KR0151252B1 - 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치 - Google Patents

반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치

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KR0151252B1
KR0151252B1 KR1019950012897A KR19950012897A KR0151252B1 KR 0151252 B1 KR0151252 B1 KR 0151252B1 KR 1019950012897 A KR1019950012897 A KR 1019950012897A KR 19950012897 A KR19950012897 A KR 19950012897A KR 0151252 B1 KR0151252 B1 KR 0151252B1
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김진옥
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문정환
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 플랫에지를 웨이퍼 마킹공정의 이송경로 상에서 다른 공정에 영향을 주지않고 간단히 노광시켜 웨이퍼의 플랫에지에 도포된 감광막 가루에 의한 후 공정에서의 웨이퍼 오염을 미연에 방지할 수 있도록 하므로써 설비의 효율 및 웨이퍼의 수율을 향상시킨 것이다.
이를 위해, 본 발명은 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 변경하여 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트용 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 이송경로 상에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시킬 수 있도록 광로변경 수단을 구성하여 웨이퍼 마킹용 조명계에 설치하여서 된 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치이다.

Description

반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치
제1도는 종래의 웨이퍼 플랫에지 노광용 마스크를 나타낸 평면도.
제2도는 종래의 웨이퍼 노광시스템을 나타낸 구성도.
제3도는 제2도의 웨이퍼 노광용 조명계를 나타낸 구성도.
제4도는 본 발명에 따른 조명계를 나타낸 구성도.
제5도는 제4도의 광로변경 유니트를 확대하여 나타낸 상세도.
제6도는 제4도의 웨이퍼 마킹공정용 스테이지를 나타낸 평면도.
제7도는 제4도의 옵티컬 파이버가 연결된 슬릿 플레이트를 나타낸 사시도.
제8도는 본 발명이 적용된 웨이퍼 마킹공정의 작업진행 순서 및 시간을 나타낸 공정 타이밍도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지
3 : 마킹용 노광스테이지 4 : 센싱유니트
5 : 경통 6 : 광로변경 유니트
7 : 광센서 8 : 신호증폭기
9 : 릴레이 10 : 3방향 마그네트 밸브
11 : 플런저 12 : 구동실린더
13 : 반사경 14 : 집속렌즈
15 : 옵티컬 파이버 16 : 옵티컬 슬릿
17 : 슬릿 플레이트 18 : 상판
19 : 이송밸트 20a : 플랫존 가이드롤러
20b : 가이드롤러
본 발명은 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지(Flat edge) 노광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 마킹(Making) 공정을 위한 이송경로 상에서 마킹공정용 조명계를 활용하여 웨이퍼의 플랫에지에 도포된 감광막 가루를 효과적으로 노광시킬 수 있도록 한 것이다.
일반적으로, 집적회로의 제조원리는 반도체 제조용 기판인 웨이퍼의 표면에 형성된 산화막의 얇은 박막위에 확산 및 사전식각 공정을 반복 수행하여 미세한 형상(Pattern)을 중첩시켜서 반도체 소자가 전기적 기능을 수행할 수 있도록 하는 것이다.
이때, 사진 식각공정에서 만들어지는 형상(Pattern)은 마치 사진을 현상하는 것과 같은 방법으로 얻어진다.
즉, 피사체의 형상을 렌즈를 통하여 필름에 축소하여 감광시킨 음화(negative film)는 반도체 제조시 감광막 현상공정의 감광원판에 해당하며, 음화를 노출시켜 현상흐므로써 양화(Positive)를 얻는 작업은 감광막(Photo resist)에 감광원판의 상을 재현시키는 공정에 해당한다고 말할 수 있다.
한편, 감광막(Photo resist)에 감광원판의 상을 재현시키는 공정에 해당한다고 말할 수 있다. 한편, 감광막 현상 공정에서 웨이퍼에 감광막을 도포한 후, 메인 페턴형성을 위한 노광에 선행하여 플랫에지(flat edge)를 노광시켜 그 부분에 도포된 감광막 가루를 제거하게 되는데, 이는 플랫에지를 노광시키지 않은 상태로 클램프(Clamp)를 사용하여 웨이퍼를 로딩할 때 웨이퍼의 플랫에지에 도포된 감광막 가루가 클램프에 묻은 후, 후 공정의 진행을 위한 로딩과정에서 웨이퍼의 다른 부위에 떠어져 웨이퍼 표면을 오염시킬 우려가 있기 때문에 이를 방지하기 위하여 행하는 것이다.
