JP3219925B2 - 周辺露光装置及び周辺露光方法 - Google Patents

周辺露光装置及び周辺露光方法

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JP3219925B2
JP3219925B2 JP34867093A JP34867093A JP3219925B2 JP 3219925 B2 JP3219925 B2 JP 3219925B2 JP 34867093 A JP34867093 A JP 34867093A JP 34867093 A JP34867093 A JP 34867093A JP 3219925 B2 JP3219925 B2 JP 3219925B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、周辺露光装置及び周
辺露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスや液晶表示装置
の製造工程においては、半導体ウェハ或いはガラス基板
の表面にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成して、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてマスク或いはレチクルの
微細な回路パターンをレジスト膜に転写し、これを現像
処理する一連の処理が施される。
【0003】このような処理を行う場合、被処理体とし
ての半導体ウエハ(以下、単にウェハという)或いは液
晶表示基板(以下、LCD基板又は単に基板という)の
表面にレジスト膜を形成する場合には、一般的にはウェ
ハ或いは基板表面の中央部分にレジスト液を滴下し、ウ
ェハ或いは基板を高速回転することによって滴下した液
を遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用い
られている。
【0004】ところで、上述したスピナー法でレジスト
膜を形成するとウェハ表面全面に渡ってレジスト膜が形
成されてしまうが、後工程におけるウェハ搬送中のハン
ドリング等においてウェハ周縁部に形成されたレジスト
膜が機械的に破壊されたりして、パーティクルとして飛
散し、歩留りを低下させる可能性がある。従って、この
ようなウェハ周縁部のレジスト膜を予め除去することが
行われている。
【0005】ウェハ周縁部のレジスト膜を除去する装置
としては、例えば特開昭58−159535号公報、特
開昭61−73330号公報等に開示されているよう
に、ウェハを回転させながらウェハ周縁部のレジスト膜
に光、例えば紫外線を照射してこれを露光し、現像時に
周縁部のレジスト膜を除去することが行われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の露光装置にあっては、被処理体の表面周縁部の
レジスト膜に対して紫外線を照射しこれを露光して、現
像時に周縁部のレジスト膜を除去することは可能であっ
たが、スピナー法でレジスト膜を形成した際に、被処理
体の側面及び裏面まで回り込んで形成されてしまったレ
ジスト膜に対しては、周縁部レジスト除去の有効な手段
とはなりえず実用にいたっていなかった。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、半導体ウェハのように被処理体の周縁
部が円弧部と直線部から構成される場合において、周縁
部に沿って予め設定された範囲の領域を、被処理体の表
裏両面同時に又は一方を所望により被処理体の形状に応
じて周辺露光することができる周辺露光装置と周辺露光
方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被処
理体の周縁部に光を照射して、前記周縁部の処理膜を露
光する露光装置であって、前記被処理体の表裏一方の面
に対して光を照射する光照射手段と、この手段により照
射された光のうち前記被処理体照射以外の光を、前記被
処理体の他方の面側で受光する如く設けられ、前記被処
理体の前記他方の面の所望する位置に照射する反射部材
と、前記反射部材の角度を変更する反射角度調整手段
と、前記光照射手段及び前記反射部材を一体的に保持す
る保持部材とを具備し、前記保持部材は、前記被処理体
に対して水平方向に移動自在、かつ前記被処理体の面に
対する角度を変更自在に構成されたことを特徴とする。
【0009】請求項2の発明は、被処理体の周縁部に光
