JPS63132427A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS63132427A JPS63132427A JP62271669A JP27166987A JPS63132427A JP S63132427 A JPS63132427 A JP S63132427A JP 62271669 A JP62271669 A JP 62271669A JP 27166987 A JP27166987 A JP 27166987A JP S63132427 A JPS63132427 A JP S63132427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- wafer
- mask
- photodetector
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野〕
本発明は露光装置に関し、特にフォトマスクを透過した
パターン投影光の強度を検出する検出器を備えた露光装
置に関する。
パターン投影光の強度を検出する検出器を備えた露光装
置に関する。
゛ 〔従来技術〕
従来、露光装置の光強度を測定する為には、投影レンズ
から射出した光又はマスクを照明する光の光路中に照度
計を配設し、マスク照明光の光強度若しくは光強度分布
、又は投影光の光強度若しくは光強度分布を検出してい
た。
から射出した光又はマスクを照明する光の光路中に照度
計を配設し、マスク照明光の光強度若しくは光強度分布
、又は投影光の光強度若しくは光強度分布を検出してい
た。
しかしながら、最近の露光装置の構成は非常に複雑であ
り、照度計やＳ動機構付き照度計を上記光路中に配設す
るのは極めて困難である。
り、照度計やＳ動機構付き照度計を上記光路中に配設す
るのは極めて困難である。
（発明の概要）
本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、簡便な構成
で、容易に投影光の強度を検出することができる露光装
置を提供することにある。
で、容易に投影光の強度を検出することができる露光装
置を提供することにある。
上記目的を達成する為に、本発明に係る露光装置は、マ
スクの回路パターンをウェハ上に投影する投影光学系と
、上記ウェハを載置するステージと、上記ステージの所
定位置に固設した光検出器とを具え、前記ステージを穆
勤させて前記光検出器を前記投影光学系の照明領域に進
入させ、前記マスクを透過したパターン投影光を前記光
検出器で測光することを特徴とする。
スクの回路パターンをウェハ上に投影する投影光学系と
、上記ウェハを載置するステージと、上記ステージの所
定位置に固設した光検出器とを具え、前記ステージを穆
勤させて前記光検出器を前記投影光学系の照明領域に進
入させ、前記マスクを透過したパターン投影光を前記光
検出器で測光することを特徴とする。
（実施例）
以下、本発明を図に示した実施例に基づいて説明する。
第１図において、１は本体ベース、２はＸＹステージで
ある。ＸＹステージ２は本体ベース１に搭載され、周知
のメカニズムによって所望の平面内運動をする。３は感
光層を有するウェハで、不図示のチャックによりＸＹス
テージ２上に固定される。４は投影レンズ鏡筒で、縮小
型投影レンズ５を収容する。６はフォトマスクで、半導
体回路製造用パターンを具える。７はフォトマスクステ
ージで、鏡筒４の上部に固設される一方、フォトマスク
６を固定する機能を持つ。
ある。ＸＹステージ２は本体ベース１に搭載され、周知
のメカニズムによって所望の平面内運動をする。３は感
光層を有するウェハで、不図示のチャックによりＸＹス
テージ２上に固定される。４は投影レンズ鏡筒で、縮小
型投影レンズ５を収容する。６はフォトマスクで、半導
