JPS6333818A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- JPS6333818A JPS6333818A JP61176650A JP17665086A JPS6333818A JP S6333818 A JPS6333818 A JP S6333818A JP 61176650 A JP61176650 A JP 61176650A JP 17665086 A JP17665086 A JP 17665086A JP S6333818 A JPS6333818 A JP S6333818A
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- light
- sensor
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
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- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体露光装置、特に反射投影光学系による１
：１露光転写を行なう半導体露光装置に関する。
：１露光転写を行なう半導体露光装置に関する。
［従来の技術］
１：１反射投影型露光（ミラープロジェクション）にお
いては、ウェハへの照射光は反射投影光学系の最適像面
位置の形状に合わせて照度むらの少ない円弧スリット状
光束にされる。この円弧スリット状の光束内での光量は
場所によらず均一であることが望ましく、照明光学系内
にて複数の輪帯球面鏡および円弧スリットによりランプ
光の中の均一性の良い部分だけを集めて幅１〜２ｍｍの
円弧状の光に整形して照射しているが、大形ウェハの使
用に伴う円弧スリット状光束の大形化に際して各部均等
光量の光束を得ることが困難になっている状況にある。
いては、ウェハへの照射光は反射投影光学系の最適像面
位置の形状に合わせて照度むらの少ない円弧スリット状
光束にされる。この円弧スリット状の光束内での光量は
場所によらず均一であることが望ましく、照明光学系内
にて複数の輪帯球面鏡および円弧スリットによりランプ
光の中の均一性の良い部分だけを集めて幅１〜２ｍｍの
円弧状の光に整形して照射しているが、大形ウェハの使
用に伴う円弧スリット状光束の大形化に際して各部均等
光量の光束を得ることが困難になっている状況にある。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明の課題は、前述の従来技術に鑑みて、円弧スリッ
ト状光束の形状の大形化に際してその光束内の光量の均
一性を補正するためにステージ上で円弧スリット形状に
沿って光束各部の光量を測定することのできる半導体露
光装置を提供することである。
ト状光束の形状の大形化に際してその光束内の光量の均
一性を補正するためにステージ上で円弧スリット形状に
沿って光束各部の光量を測定することのできる半導体露
光装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段］
本発明に従えば、反射投影光学系を備えその最適像面位
置の形状に合わせた円弧スリット状照明光束を用いる半
導体露光装置のＸＹステージに、ＸＹステージ上にて該
ステージの移動によって前記円弧スリット状光束の照射
部位に沿って穆勤しつつ該円弧スリット状光束内の光量
を測定するセンサが配置される。
置の形状に合わせた円弧スリット状照明光束を用いる半
導体露光装置のＸＹステージに、ＸＹステージ上にて該
ステージの移動によって前記円弧スリット状光束の照射
部位に沿って穆勤しつつ該円弧スリット状光束内の光量
を測定するセンサが配置される。
本発明のひとつの実施態様においては、露光用照明光学
系内の前記円弧スリット状照明光束の整形用スリットの
部分的なスリット幅が前記センサの測定出力に基づいて
補正され、ステージ上で均一光量分布の円弧スリット状
光束照射が得られるようにされている。
系内の前記円弧スリット状照明光束の整形用スリットの
部分的なスリット幅が前記センサの測定出力に基づいて
補正され、ステージ上で均一光量分布の円弧スリット状
光束照射が得られるようにされている。
本発明の別の実施態様によれば、前記センサはステージ
上のウェハチャックに取付けられている。
上のウェハチャックに取付けられている。
［作用］
本発明の半導体露光装置では、ステージ上にて円弧スリ
ット状光束内の光量を測定するセンサが設けられている
ので、光束各部での光量をステージ移動により測定する
ことで均一光量分布とするための補正情報が得られ、こ
れを用いて照明光学系内の円弧状光束整形用スリットの
各部のスリット幅をフィードバック制御で補正すること
により、大径の円弧スリット状光束を全体的に均一光量
の光束とするものである。
ット状光束内の光量を測定するセンサが設けられている
ので、光束各部での光量をステージ移動により測定する
ことで均一光量分布とするための補正情報が得られ、こ
れを用いて照明光学系内の円弧状光束整形用スリットの
各部のスリット幅をフィードバック制御で補正すること
により、大径の円弧スリット状光束を全体的に均一光量
の光束とするものである。
［実施例コ
第１図および第２図に本発明の一実施例を示す。
図において、Ｘステージ２はＸ軸モータ２ａによりＸ軸
方向に移動可能であり、その上に配置されたＹステージ
３はＹ軸モータ３ａによりＸ軸に直角なＹ軸方向に移動
可能である。Ｙステージ３の上にはウェハチャック４が
取付けられ、そのほぼ中央部に光量センサ５が配置され
ている。
方向に移動可能であり、その上に配置されたＹステージ
