JP2006313862A - 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法 - Google Patents

周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006313862A
JP2006313862A JP2005136575A JP2005136575A JP2006313862A JP 2006313862 A JP2006313862 A JP 2006313862A JP 2005136575 A JP2005136575 A JP 2005136575A JP 2005136575 A JP2005136575 A JP 2005136575A JP 2006313862 A JP2006313862 A JP 2006313862A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical path
path forming
forming member
light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005136575A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4642543B2 (ja
Inventor
Taiji Iwashita
泰治 岩下
Ichiro Shimomura
一郎 下村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2005136575A priority Critical patent/JP4642543B2/ja
Priority to US11/417,163 priority patent/US7573054B2/en
Priority to EP06009433A priority patent/EP1722402B1/en
Priority to DE602006015126T priority patent/DE602006015126D1/de
Priority to KR1020060041108A priority patent/KR101105568B1/ko
Priority to TW095116240A priority patent/TW200710583A/zh
Priority to CNB2006100803180A priority patent/CN100465795C/zh
Publication of JP2006313862A publication Critical patent/JP2006313862A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4642543B2 publication Critical patent/JP4642543B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】装置の大型化を抑えながら高い基板の処理能力を有する周縁露光装置及び周縁露光方法を提供すること
【解決手段】光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが分割されるように、各々の基端側が当該光ビームの通路内に配置された第1及び第2の光路形成部材と、基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、基板の周縁部が前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置する第1の載置台と、基板の周縁部が前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置する第2の載置台と、第1及び第2の光路形成部材からの各々の光の照射を遮断する遮光手段とを備えるように周縁露光装置を構成する。共通の光源を用いて第1及び第2の載置台上の基板に対して例えば同時に周縁露光を行うことができるため高い処理能力を有しかつ装置の大型化を抑えることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、レジスト等の感光材料が塗布された基板の周縁部に光を照射して露光を行う周縁露光装置、この周縁露光装置を用いた塗布現像装置及び周縁露光方法に関する。
半導体ウエハ(以下ウエハという)などの基板にレジストパターンを形成する装置として、例えばウエハに対してフォトレジスト(以下レジストという)を塗布し、また露光装置にて露光された後のウエハを現像する塗布、現像装置が用いられている。この塗布、現像装置においてレジストの塗布は具体的には例えば回転されたウエハ上にレジストを供給して、遠心力によって前記レジストがウエハの表面を拡がるように行われているため、レジストはウエハの表面全体に塗布されている。しかしウエハの周縁部(エッジ部)はパターン形成領域としてあまり利用されることはないため露光装置において当該周縁部が露光されないことがある。そのような場合前記レジストとしてポジ型レジストを用いると現像後も周縁部にレジストが残留するため、このレジストが例えばウエハの搬送の際に剥離してパーティクルとしてウエハ表面を汚染し、歩留り低下を招く原因となるおそれがある。
このような不具合を防ぐために塗布、現像装置においてはウエハの周縁部を露光する周縁露光装置が設けられている。この周縁露光装置は例えば前記塗布、現像装置とレジストパターンを形成するための露光処理を行う露光装置とを接続する役割を果たしているインターフェイス部に設けられ、例えば前記露光装置で露光処理を受ける前のウエハに対して当該周縁露光装置により周縁露光処理が行われ、その後の現像処理が行われることでウエハの周縁部の不要なレジストが除去されるようになっている。
しかし近年塗布、現像装置に要求されるウエハのスループットは上昇し、現在では例えば1時間あたり180枚から200枚というスループットを達成することが求められている。スループットを向上させるために例えば前記インターフェイス部内において周縁露光装置を増設することが考えられているが、しかしそのようにするとインターフェイス部が大型化するか、あるいはインターフェイス部内に当該周縁露光装置のメンテナンスやランプ(光源)の交換を行うためのスペースが充分に確保されなくなるおそれがある。また周縁露光装置が増設されると各周縁露光装置に備えられた各光源からの放熱量の総和が大きくなり、この放熱によってインターフェイス部内の他のモジュールへ与える影響が大きくなることが懸念される。
なお特許文献1には小型化を図った周縁露光装置が示されているがこの装置はウエハの位置合わせ機構を簡略化することを課題としており、上述のようなスループットに関する課題の解決手段については示唆されていない。特許文献2にはスループットの向上を図った周縁露光装置が示されているが、複数の光源を備えることを前提とした装置構成であり、上述のような課題の解決手段は示唆されていない。
特開平11−219894 特開2003−347187
本発明は、このような事情の下になされたものでありその目的は、装置の大型化を抑えながら高い基板の処理能力を有する周縁露光装置及び周縁露光方法を提供することである。また本発明の他の目的は前記周縁露光装置を用いることによりスループットの向上を図ることのできる塗布、現像装置を提供することである。
本発明の周縁露光装置は感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光装置において、前記光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが分割されるように、各々の基端側が当該光ビームの通路内に配置された第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材と、基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第1の載置台と、基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第2の載置台と、第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材からの各々の光の照射を遮断するための遮光手段と、を備えたことを特徴とする。
遮光手段は、例えば第1の光路形成部材により形成される光路を遮るための第1のシャッタ及び第2の光路形成部材により形成される光路を遮るための第2のシャッタを備えており、その場合は、例えば第1の光路部及び第2の光路部は、各々導光ロッドと導光ロッドからの光を集光するレンズとを含み、 第1のシャッタ及び第2のシャッタは、導光ロッドとレンズとの間に設けられている。また遮光手段は、第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材の各基端側の一方が光源からの光ビーム内に位置しかつ他方が前記光ビーム内に位置しない状態と、第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材の各基端側の両方が前記光ビーム内に位置する状態との間で、第1の光路形成部材及び第2の光路形成と前記光源とを相対的に移動させるための手段を含んでいてもよい。
