JP2889300B2

JP2889300B2 - 露光装置および露光方法

Info

Publication number: JP2889300B2
Application number: JP2033527A
Authority: JP
Inventors: 雅司森山; 林田　　安; 徳行穴井; 修平河; 正巳飽本; 泰大坂本; 恵介志柿
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1989-02-16
Filing date: 1990-02-14
Publication date: 1999-05-10
Anticipated expiration: 2014-05-10
Also published as: JPH03218619A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は露光装置および露光方法に関する。

（従来技術及び発明が解決しようとする課題）一般に、半導体デバイスの製造におけるリソグラフィ
プロセスは、表面処理工程、レジスト塗布工程、露光工
程、現像工程、エッチング工程の５つの工程を含む。こ
れらの工程では投影型露光装置やエッチング装置等の真
空装置が用いられている。このような真空装置類は、一
般に、ウェハを部材でクランプするメカニカル機構を有
し、メカニカル機構によりウェハを搬送したりステージ
に固定したりする。

しかしながら、レジスト塗布工程における後処理が不
十分であると、半導体ウェハの周縁部にレジストが残留
していることがある。このような場合に、メカニカル機
構でウェハをクランプすると、クランプ部材の接触によ
り残留レジストがウェハから剥離し、これがダスト等の
異物となってクリーンルームの清浄度が低下する。

このような事情から、異物（ダスト）発生防止手段と
して、特公昭53−37706号公報、特開昭55−12750号公
報、特開昭58−58731号公報、特開昭58−191434号公
報、実開昭60−94660号公報、実開昭61−111151号公
報、特開昭61−121333号公報、並びに特開昭61−184824
号公報に開示されたサイドリンス技術がある。

また、異物（ダスト）発生防止手段として、特開昭58
−200537号公報、実開昭58−81932号公報、実開昭59−6
7930号公報、特開昭60−110118号公報、特開昭60−1217
19号公報、特開昭60−189937号公報、並びに特開昭61−
239625号公報に開示された裏面洗浄技術がある。

しかしながら、上記の各レジスト除去技術において
は、ウェハを回転させながら処理するので、ウェハのオ
リエンテーションフラット（O.F.）の部分にレジストが
残留しやすく、これが剥離するおそれがある。これを解
消するために、レジスト除去範囲を広げると、ウェハ１
枚当たりの半導体デバイスの数が減り、製品歩留まりが
低下する。また、レジスト除去領域と非除去領域との境
界にてレジストが盛り上がり、露光領域以外の複数点を
焦点合せの目標とする装置を用いると、このレジスト盛
り上がり部分で焦点ボケが生じるという欠点がある。

そこで、上記の不都合を解消するために、O.F.部以外
の周縁部と同様の処理をO.F.部に施す技術が、特開昭59
−117123号公報および特開昭61−219135号公報に開示さ
れている。この技術によれば、溶剤を含む多孔質部材を
ウェハ周縁部に当接させ、レジストを除去する。

しかしながら、上記の技術においても露光時の焦点ボ
ケなどの問題を解消することはできない。

露光時の焦点ボケを解消するために、ウェハ周縁部の
レジスト層を円環状に除去するための露光技術が、特開
昭58−159535号公報、特開昭61−73330号公報、並びに
実開昭60−94661号公報に開示されている。

この技術によれば、半導体ウェハの輪郭形状と同形状
のカムを回転軸に備えたチャックにより、ウェハを吸着
する。次いで、光ファイバで導かれる露光光源をカムに
倣わせた状態でウェハを回転させ、ウェハ周縁部を露光
する。

しかしながら、上記の倣いカム方式の露光装置におい
ては、ウェハの種類に応じてカムを交換しなければなら
ないという不都合があり、露光工程の自動化（FA）の妨
げとなっている。また、カムが摩耗してダストが発生す
るという欠点がある。

また、上記の露光技術においては、半導体ウェハ搬送
時に、メカニカルアーム及びウェハの相互接触部からの
レジストの剥離を回避するために、この相互接触部のレ
ジストを予め除去しておく。これによれば、相互接触部
を含むウェハ外周部全体を露光してレジストを除去する
ので、メカニカルアームと直接接触しないウェハ周縁部
のレジストまで不必要に除去されるという欠点がある。