３はＹ軸モータ３ａによりＸ軸に直角なＹ軸方向に移動
可能である。Ｙステージ３の上にはウェハチャック４が
取付けられ、そのほぼ中央部に光量センサ５が配置され
ている。
照明系７からの光は、その内部の整形用円弧スリット８
で円弧スリット状光束に整形されてマスク６を照射し、
１：１反射投影光学系９を介してステージ上のウェハチ
ャック４の上のウェハ（図示せず）にマスク像を投影す
る。従ってマスクとウェハが無い状態では、照明系７か
らの円弧スリット状光束はそのままウェハチャック４の
表面上に円弧スリット状の光の帯１を形成する。この円
弧スリット状の光の帯をセンサ５がトレースするように
ステージ２．３を制御コンピュータ１０による駆動制御
装置１１のコントロールで動作させ、円弧状の光の帯の
各部の光量をセンサ５で測定する。またこの測定結果を
用いてスリット８の各部スリット幅調整用アクチュエー
タを制御することにより、光量分布の均一化のための自
動補正動作を行なわせる。
で円弧スリット状光束に整形されてマスク６を照射し、
１：１反射投影光学系９を介してステージ上のウェハチ
ャック４の上のウェハ（図示せず）にマスク像を投影す
る。従ってマスクとウェハが無い状態では、照明系７か
らの円弧スリット状光束はそのままウェハチャック４の
表面上に円弧スリット状の光の帯１を形成する。この円
弧スリット状の光の帯をセンサ５がトレースするように
ステージ２．３を制御コンピュータ１０による駆動制御
装置１１のコントロールで動作させ、円弧状の光の帯の
各部の光量をセンサ５で測定する。またこの測定結果を
用いてスリット８の各部スリット幅調整用アクチュエー
タを制御することにより、光量分布の均一化のための自
動補正動作を行なわせる。
第３図に以上の実施例装置の概略を斜視図で示す。この
図において１２と１３はそれぞれＸ、Ｙ方向の参照面と
なるようにステージ３に取付けられた互いに直角な反射
ミラーであり、それぞれレーザ干渉計１４．１５によっ
てＸまたはＹ方向のそれぞれの穆勤量が精密測定される
ようになっている。このレーザ干渉計１４．１５の測定
結果により、コンピュータ１０ではＹステージ３の、つ
まりその上のチャック４のウェハ載置面に埋め込まれた
光量センサ５のＸ、Ｙ方向への穆勤量を知る。コンピュ
ータ１０は、この情報と移動前の光量センサ５の位置情
報の記憶データとから穆勤後の光量センサ５の位置を算
出し、記憶する。またコンピュータ１０には、円弧状光
束１のウェハチャック４上での位置、例えば光量センサ
５の大きさに基づいて円弧方向に所定数に分割されたポ
ジション１．．２．３・・・・・・Ｎのようなポジショ
ン番号がその位置データと共に記憶されている。
図において１２と１３はそれぞれＸ、Ｙ方向の参照面と
なるようにステージ３に取付けられた互いに直角な反射
ミラーであり、それぞれレーザ干渉計１４．１５によっ
てＸまたはＹ方向のそれぞれの穆勤量が精密測定される
ようになっている。このレーザ干渉計１４．１５の測定
結果により、コンピュータ１０ではＹステージ３の、つ
まりその上のチャック４のウェハ載置面に埋め込まれた
光量センサ５のＸ、Ｙ方向への穆勤量を知る。コンピュ
ータ１０は、この情報と移動前の光量センサ５の位置情
報の記憶データとから穆勤後の光量センサ５の位置を算
出し、記憶する。またコンピュータ１０には、円弧状光
束１のウェハチャック４上での位置、例えば光量センサ
５の大きさに基づいて円弧方向に所定数に分割されたポ
ジション１．．２．３・・・・・・Ｎのようなポジショ
ン番号がその位置データと共に記憶されている。
第４図に示す動作フローと共に光量測定とスリット幅補
正の動作を説明する。
正の動作を説明する。
ウェハチャック４上での光束１内の光量検知に際して、
コンピュータ１０は先ず記憶された光量センサ５の現在
位置情報とポジション１の位置情報とから、光量センサ
５がポジション１の光量を検知できる位置にくるように
ステージ駆勅モータ制御装置１１に指令を送る。制御部
１１はこの指令に基づいてＸ、Ｙモータ２ａ、３ａを駆
動し、ステージ２，３を所定量８動させる。光量センサ
５がポジション１の光量検知位置に停止したとき、コン
ピュータ１０は光量センサ５からの検知光量情報をとり
こむ。予めコンピュータ１０に記憶させておいたポジシ
ョン１の適正光量設定値とこのとりこんだ検知光量情報
との偏差をコンピュータ１０によって求め、対応した大
きさのブレード駆動指令をスリット８のブレード駆動制
御部１６に送る。
コンピュータ１０は先ず記憶された光量センサ５の現在
位置情報とポジション１の位置情報とから、光量センサ
５がポジション１の光量を検知できる位置にくるように
ステージ駆勅モータ制御装置１１に指令を送る。制御部
１１はこの指令に基づいてＸ、Ｙモータ２ａ、３ａを駆
動し、ステージ２，３を所定量８動させる。光量センサ
５がポジション１の光量検知位置に停止したとき、コン
ピュータ１０は光量センサ５からの検知光量情報をとり
こむ。予めコンピュータ１０に記憶させておいたポジシ
ョン１の適正光量設定値とこのとりこんだ検知光量情報
との偏差をコンピュータ１０によって求め、対応した大
きさのブレード駆動指令をスリット８のブレード駆動制
御部１６に送る。
第５図と第６図はスリット８とその各スリット分割セク
ションのスリット幅調整機構の一例を示している。
ションのスリット幅調整機構の一例を示している。
スリット８は、固定ブレード８２と可撓性ブレード８１
との間に形成され、可撓性ブレード８１には、スリット
長さ方向に沿って、前記ポジション１゜２．３・・・・
・・Ｎに対応するように複数のスリット幅調整機構（送
りねじ式進退機構）８３が配列されている。各スリット