を照射して、前記周縁部の処理膜を露光する露光装置で
あって、前記被処理体の表裏一方の面に対して光を照射
する光照射手段と、この手段により照射された光のうち
前記被処理体照射以外の光を、前記被処理体の他方の面
側で受光する如く設けられ、前記被処理体の前記他方の
面の所望する位置に照射する反射部材と、前記反射部材
の角度を変更する反射角度調整手段と、前記光照射手段
及び前記反射部材を一体的に保持する保持部材と、前記
保持部材を前記被処理体に対して水平方向に自在に移動
させる移動手段と、前記保持部材の前記被処理体の面に
対する角度を自在に変更する光軸角度調整手段とを具備
したことを特徴とする。
【0010】請求項3の発明は、被処理体の周縁部に光
を照射して、前記周縁部の処理膜を露光する露光装置で
あって、前記被処理体の表裏一方の面に対して光を照射
する光照射手段と、前記被処理体を挟んで前記光照射手
段と相対して設けられ、前記光照射手段により照射され
た光のうち前記被処理体に照射された光以外の光を反射
する反射部材と、前記被処理体の周縁部の位置を検知す
る検知手段と、前記検知手段の検知結果により、前記光
照射手段及び前記反射部材を一体的に保持する保持部材
の前記被処理体に対する水平位置、前記保持部材の前記
被処理体の面に対する角度及び前記反射部材の角度を制
御する制御手段とを具備したことを特徴とする。請求項
4の発明は、被処理体の周縁部に光を照射して、前記周
縁部の処理膜を露光するに際し、前記被処理体の表裏一
方の面に対して光を照射する光照射手段及びこの手段に
より照射された光のうち前記被処理体照射以外の光を前
記被処理体の他方の面側で受光する如く設けられ前記被
処理体の前記他方の面の所望する位置に照射する反射部
材を一体的に保持する保持部材を、前記被処理体の所望
する面に対して、相対的に移動させると共に前記被処理
体の面に対する角度を調整して露光する工程と、前記反
射部材を所望の角度回転させる工程とを具備してなるこ
とを特徴とする。請求項5の発明は、被処理体の周縁部
に光を照射して、前記周縁部の処理膜を露光する周辺露
光方法において、前記被処理体の周辺部の位置を検出す
る工程と、前記被処理体の表裏一方の面に対して光を照
射する光照射手段及びこの手段により照射された光のう
前記被処理体照射以外の光を前記被処理体の他方の面
側で受光する如く設けられ前記被処理体の前記他方の面
の所望する位置に照射する反射部材を一体的に保持する
保持部材の前記被処理体に対する水平位置、前記保持部
材の前記被処理体の面に対する角度及び前記反射部材の
角度を、前記検出結果により制御する工程とを具備した
ことを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明によれば、被処理体の周縁部に光を照射
して周縁部の不要な処理膜を露光して除去する際に、部
位に応じて被処理体の面に対して光を照射する光照射手
段と、被処理体を挟んで光照射手段に相対する移動可能
な反射部材の角度の動作範囲を自動的に制御し、被処理
体の表裏両面を同時に又は一方を所望に応じて周辺露光
できる。
【0012】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。このような処理を行う場合、図5に示す
処理システムが使用されている。図5の処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハ(以下、単にウエハ
という)Wを搬入・搬出するローダ部40と、このロー
ダ部40から搬送されたウエハWをブラシ洗浄するブラ
シ洗浄装置42と、ウエハWを高圧ジェット水で洗浄す
るジェット水洗浄装置44と、ウエハWの表面を疎水化
処理するアドヒージョン処理装置46と、ウエハWを所
定温度に冷却する冷却処理装置48と、ウエハWの表面
にレジストを塗布及びサイドリンス処理により周縁部の
レジストを溶解除去するレジスト塗布装置50と、レジ
スト塗布の後でウエハWを加熱してプリベーク又はポス
トベークを行う加熱処理装置52と、露光されたウエハ
Wの現像処理を行うための現像装置54と、及びウエハ
Wの周縁部のレジスト層に光例えば紫外線を照射して、
現像時にこの光照射されたレジストを除去する周辺露光
装置57などを集合化して作業効率の向上を図ってい
る。上記レジストの不要部への照射光は、ひかりの照射
によりレジストの特性が変化し、現像等処理液によって
レジスト除去できる波長の光である。
