JPS63133527A - 露光プリアライメント装置 - Google Patents
露光プリアライメント装置Info
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- JPS63133527A JPS63133527A JP28110986A JP28110986A JPS63133527A JP S63133527 A JPS63133527 A JP S63133527A JP 28110986 A JP28110986 A JP 28110986A JP 28110986 A JP28110986 A JP 28110986A JP S63133527 A JPS63133527 A JP S63133527A
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- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は露光プリアライメント装置に関し、特にホトマ
スクを用いて半導体基板表面にパターンの転写を行なう
に先たち、半導体基板の周辺部等に付着したレジストを
光エッチングにより除去する露光プリアライメント装置
に関する。
スクを用いて半導体基板表面にパターンの転写を行なう
に先たち、半導体基板の周辺部等に付着したレジストを
光エッチングにより除去する露光プリアライメント装置
に関する。
従来、この種の半導体基板（以下、基板と称す）周辺の
レジストの除去装置は、レジスト回転塗布装置において
、前記基板を回転させながら裏面端部にレジストの溶剤
を吹きつけて除去する装置や縮小投影露光装置により基
板周辺部を全面ステップ露光し、その後現像を行って基
板周辺部のレジストを除去する装置が用いられている。
レジストの除去装置は、レジスト回転塗布装置において
、前記基板を回転させながら裏面端部にレジストの溶剤
を吹きつけて除去する装置や縮小投影露光装置により基
板周辺部を全面ステップ露光し、その後現像を行って基
板周辺部のレジストを除去する装置が用いられている。
かかる従来のレジスト周辺除去装置において、前者のレ
ジスト除去装置は、基板の裏面端部にレジストの溶剤を
吹きつけ前記基板表面および裏面の周辺部に付着したレ
ジストを除去するので、溶剤の吹きつけ量、吹きつけ圧
力、吹きつけ位置。
ジスト除去装置は、基板の裏面端部にレジストの溶剤を
吹きつけ前記基板表面および裏面の周辺部に付着したレ
ジストを除去するので、溶剤の吹きつけ量、吹きつけ圧
力、吹きつけ位置。
前記基板の回転数等の条件が設定条件からずれた場合に
は、前記基板裏面端部に吹きつけた溶剤が飛散し、基板
表面に塗布されているレジストを部分的に溶かすという
問題がある。この問題は、第一に溶剤が飛散した基板表
面部でレジストの膜厚が薄くなり、パターンの加工精度
が悪くなること、第二に極度にレジストが薄くなってい
る部分ではピンホール等が発生して耐エツチング性が悪
化するなどの欠点となる。
は、前記基板裏面端部に吹きつけた溶剤が飛散し、基板
表面に塗布されているレジストを部分的に溶かすという
問題がある。この問題は、第一に溶剤が飛散した基板表
面部でレジストの膜厚が薄くなり、パターンの加工精度
が悪くなること、第二に極度にレジストが薄くなってい
る部分ではピンホール等が発生して耐エツチング性が悪
化するなどの欠点となる。
一方、後者のレジスト除去技術はレジスト周辺の除去の
ために不要な露光を行う必要があるので、目合せ機の処
理能力を著しく低下させ且つ生産性を悪化させるという
欠点がある。また、基板周辺部より任意点までのレジス
ト除去することが出来ないという欠点もある。
ために不要な露光を行う必要があるので、目合せ機の処
理能力を著しく低下させ且つ生産性を悪化させるという
欠点がある。また、基板周辺部より任意点までのレジス
ト除去することが出来ないという欠点もある。
このように、いづれの欠点も半導体素子製造においては
、歩留りおよび生産性を低下させる要因となっている。
、歩留りおよび生産性を低下させる要因となっている。
本発明の目的は、半導体素子の製造にあたり生産性を低
下させることなく、また制御性の良い且つ基板周辺部、
側面部および裏面回り込み部のレジストを任意の部分ま
で除去する露光ブリアラ、イメンＩ〜装置を提供するこ
とにある。
下させることなく、また制御性の良い且つ基板周辺部、
側面部および裏面回り込み部のレジストを任意の部分ま
で除去する露光ブリアラ、イメンＩ〜装置を提供するこ
とにある。
本発明の露光プリアライメント装置は、目合せ露光装置
等のプリアライメント部において、基板をプリアライメ
ントする時に、１１０００ｒｐ以下の回転数でレジスＩ
・を塗布した基板を回転させる機能と基板の裏面および
側面に回り込んだレジストと基板表面周辺部のレジスト
をレーザ光により無現像光エッチングして除去する機能
とレーザ高の照射時間および基板へのレーザ光照射位置
を任意に制御する機能とを有し、これらを実現するため
