JPS59158520A - 照射装置 - Google Patents
照射装置Info
- Publication number
- JPS59158520A JPS59158520A JP58030833A JP3083383A JPS59158520A JP S59158520 A JPS59158520 A JP S59158520A JP 58030833 A JP58030833 A JP 58030833A JP 3083383 A JP3083383 A JP 3083383A JP S59158520 A JPS59158520 A JP S59158520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wafer
- circumference
- periphery
- irradiate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は被加工物の周縁に沿って光を縁取り状に照射す
る照射装置に関する。
る照射装置に関する。
半導体装Ａの久造工程において、湖い円板状め半導体部
材からなる、いわゆるウェハに７オトレジスト（以下レ
ジストと称す）を塗布した後、ソフトベーク、露光、現
像などが行々われる。この間ウェハは搬送に際して、必
要に応じて搬送器に収容されて運ばれるが、ソフトベー
ク以後は搬送器との接触によりウェハ周縁のレジストが
剥離し、これが飛散付着して不良品となることがしげし
げ生じる。特に近時露光の線幅が狭く、半導体装置の高
密度化にともなって、これによる歩留り低下は大きな問
題となっている。
材からなる、いわゆるウェハに７オトレジスト（以下レ
ジストと称す）を塗布した後、ソフトベーク、露光、現
像などが行々われる。この間ウェハは搬送に際して、必
要に応じて搬送器に収容されて運ばれるが、ソフトベー
ク以後は搬送器との接触によりウェハ周縁のレジストが
剥離し、これが飛散付着して不良品となることがしげし
げ生じる。特に近時露光の線幅が狭く、半導体装置の高
密度化にともなって、これによる歩留り低下は大きな問
題となっている。
これをＷｒ決する方法としてソフトベーク前、ウェハの
周縁に沿って縁取セ状にレジストを除去することが考え
られている。これは例えば回転するウェハの周縁部にレ
ジストを除先する処理液を吹きつけてレジストを除去し
ている。しかしこの方トを除去することが困難であると
いう不都合がある。また回転し７ているウェハの周縁部
を露光して現像除去する方法も考えられるが、これも前
の方法と同様にオリフラの部分は露光できにくいという
不都合がちシ、不規則な形状の周縁をもった被加工物に
対 「以下余白」 しても、この周縁に追従して、能率よく縁取り状に光を
照射できる照射装置が要望されていた。
周縁に沿って縁取セ状にレジストを除去することが考え
られている。これは例えば回転するウェハの周縁部にレ
ジストを除先する処理液を吹きつけてレジストを除去し
ている。しかしこの方トを除去することが困難であると
いう不都合がある。また回転し７ているウェハの周縁部
を露光して現像除去する方法も考えられるが、これも前
の方法と同様にオリフラの部分は露光できにくいという
不都合がちシ、不規則な形状の周縁をもった被加工物に
対 「以下余白」 しても、この周縁に追従して、能率よく縁取り状に光を
照射できる照射装置が要望されていた。
本発明は上述の不都合を除去するためになされたもので
、被加工物の周縁が不規則な形状をしていても、これに
沿って縁取り状に被加工物を作業性よく照射する照射装
置を提供することを目的とする。
、被加工物の周縁が不規則な形状をしていても、これに
沿って縁取り状に被加工物を作業性よく照射する照射装
置を提供することを目的とする。
本発明は、被加工物の周縁の一部に対向して設けられて
しかも周縁の内側と外側にわたって臨むように形成され
た受光部および同様な射光部をもちかつ受光部から入っ
た光が所定距離だけ内側に射光部から射出される光学系
と、これら光学系とは被加工物の反対側の面・から射出
され、一部が被加工物によシ遮光されて受光部に入射す
る投射光を射出する光源装置と、投射光が入射した光学
系をほぼ周縁に沿ってこれに対して相対移動させる移動
手段とを設けて構成されていて、周縁を境にしてその外
側を通って光学系に入った投射光を所定距離内側に射出
し、同時に光学系を相対的に移動させることにより、常
に周縁に追従して縁取シ状に被加工物を照射する照射装
置である。
しかも周縁の内側と外側にわたって臨むように形成され
た受光部および同様な射光部をもちかつ受光部から入っ
た光が所定距離だけ内側に射光部から射出される光学系
と、これら光学系とは被加工物の反対側の面・から射出
され、一部が被加工物によシ遮光されて受光部に入射す
る投射光を射出する光源装置と、投射光が入射した光学
