SU1568760A1 - Устройство дл совмещени рисунка на маске с рисунком подложки и экспонировани - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к производству интегральных схем и полупроводниковыхприборов, а именно к технологии рен-- генолитографии. Цель изобретени  - повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем повышени  точности совмещени  рисунка на маске с рисунком подложки. В устройство дл  совмещени  рисунка на маске с рисунком подложки и экспонировани  изображение реперных знаков подложки 4 и маски 7 посредством рентгенопрозрачной и оптически зеркальной мембраны 8 поступает на фотоэлектронный микроскоп 12. Приводы 16 и 17 осуществл ют совмещение подлож1а1 и маски 7. Рентгенопрозрачна  и оптически зеркальна  мембрана 8 установлена на камере источника рентгена 9 с возможносттью качани . 3 ил.

Description

Изобретение относитс  к производству интегральных схем и полупроводниковых приборов, а именно, к технологии рентгенолитографии , и может быть использовано в оборудовании дл  совмещени  рисунка на маске с рисунком интегральной схемы на подлоЛке и экспонировани .

Цепь изобретени  - повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем повышени  точности совмещени  рисунка на маске с рисунком подложки в процессе экспонировани .

На фиг. 1 изображено устройство дл  совмещени  рисунка н  маске с рисунком подложки и экспонировани ; на фиг. 2 крепление мембраны; на фиг. 3 -разрез А-А на фиг. 2.

Устройство содержит камеру экспонировани  1 с размещенными внутри кареткой

1расположена также каретка 5 с шаблонодержателем 6 и маркой 7. и оптически зеркальна  мембрана 8. К камере экспонировани  1 примыкает камера 9 ис- точника рентгеновского излучени  с заслонкой 10.

Камера экспонировани  содержит входное окно, выполненное в виде стекл нной пластины 11, напротив которой расположен фотоэлектронный микроскоп 12 (оптическа  система контрол  за совмещением) с объективом 13, соединенный с блоком управлени  14, который, в свою очередь, через блок питани  15 подсоединен к приводам 16 ка-. ретки 2, приводам 17 кареток 2 и 5 и приводу 18 заслонки 10, Приводы 16 и 17с каретками

2и 5 представл ют блок совмещени . Мембрана 8 (фиг. 2) вакуумноплбтно закреплена на кольце 19, выполненном из магнитной стали , и через сильфон 20 подсоединена к камере источника рентгена 9. Кольцо 19

закреплено в цапфах 21 с возможностью качани  по оси Б. Два электромагнита 22 установлены на выступах камеры источника рентгена 9 у диаметрально противоположных краев колыда 19 и подсоединены к сетеЕому напр жению.

Устройство работает следующим образом .

Световой поток, выход  из объектива 13, проходит сквозь стекл нную пластну, отражаетс  от мембраны 8, попадает на маску 7 и подлржку 4 в районе реперных знаков . Мембрана 8 поворачивает световой поток, идущий от маски 7 с подложкой 4 к фотоэлектронному микроскопу 12. Изображеиие реперных знаков анализируют фотоалектронным микроскопом 12, который через блок управлени  14 и блок питани  15 управл ет приводами 16 и 17, перемещающими каретку 2 при грубом совмещении и каретку 5 при точном совмещении вместе с закрепленными на них держателем 3 и шаблонодержателем 6.

По завершению процесса совмещени  блок управлени  14 через блок питани  15 приводит в движение привод 18, убираюидий заслонку 10 с пути экспонирующего рентгеновского излучени . По окончании экспонировани  блок управлени  14 вырабатывает сигнал на закрытие заслонки 10. После чего подложку 4 перемещают в позицию экспонировани  следующего модул  (при модульном совмещении и экспониропании ), либо проэкспонированную подложку 4 замен ют на ндвую(при полнопсльном совмещении и экспонировании).

Claims (2)

1.Устройство дл  совмещени  рисунка на маске с рисунком подложки и экспонировани , содержащее камеру экспонировани  с блоком сов и1ещени  рисунка маски с рисунком подложки, оптическа  система контрол  за совмещением, камеру источника рентгеновского излучени , рентгенопрозрачную мембрану рентгеновского излучени , отдел ющую камеру экспониртвани  от камеры источника излучени  м зг крепленную на ней, и блоки питани  и управлени , отличающеес  тем, что, с целью повышени  процента выхода годных-полупроводниковых приборов путем повышени  точности совмещени  рисунка на маске с рисунком подложки, рентегнопрозрачна  мембрана выполнена оптически зеркальной и установлена под углом к оси фотоэлектронного микроскопа и оптически с ним сопр жена .

2.Устройство по п. 1, отличающеес   тем. что рентгене лрозрачиа  мембрана установлена на камегз источника рентгено5ско1 о излучени  с возможностью качани .

(SUS.I