KR950001857A - 주사 노광 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크상의 전사 영역내에 형성된 패턴을 주사 노광 방식으로 감광 기판상에 전사하는 투영 노광 장치에 있어서, 마스크의 패턴면과 공역인 면에서 이격되어 배치된 시야 조리개의 직사각형 개구를 거쳐서 마스크의 전사 영역에 조명광을 조사하는 조명 광학계와 마스크의 패턴면과 거의 공역인 면내에 배치된고 시야 조리개의 직사각형 개구에 의해서 규정되는 마스크상의 조명 영역의 적어도 일부를 차광하는 마스크와 감광 기판과의 상대 주사의 방향으로 개구폭을 가변으로 하는 차광부재를 설치하고 또한, 상대 주사에 의해서 변화하는 마스크의 전사 영역상에서의 조명 영역의 위치 변화에 역동해서 차광 부재를 그 개구폭을 변경하게 구동하는 부재를 설치하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 주사 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면, 제 2 도는 제 1 도의 주사 노광 장치에 적용되는 조명 광학계의 구성을 도시하는 도면. 제 3 도는 제 2 도중의 가동 차광판 및 고정 레티클 브라인드의 구성을 도시하는 사시도.
Claims (11)
- 마스크상의 전사 영역내에 형성된 패턴을 감광 기판상에 투영하는 우영 광학계와; 사익 마스크의 패턴을 상기 감광 기판에 전사하기 위해서 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 투영 광학계의 광축과 거의 수직인 방향으로 상대 주사하는 장치와; 상기 마스크의 패턴면과 공역인 면에서 이격되어 배치된 시야 조리개의 개구를 거쳐서 상기 마스크의 전사 영역에 조명광을 조사하는 조사 광학계와; 상기 상대 주사에 의해서 변화하는 상기 마스크의 전사 영역상에서의 상기 조명 영역의 위치 변화에 연동해서 차광 부재를 구동하는 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투영 광학계의 감광 기판의 개구수를 NAW, 상기 조명 광학계의 코히어런스 팩터를 σ, 상기 투영 광학계의 투영 배율을 MRW,상기 시야 조리개의 배치면 근처의 마스크의 패턴면과 공역인 면과 상기 마스크의 패턴면 사이에 배치되는 광학계의 배율을 MBR상기 시야조리개의 배치면상의 한점에서 발하는 광의 상기 감광 기판상에서의 흐름의 반경의 허용 최소값을 ΔDmin으로 하면, 상기 조명 광학계의 광축 방향에 있어서의 상기 시야 조리개의 배치면과 상기 마스크의 패턴면과 공역인 면사이의 간격 ΔZ은│ΔZ│ΔDmin/[MBR·MRW·tan{arcsin(MBR·MRW·NAW·σ)}]인 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 조명 광학계는 사익 조명광으로서 펄스광을 발생하는 펄스광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 펄스 광원은 엑시머레이저 광원인 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 차광 부재는 사익 조명광을 지나는 개구의 폭을 가변으로 하는 가변 시야 조리개인 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 가변 시야 조리개는 상기 상대 주사는 방향으로 가동하는 2개의 차광판을 가지며, 상기 구동 부재는 상기 2개의 차광판을 구동하고 상대 주사의 방향의 개구폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 시야 조리개의 개구는 상기 상대 주사의 방향과 수직인 방향의 적산 노광량의 분포에 따른 형상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 시야 조리개는 광 투과성의 기판상에 차광막을 피착해서 형성하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 마스크의 패턴면과 풀리에 변환의 관계로 형성된 면을 지나는 조명광의 강도 분포를 변경시키는 제 1 광학 부재와; 상기 강도 분포의 변경에 따라서 상기 시야 조리개의 개구 형상을 변화시키는 제 2 광학 부재를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 마스크상의 전사 영역내에 형성된 패턴을 감광 기판상에 투영하는 투영 광학계와; 상기 마스크의 패턴을 상기 감광 기판에 전사하기 위해서 상기 마스크와 상기 감광 기판과를 상기 투영 광학계의 광축과 거의 수직인 방향으로 상대 주사하는 장치와; 상기 마스크의 패턴면과 공역인면, 또는 그 근처에 배치된 시야 조리개의 개구를 거쳐서 상기 마스크의 전사 영역에 조명광을 조사하는 조명계를 포함하는 주사 노광 장치에 있어서, 상기 시야 조리개의 개구는 상기 상대 주사의 방향과 수직인 방향의 적산 노광량의 분포에 따른 형상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 마스크의 패턴면과 거의 공역인 면내에 배치되고 상기 시야 조리개의 개구에 의해 규정되는 상기 마스크상의 조명 영역의 적어도 일부를 차광하는 부재와; 상기 상대 주사에 의해서 변화하는 마스크의 전사 영역상에서의 상기 조명 영역의 위치 변화에 연동해서 상기 차광부재를 구동하는 부재를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Related Child Applications (1)
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220050999A (ko) * | 2019-09-03 | 2022-04-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 물품의 제조방법 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5668018A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-16 | International Business Machines Corporation | Method for defining a region on a wall of a semiconductor structure |
JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
US5798523A (en) * | 1996-07-19 | 1998-08-25 | Theratechnologies Inc. | Irradiating apparatus using a scanning light source for photodynamic treatment |
JP3286184B2 (ja) * | 1996-09-25 | 2002-05-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および方法 |
US6741394B1 (en) | 1998-03-12 | 2004-05-25 | Nikon Corporation | Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus |
DE69933903T2 (de) | 1998-04-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP2000091220A (ja) | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2001044111A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Nec Corp | 走査型露光装置とその制御方法 |
US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
DE10138847A1 (de) * | 2001-08-15 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Blende für eine Integratoreinheit |
TWI251116B (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method, computer-readable medium and lithographic apparatus |
JP3689698B2 (ja) | 2003-01-31 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法 |
JP4345331B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 遮光手段を用いた露光装置及び露光方法 |
EP1467253A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10323664B4 (de) * | 2003-05-14 | 2006-02-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Belichtungsvorrichtung mit Dosissensorik |
JP4488698B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 光走査装置及び絞り装置 |
JP5159027B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