さらに、上記の露光技術においては、紫外光線を光フ
ァイバでウェハ上に導き、これをウェハ上で移動させる
ため、駆動系の振動がファイバに伝わり、シャープな露
光像がえられないという欠点がある。

さらに、CCDラインセンサの読取り方法は、現状では
スループットが低い。

さらに、単位時間当たりの露光量の調整範囲が小さい
ために、レジストの泡立ちが生じることがある。

この発明の目的は、ダスト等の異物の発生を防止し、
かつ、露光時の焦点ボケを防止することができる露光装
置および露光方法を提供するものである。

さらに、例えば半導体ウェハの周縁部を輪郭形状に左
右されることもなく、高歩留りでウェハを露光処理でき
る露光装置および露光方法を提供するものである。

（課題を解決するための手段）上記課題を解決するために、本発明は、被処理体を支持する支持部材と、この支持部材を回転させる回転機構と、前記支持部材の支持面に対向して設けられた光照射体
と、この光照射体と前記支持部材とを相対的に移動させる
移動機構と、前記被処理体の露光範囲を設定する露光範囲設定手段
と、前記支持部材上の被処理体の基準位置を検出する基準
位置検出手段と、前記被処理体の基準位置と前記光照射体の位置との相
対的な位置関係を検出する相対位置検出手段と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて
前記移動機構を制御する移動機構制御手段と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて
前記光照射体から前記被処理体に照射される光量を制御
する光量制御手段と、を具備し、前記露光範囲設定手段は、所定部分を基準とした露光
を開始する方位角である露光開始方位角、該露光開始方
位角から露光終了方位角との間の露光範囲角度、露光す
る領域の径方向の幅である露光幅、および被処理体を一
周露光する時間である一周露光時間をパラメータとし、
各パラメータの組合せをシーケンス単位とし、一または
複数のシーケンスを設定することを特徴とする露光装置
を提供する。

この場合に、前記露光範囲設定手段として、露光範囲
を入力する入力手段と、入力された露光範囲を記憶する
記憶手段を有するものを用いることができる。

また、前記露光範囲入力手段として、面センサを有す
るものを用いることができる。

さらに、前記光量制御手段は、前記露光範囲を選択的
に露光するように光量を制御するものであることが好ま
しい。

さらにまた、前記基準位置検出手段としては、光セン
サを有するものを用いることができる。

また、本発明は、被処理体を支持部材に支持させる工程と、前記被処理体の露光範囲を設定する工程と、前記支持部材上の被処理体の基準位置を検出する工程
と、前記被処理体の基準位置と前記光照射体の位置との相
対的な位置関係を検出する工程と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて
光照射体の位置を制御して前記被処理体を露光する工程
と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて
前記光照射体から前記被処理体に照射される光量を制御
する工程と、を具備し、前記露光範囲を設定する工程は、所定部分を基準とし
た露光を開始する方位角である露光開始方位角、該露光
開始方位角から露光終了方位角との間の露光範囲角度、
露光する領域の径方向の幅である露光幅、および被処理
体を一周露光する時間である一周露光時間をパラメータ
とし、各パラメータの組合せをシーケンス単位とし、一
または複数のシーケンスを設定することを特徴とする露
光方法を提供する。

この場合に、前記露光範囲設定する工程は、露光範囲
を入力する工程と、入力された露光範囲を記憶する工程
とにより行うことができる。

また、前記露光範囲を入力する工程は、面センサを用
いて行うことができる。

さらに、前記光量を制御する工程は、前記露光範囲を
選択的に露光するように光量を制御することが好まし
い。

さらにまた、前記基準位置を検出する工程は、光セン
サを用いて行うことができる。

（作用）本発明によれば、被処理体の露光範囲を設定し、被処
理体の基準位置を検出し、被処理体の基準位置と前記光
照射体の位置との相対的な位置関係を検出し、この相対
的な位置関係および前記露光範囲に基づいて光照射体の
位置および光量を制御するので、ダスト等の異物の発生
を防止し、かつ露光時の焦点ボケを防止することがで
き、さらに被処理体の輪郭形状に左右されずに、その周
縁部を高歩留まりで露光することができる。また、所定
部分を基準とした露光を開始する方位角である露光開始
方位角、該露光開始方位角から露光終了方位角との間の
露光範囲角度、露光する領域の径方向の幅である露光
幅、および被処理体を一周露光する時間である一周露光
時間をパラメータとし、各パラメータの組合せをシーケ
ンス単位とし、一または複数のシーケンスを設定するこ
とにより露光範囲を設定するので、露光範囲の設定の自
由度が極めて高い。

