KR960042222A - 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치 - Google Patents

반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치 Download PDF

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KR960042222A
KR960042222A KR1019950012897A KR19950012897A KR960042222A KR 960042222 A KR960042222 A KR 960042222A KR 1019950012897 A KR1019950012897 A KR 1019950012897A KR 19950012897 A KR19950012897 A KR 19950012897A KR 960042222 A KR960042222 A KR 960042222A
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문정환
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 플랫에지를 웨이퍼 마킹공정의 이송경로 상에서 다른 공정에 영향을 주지않고 간단히 노광시켜 웨이퍼의 플렛에지에 도포된 감광막 가루에 의한 후 공정에서의 웨이퍼 오염을 미연에 방지할 수 있도록 하므로써 설비의 효율 및 웨이퍼의 수율을 향상시킨 것이다.
이를 위해, 본 발명은 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 변경하여 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트스테이지(2)와 마킹용 노광스테이지(3) 사이의 이송경로 상에서 웨이퍼(1)의 플렛에지를 노광시킬 수 있도록 광로변경 수단을 구성하여 웨이퍼 마킹용 조명계에 설치하여서 된 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치이다.

Description

반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 조명계를 나타낸 구성도.

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 마킹용 조명계의 광로를 변경하여 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에서 웨이퍼의 플랫에지를 노광시킬 수 있도록 광로변경 수단을 구성하여 웨이퍼 마킹용 조명계에 설치함을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광로변경 수단은 웨이퍼의 플랫에지 노광을 위해 플랫에지의 위치를 검출할 수 있도록 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 웨이퍼 이송경로 상에 설치되는센싱유니트와, 상기 센싱유니트의 신호를 받아 작동하여 웨이퍼 마킹용 조명계의 광로를 이송경로 상의 웨이퍼측으로 변경시켜 웨이퍼 플랫에지를 노광시킬 수 있도록 웨이퍼 마킹용 조명계의 경통일측에 설치되는 광로변경 유니트로 구성되는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 센싱유니트는 발광부 및 수광부로 구성된 광센서와, 상기 광센서의 수광부에서 센싱된 신호를 증폭시키는 신호증폭기와, 상기 신호증폭기에서 증폭된 신호를 광로변경 유니트로 전달하는 릴레이로 구성되는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 광로변경 유니트는 신호증폭기에 연결된 릴레이에 구동전압 인가시 온 되어 작동하는 3방향 마그네트 밸브와, 상기 3방향 마그네트 밸브의 온 시 에어가 공급되어 플런저를 전진시키는 구동실린더와, 상기 플런저 선단에 결합되어 플런저의 전진시 웨이퍼 마킹용 조명계의 마킹용 광로를 차단함과 동시에 광로를 변경시키는 반사경과, 상기 반사경에 의해 변경된 광로상에 설치되어 반사된 빛을 접속시키는 집속렌즈와, 상기 집속렌즈를 통과하면서, 집속된 빛을 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와 마킹용 노광스테이지 사이의 이송경로 상에 위치한 웨이퍼 측으로 전송하는 옵티컬 파이버와, 상기 옵티컬 파이버를 통해 전송된 빛이 웨이퍼의 플랫에지를 노광시키도록 옵티컬 슬릿이 형성되며 웨이퍼 마킹용 공정장비의 상판에 고정되는 슬릿플레이트로 구성되는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 마킹용 프리얼라인먼트 스테이지와, 마킹용 노광스테이지 사이에는 이송벨트에 로딩되어 이송되는 웨이퍼의 플랫에지를 정렬시켜 플랫에지 노광이 원할하게 수행되도록 웨이퍼를 안내하는 가이드 수단이 설치되는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가이드수단은 웨이퍼 마킹공정의 이송경로 상의 일측에 웨이퍼의 플랫면이 접촉되는 복수개의 플랫존 가이드롤러를 일렬로 설치하고, 타측에는 하나의 가이드롤러를 설치하여서 됨을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012897A 1995-05-23 1995-05-23 반도체 제조공정용 웨이퍼의 플랫에지 노광장치 KR0151252B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525067B1 (ko) * 1997-01-20 2005-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치의 광학 특성 측정 방법, 노광 장치의 동작 방법 및 투영 노광 장치

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KR100525067B1 (ko) * 1997-01-20 2005-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치의 광학 특성 측정 방법, 노광 장치의 동작 방법 및 투영 노광 장치

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