で比較される。比較器42の基
準電圧44は、発光器31から受光器32に至る光軸が
ウエハWの周縁WAに接するように周縁検出センサー3
を位置させた際に発生する光電流の値として予め設定さ
れている。比較器42の出力信号は駆動源43に送られ
、この駆動源43は、比較器42からの信号により周縁
検出センサー3をウエハ回転手段1の回転の半径方向に
直線移動させて、周縁検出センサー3をウエハWの周縁
WAに常に位置するように制御する。
【0014】5は載置状態検出手段であり、周縁検出セ
ンサー3の半径方向の移動によって、ウエハWの回転台
2での載置状態を検出するものである。この載置状態検
出手段5は、例えば図2に示すように、位置検出手段5
1と、回転角度読取手段52と、記憶手段53と、演算
手段54とを備えている。周縁検出センサー駆動手段4
により位置制御されている周縁検出センサー3の位置は
、位置検出手段51によって検出される。この位置検出
手段51としては、駆動源43として用いられるサーボ
モータのパルスをカウントするパルスカウンタ等が用い
られる。サーボモータの1パルスに対する周縁検出セン
サー3の移動距離は予め分かっているので、ある回転角
度の時点で所定の基準位置から何パルスカウントしたか
が分かれば、周縁検出センサー3の位置が検出できる。 なお、サーボモータから負のパルスが出力される場合は
、回転軸から遠ざかる向きに周縁検出センサー3が移動
しているので、マイナスのカウントをすることになる。 位置検出手段51により検出された周縁検出センサー3
の位置情報と、回転角度読取手段52により検出された
ウエハの回転角度は、逐次、記憶手段53に送られ記憶
される。すなわち、記憶手段53には、ウエハがある位
置から何度回転したとき一定の位置を基準点として周縁
検出センサー3がどの位置にあったかのデータが格納さ
れる。従って、ウエハを1回転させると各回転角度に対
応した位置データが記憶手段53に蓄積されることにな
る。記憶手段53としては、ICメモリが用いられる。
【0015】ウエハWの特異点としては、特に限定され
ないが、例えば図3に示すように、結晶構造の方向性を
示すオリフラWFを利用することができる。ただし、オ
リフラWFは長さABを有するので、本実施例ではウエ
ハ回転手段1の回転中心OT からオリフラWFに引い
た垂線とオリフラWFとの交点Oを選び、この交点Oを
特異点とする。なお、回転中心OT はウエハWの円周
の中心とは必ずしも一致せず、従って交点Oは線分AB
の中点にある必要はない。後述する露光領域設定手段に
より露光領域が予め設定されるので、回転中心OT と
ウエハWの円周の中心を一致させるセンタリング動作を
必要としないからである。また、このほか、周縁に小さ
な切り欠き等を設けてアライメント等に利用するような
ウエハも最近では使用されており、この場合には、この
切り欠きを特異点として利用してもよい。
【0016】記憶手段53に記憶された周縁検出センサ
ー3の位置情報と回転角度情報との関係を図4に示す。 図4において、横軸は回転角度であり、縦軸は位置検出
手段51としてのパルスカウンタがカウントしたパルス
数nを回転角度θで微分したdn/dθ、すなわち周縁
検出センサー3の変位量である。なお、回転角度θは回
転角度読取手段52からのデータを使用せずに、回転台
2の回転角速度ωのデータを予め記憶手段53に入力し
ておき、θ=ωt、dθ=ωdtの演算を演算手段54
で行って求めるようにしてもよい。図4において、領域
F以外でdn/dθ≠0であるのは、ウエハ回転手段1
の回転中心OT とウエハWの円周の中心とが一致して
いないためである。図4の点線で示すように、dn/d
θが大きく+側、−側に変化している領域Fは、周縁検
出センサー3がオリフラWFを検出している角度範囲で
ある。さらに、領域F内でdn/dθ=0となっている
点θ0 は、オリフラWFの検出時において周縁検出セ
ンサー3の変位量が0の点であるから、図3において、
周縁検出センサー3が最も回転中心側に寄っている状態
を示す。この状態は、周縁検出センサー3の光軸が特異
点でウエハWの周縁WAに接した状態であり、前記θ0
 を求めることにより特異点の位置を知ることが可能と
なる。 従って、演算手段54では、領域F内でdn/dθ=0
となっている点θ0 を求める演算を行えばよいことに
なる。
【0017】6は露光開始状態設定手段であり、載置状
態検出手段5の信号を受けて、ウエハ回転手段1を駆動
してウエハWを特異点Oを基準にした所定の向きにする
ものである。なお、所定の向きにするための回転方向は
、正回転でも逆回転でもよい。
【0018】7Aは第1の光照射手段であり、ウエハW
を回転させながら例えば図5に示すウエハWの周縁部W
B上の不要レジストをスポット的に露光するためのもの
である。この光照射手段7Aは、図1に示すように、ラ
ンプ71Aと、このランプ71Aの光を集光させて反射