（実施例）以下、この発明の種々の実施例について、図面を参照
しながら説明する。

この実施例では、露光装置をサイドリンス工程や裏面
洗浄工程に用いた例について説明する。第１図に示すよ
うに、露光装置10は、露光系10a,制御系10b,ステージ系
10cにより構成されている。露光系10aは駆動機構23を有
する。第２図に示すように、駆動機構23はスライダ機構
22を水平面内で移動させるためのものである。スライダ
機構22には光照射体21が取り付けられている。

第１図に示すように、駆動機構23は、制御系10bの駆
動回路37,記憶素子35,ステージ回転駆動回路33を介して
ステージ系10cのステージ回転機構11に接続されてい
る。また、一方では、駆動機構23は、駆動回路37,記憶
素子35,センサ出力処理回路34を介してステージ系10cの
光センサ17に接続されている。さらに、記憶素子35およ
び基準信号発生器30に接続されたセンサ駆動回路31が、
光センサ17の支持部材を移動させる駆動機構（図示せ
ず）に接続されている。

なお、センサ駆動回路31は、基準信号発生器30から発
せられたクロック信号を用いて駆動パルスを形成する機
能を有する。一方、ステージ回転駆動回路33は、基準信
号発生器30のクロック信号が分周器32で分周されたパル
スを用いて、駆動パルスを形成する機能を有する。

また、出力処理回路34は、光センサ17の走査の１パル
ス毎に出力信号レベルと設定されたしきい（スレショル
ド）値とを比較することにより、ウェハ13の周縁部（O.
F.部を含む）を検出する役割を有する。

第２図に示すように、ステージ回転機構11はステッピ
ングモータ（図示せず）を有する。このステッピングモ
ータは、回路33からの指令信号により回転角度がパルス
制御できるように接続されている。回転機構11は、軸11
aを介してステージ12に連結されている。ステージ12上
には、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェ
ハＷが載置されている。

第３図に示すように、ステージ12には中空部14が形成
され、この中空部14は真空ポンプ（図示せず）の吸引口
に連通している。端面検出手段18が、ステージ12上のウ
ェハＷの周縁部の近傍に設けられている。端面検出手段
18は、ウェハＷの露光基準位置を検出するためのもので
あり、バックライト15,レンズ16,並びに光センサ17を有
している。バックライト15は、ウェハＷの周縁部を挟ん
でレンズ16に対面している。光センサ17は、レンズ16の
更に上方に設けられている。

光センサ17は、固体撮像素子たとえばCCD（Charge Co
uple Device）を用いた一次元センサで構成されてい
る。

第２図に示すように、光照射体21が、ステージ12上に
載置されたウェハＷの周縁部に対面している。光照射体
21は、スライダ機構22によってウェハＷの周縁部近傍に
ガイドされている。すなわち、駆動機構23によりスライ
ダ機構22が往復動されると、光照射体21がウェハＷの上
方エリアに出たり入ったりする。

第４図に示すように、光照射体21は、絞り104,第１お
よび第２レンズ105,106を有する。これらは容器102に収
納されている。容器102の上部開口を介して光導管20の
末端が容器102に接続されている。光導管20は、光ファ
イバや液体ファイバ（Ｙ社の商標「ULTLA FINE TECHNOL
OGY」）でつくられている。光導管20の基端部は、UV光
源（図示せず）に接続されている。

光導管20により容器102内に導入されたUV光は、絞り1
04の孔103を通過する。孔10は、方形または長方形に形
成されている。絞り104の通過光路には第１及び第２の
レンズ105,106が配列されており、UV光のビームがウェ
ハＷの周縁部表面に集束するようになっている。ウェハ
Ｗからの反射光が光照射体21に入射するのを防ぐため
に、リングスカート107が光照射体21の下部に取り付け
られている。なお、光照射体21の容器102の内壁面は黒
色であることが望ましい。