体回路製造用パターンを具える。７はフォトマスクステ
ージで、鏡筒４の上部に固設される一方、フォトマスク
６を固定する機能を持つ。
次に、８は支柱で、本体ベース１に固設されるが、その
上部にピント調整機構９の固定側を具える。ピント調整
機構９は例えばラックとビニオンあるいはへリコイド等
で構成するものとし、移動側は鏡筒４と結合されていて
、機構９を作動させると鏡筒４は投影光路に沿って移動
する。１０は照明ユニットで、支柱８の上部に、更に別
の支柱を介して固設する。照明ユニット１０は光源１１
、シャッタ１２、コンデンサーレンズ１３、光路折曲げ
鏡１４を収容する。シャッタ１２は、駆動信号によって
作動する回転型ソレノイドの作用でｇ勤し、照明光路を
遮断もしくは開放するものとし、照明光路が開放された
時、照明光源１１を発した光束はコンデンサーレンズ１
３で収斂し、鏡１４で反射した後、フォトマスク６に照
射される。
上部にピント調整機構９の固定側を具える。ピント調整
機構９は例えばラックとビニオンあるいはへリコイド等
で構成するものとし、移動側は鏡筒４と結合されていて
、機構９を作動させると鏡筒４は投影光路に沿って移動
する。１０は照明ユニットで、支柱８の上部に、更に別
の支柱を介して固設する。照明ユニット１０は光源１１
、シャッタ１２、コンデンサーレンズ１３、光路折曲げ
鏡１４を収容する。シャッタ１２は、駆動信号によって
作動する回転型ソレノイドの作用でｇ勤し、照明光路を
遮断もしくは開放するものとし、照明光路が開放された
時、照明光源１１を発した光束はコンデンサーレンズ１
３で収斂し、鏡１４で反射した後、フォトマスク６に照
射される。
一方、１７はエアーノズルで、鏡筒４の下端に保持され
、投影光路の周縁に配するか、もしくは光路中へ進入退
去が自在とする。エアーノズル１７は不図示のエアーマ
イクロメータ本体につながり、ウェハ３の上面と投影レ
ンズ５の最終面との間隔を精密に測定するのに役立つ。
、投影光路の周縁に配するか、もしくは光路中へ進入退
去が自在とする。エアーノズル１７は不図示のエアーマ
イクロメータ本体につながり、ウェハ３の上面と投影レ
ンズ５の最終面との間隔を精密に測定するのに役立つ。
なお、間隔の測定については明細書の前段で触れた様な
別の方法も使用できる。
別の方法も使用できる。
また、１８はフォトディテクタで、ＸＹステージ２上に
固定されるものとし、ＸＹステージ２を作動させること
で照明領域へ進入させることができる。フォトディテク
タ１８はフォトマスク６を透過したパターン投影光を測
光して該投影光の強度を検出する。そして、これにより
フォトマスクの透過率を測定することができる。又、す
でに透過率のわかっているフォトマスクあるいは別の測
定機で透過率がわかっているものについては、コントロ
ーラ２０に設けられた透過率設定スイッチ２１で条件設
定しても良く、このスイッチ２１はフォトディテクタ１
８と併設する方が望ましい。
固定されるものとし、ＸＹステージ２を作動させること
で照明領域へ進入させることができる。フォトディテク
タ１８はフォトマスク６を透過したパターン投影光を測
光して該投影光の強度を検出する。そして、これにより
フォトマスクの透過率を測定することができる。又、す
でに透過率のわかっているフォトマスクあるいは別の測
定機で透過率がわかっているものについては、コントロ
ーラ２０に設けられた透過率設定スイッチ２１で条件設
定しても良く、このスイッチ２１はフォトディテクタ１
８と併設する方が望ましい。
２２はケーブルで、コントローラ２０からの信号を装置
本体へ伝送する機能を持つ。
本体へ伝送する機能を持つ。
以上の構造の装置で、焼付工程を繰り返せば投影レンズ
５がピントの８勅を引起すことは上述した通りであるが
、投影レンズ５の焼付光照射による経時的なピントの変
化量Δ℃は、実験的にΔＪＺ＝Ｋ・τ・Ｅ−ｔｏ／ｌで
