JPS58139144A - 目合せ露光装置 - Google Patents
目合せ露光装置Info
- Publication number
- JPS58139144A JPS58139144A JP57021868A JP2186882A JPS58139144A JP S58139144 A JPS58139144 A JP S58139144A JP 57021868 A JP57021868 A JP 57021868A JP 2186882 A JP2186882 A JP 2186882A JP S58139144 A JPS58139144 A JP S58139144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- alignment
- circumference
- projector
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクを用いてウェハー表面にパターン
の転写を行なうに先だってウェハ〜の周縁部分のみに光
線を照射することを目的とする目合せ露光装置に関する
ものである。
の転写を行なうに先だってウェハ〜の周縁部分のみに光
線を照射することを目的とする目合せ露光装置に関する
ものである。
従来公知のコンタクト方式又はプロジエクショ７方式等
、等倍の目合せ露光装置はウェハーの周縁部分にまでパ
ターンが転写されるため、ウェハーの周縁部分に現俸処
理を施こした後においてもレジストがパターンの一部と
して当然に残されることがある。
、等倍の目合せ露光装置はウェハーの周縁部分にまでパ
ターンが転写されるため、ウェハーの周縁部分に現俸処
理を施こした後においてもレジストがパターンの一部と
して当然に残されることがある。
一方、縮小投影式の目合せ露光装置は光学系の焦点深度
が浅いことからウェハーの高さを測定してウェハーを光
学系の焦点深度内に入れる自動焦点調節機能を有してい
るために１ウエハーの周縁部分には露光できない。また
、縮小投影式目合せ露光装置には一般的にポジタイプの
フォトレジストが用いられており、露光完了後のウェハ
ーに現像処理を施こしてもウエノ・−の周縁部分には露
光されないポジタイプのフォトレジストがそのｉｔ残る
。このフォトレジストが残されたままのウニ・・−を次
工程へ送りこんで次の処理を行なうときには以下にのべ
るような重大な問題が生ずる。
が浅いことからウェハーの高さを測定してウェハーを光
学系の焦点深度内に入れる自動焦点調節機能を有してい
るために１ウエハーの周縁部分には露光できない。また
、縮小投影式目合せ露光装置には一般的にポジタイプの
フォトレジストが用いられており、露光完了後のウェハ
ーに現像処理を施こしてもウエノ・−の周縁部分には露
光されないポジタイプのフォトレジストがそのｉｔ残る
。このフォトレジストが残されたままのウニ・・−を次
工程へ送りこんで次の処理を行なうときには以下にのべ
るような重大な問題が生ずる。
すなわち、ウェハーを収納するキャリアーヘウエハーを
出し入れする際に、ウェハーの周縁部分に残されたフォ
トレジストが削り皐られて集積回路製造上の最大の問題
であるゴミの発生原因となる。特に周縁部分にフォトレ
ジストが残されたままのウェハーがイオン注入機、ドラ
イエツチング装置等における真空系の中に送りこまれた
ときにはこのゴミの影響はより重大となり、集積回路製
造上の歩留り低下につながるという問題点が残されてい
た。
出し入れする際に、ウェハーの周縁部分に残されたフォ
トレジストが削り皐られて集積回路製造上の最大の問題
であるゴミの発生原因となる。特に周縁部分にフォトレ
ジストが残されたままのウェハーがイオン注入機、ドラ
イエツチング装置等における真空系の中に送りこまれた
ときにはこのゴミの影響はより重大となり、集積回路製
造上の歩留り低下につながるという問題点が残されてい
た。
本発明は上記問題点を解消するもので、目合せ露光装置
のプリアライメント部に、プリアライメントされたウェ
イ・−の周縁部分のみを紫外線などで露光する投光器を
設けたことを特徴とするものである。以下に本発明の実
施例を図によって説明する。
のプリアライメント部に、プリアライメントされたウェ
イ・−の周縁部分のみを紫外線などで露光する投光器を
設けたことを特徴とするものである。以下に本発明の実
施例を図によって説明する。
第１図において、露光機本体１は目合せ露光部２と、プ
リアライメント部３とを備え、搬出入装置４により本体
１のプリアライメント部３に搬入されたウェハーを、核
部３でプリアライメントし、次いで目合せ露光部２内に
送り込み、投光器５で紫外線環の投射を行なうものであ
る。第２図に示すプリアライメント部３において、搬出
入装置４より搬入されたウェハーＷをチャック６上に受
け、その側方よ沙プリアライメント用ロー２７を押し付
けてチャック６に対するウニノ・−Ｗの関係位置を調整
して真空吸引し、次いでモータ８の駆動によりウェハー
Ｗの回転方向のプリアライメントが行なわれる。本発明
は、プリアライメント部３に搬入されたウェハーＷの周
縁部分に対し、紫外線などを露光するもので、チャック
６上に吸着されたウェハーＷの周縁部直上に向き合せて
紫外線等を照射する投光器９を設置またものである。投
光器としては、目合せ露光部２の投光器５とは別個に設
けてもよいが、あるいは図に示すように投光器５の光源
を光ファイバー９ａで受光し、その投光端９ｂをウェハ
ーＷの周縁一部の直上に対向させることにより一個の光
源で足り、また集中的に周縁部を露光できる。