【0013】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向にウエハ搬送路56が設けられ、こ
のウエハ搬送路56に沿って上記各処理装置40〜57
のウェハ搬入出口がウェハ搬送路56に向けて配置さ
れ、各装置40〜57との間でウエハWの受け渡しを行
うウエハ搬送機構58がウエハ搬送路56に沿って移動
自在に設けられている。このウエハ搬送機構58は、真
空吸着あるいは周辺部の下面支持などによってウエハW
を保持するためのアーム59を備えている。この機能の
アーム59は上下方向に例えば3本各々独立に稼働する
よう配設されており、移動機構により上記搬送路56を
往復移動して選択的に各装置40〜57のウエハ載置位
置まで移動できるようになっている。
【0014】このようなアーム59を例えば3本使用す
ることで、各装置40〜57に対するウエハWの搬入・
搬出を並行して行うことができ、処理能率の向上が図れ
る。そして、例えば、ローダ部40の図示省略のウエハ
カセット内に収納されている処理前のウエハWを1枚取
り出して搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン処理、冷
却、レジスト塗布、プリベーク、図示省略のインターフ
ェイス装置を介して図示省略の露光装置による露光、周
辺露光、現像、ポストベークを行い、処理後のウエハW
をローダ部40の図示省略のウエハカセット内に搬送し
て収納する。
【0015】上記周辺露光装置57は光源部60と被処
理体であるウエハWを載置してウエハWの周縁部を露光
する露光部62とから構成されている。光源部60で
は、レジストの種類によって異なるが、露光波長として
例えば、436nm(g線)、365nm(i線)など
が用いられ、g線、i線ではそれぞれの波長で出力とス
ペクトル純度が最適化された超高圧水銀灯が光源として
使われている。また露光波長が248nm(KrF)の
場合はエキシマレーザを光源として用いる。
【0016】次にこの装置の詳細を実施例により具体的
に説明する。図1は周辺露光装置57の概略説明図であ
る。前記超高圧水銀灯からなるランプ63の光を効率よ
く集光するためにランプ63を覆うように楕円凹面鏡6
4を設け、この楕円凹面鏡64で形成される楕円球の第
一焦点にランプ63を載置する。ウェハWに到達する光
エネルギーは、露光時間に影響しスループットに直接関
係するので、ウェハWの処理面での露光パワーは重要で
ある。そこで、一例としてランプ63から放射された光
を、効率よく集めるために楕円凹面鏡64が使われって
いる。
【0017】ランプ63から発せられた光は、直接或い
は楕円凹面鏡64に反射して前記楕円球の第二焦点に集
光する。ランプ63と第二焦点の間に、例えば反射鏡を
載置(図示せず)して光軸を所望の方向に変更すること
も、光源部60をより小型に設計する上で有効な手段で
ある。そして、この第二焦点の近傍の光軸上に、例えば
少なくとも1つ以上の光学式凹レンズ等から構成される
コリメータ65を設け、ランプ63からの光を平行光線
に光道修正を行う。このコリメータ65を透過した平行
光線は、所望の波長域即ち露光機能を有する波長の光の
みをとりだすための光学素子、例えばコールドミラーか
らなるフィルタ66によってg線或いはi線等の波長の
光のみを選別して透過させる。
【0018】このフィルタ66を透過した特定波長の光
を、シャッター67によって周辺露光が必要な場合に通
過させる。そしてシャッター67を通過した光は、同じ
大きさの光のベクトルに修正するための均一化素子、例
えばフライアイレンズ等からなるインテグレータ68を
透過して導光路入射部69へ到達する。63〜69はカ
バー70で覆われており、外部の光から遮光されてい
る。またカバー70内で63〜69は図示しない各支持
部材により固定されている。
【0019】導光路入射部69から光は、例えば光ファ
イバー束よりなる湾曲自在な導光路71内を進みウェハ
Wの周縁下方の予め定められた位置の光照射部72に至
る。光照射部72の内部は、例えば図示しない少なくと
も一つ以上の光学式凹レンズ、又は光学式凹レンズ凸レ
ンズ等の組み合わせによりコリメータが構成され、光照
射部72から照射される光は限りなく理想的な平行光に
近づく様に調整されている。
【0020】被処理体であるウェハWは表面にレジスト
膜Rが塗布された状態で、モータ73等により回転する
載置台である例えばスピンチャック74に載置される。
前記ウェハWの周縁部で表裏面のうち一方、例えば下側