本発明の他の周縁露光装置としては感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光装置において、前記光源からの光ビームが各々の基端側から入射される第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材と、前記光ビームが第1の光路形成部材の基端側及び第2の光路形成部材の基端側を交互に通過するように、前記光源と第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材とを相対的に移動させる手段と、基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第1の載置台と、基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第2の載置台と、を備えたことを特徴とする。
既述の周縁露光装置においては例えば前記第1の載置台及び第2の載置台が上下に配置されており、また前記第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材は、各々角型の導光ロッドを含み、光路形成部材の基端側は導光ロッドの基端側であってもよく、さらに前記光路形成部材は、石英ロッドの側周面に反射膜を成膜してなる導光ロッドを含んでいてもよい。
本発明の塗布、現像装置としては複数のウエハを収納したウエハキャリアが搬入されるキャリアブロックと、このキャリアブロックに搬入されたキャリアから取り出されたウエハの表面にレジスト液を塗布する塗布ユニット及び露光された後のウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットが設けられた処理ブロックと、ウエハの表面に露光を行う露光装置に対して接続されるインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、レジスト膜が形成されたウエハに対して周縁露光を行うために、既述のの周縁露光装置を備えたことを特徴とする。
本発明の周縁露光方法としては感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光方法において、前記光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材に分割される工程と、基板を第1の載置台に載置して鉛直軸まわりに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、第1の載置台上の基板の周縁に対して露光が行われているときに、第2の光路形成部材からの光の照射を遮断する工程と、基板を第1の載置台に載置して鉛直軸まわりに回転させると共に第2の光路形成部材からの光の照射の遮断を解除しすることにより当該基板の周縁部を前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の他の周縁露光方法としては感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光方法において、前記光源からの光ビームが第1の光路形成部材の基端側を通過する位置となるように、前記光源と第1の光路形成部材とを相対的に移動させ、載置台に載置された基板を鉛直軸回りに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、前記光源からの光ビームが第1の光路形成部材の基端側から外れかつ第2の光路形成部材を通過する位置となるように、前記光源と第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材とを相対的に移動させ、載置台に載置された基板を鉛直軸回りに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、を含むことを特徴とする。
前記第1の載置台及び第2の載置台が上下に配置されていてもよく、また前記第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材は、各々角型の導光ロッドを含み、光路形成部材の基端側は導光ロッドの基端側であってもよい。
本発明によれば、光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材に分割されるように構成しているため、共通の光源を用いて第1の載置台上の基板及び第2の載置台上の基板に対して例えば同時に周縁露光を行うことができる。このため高い処理能力を有しかつ装置の大型化を抑えることができる。そして基板の周縁を効率よく露光するためには、光路形成部材である導光ロッドを角型にすることが有効であるが、その場合光源の円形のビームスポットの中に角型の第1の導光ロッド及び第2の導光ロッドを収めることにより、ビームの無駄な領域を少なくすることができ、結果としてエネルギーの節約につながる。更にまた第1の載置台及び第2の載置台を上下に配置することができ、そうすることで設置スペースを小さくできる。
また他の発明によれば、光源からの光ビームが第1の光路形成部材の基端側及び第2の光路形成部材の基端側を交互に通過するようにして、第1の載置台上の基板及び第2の載置台上の基板に対して順番に周縁露光を行うようにしているので、1台の載置台を用いる場合に比べて高い処理能力を有し、また光源が共通化しているため、周縁露光装置の大型化を抑えることができる。更にまた第1の載置台及び第2の載置台を上下に配置することができ、そうすることで周縁露光装置の設置スペースを小さくできる。
そしてまた本発明の周縁露光装置をレジストパターンを形成するための塗布、現像装置に組み込むことにより、塗布、現像装置の大型化を抑えながらスループットの向上を図ることができる。
以下に本発明に係る周縁露光方法を実施する周縁露光装置の実施の形態の一例として、感光材料の塗布液であるレジスト液が表面に塗布されることによりレジスト膜が形成された基板である半導体ウエハWの周縁部を露光する周縁露光装置2について図1〜図3を参照しながら説明する。なおここで用いるウエハWは例えば図3に示すように周縁部に当該ウエハWの結晶方向の位置を示す切り欠き部であるノッチNが設けられている。
周縁露光装置2は光源部21、第1及び第2の露光部3A,3B、第1及び第2の光路形成部4A,4B、アライメント部6を備えている。光源部21は例えば筺体22を備え、筺体22の内部には例えば超高圧水銀やキセノンフラッシュなどからなる放射状に光を発する光源23が設けられている。光源23の周囲には当該光源23を覆うようにリフレクタ24が設けられており、リフレクタ24は光源23から放射された光の一部を反射することで、第1及び第2の光路形成部4A、4Bの第1の導光ロッド42及び第2の導光ロッド82の入射面に光をビームとして照射するように構成されるが詳しくは後述する。
光源部21の下方には第1の露光部3A及び第2の露光部3Bが下方に向けてこの順に積層されるように設けられている。第1の露光部3Aは筺体30を備え、例えばウエハWの搬送領域に向かう筺体30の側面にはウエハWを筺体30内に搬送するための搬送口31が設けられている。搬送口31が設けられた側を手前側とすると、筺体30内の下部において手前側から奥側に向かってガイドレール32が伸長しており、このガイドレール32には基台32aがガイドされるように設けられている。基台32aの上部には回転機構33が設けられ、また回転機構33の上部にはウエハWが載置される例えば円形状の第1の載置台であるステージ34が設けられている。第1のステージ34は前記回転機構33を介して鉛直軸回りに回転自在に構成されるとともに、例えばウエハWの裏面中央部を真空吸着することでウエハWを水平に保持することができるバキュームチャックとして構成されている。また筐体30内には例えばボールネジを用いた機構やプーリとベルトとを用いた機構からなる不図示の駆動部が設けられ、この駆動部を介して基台32aが回転機構33及び第1のステージ34を伴ってガイドレール32に沿って移動できるように構成されている。このように構成されることで第1のステージ34は後述する搬送機構5から手前側の所定位置(受け渡し位置とする)にてウエハWを受け取り、当該ウエハWを周縁露光が行われる奥側の所定位置(露光位置とする)へ搬送する。
第2の露光部3Bは第1のステージ34に代えて第2の載置台であるステージ35を備えており、この第2のステージ35は第1のステージ34と例えば同様に構成されている。その他の第2の露光部3Bにおける各部の構成は第1の露光部3Aにおける各部の構成と同様である。
搬送機構5は例えば図2及び図3に示すようなウエハWの裏面を支持する搬送アーム51と搬送アーム51を支持する搬送基体52とを備え、搬送基体52は例えば不図示の駆動部に接続されている。搬送アーム51は前記搬送基体52を介して例えば進退自在、昇降自在かつ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、ウエハWを支持した状態で搬送口31を介して第1の露光部3A及び第2の露光部3Bの筺体30内に進入し、前記受け渡し位置に移動した第1及び第2のステージ34,35上にウエハWを載置するようになっている。