WO2006097135A1 (en) | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
JP5071385B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
GB2444280A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Optical element in a microlithography optical system and method for changing optical properties of optical element |
JP5258051B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
US10537965B2 (en) * | 2013-12-13 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Fiber array line generator |
JP6494259B2 (ja) | 2014-11-21 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 照明光学装置、およびデバイス製造方法 |
US10295911B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-05-21 | Nikon Corporation | Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3538828A (en) | 1967-06-26 | 1970-11-10 | Ibm | High resolution multiple image camera |
JPS5325790A (en) | 1976-08-23 | 1978-03-09 | Hitachi Ltd | Reactor exhaust pipe device with relief valve |
JPS6013163B2 (ja) | 1977-03-26 | 1985-04-05 | 日立造船株式会社 | 模型等の走査撮影装置 |
JPS5928337A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | プロジエクシヨンアライナ |
US4822975A (en) * | 1984-01-30 | 1989-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for scanning exposure |
JPS60232552A (ja) | 1984-05-02 | 1985-11-19 | Canon Inc | 照明光学系 |
JPS6119129A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPH0682598B2 (ja) | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
US4688932A (en) * | 1985-02-12 | 1987-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JPS61222128A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 投影露光方法 |
JPH0622192B2 (ja) | 1985-04-25 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表示パネル製造方法 |
JPH0782981B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS6333818A (ja) | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
US4939630A (en) * | 1986-09-09 | 1990-07-03 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus |
US4780616A (en) | 1986-09-25 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K. K. | Projection optical apparatus for mask to substrate alignment |
US4747678A (en) | 1986-12-17 | 1988-05-31 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical relay system with magnification |
JPH01298719A (ja) | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JP2773147B2 (ja) | 1988-08-19 | 1998-07-09 | 株式会社ニコン | 露光装置の位置合わせ装置及び方法 |
US4924257A (en) * | 1988-10-05 | 1990-05-08 | Kantilal Jain | Scan and repeat high resolution projection lithography system |
JP3049777B2 (ja) | 1990-12-27 | 2000-06-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 |
US5119113A (en) * | 1990-10-11 | 1992-06-02 | International Business Machines Corporation | Spot-defined exposure system for a laser printer |
US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP2691319B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置および走査露光方法 |
JP3128827B2 (ja) * | 1990-12-26 | 2001-01-29 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス |
JP2890892B2 (ja) | 1991-04-30 | 1999-05-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
DE69233134T2 (de) | 1991-08-22 | 2004-04-15 | Nikon Corp. | Reproduktionsverfahren mit hoher Auflösung unter Verwendung eines dem Verfahren angepassten Maskenmusters |
JP3128876B2 (ja) | 1991-08-22 | 2001-01-29 | 株式会社ニコン | パターン作成方法、及びパターン作成システム |
JP3304378B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び素子製造方法 |
US5335044A (en) * | 1992-02-26 | 1994-08-02 | Nikon Corporation | Projection type exposure apparatus and method of exposure |
US5285236A (en) * | 1992-09-30 | 1994-02-08 | Kanti Jain | Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system |
US5291240A (en) * | 1992-10-27 | 1994-03-01 | Anvik Corporation | Nonlinearity-compensated large-area patterning system |
EP0614124A3 (en) * | 1993-02-01 | 1994-12-14 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device. |
JP3291849B2 (ja) * | 1993-07-15 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置 |
-
1994
- 1994-06-10 KR KR1019940013275A patent/KR100296778B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-06-10 DE DE69434080T patent/DE69434080T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-10 EP EP94304199A patent/EP0633506B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-17 KR KR1019990040107A patent/KR100300464B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-10 US US09/523,304 patent/US6608665B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220050999A (ko) * | 2019-09-03 | 2022-04-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 물품의 제조방법 |
Also Published As
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DE69434080T2 (de) | 2005-10-20 |
KR100296778B1 (ko) | 2001-10-24 |
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