レジストを塗布した半導体基板を保持したまま回転させ
る駆動手段と、前記基板の外周に当接しうるように対向
配置される一対のプリアライメント用ローラと、前記基
板の周辺部を挟むように前記基板にほぼ垂直に対向配置
され且つ前記基板の表面に平行に移動しうる一対のレー
ザ投光器とを含み、前記基板への目合せ露光を行う前に
前記基板の表面周辺部、ｒｙ４而部面よび裏面周辺部に
付着したレジストを前記投光器により無現象光エッチン
グして除去する構成である。
等のプリアライメント部において、基板をプリアライメ
ントする時に、１１０００ｒｐ以下の回転数でレジスＩ
・を塗布した基板を回転させる機能と基板の裏面および
側面に回り込んだレジストと基板表面周辺部のレジスト
をレーザ光により無現像光エッチングして除去する機能
とレーザ高の照射時間および基板へのレーザ光照射位置
を任意に制御する機能とを有し、これらを実現するため
レジストを塗布した半導体基板を保持したまま回転させ
る駆動手段と、前記基板の外周に当接しうるように対向
配置される一対のプリアライメント用ローラと、前記基
板の周辺部を挟むように前記基板にほぼ垂直に対向配置
され且つ前記基板の表面に平行に移動しうる一対のレー
ザ投光器とを含み、前記基板への目合せ露光を行う前に
前記基板の表面周辺部、ｒｙ４而部面よび裏面周辺部に
付着したレジストを前記投光器により無現象光エッチン
グして除去する構成である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明を適用する目合せ露光装置の平面図であ
る。
る。
第１図に示すように、露光機本体１は目合せ露光部２と
プリアライメント部３とを備え、基板搬出入装置４によ
り露光機本体１のプリアライメント部３に搬入される基
板をプリアライメント部３において前処理する。次に、
前処理した前記基板を目合せ露光部２に送り込み、露光
器５により紫外線等の投射を行う。
プリアライメント部３とを備え、基板搬出入装置４によ
り露光機本体１のプリアライメント部３に搬入される基
板をプリアライメント部３において前処理する。次に、
前処理した前記基板を目合せ露光部２に送り込み、露光
器５により紫外線等の投射を行う。
第２図は本発明の一実施例を説明するための露光アライ
メント装置の平面図で、第１図におけるプリアライメン
ト部を実現する具体例である。
メント装置の平面図で、第１図におけるプリアライメン
ト部を実現する具体例である。
第２図に示すように、露光プリアライメント装置におい
て、第１図に示す基板搬出入装置４より搬入された基板
６を保持するためのチャック７上に受け、その側方より
一対のアリアライメンｌ−用ローラ８を押し付けてチャ
ック７に対する基板６の位置関係を一定基準内になるよ
うに調整し真空吸引する。かかる真空吸着された基板６
をモータ９を駆動し、基板６の回転方向のブリアライメ
ンＩ・を行う。
て、第１図に示す基板搬出入装置４より搬入された基板
６を保持するためのチャック７上に受け、その側方より
一対のアリアライメンｌ−用ローラ８を押し付けてチャ
ック７に対する基板６の位置関係を一定基準内になるよ
うに調整し真空吸引する。かかる真空吸着された基板６
をモータ９を駆動し、基板６の回転方向のブリアライメ
ンＩ・を行う。
次に、基板６の表面周辺部、側面部および裏面周辺部の
レジスト回り込み部分に対し、基板６の周辺部を挟むよ
うに基板６にほぼ垂直に対向して配置する一対のレーザ
投光器１０からレーザ光を照射する。しかも、このチャ
ック７上に吸着された基板の周辺部などにレーザ光を照
射する際、一対のレーザ投光器１０は基板の表面に平行
移動できるように設置される。このレーザ投光器１０の
光源は、エキシマレーザ源１１より発生するレーザ光で
あり、光ファイバ１２を介してレーザ投光器１０に伝達
し基板６へ光照射される。
レジスト回り込み部分に対し、基板６の周辺部を挟むよ
うに基板６にほぼ垂直に対向して配置する一対のレーザ
投光器１０からレーザ光を照射する。しかも、このチャ
ック７上に吸着された基板の周辺部などにレーザ光を照
射する際、一対のレーザ投光器１０は基板の表面に平行
移動できるように設置される。このレーザ投光器１０の
光源は、エキシマレーザ源１１より発生するレーザ光で
あり、光ファイバ１２を介してレーザ投光器１０に伝達
し基板６へ光照射される。
次に、本実施例のより具体的な例を説明する。
まず、ＰＭＭＡレジスＩ〜を塗布した基板６とＫｒＦエ
キシマレーザ１１を使用し、光ファイバ１２を介して投
光器１０より基板６の表面周辺部、側面部および裏面周
辺部のレジスト回り込み部にレーザ光を２０００ ｍ
Ｊ ／ ｃｒｓ ２程度以上のエネルギーで照射する。
キシマレーザ１１を使用し、光ファイバ１２を介して投
光器１０より基板６の表面周辺部、側面部および裏面周
辺部のレジスト回り込み部にレーザ光を２０００ ｍ
Ｊ ／ ｃｒｓ ２程度以上のエネルギーで照射する。
このレーザ光の照射パワーは０ 、９ ＭＷ／Ｃ１１２