スライダ機構22はボールスクリュウ（図示せず）を有
している。このボールスクリュウを介して駆動機構23か
らスライダ機構22に駆動力が伝達される。駆動機構23
は、ステッピングモータで駆動されるようになってい
る。なお、露光系10aを端面検出手段18と同じ位置に設
けてもよい。両者を同じ位置に設けることにより、スル
ープットを向上させることが期待できる。

これら端面検出手段18および露光系10aの動作は、制
御系10bで所定の指令信号および検出信号を送受信する
ことにより制御されるようになっている。

次に、第５図乃至第15図および第１表を参照しなが
ら、上記の露光装置を用いて半導体ウェハＷを露光処理
する場合について説明する。

（Ｉ）先ず予め、各種半導体ウェハＷの露光に必要な
レシピ（recipe）を、入力部36に入力する。レシピの入
力は、キーボードによるキー入力や、面センサによる平
面センサによる平面的データ読取り入力などに依存す
る。

レシピのパラメータには、「パススルーの指定」，
「照度下限値」，「プライマリーフラット長」，「シー
ケンスパラメータ」等がある。

「パススルーの指定」は、露光処理の有無を指定する
ものである。例えば、露光処理No.1〜５の処理はそれぞ
れパススルーを指定しない条件であり、露光処理No.6の
処理はパススルーを指定する条件である。

「照度下限値」は、露光処理を開始させるために必要
な最低照度であり、光照射体21の照度が設定された下限
値を満たすまでウェハＷは取り込まれない。例えば、設
定範囲を０〜9900mW、設定範囲を100mWとし、露光処理N
o.1〜５の処理においてはいずれも照度下限値を1000mW
と設定する。なお、露光処理No.6の処理においては設定
する必要はない。

「プライマリーフラット長」は、ウェハのO.F.部の外
端部の長さである。このフラット長に基づき、O.F.部の
外端部の中央部が基準位置として検出される。例えば、
設定範囲は10〜150mm、設定単位は1mmとし、露光処理N
o.1〜６の露光処理はいずれもプライマリーフラット長
を55mmと設定する。ただし、一周露光（露光範囲角度が
360゜の露光）処理のときは設定不要である。

次に、「シーケンスパラメータ」について説明する。

「シーケンスパラメータ」は、露光領域を設定するた
めのものであり、具体的には第１表の横欄を示す「露光
開始オリエンテーション」，「露光範囲角度」，「露光
幅」，「一周換算露光時間」の各パラメータの組み合わ
せをシーケンス単位とし、一度の露光処理での複数のシ
ーケンス設定を可能としたものである。

「露光開始オリエンテーション」は、O.F.部のセンタ
ーポイントを基準位置とし、第10図乃至第14の図中にて
反時計方向回りの方位角として設定されるものである。
設定可能範囲は０〜359゜、設定単位は１゜である。一
周露光する場合は、この設定は無視される。

「露光範囲角度」は、露光開始方位角から露光終了方
位角までの間に挟まれた角度として設定される。設定可
能範囲は０〜360゜、設定単位は１゜である。これが360
゜に設定された場合は、一周露光として処理され、露光
開始オリエンテーションは無視される。

「露光幅」は、ウェハＷの周縁部より中心部に向かっ
て露光すべき位置を設定するものである。設定可能範囲
は０〜35.0mm、設定単位は0.1mmである。

「一周換算露光時間」は、露光処理時のウェハＷの回
転速度を時間で設定するためのものである。

設定された時間は、ウェハＷが一周するときの換算時
間である。例えば、露光範囲角度が180゜で一周換算露
光時間が20秒間と設定された場合に、ウェハＷの180゜
の範囲が10秒間（＝20×180/360）だけ露光される。

（II）上記のように所定のレシピが予め入力部36に入
力設定されると、露光装置10のスイッチをオンして露光
処理を開始する。搬送機構（図示せず）により半導体ウ
ェハＷをステージ系10cに搬入し（STEP71）、ウェハＷ
を位置決めした後にステージ12上に載置する（STEP7
2）。

ウェハＷの表面には、所定厚さのレジストが塗布され
ている。ウェハＷをステージ12に載置すると、ウェハＷ
はステージ12に真空吸着される。

（III）露光系10a及びステージ系10cを、それぞれ制
御系10bからの指令信号に基づきシーケンス制御する。
すなわち、回路33から機構11に信号を送り、ステージ12
を１〜6rpmの速度で回転させる（STEP73）。

