JPH03203312A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH03203312A JPH03203312A JP1342805A JP34280589A JPH03203312A JP H03203312 A JPH03203312 A JP H03203312A JP 1342805 A JP1342805 A JP 1342805A JP 34280589 A JP34280589 A JP 34280589A JP H03203312 A JPH03203312 A JP H03203312A
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- JP
- Japan
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- wafer
- exposure
- peripheral
- silicide
- resist
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程の一つであるリソグ
ラフィー工程に使用する縮小投影露光装置に関する。
ラフィー工程に使用する縮小投影露光装置に関する。
従来、この種の縮小投影露光装置では、第４図に示すよ
うにウェハーはウェハーキャリア１１３から搬送系１１
４を通りプリアライメント系１１５に運ばれる。そして
第５図に示すようにウェハーステージ１０２に半導体ウ
ェハー１０１を真空吸着し回転させ、光センサ１０３に
よりその周辺形状を検出し、オリエンテーションフラッ
ト１０４を所定の方向に向ける。その後半導体ウェハー
１０１は第４図の搬送系１１６を通り、露光光学系１１
７で露光が行われる。
うにウェハーはウェハーキャリア１１３から搬送系１１
４を通りプリアライメント系１１５に運ばれる。そして
第５図に示すようにウェハーステージ１０２に半導体ウ
ェハー１０１を真空吸着し回転させ、光センサ１０３に
よりその周辺形状を検出し、オリエンテーションフラッ
ト１０４を所定の方向に向ける。その後半導体ウェハー
１０１は第４図の搬送系１１６を通り、露光光学系１１
７で露光が行われる。
第６図はシリサイド層のパターン形成のためのリソグラ
フィーを行った後のウェハーである。シリサイド層のエ
ツチングを行う場合、後工程での酸化処理等によりウェ
ハー周辺部（特にウェハー端部１０９．酸化工程等によ
り形成されるつめ型のパターン１１０）でシリサイドが
はがれ、それが半導体製造ラインの汚染原因となること
による歩留りの劣化を防ぐため、ウェハー周辺部を露光
しレジストを取り、エツチング時に周辺部のシリサイド
を取り除いている。従来この周辺露光は周辺露光用レチ
クルによる露光部１１１と製品用のレチクルでの露光部
１１２を２回の露光工程に分けて行っていた。
フィーを行った後のウェハーである。シリサイド層のエ
ツチングを行う場合、後工程での酸化処理等によりウェ
ハー周辺部（特にウェハー端部１０９．酸化工程等によ
り形成されるつめ型のパターン１１０）でシリサイドが
はがれ、それが半導体製造ラインの汚染原因となること
による歩留りの劣化を防ぐため、ウェハー周辺部を露光
しレジストを取り、エツチング時に周辺部のシリサイド
を取り除いている。従来この周辺露光は周辺露光用レチ
クルによる露光部１１１と製品用のレチクルでの露光部
１１２を２回の露光工程に分けて行っていた。
上述した従来の縮小投影露光装置では、周辺露光と製品
パターンの露光を２度に分けて行っているため、ウェハ
ー処理時間が周辺露光を行わない場合に比べて２倍程度
かかってしまい、製品を完成するまでの所要工程時間が
長くかかるため半導体集積回路を低価格で大量に供給で
きないという欠点がある。
パターンの露光を２度に分けて行っているため、ウェハ
ー処理時間が周辺露光を行わない場合に比べて２倍程度
かかってしまい、製品を完成するまでの所要工程時間が
長くかかるため半導体集積回路を低価格で大量に供給で
きないという欠点がある。
本発明の縮小投影露光装置はウェハー露光前にウェハー
周辺部のフォトレジストを露光または除去する機能を有
している。
周辺部のフォトレジストを露光または除去する機能を有
している。
すなわち、従来の縮小投影露光装置では周辺露光と製品
パターンの露光を別々に行うのに対し、本発明ではウェ
ハープリアライメント時に周辺部の露光を行う。
パターンの露光を別々に行うのに対し、本発明ではウェ
ハープリアライメント時に周辺部の露光を行う。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する図であり、縮
小投影露光装置のプリアライメント系の図である。半導
体ウェハー１０１はウェハーキャリアから搬送系を通っ
てウェハーステージ１０２に真空吸着されている。この
後、半導体ウェハー１０１を回転させ、光センサ１０３
によりその周辺形状を検出し、オリエンテーションフラ
ット１０４を所定の方向へ向ける。このプリアライメン
トと同時に光源１０５から露光光１０６を光学系１０７
により制御し半導体ウェハー１０１の周辺部に照射する
。この時プリアライメントのため半導体ウェハー１０１
は回転するので周辺部のレジストは自動的に露光される
。その後半導体ウェハー１０１は搬送系を通り、露光光
学系に運ばれ露光が行われる。
小投影露光装置のプリアライメント系の図である。半導
体ウェハー１０１はウェハーキャリアから搬送系を通っ
てウェハーステージ１０２に真空吸着されている。この
後、半導体ウェハー１０１を回転させ、光センサ１０３