〜１２ ＭＷ／ｃｍ２程度である。このレーザ光を照射
された前記ＰＭＭＡレジストは、レーザの照射パワー密
度があるしきい値を越えると、現像処理を行わなくても
エツチング除去されることによる。なお、このエキシマ
レーザを用いた無現像光エツチング技術は、文献「サブ
ミニクロ リソグラフィー総合技術資料集」 （サンニ
ス フォーラム社、Ｓ６０．３．２０発行）の４３頁に
紹介されているので詳細な説明は省略する。
〜１２ ＭＷ／ｃｍ２程度である。このレーザ光を照射
された前記ＰＭＭＡレジストは、レーザの照射パワー密
度があるしきい値を越えると、現像処理を行わなくても
エツチング除去されることによる。なお、このエキシマ
レーザを用いた無現像光エツチング技術は、文献「サブ
ミニクロ リソグラフィー総合技術資料集」 （サンニ
ス フォーラム社、Ｓ６０．３．２０発行）の４３頁に
紹介されているので詳細な説明は省略する。
更に、投光器１０は基板６の真上を０〜１０１１１１、
真下をＯ〜５ ＋ｎの範囲で、それぞれ任意に移動させ
、レジストの周辺除去領域を正確に制御する。
真下をＯ〜５ ＋ｎの範囲で、それぞれ任意に移動させ
、レジストの周辺除去領域を正確に制御する。
このように、本実施例によれば、半導体素子の製゛造に
あたり生産性を低下させることなく、また制御性のよい
且つ基板周辺部、側面部および裏面の回り込み部のレジ
ストを任意の部分のみ、また任意の部分まで除去でき、
生産性の高い安定した信頼性の高い装置を得ることがで
きる。
あたり生産性を低下させることなく、また制御性のよい
且つ基板周辺部、側面部および裏面の回り込み部のレジ
ストを任意の部分のみ、また任意の部分まで除去でき、
生産性の高い安定した信頼性の高い装置を得ることがで
きる。
以上説明したように、本発明によればブリアライメン１
〜部において予しめ基板の側面部２表面周辺部および裏
面レジスト回り込み部を、レーザ光により無現像光エッ
チングすることにより、半導体素子製造上悪影響を与え
る不要なレジストを制御性良く除去できる効果がある。
〜部において予しめ基板の側面部２表面周辺部および裏
面レジスト回り込み部を、レーザ光により無現像光エッ
チングすることにより、半導体素子製造上悪影響を与え
る不要なレジストを制御性良く除去できる効果がある。
その結果、従来のレジスト周辺除去技術で欠点となって
いた半導体表面へのレジス）・溶剤の飛散による耐エツ
チング性の低下、およびレジスト溶剤飛散部でのパター
ン加工精度の低下が解消できる。
いた半導体表面へのレジス）・溶剤の飛散による耐エツ
チング性の低下、およびレジスト溶剤飛散部でのパター
ン加工精度の低下が解消できる。
また、縮小投影露光方式において、半導体基板の裏面レ
ジスト回り込みによる露光時のフォーカスズレも防止で
き、正確なパターン転写をすることが可能である。
ジスト回り込みによる露光時のフォーカスズレも防止で
き、正確なパターン転写をすることが可能である。
更に、基板の側面部１表面周辺部および裏面レジスト回
り込み部のレジストが完全に除去されるため、搬出入装
置への基板の出し入れの際やその他の処理取板中におい
てもレジストが基板側面部および周辺部から削り取られ
るといった問題も解消でき、ゴミの発生を防止して製品
歩留りの向上を図ることができる。
り込み部のレジストが完全に除去されるため、搬出入装
置への基板の出し入れの際やその他の処理取板中におい
てもレジストが基板側面部および周辺部から削り取られ
るといった問題も解消でき、ゴミの発生を防止して製品
歩留りの向上を図ることができる。
また、本発明によれば、前記基板についてパターンの転
写を行っている間に後続の基板に対し、プリアライメン
ト部でレーザ光を照射すればよいため、目合せ露光工程
における生−産性も向上させることができる。
写を行っている間に後続の基板に対し、プリアライメン
ト部でレーザ光を照射すればよいため、目合せ露光工程
における生−産性も向上させることができる。
また、更に基板の側面部のレジストを完全に除去してか
らプリアライメントを行うことができるため、プリアラ
イメント用ローラにレジストが付着せず、したがってプ
リアライメント用ローラのレジスト汚れによるプリアラ
イメント精度の低下もなくなる。
らプリアライメントを行うことができるため、プリアラ
イメント用ローラにレジストが付着せず、したがってプ
リアライメント用ローラのレジスト汚れによるプリアラ
イメント精度の低下もなくなる。
第１図は本発明を適用する目合せ露光装置の平面図、第
２図は本発明の一実施例を説明するための露光プリアラ
イメンＩ・装置の正面図である。 １・・・露光機本体、２・・・目合せ露光部、３・・・
プリアライメント部（露光プリアライメント装置）、４
・・・基板搬出入装置、５・・・露光器、６・・・半導
体基板、７・・・チャック、８・・・プリアライメント
用ローラ、９・・・モータ、１０・・・投光器、１１・
・・エキシマレーザ源、１２・・・光ファイバ。
２図は本発明の一実施例を説明するための露光プリアラ