（IV）機構11のステッピングモータのステップ毎に同
期して、端面検出部18の光センサ（CCDイメージセン
サ）17を走査する。この走査によるウェハＷのエッジの
位置が検出される（STEP74）。

ここで、光センサ17からの出力信号は、ウェハＷのエ
ッジからの位置に比例した電圧レベル差として得られ
る。この出力信号に基づいて回路34によりウェハＷのエ
ッジから所定の位置までの露光領域の距離を算出する。
この場合に、バックライト15からの照射光により、光セ
ンサ17の出力信号のコントラストが大きくなる。バック
ライト15には、一次元配列されたLCDでもよく、面光源
でもよい。また、光センサ17の感度が高い場合には、バ
ックライト15を必ずしも点灯することを要しない。

また、レンズ16は光センサ17の検出幅のためのもので
ある。このため、処理対象となるウェハＷのサイズ差が
あまり大きくない場合には、必ずしも使用する必要はな
い。

ここで、光センサ17は、固体撮像素子であるCCDイメ
ージセンサを用いることが望ましい。その理由は、CCD
イメージセンサは、処理対象物がガラス等の光透過性を
有するものであっても高感度であり、僅かな光量差も検
出することができるからである。

なお、一周露光する場合は、前半の半周を検出した後
に、残りの半周の検出は前半の半周露光処理と平行処理
するようにすれば処理時間を短縮することができる。

（Ｖ）次いで、ウェハＷのエッジ位置に関する検出情
報を、制御系10bの記憶素子35に記憶させる（STEP7
5）。この記憶された情報と、所定のレシピとに基づ
き、サイドリンス又は裏面洗浄に必要な露光の処理幅お
よびO.F.部エッジのセンターポイント（基準点）を算出
する（STEP76）。

この算出結果に基づいて、露光系10aによる光の照射
位置を制御する。すなわち、光照射体21に、光導管20を
介して光源（図示せず）から光ビームを照射する。露光
用光源には、例えば水銀ランプやキヤノンランプが用い
られる。

露光ビーム光の照射位置は、記憶素子35にストアされ
た情報に基づいて決定される。ウェハＷのサイドリンス
や裏面洗浄のために、露光すべき所望の領域を算出した
信号が、記憶素子35から回路37に送られる。この信号に
基づきスライダ機構22及び駆動機構23の動作が、後述の
ように制御される。

（VI）先ず、ステージ12を所定角度だけ回転させ、光
照射体21に対してウェハＷが所定の露光開始方位になる
位置にて停止する（STEP77）。

次いで、光照射体21を露光幅に応じて所定位置へ移動
させる（STEP78）。

次いで、ステージ12を所定速度で回転させつつ、光照
射体21から所定量の光を照射する（STEP79）。これによ
り、ウェハＷの所望領域が露光される。この場合に、光
照射体21からの光路にシャッタを設け、照射光の光量調
節を行なうようにしてもよい。例えばウェハＷはステー
ジ12上で固定した状態で、ステップモータによるステッ
プに毎に連続的に露光する。これにより、ウェハＷのO.
F.部や露光角度を指定した部分にも、他のウェハ周縁部
と同様に露光処理することができる。

なお、多重露光する場合は、STEP79からSTEP77へ戻
り、STEP77〜STEP89を再度実行する。

第６図乃至第９図を参照しながら、ウェハＷの周縁部
に対する露光光の照射状態について詳しく説明する。

光ビーム103は、光照射体21の絞り104により長方形に
絞られる。

第６図に示すように、ウェハＷの周縁部のみに光ビー
ム107を照射してもよいが、望ましくは第７図に示すよ
うに、ウェハＷのエッジ部Ｅが光ビーム107を切るよう
に照射する。なお、第６図，第７図においては、ウェハ
Ｗのエッジ部をＥ誇張するために、三角形状に突出させ
て図示した。

第８図に示すように、光ビーム107の結像形状を長方
形としてもよいが、望ましくは第９図に示すように、長
方形の各コーナーを滑らかにする。さらに、光ビーム10
7の結像形状を楕円形スポットとしてもよい。この理由
は、照射領域のコーナー部の角度が狭くなると、各コー
ナー部での光の照度が低くなり、均一な周辺露光が阻害
されるからである。