이를 위해, 종래에는 프로젝션 얼라이너(Projection Aligner)(도시는 생략함)를 이용한 웨이퍼(1)의 메인패턴(Main Pattern)형성시, 이에 선행하여 제 1 도에 나타낸 바와같이, 웨이퍼(1)의 플랫에지 부분만 노출되도록 통공(23)이 형성되는 한편, 나머지 부분은 광원(Light Source)에 노출되지 않도록 상면에 크롬(Chrome)이 코팅된 마스크(24)를 제작한 후, 상기 마스크(24)를 웨이퍼(1)에 씌워 웨이퍼(1) 플랫에지의 노광작업을 수행하였다.
한편, 상기와 같이 웨이퍼(1) 플랫에지의 노광이 끝난 후에는 마스크(24)를 제거한 다음, 일반적인 웨이퍼(1)의 패턴 형성진행시와 같이 노광 시이퀀스(Exposure Sequence)를 진행하였다.
이와는 달리, 스텝퍼(Stepper)(도시는 생략함)을 이용한 웨이퍼(1)의 메인 패턴의 형성시에는 스텝퍼와는 별도로 제 2 도 및 제 3 도에 나타낸 바와같이 구성된 노광 시스템 및 조명계를 구성하여 스텝퍼 장비의 로터(Loader)(도시는 생략함)장착한 후 웨이퍼(1)가 메인패턴 노광 유니트(Main Pattern Exposuer Unit)에 도달하기 전 단계에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시켰다.
이때, 웨이퍼(1)는 프리얼라인먼트(Prealignment) 및 플랫존 정렬(FlatZone alignment)을 거친 후 제어프로그램에 따라 노광 시이퀀스가 진행된다.
한편, 상기 스텝퍼에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시키지 않고, 감광막을 현상시키기 위한 트랙(Track)(도시는 생략함)상에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시켜 웨이퍼(1)플랫에지에 도포된 감광막 가루를 제거할 경우에는 스텝퍼에서의 웨이퍼(1) 플랫에지 노광에 사용된 노광시스템을 웨이퍼(1)가 현상유니트(도시는 생략함)에 도달하기 전의 웨이퍼(1)이송경로 상에 설치하여 제어프로그램의 제어에 따라 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광을 실시하였다.
그러나, 이와같은 종래에는 프로젝션 얼라이너에서 웨이퍼(1)플랫에지 노광작업을 행할 경우, 메인패턴 형성을 위한 노광시이퀀스에 사용하도록 설치된 고가의 얼라인(Align)장비를 단지 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광을 위해 가동시켜야 하므로 장비의 경제성 측면에서 비효율적일 뿐만 아니라 많은 손실을 초래하였다.
또한, 스텝퍼 및 트랙에서의 웨이퍼(1) 플랫에지 노광작업인 경우에는 메인패턴 형성을 위한 노광시스템 외에 웨이퍼(1)의 플랫에지만을 노광하기 위한 별도의 노광시스템이 라인상에 추가로 설치되어야 하므로 설치시 많은 비용이 소요될 뿐만 아니라, 별도의 노광시스템에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광한 후에 메인패턴 형성을 위한 노광 시이퀀스를 진행하게 되므로써 공정시간이 길어지므로 인해 생산성이 저하되는 등의 많은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서 반도체 제조시 웨이퍼 마킹공정의 이송경로 상에서 웨이퍼 마킹용 조명계의 광원을 이용하여 웨이퍼의 플랫에지에 도포된 감광막 가루의 제거를 위한 노광작업이 병행되도록 하므로써 웨이퍼의 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 변경하여 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에서 웨이퍼의 플랫에지를 노광시킬 수 있도록 광로변경 수단을 구성하여 웨이퍼 마킹용 조명계에 설치되는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치이다.