系をほぼ周縁に沿ってこれに対して相対移動させる移動
手段とを設けて構成されていて、周縁を境にしてその外
側を通って光学系に入った投射光を所定距離内側に射出
し、同時に光学系を相対的に移動させることにより、常
に周縁に追従して縁取シ状に被加工物を照射する照射装
置である。
以下本発明の詳細を図示の実施例を参照して説明する。
第１図ないし第３図は第１の実施例を示すもので、（１
）はウェハで、上面（２）には塗１Ｍ偽シー号されたレ
ジスト被膜（３）が付着しており、また周縁（４）の一
部を切欠いて形成されたオリフラ（５）が設けられてい
る。本実施例は、この周縁（４）に沿って縁取υ状に光
を投射してウェハ（１）の周縁部のレジスト被膜（３）
を除去するのに本発明を適用したものである。０υは平
板状の基台で、これに軸受ブラケッ） ＵＪを介して回
転自在にウェハチャックｕ３＋が支・持されている。こ
のウェハチャックＯＪは、図示を省略しである真空装置
に連結された真空チャックで構成されていて、減圧によ
シウェハ（１）を保持し、基台（１１）の下方に設けら
れた図示しない駆動機構により回転される。なおこれら
軸受プ２ケッ）１２１゜ウェハチャック（ｌり、駆動機
構などで移動手段ａ荀を構成している。０５）は光源装
置で、支持スタンド叫とこれに支持された投光体（１７
）とからなっていて、投光体ｕ７）は内部の図示を省略
しであるが、例えば電球などの光源と集光光学系とから
なっていて、先端からリボン状の投射光θａがウェハ（
１）の裏面側からその周縁（４）近傍に射出される。（
イ）は光学装置で、これは基台０１）に立設された支持
スタンド（２１）にＬ字状の第１部材（２２）をその−
辺がウェハ（１）の中心の方に向けて取付け、他辺に上
記−辺と平行に第２部材＠を位置調節自在に取付け、こ
れら両部材（２Ｌのに光学系（２４１としてのオプチカ
ルファイバ束（２５１の両端を貫通支持させて構成され
ている。このオプチカルファイバ束（ハ）は複数本のオ
プチカルファイバ（２５ａ）、 （２５ｂ）、−（２５
ｎ）からなっていて、第１部材（２つを貫通した下端部
と第２部材（２３１を貫通した下端部とに２いて、各オ
プチカルファイバ（２５ａ）。
）はウェハで、上面（２）には塗１Ｍ偽シー号されたレ
ジスト被膜（３）が付着しており、また周縁（４）の一
部を切欠いて形成されたオリフラ（５）が設けられてい
る。本実施例は、この周縁（４）に沿って縁取υ状に光
を投射してウェハ（１）の周縁部のレジスト被膜（３）
を除去するのに本発明を適用したものである。０υは平
板状の基台で、これに軸受ブラケッ） ＵＪを介して回
転自在にウェハチャックｕ３＋が支・持されている。こ
のウェハチャックＯＪは、図示を省略しである真空装置
に連結された真空チャックで構成されていて、減圧によ
シウェハ（１）を保持し、基台（１１）の下方に設けら
れた図示しない駆動機構により回転される。なおこれら
軸受プ２ケッ）１２１゜ウェハチャック（ｌり、駆動機
構などで移動手段ａ荀を構成している。０５）は光源装
置で、支持スタンド叫とこれに支持された投光体（１７
）とからなっていて、投光体ｕ７）は内部の図示を省略
しであるが、例えば電球などの光源と集光光学系とから
なっていて、先端からリボン状の投射光θａがウェハ（
１）の裏面側からその周縁（４）近傍に射出される。（
イ）は光学装置で、これは基台０１）に立設された支持
スタンド（２１）にＬ字状の第１部材（２２）をその−
辺がウェハ（１）の中心の方に向けて取付け、他辺に上
記−辺と平行に第２部材＠を位置調節自在に取付け、こ
れら両部材（２Ｌのに光学系（２４１としてのオプチカ
ルファイバ束（２５１の両端を貫通支持させて構成され
ている。このオプチカルファイバ束（ハ）は複数本のオ
プチカルファイバ（２５ａ）、 （２５ｂ）、−（２５
ｎ）からなっていて、第１部材（２つを貫通した下端部
と第２部材（２３１を貫通した下端部とに２いて、各オ
プチカルファイバ（２５ａ）。
・・・（２５ｎ）はその配列の順序がウェハ（１）中心
の側からみて全く同じ順序に形成されている。そして第
１部材（２カに保持された下端部は受光部Ｑ６）となっ
て投光体ａ７）に臨んでおり、第２部材Ｃ３）に保持さ
れた下端部は射光部（５）になっている。これら受光部
１１２６） 。
の側からみて全く同じ順序に形成されている。そして第
１部材（２カに保持された下端部は受光部Ｑ６）となっ
て投光体ａ７）に臨んでおり、第２部材Ｃ３）に保持さ
れた下端部は射光部（５）になっている。これら受光部
１１２６） 。
射光部（財）は周縁（４）の内側および外側に十分長く
周縁（４）をまたぐように形成されていて、投光体（１
７）からの投射光Ｏａｔはウェハ（１）により一部遮゛
光され周縁（４）より外側の投射光賭のみが受光部（２
６）に入射し、射光部（５）から射出される。従って第
２部材０：（）を移動させて射出部□□□を受光部（２
６）より距離ｆだけウェハ（１）中心側に近づけておく
と、周縁（４）から内側に距離ｆまでの間が照射される
。ｃ（１）は側部投射装置で、ウェハ（１１の側面（５
）に対向し５て設けられたオプチカルファイバ束Ｃ３′
２と、これに投射光Ｃ３鵠を送る伺１面投光体０４１と
、基台０υに立設されて側面投光体（３４）を支持する
支持スタンドＣ３Ｔｊとから構成されている、。
周縁（４）をまたぐように形成されていて、投光体（１
７）からの投射光Ｏａｔはウェハ（１）により一部遮゛
光され周縁（４）より外側の投射光賭のみが受光部（２
６）に入射し、射光部（５）から射出される。従って第
２部材０：（）を移動させて射出部□□□を受光部（２
６）より距離ｆだけウェハ（１）中心側に近づけておく
と、周縁（４）から内側に距離ｆまでの間が照射される
。ｃ（１）は側部投射装置で、ウェハ（１１の側面（５
）に対向し５て設けられたオプチカルファイバ束Ｃ３′
２と、これに投射光Ｃ３鵠を送る伺１面投光体０４１と
、基台０υに立設されて側面投光体（３４）を支持する
支持スタンドＣ３Ｔｊとから構成されている、。
側面投光体（３４）は投光体（１７）と同様な構成なの
で説明を省略する。
で説明を省略する。
次に本実力心例の作動につき説明する。１ず受光部ｔ２
０に対し、射光部Ｃ２７）を所定ｔｆ（レジスト被膜（
３）を除去する半径方向の距離）だけ内側に突出させて
固定する。次にレジスト被膜（３）を設けたウェハ（１
）をウェハチャック（３）上にほぼ同心状に載置し、低
速で１９１転させる。次に投光体ｔｔ’ｎ、側面投光体
（３４）を作動させると、第３図に示すように、投射光
（１樟は一部つエバ（１）の裏面で遮ぎられて周縁（４
）より外側の投射光ＱＱは受光部（２６）に入射し２、
射光部０′７）よシウエハ（１）のレジスト被膜（３）
上を照射する。このとき投射光（１８）は周＠（４）か
ら内側へ距離ｆに到るまでの間を照射し、回転により周
縁（４）の位置、形状が、例えばオリフラ（５）とか偏
心などにより変化しても、常に遮光する周縁（４）から
距離ｆまでの間を縁取シ状に露光する。また同時、に側
面投光体（３４）からの投射光（４）によりウェハ（］
）側面のレジスト被膜（３）も露光される。所Ｔ時［）
」１の露光が終ったらウェハ（１）を取り外し、次の処
理工程によシ露先部のレジスト被膜（３）を除去する。
０に対し、射光部Ｃ２７）を所定ｔｆ（レジスト被膜（
３）を除去する半径方向の距離）だけ内側に突出させて
固定する。次にレジスト被膜（３）を設けたウェハ（１
）をウェハチャック（３）上にほぼ同心状に載置し、低
速で１９１転させる。次に投光体ｔｔ’ｎ、側面投光体
（３４）を作動させると、第３図に示すように、投射光
（１樟は一部つエバ（１）の裏面で遮ぎられて周縁（４
）より外側の投射光ＱＱは受光部（２６）に入射し２、
射光部０′７）よシウエハ（１）のレジスト被膜（３）
上を照射する。このとき投射光（１８）は周＠（４）か
ら内側へ距離ｆに到るまでの間を照射し、回転により周
縁（４）の位置、形状が、例えばオリフラ（５）とか偏
心などにより変化しても、常に遮光する周縁（４）から
距離ｆまでの間を縁取シ状に露光する。また同時、に側
面投光体（３４）からの投射光（４）によりウェハ（］
）側面のレジスト被膜（３）も露光される。所Ｔ時［）
」１の露光が終ったらウェハ（１）を取り外し、次の処
理工程によシ露先部のレジスト被膜（３）を除去する。
次に第４図、第５図は第２の実施例の構成を示すもので
、光学系Ｃ６υのみが第１の実施例と相違しているので
、これについて説明する。本実施例はウェハ（１）の周
縁（４）に対向して設けられた受光部としての２個の同
一楔状のプリズム（４υ、 （４，２＋と、これの上部
に設けられた射光部としての全反射プリズム（４３１と
で光学系（４５１が形成されている。投射光αａの中の
周縁（４）より外側のものはプリズム（４υ、（４乃を
透過し、その際第５図に示すように距離ｆだけ周縁（４
）より内側に平行移動し、全反射プリズム（４３）で再
び下降してレジスト被膜（３）を照射する。距離ｆの調
節はプリズム（４１） 、 （４２１を相対的に移動さ
せることにより行なわれる。
、光学系Ｃ６υのみが第１の実施例と相違しているので
、これについて説明する。本実施例はウェハ（１）の周
縁（４）に対向して設けられた受光部としての２個の同
一楔状のプリズム（４υ、 （４，２＋と、これの上部
に設けられた射光部としての全反射プリズム（４３１と
で光学系（４５１が形成されている。投射光αａの中の
周縁（４）より外側のものはプリズム（４υ、（４乃を
透過し、その際第５図に示すように距離ｆだけ周縁（４
）より内側に平行移動し、全反射プリズム（４３）で再
び下降してレジスト被膜（３）を照射する。距離ｆの調
節はプリズム（４１） 、 （４２１を相対的に移動さ
せることにより行なわれる。