に光照射部72が、図示しない支持部材により支持して
設けられている。光照射部72から発せられた光の一部
はウェハWの裏面の予め定められた照射幅面に直接照射
され、ウェハWの周縁部で裏面を照明せず遮蔽されなか
った残りの光は、ウェハWの他方の面側に設けられ光照
射部72に相対してウェハWの周縁部上方に設けられた
反射部材例えば反射鏡75により反射され、ウェハWの
表面所望の領域に対して周辺露光を行えるよう構成され
ている。
【0021】反射鏡75は図に示すように支点76に対
して、例えばステッピングモータ等の駆動手段からなる
反射角度調整機構77(図2)により所望の角度θだけ
回転させる事によって、反射光でウェハ周縁の形状がオ
リフラ部等で変化しても、周縁部の所定幅を照射して、
所望の領域を露光させる事が可能となる。尚、本例によ
らず反射鏡の角度を変更するための手段であれば何でも
よく、例えば反射鏡75をプッシュロッド等により押し
或いは引っ張る等してもよい。また反射鏡75は反射角
度調整機構77を設けずに予め設定された所望の角度θ
に固定しても良い。このような調整プログラムは予め実
験的に求め、ティーチングによりメモリに記憶しておく
ことにより容易に自動化できる。
【0022】前記ウェハWの周縁部他端にはウェハWの
周縁部の位置を正確に検知するために、例えばレーザ素
子等光学式センサからなるセンサ78がウェハWを挟み
込むように上下に配置されている。センサ78で得られ
た情報は制御装置79に送られ、周辺露光装置57の各
部を制御するように構成されている。
【0023】図2は露光部62の概略平面の一例を示す
平面図である。光照射部72と反射鏡75と反射角度調
整機構77等は、移動機構80によって基台81のX方
向及びY方向に自在に移動可能であると供に、ウェハW
面に対してψ角の角度可変領域を持つ。
【0024】この移動機構80は基台81に設けられた
モータ82等の回転手段によって回転されるボールスク
リュウ83と、滑らかな動作可能に貫通したガイドシャ
フト84等により支持され、上記ボールクリュウ83を
回転させることによりY方向に移動可能に構成された移
動台85と、この移動台85に取り付けられたモータ8
6等の回転装置によって回転されるボールスクリュウ8
7によってX方向に移動可能に構成される。そして、光
照射部72と反射鏡75と反射角度調整機構77等を保
持する保持部材88と、この保持部材88をY−Z平面
においてψ角の角度を可変とした光軸角度調整機構89
により構成される。
【0025】この光軸角度調整機構89は、図3に示す
ように例えばウェハWの周縁端を中心としてψ角の角度
可変領域を持つ様にしてもよいし、ボールスクリュウ8
7の中心に対してψ角の角度可変領域を持つ様にして構
成しても構わない。図2では前記光軸角度調整機構89
がボールスクリュウ87に対して二重筒構造を持つよう
に構成され、ψ軸方向に移動する際は外側の筒のみが、
図示しないモータ等の駆動手段とギヤ又はロッド等駆動
機構によって独立して稼働するように構成されている。
また基台81上には、図示しない回転手段と支持棒90
にて保持されたセンサ78が設けられており、必要に応
じてウェハWの周縁部を検知するように構成されてい
る。
【0026】次に上述実施例の作用と効果について述べ
る。露光部口62Aからアーム59によって周辺露光装
置57の露光部62へ被処理体であるウェハWを搬入
し、予めプログラムされていた所定の位置、例えば前記
ウェハWの中心とスピンチャックの中心とを一致させ、
かつウェハWのオリエンテーションフラット部(以下オ
リフラ部という)OFとX軸方向が平行になるような状
態でスピンチャック74上に載置して保持する。そして
図示しない回転手段と支持棒90にて保持された、セン
サ78を前記ウェハWの周縁部の上下挟み込むように回
転移動させて、このウェハWの周縁部を検知する。
【0027】スピンチャック74を回転させてかつスキ
ャンすることによって、センサ78で得られた情報(ウ
ェハWの有無、位置ずれ、センタリング精度、オリフラ
部の位置、等)は制御装置79に送られ、制御装置79
により例えば、シャッター67の開閉、光照射部72の
位置、反射鏡75の位置、反射鏡75の角度θ、光照射
部72と反射鏡75の角度ψ、ウェハWの回転、等を予
めプログラムされている通りに制御する事が可能とな
る。
【0028】そして移動機構80のモータ82を回転さ
せて、ウェハWの周縁部の予め定められた露光領域に、
光照射部72と反射鏡75がウェハWを挟んで相対する