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면 제 4 도 내지 제 8 도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 4 도는 본 발명에 따른 조명계를 나타낸 구성도이고, 제 5 도는 제 4 도의 광로 변경 유니트를 확대하여 나타낸 상세도이며, 제 6 도는 제 4 도의 웨이퍼 마킹공정용 스테이지를 나타낸 평면도이고, 제 7 도는 제 4 도의 옵티컬 파이버가 연결된 슬릿 플레이트를 나타낸 사시도이며, 제 8 도는 본 발명이 적용된 웨이퍼 마킹공정의 작업 진행순서 및 시간을 나타낸 공정 타이밍도이다.
본 발명은 웨이퍼(1)의 마킹공정을 위한 조명계에서 나오는 빛의 광로를 변경하여 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 웨이퍼(1) 이송 경로상에서 웨이퍼(1)의 플랫에지가 노광될 수 있도록 구성된 광로변경 수단이 웨이퍼 마킹용 조명계에 설치된다.
이때, 상기 광로변경 수단은 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광을 위해 플랫에지의 위치를 검출할 수 있도록 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 수테이지(2)와 마킹용 노광스테이지 사이의 웨이퍼(1) 이송경로 상에 설치되는 센싱 유니트(4)와, 상기 센싱유니트(4)의 신호를 받아 작동하여 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 이송경로 상의 웨이퍼(1) 측으로 변경시켜 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시킬 수 있도록 웨이퍼(1) 마킹용 조명계의 경통(5) 일측에 설치되는 광로변경유니트(6)로 구성된다.
또한, 상기 센싱유니트(4)는 발광부 및 수광부를 가지는 광센서(7)가 상기 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광 스테이지(3) 사이의 이송경로 상의 일정 지점에 설치되고, 상기 광센서(7)의 수광부에서 센싱된 신호를 증폭시키는 신호증폭기(8)가 광센서(7)에 연결되며, 상기 신호증폭기(8)에서 증폭된 검출신호를 광로변경 유니트(6)로 전달하는 릴레이(9)가 신호증폭기(8)에 연결되어 구성된다.
한편, 상기 광로변경 유니트(6)는 상기 센싱유니트(4)의 신호증폭기(8)에 연결된 릴레이(9)에 구동전압 인가시 온(ON) 되어 작동하는 3 방향 마그네트 밸브(3 Way Magnet Valve)(10)가 상기 릴레이(9)에 연결되고, 상기 3 방향 마그네트 밸브(10)의 온 시 에어가 공급되어 플런저(11)를 전진시키도록 작동하는 구동실린더(12)가 3 방향 마그네트 밸브(10)에 연결되며, 상기 플런저(11)의 전진시 웨이퍼 마킹용 조명계의 마킹용 광로를 차단함과 동시에 광로를 변경시키는 반사경(13)이 플런저(11)선단에 결합된다.
또한, 상기 반사경(13)에 의해 변경된 광로상에는 빛을 집속하기 위한 집속렌즈(14)가 설치되고, 상기 집속렌즈(14)를 통과하면서 집속된 빛을 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 이송경로상에 위치한 웨이퍼(1)측으로 전송하는 옵티컬 파이버(15)가 상기 집속렌즈(14) 후방에 연결되며, 상기 옵티컬 파이버(15)를 통해 전송된 빛이 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시키도록 옵티컬 슬릿(16)이 형성된 슬릿플레이트(17)가 웨이퍼 마킹공정용 장비의 상판(18)에 고정된다.
한편, 상기 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광 스테이지(3) 사이에는 이송벨트(19)에 로딩되어 이송되는 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광이 정확하게 수행되도록 웨이퍼(1)가 일정방향으로 정렬될 수 있게 안내하는 가이드 수단이 설치되어 구성된다.
이때, 상기 가이드 수단은 웨이퍼(1) 이송경로 상의 일측에 웨이퍼(1)의 플랫면이 접촉되는 복수개의 플랫존 가이드 롤러(20a)가 일렬로 설치되고, 타측에는 하나의 가이드 롤러(20b)가 설치되어 이송되는 웨이퍼(1)가 안내되도록 구성된다.
