KR960015073A - 마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치 - Google Patents

마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960015073A
KR960015073A KR1019950034611A KR19950034611A KR960015073A KR 960015073 A KR960015073 A KR 960015073A KR 1019950034611 A KR1019950034611 A KR 1019950034611A KR 19950034611 A KR19950034611 A KR 19950034611A KR 960015073 A KR960015073 A KR 960015073A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
workpiece
projection lens
exposure light
magnification
Prior art date
Application number
KR1019950034611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0185773B1 (ko
Inventor
마나부 고토
Original Assignee
다나카 아키히로
우시오덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다나카 아키히로, 우시오덴키 가부시키가이샤 filed Critical 다나카 아키히로
Publication of KR960015073A publication Critical patent/KR960015073A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0185773B1 publication Critical patent/KR0185773B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 노광광과는 다른 과장의 광을 사용해서 얼라이먼트를 행하는 노광장치에 있어서 노광광 조사시의 배율과 비노광광 조사시의 배율을 일치시킴으로써 마스크와 작업편의 위치맞춤을 정밀하게 하는 것이다.
본 발명은 투영렌즈(3)의 파장에 의한 초점거리의 변화와 주평면의 이동을 고려하면서 마스크(M)와 투영렌즈(3) 사이의 거리 및 투영렌즈(3)와 작업편(3) 사이의 거리를 조정하고, 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사시의 배율과 동일한 배율이 되도록 광학시스템의 광로길이를 조정하는 것이다. 이어서, 비노광광을 마스크 상에 조사하고, 작업편의 얼라이먼트·마크와 마스크의 얼라이먼트·마크를 겹쳐지도록 작업편 구동스테이지(5) 혹은 마스크 구동스테이지(2)를 이동시킨다. 또한, 마스크(M)와 투영렌즈(3) 사이의 거리 및 투영렌즈(3)와 작업편(3) 사이의 거리를 조정하는 대신에 평행평면판 등의 광학부재를 삽입하여 광로길이를 조정할 수도 있다.

Description

마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 도시한 도면이다.

Claims (5)

  1. 투영렌즈의 파장에 의한 초점거리의 변화와 주평면의 이동을 고려하여 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사시의 배율과 동일한 배율이 되도록 광학시스템의 광로길이를 조정해서 비노광광을 마스크상에 조사하고, 작업편의 얼라이먼트·마크와 마스크의 얼라이먼트·마크를 수상하고, 작업편의 얼라이먼트·마크와 마스크의 얼라이먼트·마크가 겹쳐지도록 작업편 혹은 마스크를 작업편/마스크면으로 평행하게 이동시키는 것을 특징으로 하는 마스크와 작업편의 위치맞춤방법.
  2. 제1항에 있어서, 마스크, 투영렌즈 혹은 작업편중 적어도 2개를 이동시켜서 상호 거리를 조정하고, 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사시의 배율과 동일한 배율이 되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 마스크와 작업편의 위치맞춤방법.
  3. 제1항에 있어서, 마스크와 투영렌즈 사이 혹은 투영렌즈와 작업편 사이에 핀트보정용 광학부재를 삽입함과 동시에, 상기 광학부재가 삽입되지 않은 투영렌즈와 작업편 사이 혹은 마스크와 투영렌즈 사이의 거리를 조정하여 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사시의 배율과 동일한 배율이 되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 마스크와 작업편의 위치맞춤방법.
  4. 제1항에 있어서, 마스크와 투영렌즈 사이 및 투영렌즈와 작업편 사이에 핀트보정용 광학부재를 삽입하고, 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사사의 배율과 동일한 배율이 되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 마스크와 작업편의 위치맞춤방법.
  5. 마스크상에 자외선을 조사하는 조사장치와, 마스크와, 상기 마스크를 이동시키는 마스크 구동스테이지와, 투영렌즈와, 작업편과, 상기 작업편을 이동시키는 작업편 구동스테이지와, 작업편의 얼라이먼트·마크와, 마스크의 얼라이먼트·마크를 수상하는 수상수단과, 마스크 구동스테이지 및 작업편 구동스테이지의 이동을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 제어수단은 투영렌즈의 파장에 의한 초점거리의 변화와 주평면의 이동을 고려하여 비노광광 조사시의 배율이 노광광 조사시의 배율과 동일한 배율이 되도록 광학시스템의 광로길이를 조정하여 비노광광을 마스크상에 조사하고, 작업편의 얼라이먼트·마크와 마스크의 얼라이먼트·마크가 겹쳐지도록 작업편 구동스테이지 혹은 마스크 구동스테이지를 작업편/마스크면에 평행하게 이동시키는 것을 특징으로 하는 마스크와 작업편의 위치맞춤장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034611A 1994-10-06 1995-10-06 마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치 KR0185773B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-242532 1994-10-06
JP6242532A JP2994968B2 (ja) 1994-10-06 1994-10-06 マスクとワークの位置合わせ方法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960015073A true KR960015073A (ko) 1996-05-22
KR0185773B1 KR0185773B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=17090518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950034611A KR0185773B1 (ko) 1994-10-06 1995-10-06 마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5721079A (ko)
EP (1) EP0706093B1 (ko)
JP (1) JP2994968B2 (ko)
KR (1) KR0185773B1 (ko)
DE (1) DE69511201T2 (ko)
TW (1) TW320735B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068949A (en) * 1995-04-13 2000-05-30 Rentech, Inc. Alkali metal ion battery electrode material
JP2994232B2 (ja) * 1995-07-28 1999-12-27 ウシオ電機株式会社 マスクとマスクまたはマスクとワークの位置合わせ方法および装置
US5978066A (en) * 1997-10-06 1999-11-02 Agfa-Gevaert Ag Method of copying transparent originals and photographic copier
JP3827645B2 (ja) * 2003-02-19 2006-09-27 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング外観検査装置
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4641779B2 (ja) * 2004-10-20 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 露光装置
CN103034071B (zh) * 2012-12-13 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光机对位方法及控制设备
CN106813815B (zh) * 2015-11-27 2019-03-01 苏州市亿利华电子有限公司 一种pcb板对位自动检测装置
JP6717719B2 (ja) * 2016-09-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5990929A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 Canon Inc 投影露光装置のピント合わせ方法
JPS60223122A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Canon Inc 投影露光装置
JPH0628227B2 (ja) * 1987-10-06 1994-04-13 株式会社日立製作所 半導体露光装置
JP2799575B2 (ja) * 1988-09-30 1998-09-17 キヤノン株式会社 露光方法
JPH03288112A (ja) * 1990-04-04 1991-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 色消しレンズ系
US5279911A (en) * 1990-07-23 1994-01-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask
JPH0543168A (ja) 1991-08-07 1993-02-23 Mitsubishi Electric Corp リニアモータ駆動エレベーター