続いてアライメント部6について説明すると、アライメント部6は第1及び第2の露光部3A,3Bの夫々の筺体30内において、例えばガイドレール32の側方に設けられており、アライメント用光源61、スリット62aが設けられた遮光板62及びセンサ63により構成されている。ウエハWがステージ34を介して露光位置に搬送されるとアライメント用光源61から発せられてスリット62aを透過した光の一部はウエハWの周縁部に遮られる。図4に鎖線でこの光束を示したがウエハWに遮られずウエハWの側方を通過した光はセンサ63に照射される。ウエハWがステージ34,35を介して回転した際のセンサ63が感知する照射領域の変化に基づいて後述する制御部がウエハWの中心位置とウエハWの中心とステージ34,35の中心とのずれ量、及びノッチNの向きを検出し、例えばノッチNを所定方向に向けるようにステージ34,35が回転した後、前記中心位置に基づきステージ34,35がガイドレール32に沿って移動しながら回転しつつ、後述するようにウエハWの照射領域40に露光ビームが照射されることで例えばウエハWの周縁を均一な幅で露光できるようになっている。
続いて図5〜図7を用いて第1及び第2の光路形成部4A,4Bについて説明する。第1の光路形成部4Aは例えば内側、外側に2度カギ型に屈曲された構造を持つ外装管41を備えており、外装管41の基端側は光源部21の筐体22内に向けて伸長し、前記光源23に向けて開口している。また外装管41の先端側は第1の露光部3Aの筺体30内の奥側において例えば鉛直方向に向けて伸長している。外装管41内には当該外装管41の伸長方向に沿うように光路形成部材である例えば角型の第1の導光ロッド42が設けられ、この例では光路を屈曲させるために垂直部分、水平部分、垂直部分の3つに分割されている。この第1の導光ロッド42は例えば光の入射面(入射領域)と出射面(出射領域)とを除いた側周面が反射膜で成膜されており、この例ではクロムでメッキされている。前記入射面に光ビームが入射されると、その光ビームは図7に矢印で示すように前記側周面に衝突するごとに反射しながら第1の導光ロッド42内を出射面へと進行することで側周面からの光の放散が抑えられ、出射面からは当該面内で均一な強度を有する光が出射されるようになっている。また外装管41内の屈曲部には前記第1の導光ロッド42から出射した光を先端側の第1の導光ロッド42の入射面に向けて屈折させるためのミラー43が設けられている。
外装管41の下方には外装管41と間隔をおいて筒体45が、その開口部45aが前記外装管41の開口部41aに向かうように設けられている。筒体45の内部において上部から下部へ向けて光路形成部材である集光レンズ46と例えば板状の遮光マスク47とがこの順に設けられており、遮光マスク47には例えば矩形状のスリット48が開口し、露光スポットの形状を整えている。また光路形成部4Aは遮光部材からなる第1のシャッタに相当するシャッタ49aを備えており、この第1のシャッタ49aは駆動部49を介して前記外装管41と筒体45と間に例えば夫々の開口部41a及び45aを覆うように進入できるように構成されている。
このように第1の光路形成部4Aが構成されることで第1の露光部3AにおいてウエハWに周縁露光が行われる際には、図5に模式的に示すように光源23から発せられた光ビームが基端側の第1の導光ロッド42に入射して各第1の導光ロッド42間を伝わり、先端側の第1の導光ロッド42の出射面から集光レンズ46上に照射される。なお図5においては図が煩雑になるのを避けるために第1の導光ロッド42は一本に省略している。集光レンズ46は前記光ビームをスリット48の周囲に向けて集光させ、スリット48を透過した光ビームは第1の露光部3Aにおいて露光位置に搬送されたウエハWの周縁部の照射領域40に照射されることで周縁露光が行われるようになっているが、このとき例えばスリット48を透過した光ビームの一部はウエハWの側方を通過するように周縁露光が行われる。
なお周縁露光が行われない場合には第1のシャッタ49aが筒体45と外装管41との間に進入することで第1の導光ロッド42から集光レンズ46への光ビームの照射が遮断されて、ウエハWへの光ビームの照射を断つことができるようになっている。
続いて第2の光路形成部4Bについて説明するが、この第2の光路形成部4Bは前記光路形成部4Aと略同様の構成を有しているので差異のある部分を中心に説明する。第2の光路形成部4Bは例えば鉛直方向に伸長した外装管81を備えており、当該外装管81は例えば第1の露光部3Aの筺体30を貫くように設けられ、その基端は光源部21の筐体22内に向けて伸長し、先端は露光部3Bの筺体30内の奥側に向けて鉛直方向に伸長している。外装管81の内部には例えば一本の光路形成部材である角型の第2の導光ロッド82が外装管81に沿うように設けられているが、この第2の導光ロッド82は前記第1の導光ロッド42と同様に構成されている。また第2の光路形成部4Bは第2の露光部3Bの筺体30内において光路形成部4Aと同様に集光レンズ46と遮光マスク47とが配設された筒体45を備えており、筒体45は外装管81と間隔をおいて、また外装管81の開口部81aと当該筒体45の開口部45aとが互いに向かい合うように設けられている。以上説明した差異を除き第2の光路形成部4Bは第1の光路形成部4Aと同様に構成されており、外装管81の第2の導光ロッド82から出射した光ビームは筒体45の集光レンズ46上に照射され、集光レンズ46はスリット48の周囲に向けて光を集光させる。そしてスリット48を透過した光ビームは第2の露光部3Bにおいて第2のステージ35を介して露光位置に搬送されたウエハWの周縁部の照射領域40に照射されるようになっているが、第1の光路形成部4Aと同様に第2のシャッタであるシャッタ49bが駆動部49を介して筒体45と外装管81との間に進入することで外装管81から筒体45への光ビームの出射を遮断して、露光位置におけるウエハWの周縁部への光ビームの照射を断つことができるようになっている。
ところで外装管81の基端部は例えば前記外装管41の基端部に隣接するように設けられており、図6(a)に示すように第1の導光ロッド42の基端側の光の入射面と第2の導光ロッド82の基端側の光の入射面とが、図中で示す光ビームの照射領域(ビームスポット)25に含まれるように、つまり光ビームの横断面で見たときに両入射面が光ビーム内に収まるように設けられている。なおこの図6(a)は照射領域25と第1の前記導光ロッド42、82の夫々の入射面との位置関係を模式的に示したものであるため外装管41、81は省略している。
このように導光ロッド42、82として角型のものを使う理由は、ウエハWの外縁から例えば2mm内側に寄った幅狭のリング状領域を順次露光していくためには、円形状の露光スポットよりも角型の露光スポットの方が照射効率がよいからであり、このため導光ロッド42、82を角型としている。導光ロッド42、82の横断面の寸法は例えば10mm×15mmであり光源23の光ビームの断面形状は例えば直径30mmの円形状である。
ところで周縁露光装置には図示しない制御部が備えられている。この制御部は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には後述するような周縁露光装置2の作用、つまりウエハWの処理、ウエハWの受け渡しの制御などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部に読み出されることにより制御部は後述する周縁露光装置2の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
次に周縁露光装置2の作用について図8、図9を参照しながら説明する。図8(a)に示すように今、第1の露光部3AにおいてウエハW1の周縁露光処理が行われており、このとき搬送機構5により次のウエハW2が第2の露光部3Bの搬送口31から第2の露光部3B内に進入しようとしているとする。第2の露光部3Bの第2のステージ35は受け渡し位置に移動しておりこの第2のステージ35上に搬送機構5からウエハW2が受け渡されて載置される(図8(b))。そして第2のステージ35はウエハW2を保持しつつ露光位置に搬送し、露光位置において既述のように回転することによりアライメント部6を介してノッチNとウエハWの中心位置とが検出される。その後シャッタ49bが外装管41と筒体45との間から退避する(図8(c))。既述のように光源部21からの光ビームは第1の導光ロッド42と第2の導光ロッド82とに左右に分割され外装管81の下端まで光ビームが導かれているため、シャッタ49bを開くことによりこの光ビームがその下方の筒体45内の集光レンズ46により集光されてウエハW2の周縁部に照射される。より詳しくは光ビームが断続的にウエハW2の周縁部に照射される一方、光ビームのオン、オフに対応してウエハW2が断続的に回転する。ここで概略的な説明をすると、例えばウエハW2の全周に1パルス(光パルス)分のリング幅の露光を行う場合、ウエハW2の中心と回転中心とが一致していれば、ウエハW2を回転させるだけでよいが、両者にずれがある場合にはそのずれが修正されるようにして第2のステージ35が図8中左右に移動する。即ち光ビームの照射領域におけるウエハW2の外線と回転中心とがウエハW2の半径よりも大きければその大きい分(回転中心とウエハW2の中心とが一致している状態におけるウエハW2の輪郭よりも飛び出ている分)だけ修正をするように第2のステージ35が図8中右側に移動し、こうして各回転位置毎に先のアライメントデータに基づき第2のステージ35が直線移動して中心のずれ分を修正しつつウエハW2が回転し、ウエハW2の全周に亘って光パルスが打ち込まれていく。なお周縁露光としては、ウエハWの全周に亘ってリング状に露光する場合や、ウエハW上のICチップ群の形成領域に対応して内側が階段状になるように露光する場合、あるいはウエハWの全周に亘って露光せず、周の一部のみを露光する場合などが挙げられる。またウエハWの周縁露光に加えて第1及び第2のステージ34,35を直線移動させて直線状に露光する工程を含むようにしてもよい。この直線露光は、ウエハW表面に形成した例えば識別コードを露出させるために行われる。