幅調整機構８３は、各々プランジャ８４を介して別々の
モータ８５により駆動され、各モータ８５はブレード駆
動制御部１６によりコンピュータ１０の指令に基づいて
制御される。
との間に形成され、可撓性ブレード８１には、スリット
長さ方向に沿って、前記ポジション１゜２．３・・・・
・・Ｎに対応するように複数のスリット幅調整機構（送
りねじ式進退機構）８３が配列されている。各スリット
幅調整機構８３は、各々プランジャ８４を介して別々の
モータ８５により駆動され、各モータ８５はブレード駆
動制御部１６によりコンピュータ１０の指令に基づいて
制御される。
さて、コンピュータ１０より指令を与えられたブレード
駆動制御部１６は、複数のモータ８５のうち、現在光量
を測定しているポジションに対応するスリット位置のス
リット幅を調整するモータを駆動する。モータ８５の回
転は、プランジャ８４を介してスリット幅調整機構８３
の送りねじの雄ねじ部分に伝達され、スリット基板８６
に固定された雌ねじ部との螺合により、この雄ねじ部分
が軸方向移動を生じ、この雄ねじと相対回転可能に連結
された可撓性ブレード１の当該部分を変位させてスリッ
ト幅の変化を生じる。このようにして、光量測定ポジシ
ョンの光量が所定光量になるように対応するスリット位
置のスリット幅が調整され、この間、コンピュータ１０
は光量センサ５の出力をモニタして、所定光量に対して
許′容範囲内の光量になったらモータ８５を停止させる
。
駆動制御部１６は、複数のモータ８５のうち、現在光量
を測定しているポジションに対応するスリット位置のス
リット幅を調整するモータを駆動する。モータ８５の回
転は、プランジャ８４を介してスリット幅調整機構８３
の送りねじの雄ねじ部分に伝達され、スリット基板８６
に固定された雌ねじ部との螺合により、この雄ねじ部分
が軸方向移動を生じ、この雄ねじと相対回転可能に連結
された可撓性ブレード１の当該部分を変位させてスリッ
ト幅の変化を生じる。このようにして、光量測定ポジシ
ョンの光量が所定光量になるように対応するスリット位
置のスリット幅が調整され、この間、コンピュータ１０
は光量センサ５の出力をモニタして、所定光量に対して
許′容範囲内の光量になったらモータ８５を停止させる
。
以上の動作をコンピュータ１０によってポジション１か
らＮまで順次実行し、円弧状光束１の全域についてその
センサ５による受光量を所定値に均一化する。
らＮまで順次実行し、円弧状光束１の全域についてその
センサ５による受光量を所定値に均一化する。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明の半導体露光装置ではＸＹ
ステージ上に光量センサを配置したから、ウニ八載置面
上での円弧スリット状光束の光量測定に別の特別な測定
器を用いる必要がなく、従ってクリーンチャンバ内にこ
のような測定器を出し入れしなくても、チャンバ外から
遠隔測定できるので、チャンバ内の温度やクリーン度等
の環境を損なうこともなく、ＸＹステージの駆動によっ
て単一の小さな光量センサで円弧状光束の任意位置での
光量測定が可能であってしかも、ウェハへ照射される光
量の値を直接測定でき、従って大径円弧スリット状光束
の均一光量分布のための補正動作の自動化が達成できる
ものである。
ステージ上に光量センサを配置したから、ウニ八載置面
上での円弧スリット状光束の光量測定に別の特別な測定
器を用いる必要がなく、従ってクリーンチャンバ内にこ
のような測定器を出し入れしなくても、チャンバ外から
遠隔測定できるので、チャンバ内の温度やクリーン度等
の環境を損なうこともなく、ＸＹステージの駆動によっ
て単一の小さな光量センサで円弧状光束の任意位置での
光量測定が可能であってしかも、ウェハへ照射される光
量の値を直接測定でき、従って大径円弧スリット状光束
の均一光量分布のための補正動作の自動化が達成できる
ものである。
第１図は本発明の実施例に係る半導体露光装置のＸＹス
テージの平面図、第２図は同じく照明系および反射投影
光学系を添置した側面図、第３図は同じく概略を示す斜
視図、第４図は動作フローチャート、第５図はスリット
幅調整機構を示す部分平面図、第６図はスリット幅調整
機構の側面図である。 に円弧スリット状光束、 ２：Ｘステージ、 ３：Ｙステージ、 ４：ウェハチャック、 ５：光量センサ、 ６：マスク、 ７：照明系、 ８：整形用スリット、 ９：反射投影光学系、 １０：制御コンピュータ、 １１：ステージ駆動モータ制御装置、 ！４，１５：レーザ干渉計、 １６：ブレード駆動制御部、 ８１：可撓性ブレード、 ８２：固定ブレード、 ８３ニスリット幅調整機構、 ８４ニブランジヤ、 ８５：モータ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第２図 第３図 第４図
テージの平面図、第２図は同じく照明系および反射投影
光学系を添置した側面図、第３図は同じく概略を示す斜
視図、第４図は動作フローチャート、第５図はスリット
幅調整機構を示す部分平面図、第６図はスリット幅調整
機構の側面図である。 に円弧スリット状光束、 ２：Ｘステージ、 ３：Ｙステージ、 ４：ウェハチャック、 ５：光量センサ、 ６：マスク、 ７：照明系、 ８：整形用スリット、 ９：反射投影光学系、 １０：制御コンピュータ、 １１：ステージ駆動モータ制御装置、 ！４，１５：レーザ干渉計、 １６：ブレード駆動制御部、 ８１：可撓性ブレード、 ８２：固定ブレード、 ８３ニスリット幅調整機構、 ８４ニブランジヤ、 ８５：モータ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反射投影光学系の最適像面位置の形状に合わせた円