（VII） STEP79までの所望の露光処理が終了すると、
ウェハＷを搬送機構（図示せず）で露光装置10から搬出
する（STEP80）。搬出後、ウェハＷを現像・洗浄処理
し、レジスト膜を部分的に除去し、所定パターンを得
る。

次に、第10図〜第15図及び第１表を参照しながら、ウ
ェハＷを種々条件を変えて露光した場合について説明す
る。

第10図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.1に
該当する条件で露光したものである。図中、斜線部13a
は、ウェハＷの周縁部を幅4mmで360゜露光した露光エリ
アを示す。

第11図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.2に
該当する条件で露光したものである。図中、斜線部13a,
13bは、ウェハＷの周縁部を幅4mmおよび幅8mmでそれぞ
れ360゜多重露光した露光エリアを示す。

第12図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.3に
該当する条件で露光したものである。図中、斜線部13a
は、露光開始方位90゜に選び、ウェハＷの周縁部を幅4m
mで30゜だけ部分露光した露光エリアを示す。

第13図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.4に
該当する条件で露光したものである。図中、斜線部13a
はウェハＷの周縁部を幅4mmで360゜露光した露光エリア
を示し、斜線部13bはウェハＷの周縁部を幅8mmで30゜だ
け部分露光した露光エリアを示し、斜線部13cはウェハ
Ｗの周縁部を幅6mmで30゜だけ部分露光した露光エリア
を示す。

第14図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.5に
該当する条件で露光したものである。図中、斜線部13a,
13b,13cは、それぞれ露光開始方位を45゜,165゜,285゜
に選び、ウェハＷの周縁部をそれぞれ幅4mmで30゜だけ
部分露光した露光エリアを示す。

第15図に示すウェハＷは、第１表中の露光処理No.6に
該当する条件、すなわち、パススルー指定により露光処
理を省略したものを示す。

上記第10図乃至第14図に示す各ウェハＷをそれぞれ現
像・洗浄処理した結果、レジスト膜の局部的な盛り上が
りが生じなくなった。このため、いわゆる焦点ボケの発
生を防止することができ、半導体ウェハＷに鮮明な微細
パターンを容易に形成することができる。

なお、第12図および第15図に示したウェハＷの識別マ
ークＭを利用して、O.F.部のセンサーポイントの代わり
に、識別マークＭのセンターポイントを基準点に選び、
露光エリアを設定してもよい。

また、上記実施例では、端面検出手段18の光センサ17
にCCDイメージセンサを採用したが、ウェハＷの周縁部
を非接触的に検出できるものであればどのようなセンサ
を用いてよい。

また、上記実施例では、スライダ機構22にボールスク
リュウを用いた場合について説明したが、この発明はこ
れのみに限定されることなく、タイミングベルト及びリ
ニアモータ等を有する機構を採用してもよい。

さらに、第16図に示すように、スライダ機構42及び駆
動機構43をウェハＷより低い位置に設けてもよい。この
ようにすると、各機構42,43で生じるダストがウェハＷ
にダストが付着し難くなる。また、装置全体としてもク
リーン度が増すことができる。

また、上記実施例では、露光処理対象物に半導体ウェ
ハを用いた場合を説明したが、処理対象物はこれのみに
限定されるものではなく、膜塗布された液晶表示（LC
D）デバイス等の角型ガラス基板を処理してもよい。

また、上記実施例では、半導体ウェハの表面を処理す
る場合について説明したが、周縁部の処理であればよ
く、裏面も同様に処理することができる。

また、上記実施例では、半導体ウェハを回転軸を固定
させた状態で周縁部を露光したが、ウェハエッジ部のデ
ータ情報に基づき、回転軸の位置を調整してもよい。

また、上記実施例では、露光光の照度を一定のものと
して露光処理した場合について説明したが、照度が使用
初期よりも低下したときにも対処することができる。い
わゆる積算露光と呼ばれるものがこれにあたり、照度低
下の分を露光時間延長により補償する機能を、制御系に
持たせることで実現することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、レジスト以外の異物の発生を防止す
ることができる。また、焦点ボケを防止することができ
る。