一方第2の露光部3Bにて周縁露光処理が続けられている間に第1の露光部3Aにおいて所定の周縁露光処理が終了すると例えばウエハW1の周縁全体が露光されると、図9(a)に示すようにシャッタ49aが外装管41と筒体45との間に進入して、前記ウエハW1への露光ビームの供給が断たれ周縁露光処理が終了する。このように周縁露光処理が終わると第1の露光部3Aのステージ34が当該ウエハW1を受け渡し位置へと搬送するとともに搬送機構5が筺体30に進入して搬送アーム51がステージ34から前記ウエハW1をすくい上げ、前記ウエハW1の裏面を保持して第1の露光部3Aの筺体30外へ退避する(図9(b))。その後、搬送機構5は第1の露光部3Aに次のウエハWを搬送し当該ウエハWは先のウエハW1と同様に露光位置に搬送され、ノッチNとウエハWの中心位置とが検出されて周縁露光が行われる。
この周縁露光装置2によれば、光源23からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが第1の導光ロッド42及び第2の導光ロッド82に分割されるように構成されているため、光源23を用いて第1の露光部3Aの第1のステージ34上に載置されたウエハW及び第2の露光部3Bの第2のステージ35上に載置されたウエハWに対して例えば同時に周縁露光を行うことができる。このため周縁露光装置2は高い処理能力を有しつつ大型化を抑えることができる。そしてウエハWの周縁を効率よく露光するために、周縁露光装置2は夫々角型の第1及び第2の導光ロッド41,82を光路形成部材として備えているが、第1の導光ロッド42の基端側の光の入射面と第2の導光ロッド82の基端側の光の入射面とが、光源23から照射される光ビームの照射領域25に含まれるように、つまり光ビームの横断面で見たときに第1の導光ロッド42の入射面と第2の導光ロッド82の入射面とが前記光ビーム内に収まるように設けられていることにより、光ビームの無駄な領域を少なくすることができ、結果としてエネルギーの節約につながる。更にまた第1及び第2の露光部3A,3Bが上下に積層されて設けられているため、当該周縁露光装置2の設置スペースを小さくできる。
なお既述の実施形態において第1の光路形成部4Aの構成としては既述のものに限らず、例えば図10(a)に示すような構成としてもよい。この例においては外装管41内に当該外装管41の伸長方向に沿うように基端側から先端側へ向けて導光ロッド4a、4b、4cが設けられており、導光ロッド4a、4cは夫々既述の導光ロッド42と同様に形成され、垂直方向に伸長している。導光ロッド4bは導光ロッド42と略同様に構成されているが、その導光ロッド4bの基端側は導光ロッド4aの光ビームの出射面の下方へと伸長し、導光ロッド4bの先端側は導光ロッド4cの光ビームの入射面の上方へと伸長している。この導光ロッド4bの表面は導光ロッド4aの光ビームの出射面と導光ロッド4cの光ビームの入射面とに向かう部分を除いてクロムでメッキされるとともに、導光ロッド4bの基端面と側端面とが当該導光ロッド4bの側周面に対し夫々斜めに形成されることで図10(a)に矢印で示すように導光ロッド4aから導光ロッド4bに入射した光ビームが導光ロッド4bの基端面で反射されて導光ロッド4b内を先端側へ向かい、その後前記光ビームが導光ロッド4bの先端面で反射されて導光ロッド4cに入射するようになっている。なおこの例では導光ロッド4bの基端面と導光ロッド4bの側周面とのなす角度θ1、導光ロッド4bの先端面と導光ロッド4cの側周面とのなす角度θ2は夫々45°である。
さらに第1の光路形成部材4Aの他の構成としては例えば最初に説明した実施形態の外装管41内においてミラー43の先端側にレンズ43aを設けて、図10(b)に点線で示すように基端側の導光ロッド42から出射された光ビームがミラー43により屈折されてレンズ43aに照射されると、集光レンズ43aが先端側の導光ロッド42の入射面に向けて前記光ビームを照射するようにしてもよい。
なお光源23から放射された光を集光レンズ46に供給するための導光部材としては既述の導光ロッド42,82に限らず、例えば光ファイバーを用いてもよい。
本発明の構成は既述のような周縁露光装置2で示す構成に限られず、例えば露光部及び光路形成部の組を夫々3個以上設け、各露光部のウエハWの照射領域40に対して独立して光ビームが供給されるようにしてもよい。
また例えば図11で示すように第1及び第2の露光部3A,3Bを横方向に配列した構成であってもよい。この図で示す周縁露光装置の構成は既述した周縁露光装置2の各部の構成と略同一であるが、第1の光路形成部、第2の光路形成部を構成する各外装管はともに光源21から放射される光ビームを集光レンズ46に供給できるように屈曲され、その内部には例えば既述の周縁露光装置2の光路形成部4Aの外装管41と同様に導光部材である既述の第1の導光ロッド42とミラー43とが配設された構造となっている。
ところで周縁露光装置2においては光源23から放射される光ビームが第1の露光部3A及び第2の露光部3BにおけるウエハWの照射領域に対して遮光手段により独立して給断されればよく、既述のような第1及び第2のシャッタ49a,49bにより露光ビームの光路を遮る構成に限られない。具体的には例えば既述の周縁露光装置2において第1及び第2のシャッタ49a,49bを設ける代わりに光源23からの光ビーム(照射領域)25と導光ロッド42,82とを光ビームに交差する方向例えば直交する方向に相対的に移動させる機構を設け、第1の露光部3A及び第2の露光部3Bにおいて周縁露光が行われる場合には図12(a)で示すように照射領域25中に導光ロッド42,82の入射面が含まれ、第1の露光部3Aにおいてのみ周縁露光を行われる場合には図12(b)で示すように照射領域25中に第1の導光ロッド42の入射面のみが含まれ、第2の露光部3Bにおいてのみ周縁露光を行われる場合には図12(c)で示すように照射領域25中に第1の導光ロッド42の入射面のみが含まれるようにされた構成であってもよい。
また前記光ビームが導光ロッド42、82の入射面の一方に照射されるように光源23からの光ビームと導光ロッド42,82とを光ビームに交差する方向、例えば直交する方向に相対的に移動させる機構を設けてもよい。つまり図13で示すように導光ロッド42の入射面と導光ロッド82の入射面とは同時に照射領域25に含まれることがなく、いずれか一方が照射領域25に含まれる。このような構成とすると第1の露光部3A及び第2の露光部3Bにおいて同時にウエハWに周縁露光を行うことはできないが、一方の露光部で周縁露光が行われている間に他方の露光部に対してウエハWを搬入または搬出することができるためウエハWの入れ替え時間が短縮される結果として、ウエハWの処理能力の向上を図ることができる。
また既述の搬送機構5に代えて、例えば搬送基体を介して昇降自在かつ鉛直軸周りに回転自在に構成されるとともに夫々独立して進退自在な2枚の搬送アームが設けられた搬送機構55により第1の露光部3Aまたは第2の露光部3BにウエハWを搬送する場合は、例えば図14に示したようにウエハWの搬送が行われてもよい。具体的に説明すると例えば一方の搬送アームにウエハW2が保持された状態で搬送機構55が露光部3Bに近づき、ウエハを保持していない搬送アームが露光部3B内に進入して(図14(a))、受け渡し位置に移動した露光部3Bのステージ35から既に周縁露光が行われたウエハW1を受け取る(図14(b))。それに続いてウエハW2を保持した搬送アームが露光部ステージ35に進入してウエハW2が受け渡される(図14(c))。
続いて既述した周縁露光装置2を塗布、現像装置に適用した場合の一実施の形態について説明する。図15は前記塗布・現像装置を露光装置に接続してなるレジストパターン形成装置を示す平面図であり、図16は同斜視図である。図中B1はウエハWが、例えば13枚密閉収納されたキャリア1を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリア1を複数個並べて載置可能な載置部10aを備えたキャリアステーション10と、このキャリアステーション10から見て前方の壁面に設けられる開閉部11と、開閉部11を介してキャリア1からウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。