する楕円反射鏡72Aと、この楕円反射鏡72Aからの
光を水平方向に反射する反射鏡73Aと、反射鏡73A
の出射光路に出入り可能に配設されたシャッタ74Aと
、反射鏡73Aの光を導く光ファイバ75Aとを備えて
なる。この第1の光照射手段7Aは周縁検出センサー3
と一体的に設けられている。
【0019】7Bは第2の光照射手段であり、例えば図
5に示すウエハWのパターン形成領域Hの形状に沿った
その外側部分WC上の不要レジストをスポット的に露光
するためのものである。この第2の光照射手段7Bも第
1の光照射手段7Aと同様に構成されており、71Bは
ランプ、72Bは楕円反射鏡、73Bは反射鏡、74B
はシャッタ、75Bは光ファイバである。ただし、光フ
ァイバ75Bの出射端は、周縁検出センサー3と別の位
置に配置されている。
【0020】第1の光照射手段7Aにおける露光波長領
域の光照度は、第2の光照射手段7Bにおける露光波長
領域の光照度よりも低くなっている。従って、ウエハW
の周縁部WB上に厚く盛り上がった不要レジストを発泡
させずに露光することができ、しかもパターン形成領域
Hの形状に沿ったその外側部分WC上の不要レジストを
迅速に露光することができる。
【0021】8は露光領域設定手段であり、レジストの
露光すべき領域を予め設定するものであり、ICメモリ
等が用いられる。例えば図5に示すように、パターン形
成領域Hが階段状である場合には、オリフラWFをX軸
、これに直交する軸をY軸とするXY座標系を定め、パ
ターン形成領域Hの各角部(a,b,c,d等)の位置
座標をデータとしてICメモリに記憶させて設定するこ
とができる。この設定値は、ウエハWのパターン形成領
域Hの形状に応じて、随時変更することもできる。また
、パターン形成領域Hの角部の数も限られない。従って
、パターン形成領域Hがいかなる形状であってもそのパ
ターン形成領域Hの外側部分WC上のレジストを確実に
露光することができる。
【0022】9は移動手段であり、ウエハWの表面上に
おいて第2の光照射手段7Bを移動制御するものである
。この移動手段9は、図1に示すように、第2の光照射
手段7Bの光ファイバー75Bの出射端を保持する支持
アーム91と、Xテーブル92と、Yテーブル93と、
XテーブルをX方向に沿って往復移動させるステッピン
グモータ94と、YテーブルをY方向に沿って往復移動
させるステッピングモータ95とを備えている。Yテー
ブル93に支持アーム91が取付けられている。Y方向
は、出射端から回転台2の回転中心に向かう方向であり
、X方向はY方向に対して直角な方向である。従って、
光ファイバ75Bの出射端は、Xテーブル92およびY
テーブル93の移動によってウエハWのパターン形成領
域Hの形状に沿ってその外側部分WCを移動することに
なる。
【0023】本発明の不要レジスト露光方法の実施例に
おいては、以上の不要レジスト露光装置を用いて、次の
ようにして不要レジストの露光を行う。露光領域設定手
段8により予めウエハW上の不要レジストの露光領域を
設定する。露光領域は、既述のようにウエハWのパター
ン形成領域Hの形状に基づいて定められる。
【0024】第1の光照射手段7Aにより、回転台2に
載置されたウエハWを加熱手段21により加熱した状態
で回転させながら、ウエハW上の周縁部WB上の不要レ
ジストを光照度の低い光スポットで露光するとともに、
載置状態検出手段5により、このときの周縁検出センサ
ー3の半径方向の移動によってウエハWの特異点Oを検
出してウエハWの回転台2に対する載置状態を検出する
。従って、周縁部WBの露光をレジストの発泡を招くこ
となく行うことができ、同時に特異点の検出をも行うこ
とができ、露光作業を効率的に達成することができる。 なお、第1の光照射手段7Aによる周縁部WBの露光は
、必要に応じて複数回にわたり重複して行ってもよい。
【0025】ウエハWを、露光開始状態設定手段6によ
り、特異点Oを基準とした露光開始状態に位置設定する
。これにより、ウエハWの特異点Oが、常に定められた
所定の位置に置かれることとなる。ウエハWの回転を停
止させ、設定された露光領域の情報と載置状態の情報か
ら、移動手段9により第2の光照射手段7Bの光ファイ
バ75Bの出射端を移動させてウエハWのパターン形成
領域Hの形状に沿ったその外側部分WC上の不要レジス
トの露光を次のようにして行う。
【0026】第2の光照射手段7Bの光ファイバ75B
の出射端が、露光開始点である例えば図5のa点を露光
する位置にセットされたときに、ウエハWを停止させた
状態で、シャッタ74Bを開いて、出射端から光照射す
るとともに、移動手段9により光ファイバ75Bの出射
端をb点を露光する位置に向けてX方向へ移動させて、
a点からb点に沿った露光を行う。次いで、b点を露光
する位置から、移動手段9により光ファイバ75Bの出
射端をY方向へ移動させながら、c点を露光する位置ま