さらに、被処理板の所望部分のみを選択的に部分露光
することができる。また、被処理板の輪郭形状に左右さ
れることなく、高歩留まりで露光処理することができ
る。

本発明が上記のような種々の効果を奏する結果、露光
プロセス全体の信頼性が向上すると共に、スループット
の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る露光装置の一実施例を説明する
ためのブロック図、第２図は、第１図の光学系を説明す
るための斜視図、第３図は、第２図のウェハ載置台を切
り欠いて示す縦断面図、第４図は第３図の光照射体の光
学系を模式的に示す図、第５図は、第１図の装置におけ
る露光工程を示す工程図、第６図及び第７図は、第３図
のそれぞれ光の照射状態を説明するために、半導体ウェ
ハの周縁部を側方から見て模式的に示す側面図、第８図
及び第９図は、第６図及び第７図のそれぞれ光の照射状
態を説明するために、半導体ウェハの周縁部を上方から
見て模式的に示す平面図、第10図乃至第15図は、それぞ
れ所定条件下で露光処理した状態の半導体ウェハを説明
するための平面図、第16図は、第２図の他の実施例を説
明するための露光装置の主要部を示す斜視図である。記 10a;露光系、10b;制御系、10c;ステージ系、11;回転機
構、12;ステージ、18;端面検出手段、23;駆動機構（移
動機構）

フロントページの続き (72)発明者穴井徳行熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者平河修熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者飽本正巳熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者坂本泰大熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者志柿恵介熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献特開平２−114629（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を支持する支持部材と、この支持部材を回転させる回転機構と、前記支持部材の支持面に対向して設けられた光照射体
と、この光照射体と前記支持部材とを相対的に移動させる移
動機構と、前記被処理体の露光範囲を設定する露光範囲設定手段
と、前記支持部材上の被処理体の基準位置を検出する基準位
置検出手段と、前記被処理体の基準位置と前記光照射体の位置との相対
的な位置関係を検出する相対位置検出手段と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて前
記移動機構を制御する移動機構制御手段と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて前
記光照射体から前記被処理体に照射される光量を制御す
る光量制御手段と、を具備し、前記露光範囲設定手段は、所定部分を基準とした露光を
開始する方位角である露光開始方位角、該露光開始方位
角から露光終了方位角との間の露光範囲角度、露光する
領域の径方向の幅である露光幅、および被処理体を一周
露光する時間である一周露光時間をパラメータとし、各
パラメータの組合せをシーケンス単位とし、一または複
数のシーケンスを設定することを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記露光範囲設定手段は、露光範囲を入力
する入力手段と、入力された露光範囲を記憶する記憶手
段を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。
【請求項３】前記露光範囲入力手段は、面センサを有す
ることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】前記光量制御手段は、前記露光範囲を選択
的に露光するように光量を制御することを特徴とする請
求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の露光装
置。
【請求項５】前記基準位置検出手段は、光センサを有す
ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
１項に記載の露光装置。
【請求項６】被処理体を支持部材に支持させる工程と、前記被処理体の露光範囲を設定する工程と、前記支持部材上の被処理体の基準位置を検出する工程
と、前記被処理体の基準位置と前記光照射体の位置との相対
的な位置関係を検出する工程と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて光
照射体の位置を制御して前記被処理体を露光する工程
と、前記相対的な位置関係および前記露光範囲に基づいて前
記光照射体から前記被処理体に照射される光量を制御す
る工程と、を具備し、前記露光範囲を設定する工程は、所定部分を基準とした
露光を開始する方位角である露光開始方位角、該露光開
始方位角から露光終了方位角との間の露光範囲角度、露
光する領域の径方向の幅である露光幅、および被処理体
を一周露光する時間である一周露光時間をパラメータと
し、各パラメータの組合せをシーケンス単位とし、一ま
たは複数のシーケンスを設定することを特徴とする露光
方法。
【請求項７】前記露光範囲設定する工程は、露光範囲を
入力する工程と、入力された露光範囲を記憶する工程と
を有することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】前記露光範囲を入力する工程は、面センサ
を用いてなされることを特徴とする請求項７に記載の露
光方法。
【請求項９】前記光量を制御する工程は、前記露光範囲
を選択的に露光するように光量を制御することを特徴と
する請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の露
光方法。
【請求項１０】前記基準位置を検出する工程は、光セン
サを用いてなされることを特徴とする請求項６ないし請
求項９のいずれか１項に記載の露光方法。