キャリア載置部B1の奥側には筐体12にて周囲を囲まれる処理部(処理ブロック)B2が接続されており、この処理部B2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した3個の棚ユニットU1,U2,U3及び液処理ユニットU4,U5の各ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段A2,A3はキャリア載置部B1側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハWは処理ブロックB2内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU3まで自由に移動できるようになっている。また主搬送手段A2,A3は、キャリア載置部B1から見て前後一列に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁13により囲まれる空間内に置かれている。また、図中14は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
前記棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット(PAB)(図示せず)、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。また液処理ユニットU4,U5は、例えば図16に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜形成ユニット(BARC)16、レジスト塗布ユニット(COT)17、ウエハWに現像液を供給して現像処理する現像ユニット(DEV)18等を複数段例えば5段に積層して構成されている。
処理部B2における棚ユニットU3の奥側には、インターフェイス部(インターフェイスブロック)B3を介して露光部B4が接続されている。このインターフェイス部B3は、処理部B2と露光部B4との間に前後に設けられ、夫々例えば筐体で囲まれた搬送室9A及び搬送室9Bにより構成されている。図17を参照しながら説明すると搬送室9Aの中央部には、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在かつ進退自在な搬送アーム91Aを備えた搬送機構91が設けられ、この搬送機構91は後述する受け渡しユニット(TRS)93,高精度温調ユニット94,周縁露光ユニット95及びバッファカセット96及び前記処理ブロックB2に備えられた棚ユニットU3にアクセスし、これらの各ユニットとウエハWの受け渡しを行うことができるように構成されている。
搬送機構91を挟んでキャリア載置部B1側から見た右側に、受け渡しユニット(TRS)93及び例えば冷却プレートを有する2つの高精度温調ユニット94が例えば上下に積層されて設けられている。また例えば前記TRS93の上方には周縁露光ユニット95が設けられており、この周縁露光ユニット95が既述の周縁露光装置2に相当する。一方、搬送機構91を挟んでキャリア露光部B1側から見た左側には複数例えば13枚のウエハWを一時的に収容する2つのバッファカセット96が、例えば2基上下に連続して設けられている。
搬送室9Bには昇降自在、鉛直軸回りに回転自在かつ進退自在な搬送アーム32Aを備えた搬送機構92が設けられている。搬送室9Aに面する搬送室9Bの筐体の側壁には例えば図示しない搬送口が設けられ、この搬送口を介して搬送機構91と92との間でウエハWの受け渡しができるようになっている。また前記搬送室9Bの筐体の露光装置B4に面する側壁には搬送口97、搬送口98が設けられている。露光装置B4にはインターフェイス部B3からのウエハWを受け取るステージ40Aとインターフェイス部B3に対して露光後のウエハWを受け渡すステージ40Bとが設けられ、搬送口97を介してステージ40Aと搬送機構92との間でウエハWの受け渡しが、また搬送口98を介してステージ40Bと搬送機構92との間でウエハWの受け渡しが夫々行われるようになっている。
次に上述の実施形態の作用について説明する。先ず外部からウエハWが収納されたカセットCが載置部10aに載置されると、開閉部11と共に密閉型カセットCの蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。次いでウエハWは第1の棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(TRS1)を介して主搬送手段A2へと受け渡され、棚ユニットU1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成ユニット16にて、ウエハ表面に露光時の光の反射を防止するための膜である反射防止膜の形成が行われる。次にウエハWは、塗布ユニット17にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。
レジストの液膜が形成されたウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニット(PAB)にて例えば100℃前後の温度で所定の第1の加熱処理が行われ、この後ウエハWは、冷却ユニット(CPL2)で所定の温度に冷却される。冷却されたウエハWは搬送機構91により搬送室9A内に搬送され、周縁露光ユニット95に搬入されて既述のように周縁露光処理を受ける。周縁露光処理を受けたウエハWは搬送機構91により高精度温調ユニット94に搬送され、この高精度温調ユニット94内においてウエハW表面の温度は露光装置B4内の温度に対応した設定温度に高精度に温調される。搬送機構91はこの温調されたウエハWを搬送機構92に受け渡し、ウエハWは搬送室9Bに搬送される。搬送機構92は、搬送口97を介してウエハWを露光装置B4のステージ40Aに受け渡す。
露光装置B4にて露光処理を終えたウエハWはステージ40Bに載置された後、搬送機構92を介して搬送室9B内に搬送される。続いて搬送機構92と、搬送機構91との間でウエハWの受け渡しが行われ、搬送機構91は受け取ったウエハWを処理部B2の棚ユニットU3に含まれる第2の加熱ユニット(PEB)に搬送する。
処理部B2におけるウエハWの搬送について説明すると、PEBにおいて所定の加熱処理が行われ、この後ウエハWは、冷却ユニット(CPL2)で所定の温度に冷却される。なお加熱ユニット(PAB)が水平移動する冷却プレートを備えている場合にはその冷却プレートで冷却される。次にウエハWは現像ユニット(DEV)に搬送されて所定の現像処理が行われ、続いてウエハWは主搬送手段A3により取り出される。この後ウエハWはメイン搬送機構A2、A3により加熱ユニット(POST)に搬送されて所定の加熱処理が行われ、次いで冷却ユニット(CPL3)にて所定の温度に調整される。この後ウエハWは、第1の棚ユニットU1の受け渡しユニットTRS1を介してキャリア露光部B1における例えば元のキャリアCに戻される。
このように本発明の周縁露光装置を塗布、現像装置に設けられる周縁露光ユニットとして適用することで、周線露光装置が設置されるインターフェイス部B3の大型化を抑えながら処理ブロックB2にて表面にレジストの膜が形成されたウエハWに対して、既述したように2枚のウエハWに対して例えば同時に周縁露光を行うことができるため、スループットを向上させることができる。
本発明における周縁露光装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。 前記周縁露光装置の縦断側面図である。 前記周縁露光装置の横断側面図である。 前記周縁露光装置を構成するアライメント部の説明図である。 前記周縁露光装置において形成される光路を示した説明図である。 前記周縁露光装置に備えられた光路形成部の構成を示した説明図である。 前記光路形成部に備えられた導光ロッドにおける光の進行を示した説明図である。 前記周縁露光装置を用いて周縁露光が行われる手順の一例を示した工程図である。 前記周縁露光装置を用いて周縁露光が行われる手順の一例を示した工程図である。 前記光路形成部の他の構成の一例を示した縦断側面図である。 本発明の他の周縁露光装置の実施の形態を示した断面図である。 本発明の他の周縁露光装置の実施の形態における照射領域と導光ロッドの入射面との位置関係を示した説明図である。 本発明の他の周縁露光装置の実施の形態における照射領域と導光ロッドの入射面との位置関係を示した説明図である。 本発明の周縁露光装置に対するウエハの搬送の一例を示した工程図である。 第1の実施形態における加熱装置が適用された塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を構成するインターフェイス部の斜視図である。
符号の説明
21 光源部
23 光源
34 第1のステージ
35 第2のステージ
3A 第1の露光部
3B 第2の露光部
4A 第1の光路形成部
4B 第2の光路形成部
42 第1の導光ロッド
6 アライメント部
82 第2の導光ロッド
95 周縁露光ユニット

Claims (13)

  1. 感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光装置において、
    前記光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが分割されるように、各々の基端側が当該光ビームの通路内に配置された第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材と、
    基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第1の載置台と、