によりその周辺形状を検出し、オリエンテーションフラ
ット１０４を所定の方向へ向ける。このプリアライメン
トと同時に光源１０５から露光光１０６を光学系１０７
により制御し半導体ウェハー１０１の周辺部に照射する
。この時プリアライメントのため半導体ウェハー１０１
は回転するので周辺部のレジストは自動的に露光される
。その後半導体ウェハー１０１は搬送系を通り、露光光
学系に運ばれ露光が行われる。
第２図はこの実施例により露光したウェハーの現像後の
図である。ウェノ・−周辺露光部１０８ではシリサイド
のはがれが起こりやいつめ型パターン部１１０やウェハ
一端部１０９のレジストは取り除かれているので、エツ
チング時この部分のシリサイドはエツチングされる。こ
のため後工程でのシリサイドのはがれによる汚染は起こ
らない。
図である。ウェノ・−周辺露光部１０８ではシリサイド
のはがれが起こりやいつめ型パターン部１１０やウェハ
一端部１０９のレジストは取り除かれているので、エツ
チング時この部分のシリサイドはエツチングされる。こ
のため後工程でのシリサイドのはがれによる汚染は起こ
らない。
なおかつ、プリアライメント時に周辺部の露光ができる
ため、従来装置のように周辺部の露光と製品部の露光を
分ける場合より処理時間を大幅に減少させることができ
る。
ため、従来装置のように周辺部の露光と製品部の露光を
分ける場合より処理時間を大幅に減少させることができ
る。
第３図は本発明の第２の実施例の図である。第１の実施
例では光センサと周辺部露光光学系を別々にしていたの
に対し本実施例では露光光１０６をセンサ１１８で直接
読みとるようにしであるため装置を縮小化できる等の利
点がある。
例では光センサと周辺部露光光学系を別々にしていたの
に対し本実施例では露光光１０６をセンサ１１８で直接
読みとるようにしであるため装置を縮小化できる等の利
点がある。
以上説明したように本発明は、縮小投影露光装置のプリ
アライメント系にウェハー周辺部を露光するための機能
を付加することによりウエノ）−周辺部の露光が必要な
工程での露光装置のウエノ・−処理能力を向上すること
ができる。
アライメント系にウェハー周辺部を露光するための機能
を付加することによりウエノ）−周辺部の露光が必要な
工程での露光装置のウエノ・−処理能力を向上すること
ができる。
ための図、第４図〜第６図は従来例を説明するための図
である。
である。
１０１・・・・・・半導体ウェハー １０２・・・・・
・ウェハーステージ、１０３・・・・・・光センサ、１
０４・・・・・・オリエンテーションフラット、１０５
・・・・・・光源、１０６・・・・・・露光光、１０７
・・・・・・光学系、１０８・・・・・・周辺露光、１
０９・・・・・・ウェノ・一端部、１１０・・・・・・
つめ型パターン、１１１・・・・・・周辺用レチクルに
よる露光部、１１２・・・・・・製品用レチクルによる
露光部、１１３・・・・・・つ呂バーキャリア、１１４
・・・・・・搬送系、１１５・・・・・・プリアライメ
ント系、１１６・・・・・・搬送系、１１７・・・・・
・露光光学系、１１８・・・・・・センサ。
・ウェハーステージ、１０３・・・・・・光センサ、１
０４・・・・・・オリエンテーションフラット、１０５
・・・・・・光源、１０６・・・・・・露光光、１０７
・・・・・・光学系、１０８・・・・・・周辺露光、１
０９・・・・・・ウェノ・一端部、１１０・・・・・・
つめ型パターン、１１１・・・・・・周辺用レチクルに
よる露光部、１１２・・・・・・製品用レチクルによる
露光部、１１３・・・・・・つ呂バーキャリア、１１４
・・・・・・搬送系、１１５・・・・・・プリアライメ
ント系、１１６・・・・・・搬送系、１１７・・・・・
・露光光学系、１１８・・・・・・センサ。
Claims (1)
- 投影レンズを用いて半導体集積回路パターンをウェハー
上へ転写する縮小投影露光装置において、前記機能とは
別にウェハー周辺部のフォトレジスタを露光する機能を
有することを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342805A JPH03203312A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342805A JPH03203312A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203312A true JPH03203312A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18356635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342805A Pending JPH03203312A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203312A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217886A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342805A patent/JPH03203312A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05217886A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
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