Also Published As

Publication number Publication date
DE69511201T2 (de) 1999-12-30
JPH08107061A (ja) 1996-04-23
DE69511201D1 (de) 1999-09-09
US5721079A (en) 1998-02-24
EP0706093A1 (en) 1996-04-10
EP0706093B1 (en) 1999-08-04
TW320735B (ko) 1997-11-21
KR0185773B1 (ko) 1999-04-01
JP2994968B2 (ja) 1999-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970007512A (ko) 마스크와 마스크 또는 마스크와 작업편의 위치맞춤 방법 및 장치
EP3330798B1 (en) Maskless photolithographic system in cooperative working mode for cross-scale structure
KR960015092A (ko) 노광 장치
KR950034479A (ko) 조명광학계
KR950001857A (ko) 주사 노광 장치
KR920006777A (ko) 전자기 방사에 의해 대상 물체상에 마크를 제공하는 방법 및 장치와, 그 대상 물체
KR950024025A (ko) 투사 노출 장치 및 디바이스 제조방법
KR960015073A (ko) 마스크와 작업편의 위치맞춤방법 및 장치
JP5341930B2 (ja) リソグラフィ装置及びスキャン方法
JP2926325B2 (ja) 走査露光方法
JP4999827B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2021193429A (ja) 露光用の光源装置、照明装置、露光装置、及び露光方法
JPH02241018A (ja) 光学結像装置及び方法
JPH10284371A (ja) 露光方法及び装置
TW200719094A (en) Laser beam/uv-irradiation peripheral exposure apparatus and method therefor
US7016013B2 (en) Modulated lithographic beam to reduce sensitivity to fluctuating scanning speed
ATE467901T1 (de) Optisches beleuchtungssystem, belichtungssystem und belichtungsverfahren
JP5938707B2 (ja) 光学素子保持装置への光学素子の接着方法及びこの方法に用いる光学素子保持装置及びこの光学素子を備えた露光装置
JP3211424B2 (ja) 走査型露光装置と該装置を用いる回路製造方法
KR0172078B1 (ko) 노광 장치의 광축 조정 방법
JP3161430B2 (ja) 走査露光方法、走査露光装置、及び素子製造方法
JP3259709B2 (ja) 走査型露光装置と該装置を用いる回路製造方法
JP3291769B2 (ja) 位置検出装置、露光装置及び露光方法
SU1568760A1 (ru) Устройство дл совмещени рисунка на маске с рисунком подложки и экспонировани
KR100703668B1 (ko) 노광방법 및 노광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111202

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee