JP2696973B2 - パターン露光装置および周縁露光方法 - Google Patents

パターン露光装置および周縁露光方法

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JP2696973B2 JP63206276A JP20627688A JP2696973B2 JP 2696973 B2 JP2696973 B2 JP 2696973B2 JP 63206276 A JP63206276 A JP 63206276A JP 20627688 A JP20627688 A JP 20627688A JP 2696973 B2 JP2696973 B2 JP 2696973B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、集積回路製造用のウエハ等、円形状基板の
周縁部分を選択的に露光するための手段を備えた露光装
置に関するものである。
[従来の技術] ウエハに微細パターンを形成するために塗布されるレ
ジストは、ウエハ周縁部分で剥れ易く、剥れたレジスト
がその後の集積回路製造工程において悪影響を及ぼすと
いうことが従来より問題となっている。
従来、ウエハ周縁部分におけるレジスト剥離を防止す
るためには、専用の露光装置でウエハの周縁部分のみを
選択的に露光するということが行われている。
[発明が解決しようとする問題点] 従来の技術においては、ウエハ周縁部分を露光するた
めの光束を射出する発光部は固定式であったため、露光
領域を正確に制御することが不可能であった。
このため、ウエハの外径公差、ウエハを保持する位置
のばらつき等により、第6図(a)に示されるように、
特にウエハ2のオリエンテーションフラット部2a(以下
OF部と略す)の切欠きの大きな場合に、OF部2aの中心部
付近で露光領域2bが途切れてしまったり、あるいは、周
縁部分すべてを露光しようとすると、第2図(b)のよ
うに周縁部分の露光領域2bをかなり広くしなければなら
ないといった問題点があった。
また、第7図(a)に示されるように従来のウエハ周
縁部分の露光光束6の断面形状は円形であったため、第
7図(b)に示されるようにウエハ周縁部分での積算露
光量がウエハエッジからの半径方向の距離に対して一様
でなくなり、必要最小限の露光量で均一に露光すること
ができないという問題点があった。
さらに、ウエハ周縁部分の露光を独立した専用の露光
装置、あるいはレジスト塗布装置やレジスト現像装置内
に備えられた露光装置で行う場合、マスクのパターンを
露光するために露光装置本体に蓄積された適正露光量に
関するデータを転用して用いることが困難であり、結果
として、周縁部分露光のための露光量データを別個に管
理しなければ適正な露光ができないという問題点も有し
ていた。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、
レジストが塗布された基板の周縁部分の所定の領域を、
適正な露光量で効率良く露光することができる露光装置
を提供することを目的している。
[問題点を解決するための手段] 上記課題を解決するために、請求項1記載のパターン
露光装置は、レジストをほぼ均等に塗布した基板にマス
クのパターンを露光するパターン露光装置であって、前
記レジストの適正露光量に関するデータを保持する保持
部と、前記基板の周縁部分へ露光光束を射出し、前記基
板と前記露光光束とを相対移動させて前記基板の周縁部
を露光する周縁露光装置と、前記保持部に保持された前
記適正露光量に基づいて前記露光光束の状態と前記相対
移動の速度との少なくとも一方を制御する周縁露光制御
手段とを備えている。
請求項2記載のパターン露光装置は、前記露光光束に
よる前記基板周縁部分の露光を、前記パターン露光装置
における基板の概略位置決め動作に組み込んで行なって
いる。
請求項3記載の周縁露光方法は、レジストをほぼ均等
に塗布した基板の周縁を前記レジストを感応させる露光
光束により露光する周縁露光方法であって、前記基板の
周縁を露光する際の適正露光量に関するデータに基づい
て前記露光光束を通過させる開口の大きさを調整するス
テップと、前記調整された露光光束と前記基板の周縁と
を相対的に移動させるステップと、を含んでいる。
請求項4記載の周縁露光方法は、前記露光光束と前記
基板の周縁とを相対的に移動する際の移動速度が前記適
正露光量に基づいて決定されている。
請求項5記載の周縁露光方法は、レジストをほぼ均等
に塗布した基板の周縁を前記レジストを感応させる露光
光束と前記基板と相対移動させて露光する周縁露光方法
であって、マスクのパターンの像を前記基板に露光する
露光装置から前記レジストの適正露光量に関するデータ
を受け取るステップと、前記適正露光量に関するデータ
に基づいて前記露光光束の状態と前記相対移動の速度と
の少なくとも一方を制御するステップと、を含んでい
る。
[作用] 請求項1記載のパターン露光装置(例えばステッパ
ー)は、基板の周縁部を露光する際に、保持部に保持さ
れているレジストの適正露光量に基づいて、周縁露光制
御手段が露光光束の状態や、基板と露光光束との相対移
動の速度を制御している。このため、周縁部分露光用に
別個のデータを管理しなくとも、適正な露光量で周縁部
分の露光を行うことができる。また、露光量を制御する
際に、露光光束の断面積や相対移動の速度とともに、露
光光束の強度自体も必要に応じて変えることができる。
この場合、高い強度の露光光束で短時間(相対移動の速
度大)で露光することが生産性の点から望ましい。
請求項2記載のパターン露光装置は、基板の概略位置
決め動作に組み込んで基板の周縁部の露光を行うので、
周縁露光の処理時間を短縮でき、結果としてパターン露
光を高スループットで行うことができる。
請求項3記載の周縁露光方法は、適正露光量に関する
データに基づいて、露光光束を通過させる開口の大きさ
を調整しているので、好適な大きさの露光光束にて精度
よく周縁部の露光をすることができる。
請求項4記載の周縁露光方法は、適正露光量に関する
データに基づいて、露光光束の大きさと、露光光束と基
板の周縁とを相対的に移動する際の速度とを組み合わせ
て制御できるので、周縁露光を高いスループットで行う
ことができる。
請求項5記載の周縁露光方法は、レジストの適正露光
量に基づいて、露光光束の状態や、基板と露光光束との
相対移動の速度を制御しているので、周縁部分露光用に
別個のデータを管理しなくとも、適正な露光量で周縁部
分の露光を行うことができる。
[実施例] 以下に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は本発明実施例の要部を示す模式図であって、
ステッパー等のパターン露光装置のウエハ搬送部に組み
込まれているものとする。まず、不図示のウエハ搬送路
に沿ってウエハ概略位置決め部のターンテーブル1上に
搬送されてきたウエハ2は、その中心とターンテーブル
1の回転中心とが概略一致する位置で、ターンテーブル
1上に真空吸着される。ターンテーブル1はウエハ2を
保持したまま、モータ3によって所定の速度で回転され
る。
ウエハ2の周縁部上に配置された発光部4には、露光
光束6を所定の形状に規定するための絞り5が備えられ
ており、本実施例における露光光束6の断面形状は、第
2図(a)に示されるように扇形となっている。このた
め、ウエハ2周縁部分における積算光量は、第2図
(b)に示されるようにウエハエッジからの距離によら
ず一定の値となる。
なお、後述する受光部8でのウエハエッジの検出を正
確に行なうためには、発光部4とウエハ2の間にレンズ
系(図示せず)を配置して絞り5とウエハ2表面とを共
役な関係とするか、レンズ系を配置しない場合は、絞り
5とウエハ2を極接近させて配置すると良い。また、発
光部4内に露光光の強度分布均一化のための光学系を配
置すればより適正な条件で周縁部分の露光が行われる。
上記のような発光部4には、マスクのパターンを露光
するための露光装置本体の光源とは別の光源7が備えて
ある。この光源7は発光部の近傍に設置する必要はな
く、露光装置全体の中で比較的スペースに余裕がある部
分に配置し、光ファイバーで発光部に接続すればよい。
次に、ポジションセンサー、CCDリニアセンサー等か
らなる受光部8はウエハ2の周縁部分を挾んで前記発光
部4と対向するように配置されており、ウエハ2で遮断
されない露光光を受光することによりウエハ2のエッジ
を検出するようになっている。
また、上記発光部4(絞り5を含む)と受光部8は一
体として移動手段9に固定されており、移動手段9はウ
エハ2の半径方向に移動可能な構造となっている。
ウエハ周縁部分の露光を行う際にあたっては、第3図
に示されるように、露光装置本体に蓄積された使用レジ
ストについての適正露光量に関するデータが、周縁部分
の露光動作全体を制御する周縁露光制御手段に入力さ
れ、露光条件(露光光強度,絞り幅等)およびターンテ
ーブル1の回転速度が決定される。
また、周縁露光制御手段には、必要露光領域(エッジ
からの距離)に関するデータと受光部8からのウエハエ
ッジ検出信号が入力され、これに基づいて移動手段駆動
信号が出力される。
即ち、ターンテーブル1が所定の速度で回転し、露光
が開始されると、移動手段9は移動手段駆動信号によっ
て、発光部4から出射される露光光束6が常にウエハエ
ッジから所定の距離までの領域を露光するようにサーボ
制御される。その結果、第4図に示されるように、ウエ
ハ2の周縁部分は、OF部2aも含めて均一な幅(露光領域
2b)で露光される。
次に、本実施例におけるウエハ周縁部分の露光制御に
ついて、第5図のブロック図によってさらに詳細に説明
する。
図において、周縁露光制御手段11には、露光装置本体
から、周縁部の必要露光領域に関するデータD1,適正露
光量に関するデータD2,光源7のON,OFFに関するデータD
3が入力される。
周縁露光制御手段11は、適正露光量に関するデータD2
に基づいて、露光条件(露光光の強度,絞り幅等)とタ
ーンテーブルの回転速度を決定し、光源7,絞り制御系1
3,回転制御系14に信号を送る。
ここで、本実施例における絞り5は、図に示されるよ
うに扇形の開口部が形成された2枚の遮蔽部5a,5bから
なっており、遮蔽板5a,5bを相対的に動かすことによ
り、スリット幅を変えることができる構造となってい
る。即ち、露光光の強度を一定とした場合、ターンテー
ブルの回転速度を上げるには、絞り5のスリット幅を狭
くし、逆に回転速度を下げるにはスリット幅を広くすれ
ばよい。
なお、露光条件を決定するに際しては、適宜、ウエハ
2を退けた状態で受光部8で露光光を受け、露光光束の
強度を実測するようにすれば、光源の劣化等により予想
外に露光量が低下してしまうということことを防ぐこと
ができる。光源の劣化により、露光光束の強度が弱くな
った場合は、絞り幅を広げることにより、ターンテーブ
ルの回転速度を一定にしたまま所定の露光量を確保する
ことができる。このことは、ウエハ処理のスループット
を一定に保つ点で有利である。
次に、周縁露光制御手段11から所定の速度信号を受け
た回転制御系14は、モータ3によってターンテーブルを
所定の速度で回転をさせる。モータ3にはタコゼネレー
タ(TG)が連結されており、回転速度を回転制御系14に
フィードバックして常に一定の速度でターンテーブルを
回転できるようになっている。
発光部4と受光部8は、予め、データD1の必要露光領
域に見合う位置にウエハ2周縁部分を挾むように配置さ
れており、データD3の露光開始信号(光源ON)が周縁露
光制御手段11から光源7に伝達されることにより、発光
部4から露光光束が射出される。
受光部8は、ウエハ2で遮断されない露光光束を受光
することによりウエハエッジを検出し、この検出信号は
アンプ10で増幅されて周縁露光制御手段11に入力され
る。周縁露光制御手段11は、必要露光領域に関するデー
タD1と受光部8の検出信号を比較して、位置信号をサー
ボ制御手段12に送る。
サーボ制御手段12は周縁露光制御手段11からの位置信
号に基づいて、露光光束とウエハエッジの相対的な位置
関係が常に一定となるようにモータ(M)に信号を送っ
て、発光部4および受光部8の移動手段9をサーボ制御
する。これにより、ウエハエッジから半径方向に任意の
距離までの領域が、一定の幅で均一に露光される。そし
て、所定の露光時間経過後、周縁露光制御手段11には光
源OFF信号が入力され、一枚のウエハの周縁露光が終了
する。
なお、本実施例では、特に図示はしていないが、特開
昭60−239024号公報に開示されているように、ウエハ周
縁部分の露光を、パターン焼付を行うステージの手前に
あるウエハの概略位置決め部分(パターン焼付の際の最
終位置決めはステージ上で行われる)において、概略位
置決め動作に組み込んで行うようにしているので、パタ
ーン焼付の待ち時間内に周縁部分の露光を終了させるこ
とができ、全体としてのスループットの低下を招くこと
がない。
[発明の効果] 請求項1記載のパターン露光装置によれば、周縁露光
のために別個のデータを管理しなくとも適正な露光量で
効率よく露光することができる。さらに、露光光束の状
態と、露光光束と基板との相対移動の速度とを組み合わ
せて制御した場合には、自由度の高い制御が可能であ
る。なお。パターン露光装置としては、集積回路製造用
のパターン露光装置が特に好適である。
請求項2記載のパターン露光装置によれば、スループ
ットを低下することなく、周縁部分でのレジスト剥離に
よる不良発生を防ぐことができる。
請求項3記載の周縁露光方法によれば、好適な大きさ
の露光光束にて精度よく周縁部の露光をすることができ
るので、レジスト剥離による不良発生を防ぐことができ
る。
請求項4記載の周縁露光方法によれば、露光光束の大
きさと、露光光束と基板との相対移動の速度とを組み合
わせて制御できるので、自由度の高い制御が可能であ
る。
請求項5記載の周縁露光方法によれば、周縁露光のた
めに別個のデータを管理しなくとも適正な露光量で効率
よく露光することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す模式図、第2図(a),
(b)はそれぞれ本発明実施例における露光光束の断面
形状を示す平面図、および積算露光量を示すグラフ、第
3図は本発明実施例の制御の一部を説明するブロック
図、第4図は本発明実施例における露光領域を説明する
平面図、第5図は本発明実施例の制御全体を説明するブ
ロック図、第6図(a),(b)は従来の露光領域を説
明する平面図、第7図(a),(b)は従来の露光光束
の断面形状を示す平面図および積算露光量を示すグラフ
である。 [主要部分の符号の説明] 1……ターンテーブル 2……ウエハ 4……発光部 5……絞り 6……露光光束 7……光源 8……受光部 9……移動手段 11……周縁露光制御手段 12……サーボ制御手段

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レジストをほぼ均等に塗布した基板にマス
    クのパターンを露光するパターン露光装置において、 前記レジストの適正露光量に関するデータを保持する保
    持部と、 前記基板の周縁部分へ露光光束を射出し、前記基板と前
    記露光光束とを相対移動させて前記基板の周縁部を露光
    する周縁露光装置と、 前記保持部に保持された前記適正露光量に基づいて前記
    露光光束の状態と前記相対移動の速度との少なくとも一
    方を制御する周縁露光制御手段とを備えたことを特徴と
    するパターン露光装置。
  2. 【請求項2】前記露光光束による前記基板周縁部分の露
    光を、前記パターン露光装置における基板の概略位置決
    め動作に組み込んで行うことを特徴とする請求項1記載
    のパターン露光装置。
  3. 【請求項3】レジストをほぼ均等に塗布した基板の周縁
    を前記レジストを感応させる露光光束により露光する周
    縁露光方法において、 前記基板の周縁を露光する際の適正露光量に関するデー
    タに基づいて前記露光光束を通過させる開口の大きさを
    調整するステップと、 前記調整された露光光束と前記基板の周縁とを相対的に
    移動させるステップと、を含むことを特徴とする周縁露
    光方法。
  4. 【請求項4】前記露光光束と前記基板の周縁とを相対的
    に移動する際の移動速度は、前記適正露光量に基づいて
    決定されることを特徴とする請求項3記載の周縁露光方
    法。
  5. 【請求項5】レジストをほぼ均等に塗布した基板の周縁
    を前記レジストを感応させる露光光束と前記基板とを相
    対移動させて露光する周縁露光方法において、 マスクのパターンの像を前記基板に露光する露光装置か
    ら前記レジストの適正露光量に関するデータを受け取る
    ステップと、 前記適正露光量に関するデータに基づいて前記露光光束
    の状態と前記相対移動の速度との少なくとも一方を制御
    するステップとを含むことを特徴とする周縁露光方法。
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JPH0795517B2 (ja) * 1988-10-25 1995-10-11 ウシオ電機株式会社 ウエハ周辺露光方法
JPH0795518B2 (ja) * 1988-10-25 1995-10-11 ウシオ電機株式会社 ウエハ周辺露光ユニット
JP2874280B2 (ja) * 1990-05-16 1999-03-24 株式会社ニコン 周縁露光装置及び周縁露光方法
US5229811A (en) * 1990-06-15 1993-07-20 Nikon Corporation Apparatus for exposing peripheral portion of substrate
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