이와같이 구성된 본 발명은 제 4 도 내지 제 8 도에 나타낸 바와같이, 반도체 제조 공정시 웨이퍼(1)에 로트번호(Lot Number) 또는 일련번호(Serial Number)를 마킹하는 마킹공정을 위한 웨이퍼(1)의 이송경로 상에서 웨이퍼 마킹용 조명계의 광원으로 부터 나오는 빛을 이용해 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광할 수 있도록 한 것으로서 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 감광막이 도포된 웨이퍼(1)는 웨이퍼 마킹용 플리얼라인먼트 스테이지(2)에서 플랫파인딩(Flat Finding)이 된 후 이송벨트(19)위에 로딩되어 마킹용 노광스테이지(3)쪽으로 이동하게 된다.
이때, 이송되는 웨이퍼(1)가 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 일정지점을 지남에 따라 광센서(7)의 발광부에서 나와 수광부로 들어가는 빛이 웨이퍼(1)에 의해 차단되어 진다.
이에 따라, 광센(서)는 웨이퍼(1)의 노광위치 진입을 검출하여 센싱신호를 신호증폭기(8)로 보내게 되며, 상기 신호증폭기(8)는 신호를 증폭한 후, 신호출력 단자인 V 및 O 단자를 통해 증폭된 신호를 출력시키게 된다.
또한, 신호증폭기(8)에서 출력된 신호는 릴레이(9)에 전달되며, 이와동시에 신호증폭기(8)일측으로 출력된 신호에 의해 릴레이(9)에 구동전압이 인가되면 이에 연결된 3 방향 마그네트 밸브(10)가 작동하게 된다.
그리고, 상기 3 방향 마그네트 밸브(10)의 작동에 따라 3 방향 마그네트 밸브(10) 일측으로 유입되는 작동유체인 공기는 3 방향 마그네트 밸브(10)의 NC(Normal Closed) 측으로 유동하여 구동실린더(12)일측으로 유입되므로서 상기 구동실린더(12)에 장착된 플런저(11)를 전진시키게 되며, 이에따라 플런저(11) 선단의 반사경(13)은 웨이퍼 마킹용 조명계의 마킹용 광로를 차단함과 동시에 광로를 직각 방향으로 변경시키게 된다.
따라서, 상기 웨이퍼 마킹용 조명계의 램프하우스(21)에서 발생하여 하프밀러(Half-mirror)(22)를 거쳐 기존의 마킹용 광로를 따라 진행하던 빛은 반사경(13)에 의해 광로를 직각방향으로 바꾸어 집속렌즈(14)를 통과하면서 집속된후, 집속렌즈(14) 후방에 연결된 옵티컬파이버(15)를 통해 슬릿플레이트(17)측으로 진행하여 슬릿플레이트(17)에 형성된 옵티컬슬릿(16)을 통해 나오면서 일정한 빔의 형태를 갖추어 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 이송경로 상에 위치한 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시키게 된다.
한편, 상기와 같이 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시킬 때, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)에서 마킹용 노광스테이지(3)로 마킹공정을 위해 이송벨트(19)에 로딩되어 이동하게 되는데, 상기 웨이퍼 미킹용 프리얼라인먼트 스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 이송경로 양측에는 웨이퍼(1)의 플랫면이 접촉되는 복수개의 플랫존 가이드롤러(20a) 및 가이드롤러(20b)가 각각 설치되어 있으므로 웨이퍼(1)는 플랫에지가 정확히 노광될 수 있도록 상기 가이드롤러(20a)(20b)의 안내 작용에 의해 정확히 정렬되어진다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 플랫에지가 노광된 다음 웨이퍼(1)가 계속 마킹용 노광스테이지(3) 쪽으로 이송되어 광센서(7)를 벗어남에 따라 광센서(7)의 발광부에서 조사된 빛은 웨이퍼(1)에 의해 차단되지 않고 수광부로 들어가게 되며 이때에는 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광시와는 달리 릴레이(9)에 연결된 3 방향 마그네트 밸브(10)의 NO(Normal Open) 측이 개방된다.
이에 따라, 3 방향 마그네트 밸브(10)의 NO 측을 통해 구동실린더(12)로 유입된 작동유체의 압력에 의해 구동실린더(12)에 장착된 플런저(11)가 후퇴하므로써 상기 플런저(11) 선단에 부착되어 기존의 웨이퍼 마킹공정용 광로를 차단하고 있던 반사경(13)이 원위치하여 기존의 광로를 개방시키게 된다.