    基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第2の載置台と、
    第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材からの各々の光の照射を遮断するための遮光手段と、
    を備えたことを特徴とする周縁露光装置。
  2. 遮光手段は、第1の光路形成部材により形成される光路を遮るための第1のシャッタ及び第2の光路形成部材により形成される光路を遮るための第2のシャッタを備えたことを特徴とする請求項1記載の周縁露光装置。
  3. 第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材は、各々導光ロッドと導光ロッドからの光を集光するレンズとを含み、
    第1のシャッタ及び第2のシャッタは、導光ロッドとレンズとの間に設けられていることを特徴とする請求項2記載の周縁露光装置。
  4. 遮光手段は、第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材の各基端側の一方が光源からの光ビーム内に位置しかつ他方が前記光ビーム内に位置しない状態と、第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材の各基端側の両方が前記光ビーム内に位置する状態との間で、第1の光路形成部材及び第2の光路形成と前記光源とを相対的に移動させるための手段を含むことを特徴とする請求項1記載の周縁露光装置。
  5. 感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光装置において、
    前記光源からの光ビームが各々の基端側から入射される第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材と、
    前記光ビームが第1の光路形成部材の基端側及び第2の光路形成部材の基端側を交互に通過するように、前記光源と第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材とを相対的に移動させる手段と、
    基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第1の載置台と、
    基板を載置して鉛直軸まわりに回転自在に構成され、当該基板の周縁部が前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームの照射領域に位置するように設けられた第2の載置台と、を備えたことを特徴とする周縁露光装置。
  6. 前記第1の載置台及び第2の載置台が上下に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の周縁露光装置。
  7. 前記第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材は、各々角型の導光ロッドを含み、光路形成部材の基端側は導光ロッドの基端側であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の周縁露光装置。
  8. 前記光路形成部材は、石英ロッドの側周面に反射膜を成膜してなる導光ロッドを含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の周縁露光装置。
  9. 複数のウエハを収納したウエハキャリアが搬入されるキャリアブロックと、このキャリアブロックに搬入されたキャリアから取り出されたウエハの表面にレジスト液を塗布する塗布ユニット及び露光された後のウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットが設けられた処理ブロックと、ウエハの表面に露光を行う露光装置に対して接続されるインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、
    レジスト膜が形成されたウエハに対して周縁露光を行うために、請求項1乃至8のいずれか一つに記載の周縁露光装置を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
  10. 感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光方法において、
    前記光源からの光ビームの横断面で見たときに当該光ビームが第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材に分割される工程と、
    基板を第1の載置台に載置して鉛直軸まわりに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、
    第1の載置台上の基板の周縁に対して露光が行われているときに、第2の光路形成部材からの光の照射を遮断する工程と、
    基板を第1の載置台に載置して鉛直軸まわりに回転させると共に第2の光路形成部材からの光の照射の遮断を解除しすることにより当該基板の周縁部を前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、を含むことを特徴とする周縁露光方法。
  11. 感光性の薄膜が形成された基板の周縁部を露光用の光源により露光する周縁露光方法において、
    前記光源からの光ビームが第1の光路形成部材の基端側を通過する位置となるように、前記光源と第1の光路形成部材とを相対的に移動させ、載置台に載置された基板を鉛直軸回りに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第1の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、
    前記光源からの光ビームが第1の光路形成部材の基端側から外れかつ第2の光路形成部材を通過する位置となるように、前記光源と第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材とを相対的に移動させ、載置台に載置された基板を鉛直軸回りに回転させると共に当該基板の周縁部を前記第2の光路形成部材の先端側からの光ビームにより露光する工程と、を含むことを特徴とする周縁露光方法。
  12. 前記第1の載置台及び第2の載置台が上下に配置されていることを特徴とする請求項10または11のいずれか一つに記載の周縁露光方法。
  13. 前記第1の光路形成部材及び第2の光路形成部材は、各々角型の導光ロッドを含み、光路形成部材の基端側は導光ロッドの基端側であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一つに記載の周縁露光方法。
JP2005136575A 2005-05-09 2005-05-09 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法 Active JP4642543B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005136575A JP4642543B2 (ja) 2005-05-09 2005-05-09 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法
US11/417,163 US7573054B2 (en) 2005-05-09 2006-05-04 Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, and edge exposure method
DE602006015126T DE602006015126D1 (de) 2005-05-09 2006-05-08 Randbelichtungsapparat, Beschichtungs- und Entwicklungsapparat und Randbelichtungsmethode
KR1020060041108A KR101105568B1 (ko) 2005-05-09 2006-05-08 주변 노광 장치, 도포 현상 장치 및 주변 노광 방법
EP06009433A EP1722402B1 (en) 2005-05-09 2006-05-08 Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, and edge exposure method
TW095116240A TW200710583A (en) 2005-05-09 2006-05-08 Peripheral exposure device, coating and developing apparatus and peripheral exposure method
CNB2006100803180A CN100465795C (zh) 2005-05-09 2006-05-09 周缘曝光装置、涂敷显影装置及周缘曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005136575A JP4642543B2 (ja) 2005-05-09 2005-05-09 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006313862A true JP2006313862A (ja) 2006-11-16