リアライメント部３とを備え、搬出入装置４により本体
１のプリアライメント部３に搬入されたウェハーを、核
部３でプリアライメントし、次いで目合せ露光部２内に
送り込み、投光器５で紫外線環の投射を行なうものであ
る。第２図に示すプリアライメント部３において、搬出
入装置４より搬入されたウェハーＷをチャック６上に受
け、その側方よ沙プリアライメント用ロー２７を押し付
けてチャック６に対するウニノ・−Ｗの関係位置を調整
して真空吸引し、次いでモータ８の駆動によりウェハー
Ｗの回転方向のプリアライメントが行なわれる。本発明
は、プリアライメント部３に搬入されたウェハーＷの周
縁部分に対し、紫外線などを露光するもので、チャック
６上に吸着されたウェハーＷの周縁部直上に向き合せて
紫外線等を照射する投光器９を設置またものである。投
光器としては、目合せ露光部２の投光器５とは別個に設
けてもよいが、あるいは図に示すように投光器５の光源
を光ファイバー９ａで受光し、その投光端９ｂをウェハ
ーＷの周縁一部の直上に対向させることにより一個の光
源で足り、また集中的に周縁部を露光できる。
本発明においては目合せ露光部２での露光に先立って、
ウェハーＷをプリアライメント部３でプリアライメント
をした後、投光器９より紫外線を投射し、チャック６を
回転してウニノ・−Ｗを一回転させ、その周縁のみを予
じめ露光するものである〇一般にプリアライメントの精
度は１００〜３００Ｐｍ以内であり、ウェハーＷの周縁
部分に対しては１〜２闘の範囲丙を露光できるため、投
光器の位置 （の調整は比較的容易である。プリアラ
イメント部３で周縁部が露光されたウェハーＷは目合せ
露光部２に送り込まれ、投光器５によるパターンの転写
が行われる。
ウェハーＷをプリアライメント部３でプリアライメント
をした後、投光器９より紫外線を投射し、チャック６を
回転してウニノ・−Ｗを一回転させ、その周縁のみを予
じめ露光するものである〇一般にプリアライメントの精
度は１００〜３００Ｐｍ以内であり、ウェハーＷの周縁
部分に対しては１〜２闘の範囲丙を露光できるため、投
光器の位置 （の調整は比較的容易である。プリアラ
イメント部３で周縁部が露光されたウェハーＷは目合せ
露光部２に送り込まれ、投光器５によるパターンの転写
が行われる。
本発明は以上のように、プリアライメント部において予
じめウェハーの周縁部を露光した後、パターンの転写を
行なうため、目合せ露光部において、ウェハーの周縁部
分が露光されない場合でも、その後の現偉処理により周
縁部分の７オトレジストは完全に除去され、・したがっ
てキャリアーへのウェハーの出し入れの際や、その他の
処理取扱中においてもフォトレジストがウェハーの周縁
部から削り取られるといった不都合が生ぜず、ゴミの発
生を防止して製品歩留りの向上を図ることができる。
じめウェハーの周縁部を露光した後、パターンの転写を
行なうため、目合せ露光部において、ウェハーの周縁部
分が露光されない場合でも、その後の現偉処理により周
縁部分の７オトレジストは完全に除去され、・したがっ
てキャリアーへのウェハーの出し入れの際や、その他の
処理取扱中においてもフォトレジストがウェハーの周縁
部から削り取られるといった不都合が生ぜず、ゴミの発
生を防止して製品歩留りの向上を図ることができる。
また本発明によれば、先のウニノ・−についてパターン
の転写を行っている間に後続のウニノー−に対し、プリ
アライメント部でその周縁部の露光を行なえばよいため
、目合せ露光工程における生産性を低下させることはな
い０
の転写を行っている間に後続のウニノー−に対し、プリ
アライメント部でその周縁部の露光を行なえばよいため
、目合せ露光工程における生産性を低下させることはな
い０
第１図は目合せ露光装置の略示図、第２図は本発明装置
の一実施例を示すプリアライメント部の正面図である。 ｌ・・・露光機本体 ２・・・目合せ露光部３
・・・プリアライメント部 ６・・・チャック７・・・
プリアライメント用ローラ ８・・・モータ ９・・・投光器９ａ・・
・光ファイバー ９ｂ・・・投光端Ｗ・・・ウエ
ハ−
の一実施例を示すプリアライメント部の正面図である。 ｌ・・・露光機本体 ２・・・目合せ露光部３
・・・プリアライメント部 ６・・・チャック７・・・
プリアライメント用ローラ ８・・・モータ ９・・・投光器９ａ・・
・光ファイバー ９ｂ・・・投光端Ｗ・・・ウエ
ハ−
Claims (1)
- （１１目合せ露光装置のプリアライメント部に、プリア
ライメントされたウェハーの周縁部分のみに紫外Ｉ／ｓ
等の光線を照射する投光器を設置したことを特徴とする
目合せ露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021868A JPS58139144A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 目合せ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021868A JPS58139144A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 目合せ露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139144A true JPS58139144A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12067100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021868A Pending JPS58139144A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 目合せ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139144A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173330A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nec Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