々お第１の実施例および第２の実施例の説明においては
、受光部（ホ）と投射部Ｃηの間隔は理解を容易にする
ため相当大きく図示しであるが、距離ｆの精度を十分保
つためには極力接近して設けることが必要である。
、受光部（ホ）と投射部Ｃηの間隔は理解を容易にする
ため相当大きく図示しであるが、距離ｆの精度を十分保
つためには極力接近して設けることが必要である。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明の照射装置は、その光学系の
受光部に対して射光部を被加工物の周縁より所定量内側
に偏位させて構成したので、常に遮光する周縁に沿って
縁取り状に被加工物を照射することができるから、周縁
が不規則な形状をしたり、あるいけ被加工物が偏心して
回転したシしても、何ら支障なく所望の照射を行なうこ
とができる効果を奏するものである。
受光部に対して射光部を被加工物の周縁より所定量内側
に偏位させて構成したので、常に遮光する周縁に沿って
縁取り状に被加工物を照射することができるから、周縁
が不規則な形状をしたり、あるいけ被加工物が偏心して
回転したシしても、何ら支障なく所望の照射を行なうこ
とができる効果を奏するものである。
なお不実施ｔ・、においては、ウエノ・のレジスト被膜
の除去の場Ｑｆ例に説明したが、これに限定されるもの
ではなく、各棹加工の照射装置として使用してもよい。
の除去の場Ｑｆ例に説明したが、これに限定されるもの
ではなく、各棹加工の照射装置として使用してもよい。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図は同じ
く正向１図、第３図は被加工物の被照射状態を説明する
砂部断面拡大図、第４図は本発明の第２の実施例の正面
図、第５図は同じく要部拡大側面図である。 （１）：扱方１．工吻、 （４）二周 縁、（１
ａ：移動手段、 （１９：光源装置、０８１＝投
射九、 （２（イ）、（載：光学系、ｆ２５） ：光
ファイバ束、・ Ｃ６）：受光部、（、！η：射九
部。
く正向１図、第３図は被加工物の被照射状態を説明する
砂部断面拡大図、第４図は本発明の第２の実施例の正面
図、第５図は同じく要部拡大側面図である。 （１）：扱方１．工吻、 （４）二周 縁、（１
ａ：移動手段、 （１９：光源装置、０８１＝投
射九、 （２（イ）、（載：光学系、ｆ２５） ：光
ファイバ束、・ Ｃ６）：受光部、（、！η：射九
部。
Claims (2)
- （１）被加工物の周縁の一部に対向して設けられてその
内側と外側とにわたって形成された受光部および上記内
側と外側にわたって形成され上記周縁の一部に対向して
設けられて上記受光部から入射した光を上記内側に所定
距離偏位して射出する射−先部をもった光学系と、上記
周縁の一部により一部分が遮られた投射光を上記受光部
に照射する光源装置と、上記投射光が入射した上記光学
系を上記周縁に沿いかつこれに対して相対移動させる移
動手段とを具備したことを特徴とする照射装置。 - （２）光学系は光ファイバ束を備えていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の照射装置１．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030833A JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030833A JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158520A true JPS59158520A (ja) | 1984-09-08 |
| JPH0450733B2 JPH0450733B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=12314698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030833A Granted JPS59158520A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158520A (ja) |
Cited By (16)
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-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030833A patent/JPS59158520A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450733B2 (ja) | 1992-08-17 |
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