따라서, 이송벨트(10)에 로딩된 웨이퍼(1)가 마킹용 노광스테이지(3)에 도착했을 때 기존의 광로인 경통(5)을 통해 조사된 빛에 의해 마킹작업이 수행되어 로트번호 또는 일련번호가 웨이퍼(1)에 마킹되어진다.
이와같이, 본 발명은 웨이퍼(1)에 메인패턴을 현상시키기 전 단계인 마킹공정시, 기존의 마킹공정용 조명계의 광로를 변경시켜 마킹공정을 위한 이송경로 상에서 웨이퍼(1)의 플랫에지를 노광시키므로써 종래의 스텝퍼 및 트랙에서와 같이 웨이퍼 플랫에지 노광을 위한 별도의 노광시스템을 라인상에 부가하여 설치할 필요가 없이 기존의 마킹공정용 조명계를 활용할 수 있으므로 인해 설비의 경제성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 웨이퍼(1)의 마킹공정을 위한 이송경호 상에서 이송과정중에 웨이퍼(1)의 플랫에지 노광이 자동으로 병행되어 웨이퍼(1) 플랫에지 노광작업을 위한 별도의 시간이 소요되지 않으므로 생산성을 향상시킬 수 있게 되는 효과를 거둘 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명은 웨이퍼 마킹공정의 웨이퍼(1) 이송경로 상에서 기존의 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 변경시켜 웨이퍼(1)의 플랫에지를 간단히 노광시키므로써 웨이퍼(1)의 플랫에지에 도포된 감광막 가루에 의한 웨이퍼의 오염을 미연에 방지할 수 있으므로 인해 설비의 효율 및 웨이퍼의 수율을 동시에 향상시킬 수 있도록 한 매우 유용한 발명이다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에 설치되어 웨이퍼의 일정 위치로의 진입 여부를 검출하는 발광부 및 수광부와, 상기 광센서의 수광부에 연결되며 상기 광센서의 수광부에서 센싱된 신호를 증폭시키는 신호증폭기와, 상기 신호증폭기에 연결되며 상기 신호증폭기에서 증폭된 신호를 전달받아 광로변경 유니트의 3 방향 마그네트 밸브에 구종전압을 인가하도록 중계하는 릴레이 등을 포함하여 이루어진 웨이퍼 센싱유니트와 ; 상기 센싱유니트의 신호증폭기에 의해 연결된 릴레이에 의해 구동전압 인가시 온 되어 작동하는 3 방향 마그네트 밸브와, 상기 3 방향 마그네트 밸브의 온(on)시 에어가 공급됨에 따라 내장된 플런저가 전진하도록 경통 일측에 설치되는 구동실린더와, 상기 플런저 선단에 결합되어 플런저의 전진시 경통내로 진입하여 웨이퍼 마킹용 조명계의 마킹용 광로를 차단함과 동시에 광로를 변경시키는 반사경과, 상기 반사경에 의해 변경된 광로상에 설치되어 반사된 빛을 집속시키는 집속렌즈와, 상기 집속렌즈를 통과하면서 집속된 빛을 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에 위치한 웨이퍼 측으로 전송하는 옵티컬 파이버와, 상기 옵티컬 파이버를 통해 전송된 빛이 일정형태를 갖추도록 하기 위한 옵티컬 슬릿이 형성되며 웨이퍼 마킹용 공정장비의 상판에 고정되는 슬릿플레이트 등을 포함하여 이루어진 광로변경유니트 ; 가 구비되어 상기 웨이퍼의 플랫에지를 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에서 노광시킬 수 있게 됨을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상의 일측에 웨이퍼의 플랫면이 접촉되는 복수개의 플랫존 가이드롤러를 일렬로 설치하고, 상기 플랫면에 대해 그은 가상의 수직이등분선과 만나는 지점인 이송경로 상의 타측에 웨이퍼 가장자리에 접하도록 하나의 가이드롤러를 설치하여, 상기 웨이퍼 마킹 공정의 이송벨트 상에 로딩되어 이송되는 웨이퍼의 플랫에지가 상기 가이드 롤러들에 의해 정확히 안내되어 정렬되므로써 플랫에지 노광이 원활하게 수행되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
KR1019950012897A 1995-05-23 1995-05-23 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치 KR0151252B1 (ko)

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