ようにしてY軸方向に移動させる。次にシャッター67
を開きモータ73によりウェハWを回転させながら下側
から光を照射することにより、円弧周縁部の裏面の所望
の領域分を露光することができる。
【0029】また光照射部72から照射された光の一部
は、ウェハWの周縁部によって遮光されずに反射鏡75
に到達する。そして反射角度調整機構77により反射鏡
75を所望の角度θだけ回転させる事によって、反射光
でウェハW表面上周縁部の所望の領域を露光させる事が
可能となる。
【0030】オリフラ部OFの第一の露光方法は、円弧
周縁部の露光方法と同様にウェハWを回転させながら裏
面と同時に表面の周縁部も同時に露光させる方法であ
る。その場合反射角度調整機構77によって反射鏡75
の角度θを自動的に調整するように制御部79に予めプ
ログラミングしておけばよい。
【0031】オリフラ部OFの第二の露光方法は、まず
モータ73の回転を止めてウェハWをオリフラ部OFが
X軸方向と平行になるように静止させ、移動機構80の
モータ86を回転させて光照射部72と反射鏡75をオ
リフラ部OFの始点から終点まで移動させて前述の方法
と同様に裏面と同時に表面の周縁部も同時に露光させる
方法である。その場合センサ78で検知した情報に従っ
て自動的に周辺露光を行うように制御部79に予めプロ
グラムしておく。尚、上述の実施例では円弧周縁部から
先に露光し次にオリフラ部OFの周縁部を露光したが、
この順番は逆でも構わない。
【0032】また上述の実施例では表面と裏面を同時に
露光したが、それぞれの面の周縁部について個別に周辺
露光しても構わない。更に前記光軸角度調整機構89に
より角ψを調整することによって、ウェハWの表面及び
裏面のみならず側面への周辺露光に対して、所望の面に
対してより垂直に近い角度で光を効果的に照射する効果
も得られる。
【0033】これらの露光部における一連の動作及び位
置合わせ機能は、図示しない回転手段と支持棒90にて
保持された、センサ78から得られたウェハWの正確な
位置情報により制御部79で光照射部72と反射鏡75
をX,Y,θ,ψ方向に精密に移動させることによって
可能となる。
【0034】また前記移動機構80について本実施例に
おいては、モータ等による回転装置とボールスクリュウ
による機構を例示したが、本例に限らずX−Y平面上を
自由に移動できる機構であれば何でもよく、他の例とし
ては例えばリニアモータ等の組み合わせによる水平動作
ロボットによる構成等が考えられる。また前記光軸角度
調整機構89については、本実施例においてψ方向の回
転運動による例を示したが、光照射部72と反射鏡75
がウェハWを挟んで相対していればよく、その動作は直
線運動でも一向に構わない。
【0035】
【0036】次に本発明の第二実施例について説明す
る。第二実施例は図4に示すように図3に比較してその
相違点は、光照射部72と反射鏡75がウェハWを挟ん
で相対している位置が逆転している。従ってその構成は
前述の相違点を除き、図1〜図3を用いて説明した第一
実施例と同じである。上記実施例の構成における相違点
のみを以下に述べ、構成が同一である部分についてはそ
の説明を省略する。
【0037】図4は露光部62の要部を示す概略説明図
である。被処理体であるウェハWは表面にレジスト膜R
が塗布された状態で、モータ73等により回転する載置
台である例えばスピンチャック74に載置され、前記ウ
ェハWの周縁部例えば上側に光照射部72を、図示しな
い支持部材により設けられている。光照射部72から発
せられた光の一部はウェハWの表面に直接照射され、ウ
ェハWの周縁部で遮蔽されなかった残りの光は、光照射
部72に相対して下側に設けられた反射部材、例えば反
射鏡75により反射され、ウェハWの裏面所望の領域に
対して周辺露光を行えるよう構成されている。
【0038】反射鏡75は、例えばステッピングモータ
等の駆動手段からなる図示しない反射角度調整機構によ
り所望の角度θだけ回転させる事によって、反射光でウ
ェハ上の所望の領域を露光させる事が可能となる。尚、
本例によらず反射鏡の角度を変更するための手段であれ
ば何でもよく、例えば反射鏡75をプッシュロッド等に
より押し或いは引っ張る等してもよい。また反射鏡75
は反射角度調整機構を設けずに予め設定された所望の角
度θに固定しても良い。更に、相対する光照射部72と
反射鏡75は、Y−Z平面においてψ角の角度を可変と
した図示しない光軸角度調整機構により、ウェハWの面