弧スリット状照明光束を用いる半導体露光装置において
、ＸＹステージ上にて該ステージの移動により前記円弧
スリット状光束の照射部位に沿って移動しつつ該円弧ス
リット状光束内の光量を測定するセンサを前記ステージ
に配置したことを特徴とする半導体露光装置。 ２、前記センサの測定出力により前記円弧スリット状照
明光束の整形用スリットの部分的な幅を補正するように
した特許請求の範囲第１項に記載の半導体露光装置。 ３、センサをステージ上のウェハチャックに取り付けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176650A JPS6333818A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176650A JPS6333818A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333818A true JPS6333818A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16017289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61176650A Pending JPS6333818A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333818A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135132A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-05-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6317195B1 (en) | 1993-04-06 | 2001-11-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6608665B1 (en) | 1993-06-11 | 2003-08-19 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus having adjustable illumination area and methods related thereto |
| JP2006091655A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Tohoku Univ | パターン描画装置および方法 |
| JP2007013157A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射線ビーム検査デバイス、放射線ビームの検査方法およびデバイス製造方法 |
| JP2007065668A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びレチクル誘導ｃｄｕを補償するデバイス製造方法 |
| CN108051984A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 狭缝可调节的曝光装置 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61176650A patent/JPS6333818A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6317195B1 (en) | 1993-04-06 | 2001-11-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6608665B1 (en) | 1993-06-11 | 2003-08-19 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus having adjustable illumination area and methods related thereto |
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| JP2007013157A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射線ビーム検査デバイス、放射線ビームの検査方法およびデバイス製造方法 |
| JP2007065668A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びレチクル誘導ｃｄｕを補償するデバイス製造方法 |
| US8937705B2 (en) | 2005-08-31 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with radiation beam inspection using moveable reflecting device |
| CN108051984A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 狭缝可调节的曝光装置 |
| CN108051984B (zh) * | 2017-12-11 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 狭缝可调节的曝光装置 |
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