で、出射端から光を照射して露光を行う。さらに、c点
を露光する位置から、移動手段9により光ファイバ75
Bの出射端をX方向へ移動させながら、d点を露光する
位置まで、出射端から光を照射して露光を行う。
【0027】このようにしてd点を露光する位置まで露
光が終了したら、パターン形成領域Hの露光を防止する
ために一旦シャッタ74Bを閉じた状態で、ウエハ回転
手段1により回転台2を90°回転させて、ウエハWを
1/4回転させる。ウエハWが1/4回転したら、ウエ
ハWを停止させた状態で、d点を露光する位置から上記
と同様にして階段状に露光を行う。以上のようにしてウ
エハWを1/4回転ごとに階段状の露光を4回行うと、
ちょうどウエハWのパターン形成領域Hの外側部分WC
の全周の露光が終了することになる。ただし、1回の階
段状の露光で不要レジスト全体の露光がまだ終了しない
ときは、階段状の露光を必要回数繰返し行った後、ウエ
ハWを1/4回転させる。このように、特異点の検出と
同時にウエハWの周縁部WBを露光した後、パターン形
成領域Hの外側部分WCを露光するので露光すべき外側
部分WCの面積が少なくて済み、迅速な露光処理が可能
となる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの載置状態および不要レジストの形状にかかわら
ず、不要レジストをその形状に従って正確に露光するこ
とができる。また、ウエハの周縁部上のレジストを発泡
を伴わずに良好に露光することができ、しかもウエハの
パターン形成領域の形状に沿ったその外側部分上の不要
レジストを迅速に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る不要レジスト露光装置の概略を示
す説明図である。
【図2】実施例に係る不要レジスト露光装置の周縁検出
センサーと載置状態検出手段の概略を示す説明図である
【図3】実施例におけるウエハの特異点の説明図である
【図4】実施例におけるウエハの特異点の検出方法の説
明図である。
【図5】実施例におけるウエハのパターン形成領域の説
明図である。
【符号の説明】
1      ウエハ回転手段 2      回転台 21    加熱手段 3      周縁検出センサー 31    発光器 32    受光器 4      周縁検出センサー駆動手段41    
増幅器 42    比較器 43    駆動源 44    基準電圧 5      載置状態検出手段 51    位置検出手段 52    回転角度読取手段 53    記憶手段 54    演算手段 6      露光開始状態設定手段 7A    第1の光照射手段 71A  ランプ 72A  楕円反射鏡 73A  反射鏡 74A  シャッタ 75A  光ファイバ 7B    第2の光照射手段 71B  ランプ 72B  楕円反射鏡 73B  反射鏡 74B  シャッタ 75B  光ファイバ 8      露光領域設定手段 9      移動手段 91    支持アーム 92    Xテーブル 93    Yテーブル 94    ステッピングモータ 95    ステッピングモータ W      ウエハ WA    周縁 WB    周縁部 WC    外側部分 WF    オリフラ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  周縁に特異点を有し表面にレジストが
    塗布されたウエハ上の不要レジストを露光する方法にお
    いて、第1の光照射手段によりウエハを回転させながら
    ウエハの周縁部上の不要レジストを露光する工程と、第
    2の光照射手段によりウエハのパターン形成領域の形状
    に沿ってその外側部分上の不要レジストを露光する工程
    とを含むことを特徴とする不要レジスト露光方法。
  2. 【請求項2】  請求項1記載の方法において、第1の
    光照射手段により露光する工程と同時にウエハの回転台
    での載置状態を検出する工程を含むことを特徴とするウ
    エハ上の不要レジスト露光方法。
  3. 【請求項3】  請求項1記載の方法において、第1の
    光照射手段における露光波長領域の光照度は、第2の光
    照射手段における露光波長領域の光照度よりも低いこと
    を特徴とするウエハ上の不要レジスト露光方法。
  4. 【請求項4】  請求項3記載の方法において、ウエハ
    を加熱した状態で、第1の光照射手段によりウエハを回
    転させながらウエハの周縁部上の不要レジストを露光す
    ることを特徴とするウエハ上の不要レジスト露光方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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