イメンＩ・装置の正面図である。 １・・・露光機本体、２・・・目合せ露光部、３・・・
プリアライメント部（露光プリアライメント装置）、４
・・・基板搬出入装置、５・・・露光器、６・・・半導
体基板、７・・・チャック、８・・・プリアライメント
用ローラ、９・・・モータ、１０・・・投光器、１１・
・・エキシマレーザ源、１２・・・光ファイバ。
Claims (1)
- レジストを塗布した半導体基板を保持したまま回転させ
る駆動手段と、前記基板の外周に当接しうるように対向
配置される一対のプリアライメント用ローラと、前記基
板の周辺部を挟むように前記基板にほぼ垂直に対向配置
され且つ前記基板の表面に平行に移動しうる一対のレー
ザ投光器とを含み、前記基板への目合せ露光を行う前に
前記基板の表面周辺部、側面部および裏面周辺部に付着
したレジストを前記投光器により無現象光エッチングし
て除去することを特徴とする露光プリアライメント装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28110986A JPS63133527A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 露光プリアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28110986A JPS63133527A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 露光プリアライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133527A true JPS63133527A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH0569291B2 JPH0569291B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=17634477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28110986A Granted JPS63133527A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 露光プリアライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114628A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218175A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Hitachi Ltd | Circuit pattern formation method and its device |
| JPS59138335A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Toshiba Corp | ウエハ端部のレジスト露光装置 |
| JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
| JPS6060724A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS61137320A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28110986A patent/JPS63133527A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218175A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Hitachi Ltd | Circuit pattern formation method and its device |
| JPS59138335A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Toshiba Corp | ウエハ端部のレジスト露光装置 |
| JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
| JPS6060724A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS61137320A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114628A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569291B2 (ja) | 1993-09-30 |
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