JP4642543B2 JP4642543B2 (ja) 2011-03-02

Family

ID=36808766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005136575A Active JP4642543B2 (ja) 2005-05-09 2005-05-09 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7573054B2 (ja)
EP (1) EP1722402B1 (ja)
JP (1) JP4642543B2 (ja)
KR (1) KR101105568B1 (ja)
CN (1) CN100465795C (ja)
DE (1) DE602006015126D1 (ja)
TW (1) TW200710583A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238798A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 周縁露光装置及び周縁露光方法
CN112799282A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 六安优云通信技术有限公司 一种电源芯片制造用晶圆光刻显影蚀刻装置及其制备工艺
JP2021103246A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社Screenホールディングス エッジ露光装置およびエッジ露光方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100733137B1 (ko) * 2006-06-14 2007-06-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치
US7659965B2 (en) * 2006-10-06 2010-02-09 Wafertech, Llc High throughput wafer stage design for optical lithography exposure apparatus
CN101216679B (zh) * 2007-12-28 2011-03-30 上海微电子装备有限公司 一种边缘曝光装置
US7901854B2 (en) * 2009-05-08 2011-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer edge exposure unit
US8625076B2 (en) * 2010-02-09 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer edge exposure module
CN103034062B (zh) * 2011-09-29 2014-11-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
JP5873907B2 (ja) * 2013-09-03 2016-03-01 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 照明装置、イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置
US9287151B2 (en) * 2014-01-10 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Systems and method for transferring a semiconductor substrate
US9891529B2 (en) * 2014-03-28 2018-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Light transmission device and method for semiconductor manufacturing process
JP6661270B2 (ja) 2015-01-16 2020-03-11 キヤノン株式会社 露光装置、露光システム、および物品の製造方法
CN106292195B (zh) * 2015-05-24 2018-08-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 边缘曝光装置和方法
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US10558125B2 (en) * 2016-11-17 2020-02-11 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus, exposure apparatus adjustment method and storage medium
US10747121B2 (en) * 2016-12-13 2020-08-18 Tokyo Electron Limited Optical processing apparatus and substrate processing apparatus
JP7124277B2 (ja) * 2016-12-13 2022-08-24 東京エレクトロン株式会社 光処理装置及び基板処理装置
CN108803245B (zh) * 2017-04-28 2020-04-10 上海微电子装备(集团)股份有限公司 硅片处理装置及方法
US10295909B2 (en) 2017-09-26 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Edge-exposure tool with an ultraviolet (UV) light emitting diode (LED)
CN111427231A (zh) * 2020-04-09 2020-07-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜板和新型产线

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111931U (ja) * 1987-01-06 1988-07-19
JPH02177420A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Ushio Inc ウエハ周辺露光装置
JPH04291914A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Ushio Inc ウエハ上の不要レジスト露光方法
JPH06112103A (ja) * 1992-09-24 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp 露光装置および露光方法
JPH09275073A (ja) * 1996-02-05 1997-10-21 Ushio Inc ウエハ周辺露光方法および装置
JPH09283396A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Sony Corp 周辺露光装置および周辺露光方法
JPH10233354A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH10267791A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 波長可変光源およびotdr装置
JP2000077299A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁露光装置
JP2001007012A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 露光装置
JP2003037059A (ja) * 2001-05-08 2003-02-07 Asml Netherlands Bv 露光方法、デバイス製造方法、およびリソグラフィ投影装置
JP2003506752A (ja) * 1999-08-11 2003-02-18 ラックオフ ディスプレイ コーポレイション 可動回折光学素子による光信号の方向付け方法及びシステム
KR20040011792A (ko) * 2002-07-30 2004-02-11 주식회사 실리콘 테크 기판 주변 노광 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960016175B1 (en) 1987-08-28 1996-12-04 Tokyo Electron Ltd Exposing method and apparatus thereof
KR0179163B1 (ko) * 1995-12-26 1999-03-20 문정환 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법