に対してψ角の角度可変領域を持つように構成してもよ
い。
【0039】本実施例の作用について、第一実施例と作
用が同一である部分についてはその説明を省略し、特に
相違点について説明する。まず予めプログラムされてい
た所定の位置、例えば前記ウェハWの中心とスピンチャ
ック74の中心とを一致させ、かつウェハWのオリフラ
部OFとX軸方向が平行になるような状態でスピンチャ
ック74上に載置して保持する。そして図示しない回転
手段と支持棒90にて保持されたセンサ78を前記ウェ
ハWの周縁部の上下挟み込むように回転移動させて、こ
のウェハWの周縁部を検知する。
【0040】そして移動機構80のモータ82を回転さ
せて、ウェハWの周縁部の予め定められた露光領域に、
光照射部72と反射鏡75がウェハWを挟んで相対する
ようにしてY軸方向に移動させる。次にシャッター67
を開きモータ73によりウェハWを回転させながら上側
から光を照射することにより、円弧周縁部の表面の所望
の領域分を露光することができる。
【0041】また光照射部72から照射された光の一部
は、ウェハWの周縁部によって遮光されずに反射鏡75
に到達する。そして反射角度調整機構77により反射鏡
75を所望の角度θだけ回転させる事によって、反射光
でウェハW裏面の周縁部の所望の領域を露光させる事が
可能となる。
【0042】オリフラ部OFの露光方法は、まずモータ
73の回転を止めてウェハWをオリフラ部OFがX軸方
向と平行になるように静止させ、移動機構80のモータ
86を回転させて、光照射部72と反射鏡75を、オリ
フラ部OFの始点から終点まで同期しつつ移動させて、
表面と同時に裏面の周縁部も同時に露光させる方法であ
る。その場合センサ78で検知した情報に従って自動的
に周辺露光を行うように制御部79に予めプログラムし
ておく。尚、上述の実施例では円弧周縁部から先に露光
し次にオリフラ部OFの周縁部を露光したが、この順番
は逆でも構わない。
【0043】また上述の実施例では表面と裏面を同時に
露光したが、それぞれの面の周縁部について個別に周辺
露光しても構わない。更に前記光軸角度調整機構89に
より角ψを調整することによって、ウェハWの表面及び
裏面のみならず側面への周辺露光に対して、所望の面に
対してより垂直に近い角度で光を効果的に照射する効果
も得られる。
【0044】第一の実施例に比較して第二の実施例で
は、光照射部72をウェハWの上面に配置することによ
って、最初に表面周縁部を、光が拡散せず理想的な平行
光により近い状態で、かつ露光パワーが強い状態で、精
密に所望のウェハ表面周縁部領域を周辺露光できるとい
う顕著な効果がある。
【0045】以上の実施例では被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体
ウエハに限られるものではなく、例えば液晶表示基板、
セラミックス基板、コンパクトディスク、プリント基
板、塗料を塗布する基板、光フィルター基板等について
同様にレジスト液を被覆するものについても適用できる
ものである。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
及び露光方法によれば、半導体ウェハのように被処理体
の周縁部が円弧部と直線部から構成される場合において
も、或いはその他の基板で周縁部が複雑な曲線で構成さ
れる場合においても、周縁部に沿って予め設定された範
囲の領域を、被処理体の表裏両面同時に又は一方を、所
望に応じて周辺露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の周辺露光装置を示す概略説明図であ
る。
【図2】この発明の露光部を示す概略平面図である。
【図3】この発明の露光部の要部を示す第一実施例の概
略説明図である。
【図4】この発明の露光部の要部を示す第二実施例の概
略説明図である。
【図5】この発明のレジスト塗布現像処理装置の概要を
示す斜視図である。
【符号の説明】
W ウェハ R レジスト OF オリフラ部 40 ローダ部 42 ブラシ洗浄装置 44 ジェット水洗浄装置 46 アドヒージョン処理装置 48 冷却装置 50 レジスト塗布装置 52 加熱処理装置 54 現像装置 56 ウェハ搬送路 57 周辺露光装置 58 搬送機構 59 アーム 60 光源部 62 露光部 71 導光路 72 光照射部 74 スピンチャック 75 反射鏡 77 反射角度調整機構 78 センサ 79 制御装置 80 移動機構 89 光軸角度調整機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−116917(JP,A) 特開 昭59−138335(JP,A) 特開 平4−122019(JP,A) 特開 平5−205991(JP,A) 特開 平4−188715(JP,A) 特開 平6−338453(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体の周縁部に光を照射して、前記