| JPH021114A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-05 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
| EP0461932A2 (en) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing peripheral portion of substrate |
| US5168021A (en) * | 1989-09-21 | 1992-12-01 | Ushio Denki | Method for exposing predetermined area of peripheral part of wafer |
| US5204224A (en) * | 1988-09-26 | 1993-04-20 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of a wafer |
| US6150076A (en) * | 1991-02-21 | 2000-11-21 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Process for treating periphery of unexposed photosensitive resin plate |
| US10782614B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-09-22 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Edge exposure device and method |
-
1982
- 1982-02-13 JP JP57021868A patent/JPS58139144A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173330A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Nec Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
| JPH021114A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-05 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
| US5204224A (en) * | 1988-09-26 | 1993-04-20 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of a wafer |
| US5168021A (en) * | 1989-09-21 | 1992-12-01 | Ushio Denki | Method for exposing predetermined area of peripheral part of wafer |
| EP0461932A2 (en) * | 1990-06-15 | 1991-12-18 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing peripheral portion of substrate |
| US6150076A (en) * | 1991-02-21 | 2000-11-21 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Process for treating periphery of unexposed photosensitive resin plate |
| US6348300B1 (en) | 1991-02-21 | 2002-02-19 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Process for treating periphery of unexposed photosensitive resin plate |
| US10782614B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-09-22 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Edge exposure device and method |
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