JPH10335216A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
KR100250152B1 (ko) * 1997-11-15 2000-03-15 유무성 노광장치
JP3356047B2 (ja) 1997-11-26 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 ウエハ周辺露光装置
US6240874B1 (en) 1999-05-27 2001-06-05 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated edge exposure and hot/cool plate for a wafer track system
KR100387418B1 (ko) 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
KR20020094504A (ko) 2001-06-12 2002-12-18 삼성전자 주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치
JP4090273B2 (ja) 2002-05-23 2008-05-28 株式会社Sokudo エッジ露光装置
KR20040024165A (ko) 2002-09-13 2004-03-20 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP4083100B2 (ja) 2003-09-22 2008-04-30 株式会社Sokudo 周縁部露光装置
KR100585170B1 (ko) * 2004-12-27 2006-06-02 삼성전자주식회사 트윈 기판 스테이지를 구비한 스캐너 장치, 이를 포함하는반도체 사진 설비 및 상기 설비를 이용한 반도체 소자의제조방법

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111931U (ja) * 1987-01-06 1988-07-19
JPH02177420A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Ushio Inc ウエハ周辺露光装置
JPH04291914A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Ushio Inc ウエハ上の不要レジスト露光方法
JPH06112103A (ja) * 1992-09-24 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp 露光装置および露光方法
JPH09275073A (ja) * 1996-02-05 1997-10-21 Ushio Inc ウエハ周辺露光方法および装置
JPH09283396A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Sony Corp 周辺露光装置および周辺露光方法
JPH10267791A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 波長可変光源およびotdr装置
JPH10233354A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP2000077299A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁露光装置
JP2001007012A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 露光装置
JP2003506752A (ja) * 1999-08-11 2003-02-18 ラックオフ ディスプレイ コーポレイション 可動回折光学素子による光信号の方向付け方法及びシステム
JP2003037059A (ja) * 2001-05-08 2003-02-07 Asml Netherlands Bv 露光方法、デバイス製造方法、およびリソグラフィ投影装置
KR20040011792A (ko) * 2002-07-30 2004-02-11 주식회사 실리콘 테크 기판 주변 노광 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238798A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 周縁露光装置及び周縁露光方法
JP2021103246A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社Screenホールディングス エッジ露光装置およびエッジ露光方法
JP7312692B2 (ja) 2019-12-25 2023-07-21 株式会社Screenホールディングス エッジ露光装置およびエッジ露光方法
CN112799282A (zh) * 2020-12-30 2021-05-14 六安优云通信技术有限公司 一种电源芯片制造用晶圆光刻显影蚀刻装置及其制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
US20060250594A1 (en) 2006-11-09
US7573054B2 (en) 2009-08-11
DE602006015126D1 (de) 2010-08-12
TWI334061B (ja) 2010-12-01
EP1722402A2 (en) 2006-11-15
EP1722402B1 (en) 2010-06-30
EP1722402A3 (en) 2007-08-01
CN100465795C (zh) 2009-03-04
JP4642543B2 (ja) 2011-03-02
KR101105568B1 (ko) 2012-01-17
TW200710583A (en) 2007-03-16
CN1862387A (zh) 2006-11-15
KR20060116167A (ko) 2006-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4642543B2 (ja) 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法
KR100434826B1 (ko) 웨이퍼주변노광방법및장치
KR102576504B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체
JP2002260994A (ja) 基板処理装置
KR102471485B1 (ko) 광처리 장치 및 기판 처리 장치
JP4923936B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP2004014670A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5501201B2 (ja) 周辺露光装置及びその方法
JPH03242922A (ja) ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置
JP3219925B2 (ja) 周辺露光装置及び周辺露光方法
JP7312692B2 (ja) エッジ露光装置およびエッジ露光方法
JPH1012696A (ja) 基板搬送装置
TW530334B (en) Optical exposure apparatus, lithographic projection tool, substract coating machine, and device manufacturing method
JP2023100449A (ja) 補助露光装置、露光方法および記憶媒体
JP2000114141A (ja) 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置
JP3455451B2 (ja) レジストパタ−ンの形成方法及び周辺露光装置
JP2012220896A (ja) 周辺露光方法及び周辺露光装置
JP2601309B2 (ja) ウエハ周辺露光装置
JP2003347200A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006019568A (ja) 周辺露光方法及びその装置
JP2012234987A (ja) 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理システム
JP2002319529A (ja) 周辺露光装置およびそれを備えた基板処理装置
JPH06283418A (ja) 周辺露光装置
JP2000003850A (ja) ウエハ周辺露光装置
JPH05190410A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101116

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4642543

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250