KR20020094504A - 웨이퍼 에지 노광 장치 - Google Patents

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KR20020094504A
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김선규
박영호
이영우
오경환
임승준
임종길
김진선
정일영
박종국
신언명
임건식
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삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 다중 슬리트 마스크를 이용하여 노광 경계 부분의 선폭을 개선시킨 웨이퍼 에지 노광 장치에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 에지 노광 장치는 광원 램프와 렌즈 어셈블리를 이용한 광원 집광 방식에서 램프와 렌즈 어셈블리 사이에 광원을 다중으로 쪼갤 수 있는 마스킹 수단을 구비하여 노광 작업시 웨이퍼 가장자리에서 형성되는 선폭을 개선한다.

Description

웨이퍼 에지 노광 장치{APPARATUS FOR EXPOSING WAFER EDGE}
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 다중 슬리트 마스크를 이용한 웨이퍼 에지 노광 장치에 관한 것이다.
노광기술은 집적회로 제작 및 전자소자 제조시에 마스크상의 모형들을 웨이퍼나 기판표면의 얇은 감광재료에 옮겨놓는 공정기술이다. 노광기술은 크게 광 노광기술고 방사 노광기술로 구분할 수 있다. 광 노광기술은 자외선 노광기술을 의미하며 방사 노광기술은 X-선, 전자빔, 이온빔 노광기술 등으로 나눌 수 있다.
광 노광기술은 가장 널리 사용되어 온 노광기술 중의 하나이다. 본 발명은 광 노광기술에 있어서, 웨이퍼 에지(가장자리)에 대한 노광 작업시 노광 경계 부분의 선폭을 향상시키기 위한 것이다.
종래기술에 따르면, 램프로부터 조사되는 광원을 렌즈 어셈블리에서 집광하고 이 집광된 광원을 웨이퍼상의 각 부위에 조사하여 필요한 노광 공정을 수행하였다. 즉, 종래에는 램프와 렌즈 어셈블리를 사용하여 웨이퍼상에 광원을 조사하여 웨이퍼 에지에 대한 노광 작업을 진행하였다. 이러한 종래의 광 조사 시스템에 있어서는 웨이퍼상에 조사되는 광원의 초점이 정교하지 못해 노광 경계 부분의 선폭이 커지는 문제가 발생하였다. 노광 경계 부분이란 노광이 된 부분과 비 노광 부분의 경계 영역으로 정의한다. 노광 경계 부분의 선폭이 커지게 되면, 이후 공정에서 이 부분에 잔존하는 감광막으로 인해 파생되는 오염 입자들에 의해 공정 불량을 유발시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 램프의 출력 광원을 다중의 슬리트 광원으로 여과한 후 렌즈 어셈블리로 상기 슬리트 광원을 조사하는 마스킹 수단을 구비하여 노광 작업시 경계 부분에서의 선폭을 강화하기 위한 웨이퍼 에지 노광 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 노광 시스템의 바람직한 실시예를 보여주는 도면 및;
도 2는 도 1에 도시된 슬리트 마스크의 여러 형상들을 보여주는 도면;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 램프20: 마스크
30: 렌즈 어셈블리40: 웨이퍼
32, 34, 36: 렌즈50, 60, 70, 80: 크롬
(구성)
종래의 결함을 해소하기 위해, 본 발명의 웨이퍼 에지 노광 장치는 램프와 마스킹 수단 및 렌즈 어셈블리를 포함한다.
상기 램프는 빛을 발원하는 곳으로 램프 하우스로부터 집광된 광원을 조사한다.
상기 마스킹 수단은 상기 램프로부터 조사되는 출력 광원을 여과하여 다중의 슬리트 광원들을 출력하는 기능을 수행한다. 상기 수단은 크롬이 도포된 영역에서는 광원을 차단하는 기능을 갖는다. 그리고
상기 렌즈 어셈블리는 여과된 각각의 슬리트 광원을 집광하고 집광된 각각의 광원을 웨이퍼상으로 조사하는 기능을 갖는다.
(작용)
이러한 장치에 의하면, 웨이퍼 에지에 대한 노광 작업시 램프의 초점을 강화하여 노광 경계 부분에 대한 선폭을 개선할 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면에 도시된 바람직한 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 기술한다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 에지(가장자리)에 대한 노광 작업시 노광 경계 부분의 선폭을 개선하기 위한 웨이퍼 에지 노광 장치를 제공한다. 본 발명의 노광 장치는 램프로부터 조사되는 광원을 여과한 후 렌즈 어셈블리로 공급하는 마스킹 수단을 통해 광원의 초점을 강화시켜 노광 경계점의 선폭을 향상시킨다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하여, 본 발명의 노광 장치는 램프(10)와 마스킹 수단(20) 및 렌즈 어셈블리(30)를 포함한다. 램프(10)는 자외선을 발원하는 곳으로 램프 하우스에 의해 집광된 광원을 발생시킨다. 렌즈 어셈블리(30)는 복수의 렌즈들(32, 34, 36)로 구성되어 입사되는 광원을 집광하고 집광된 광원을 웨이퍼상으로 조사한다. 마스킹 수단(20)은 상기 램프(10)로부터 입사되는 광원을 여과하여 상기 렌즈 어셈블리(30)에 공급하는 기능을 수행한다. 도 2는 도 1에 도시된 마스킹 수단의 여러 형태들을 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하여, (a)와 (b)와 (c) 및 (d)는 각각이 타원형 구조로, 각각이 크롬을 사용하여 입사되는 광원을 여과시킨다. 예컨데, (a)와 (b)와 (c) 및 (d)에서 검은 색은 각각 크롬이 도포된 영역을 나타낸다. 크롬이 도포된 영역은 입사되는 광원을 투과시키지 않고 차단하는 기능을 수행한다. 결국, (a)와 (c)로 입사되는 광원은 직사각형 형태의 광원을 여과시킨다. 또한, (b)는 오각형 형태의 광원을 여과시키고, (d)는 타원 형태의 광원을 여과시킨다. 결국, 마스킹 수단은 다양한 형태의 슬리트 광원을 여과하여 렌즈 어셈블리로 공급한다. 렌즈 어셈블리에서는 상기 마스킹 수단으로부터 여과된 각각의 슬리트 광원을 공급받아 집광하고 이를 웨이퍼상으로 조사하여 최종적으로 웨이퍼상으로 조사되는 광원의 초점을 강화시킨다.
요약하면, 본 발명은 다양한 형태의 마스킹 수단을 구비하여 웨이퍼상에 조사되는 광원의 초점을 강화한다. 이러한 본 발명의 노광 장치에 의하면 노광 경계 부분에서의 선폭을 개선하여 이후 공정에서의 공정 불량을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 노광 장치를 반도체 노광 공정에 적용하면, 노광 경계 부분에서의 선폭을 개선할 수 있어 이후 공정에서의 공정 불량을 방지하는이점이 있다.

Claims (2)

  1. 램프와;
    상기 램프의 출력 광원을 여과하여 다중의 슬리트 광원들을 출력하는 마스킹 수단;
    상기 각각의 슬리트 광원을 집광하고 집광된 상기 각각의 슬리트 광원을 웨이퍼상으로 조사하는 렌즈 어셈블리를 포함하는 웨이퍼 에지 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스킹 수단은 크롬이 도포된 부분은 빛을 차단하고 크롬이 도포되지 않는 부분은 빛을 통과시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9715170B2 (en) 2014-09-15 2017-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical proximity correction method and method of manufacturing extreme ultraviolet mask by using the optical proximity correction method

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