    周縁部の処理膜を露光する露光装置であって、前記被処
    理体の表裏一方の面に対して光を照射する光照射手段
    と、この手段により照射された光のうち前記被処理体照
    射以外の光を、前記被処理体の他方の面側で受光する如
    く設けられ、前記被処理体の前記他方の面の所望する位
    置に照射する反射部材と、前記反射部材の角度を変更す
    る反射角度調整手段と、前記光照射手段及び前記反射部
    材を一体的に保持する保持部材とを具備し、前記保持部
    材は、前記被処理体に対して水平方向に移動自在、かつ
    前記被処理体の面に対する角度を変更自在に構成された
    ことを特徴とする周辺露光装置。
  2. 【請求項2】 被処理体の周縁部に光を照射して、前記
    周縁部の処理膜を露光する露光装置であって、前記被処
    理体の表裏一方の面に対して光を照射する光照射手段
    と、この手段により照射された光のうち前記被処理体照
    射以外の光を、前記被処理体の他方の面側で受光する如
    く設けられ、前記被処理体の前記他方の面の所望する位
    置に照射する反射部材と、前記反射部材の角度を変更す
    る反射角度調整手段と、前記光照射手段及び前記反射部
    材を一体的に保持する保持部材と、前記保持部材を前記
    被処理体に対して水平方向に自在に移動させる移動手段
    と、前記保持部材の前記被処理体の面に対する角度を自
    在に変更する光軸角度調整手段とを具備したことを特徴
    とする周辺露光装置。
  3. 【請求項3】 被処理体の周縁部に光を照射して、前記
    周縁部の処理膜を露光する露光装置であって、前記被処
    理体の表裏一方の面に対して光を照射する光照射手段
    と、前記被処理体を挟んで前記光照射手段と相対して設
    けられ、前記光照射手段により照射された光のうち前記
    被処理体に照射された光以外の光を反射する反射部材
    と、前記被処理体の周縁部の位置を検知する検知手段
    と、前記検知手段の検知結果により、前記光照射手段及
    び前記反射部材を一体的に保持する保持部材の前記被処
    理体に対する水平位置、前記保持部材の前記被処理体の
    面に対する角度及び前記反射部材の角度を制御する制御
    手段とを具備したことを特徴とする周辺露光装置。
  4. 【請求項4】 被処理体の周縁部に光を照射して、前記
    周縁部の処理膜を露光するに際し、前記被処理体の表裏
    一方の面に対して光を照射する光照射手段及びこの手段
    により照射された光のうち前記被処理体照射以外の光を
    前記被処理体の他方の面側で受光する如く設けられ前記
    被処理体の前記他方の面の所望する位置に照射する反射
    部材を一体的に保持する保持部材を、前記被処理体の所
    望する面に対して、相対的に移動させると共に前記被処
    理体の面に対する角度を調整して露光する工程と、前記
    反射部材を所望の角度回転させる工程とを具備してなる
    ことを特徴とする周辺露光方法。
  5. 【請求項5】 被処理体の周縁部に光を照射して、前記
    周縁部の処理膜を露光する周辺露光方法において、前記
    被処理体の周辺部の位置を検出する工程と、前記被処理
    体の表裏一方の面に対して光を照射する光照射手段及び
    この手段により照射された光のうち前記被処理体照射以
    外の光を前記被処理体の他方の面側で受光する如く設け
    られ前記被処理体の前記他方の面の所望する位置に照射
    する反射部材を一体的に保持する保持部材の前記被処理
    体に対する水平位置、前記保持部材の前記被処理体の面
    に対する角度及び前記反射部材の角度を、前記検出結果
    により制御する工程とを具備したことを特徴とする周辺
    露光方法。
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