表わし得る。ここでＫは投影レンズ５の固有のピント変
化係数、ではフォトマスク６の透過率、Ｅは照明ユニッ
ト１０からの単位時間当りの照射光量、ｔｏはシャッタ
１２の開放時間合計、ｔは露光間隔時間合計である。な
お、投影レンズ５のピント変化係数には一つの投影レン
ズについて実験で測定すれば、同じ投影レンズを組み込
んだ装置では同じＫを使用できる。
５がピントの８勅を引起すことは上述した通りであるが
、投影レンズ５の焼付光照射による経時的なピントの変
化量Δ℃は、実験的にΔＪＺ＝Ｋ・τ・Ｅ−ｔｏ／ｌで
表わし得る。ここでＫは投影レンズ５の固有のピント変
化係数、ではフォトマスク６の透過率、Ｅは照明ユニッ
ト１０からの単位時間当りの照射光量、ｔｏはシャッタ
１２の開放時間合計、ｔは露光間隔時間合計である。な
お、投影レンズ５のピント変化係数には一つの投影レン
ズについて実験で測定すれば、同じ投影レンズを組み込
んだ装置では同じＫを使用できる。
第２図の２０’ はマイクロプロセッサで、コントロー
ラ２０の中枢を構成し、上述のΔ１に関する条件式とピ
ント変化係数Ｋを記憶装置Ｍに予め記憶させておく。な
お、記憶方法は電気的手段以外に力ム等の機械的手段も
利用できる。次いで、その工程で使うフォトマスク６を
マスクステージ７にセットしてＸＹステージ２をｓ！ａ
し、フォトディテクタ１８を投影光路内に位置決めして
シャッタ１２を開放し、フォトマスク６を透過した焼付
光をフォトディテクタ１８で測光し、透過光量τ・已に
相当する信号を検出回路１８′からマイクロプロセッサ
２０′へ入力する。その後、シャッタ１２を閉鎖し、Ｘ
Ｙステージ２を移動してウェハ３を焼付位置にセットし
、再びシャッタ１２を開放してマスク６のパターンをウ
ェハ３に焼付ける。その際、第１回目の焼付時のピント
変化量ΔＬはｒｏＪであるから、エアーノズル１７から
のエアー噴射で測定される投影レンズ５とウェハ３との
距離は設計値に一致し、設計値になる様にピント調整機
構９を作動させてピント位置を設定する。
ラ２０の中枢を構成し、上述のΔ１に関する条件式とピ
ント変化係数Ｋを記憶装置Ｍに予め記憶させておく。な
お、記憶方法は電気的手段以外に力ム等の機械的手段も
利用できる。次いで、その工程で使うフォトマスク６を
マスクステージ７にセットしてＸＹステージ２をｓ！ａ
し、フォトディテクタ１８を投影光路内に位置決めして
シャッタ１２を開放し、フォトマスク６を透過した焼付
光をフォトディテクタ１８で測光し、透過光量τ・已に
相当する信号を検出回路１８′からマイクロプロセッサ
２０′へ入力する。その後、シャッタ１２を閉鎖し、Ｘ
Ｙステージ２を移動してウェハ３を焼付位置にセットし
、再びシャッタ１２を開放してマスク６のパターンをウ
ェハ３に焼付ける。その際、第１回目の焼付時のピント
変化量ΔＬはｒｏＪであるから、エアーノズル１７から
のエアー噴射で測定される投影レンズ５とウェハ３との
距離は設計値に一致し、設計値になる様にピント調整機
構９を作動させてピント位置を設定する。
ウェハ３の焼付が終了すると、ＸＹステージ２は移動し
、このウェハは別のウェハと交換され、再びＸＹステー
ジ２は移動して次の新しいウェハ３を焼付位置にセット
する。他方、シャッタ駆動制御回路１２′はシャッタ１
２の開放時間ｔｏと露光間隔時間ｔをマイクロプロセッ
サ２０′に入力する。マイクロプロセッサ２０′はシャ
ッタ開放と露光間隔が生じる度にそれぞれを別に積算し
、記憶装置Ｍへ露光履歴ｔ ｏ ／ ｔとして記憶する
。次のウェハ３の露光に先立ってマイクロプロセッサ２
０′はに、τ・ｌ：、ｔｏ／ｌに基づいた演算により６
文の値を算出する。このΔｌの値はピント調整制御回路
９′へ入力されて、ピント調整機構９は作動し、鏡筒４
を微小８勤してエアーマイクロメータ（不図示）の検出
する変化量が算出したピント変化量に等しくなるまで、
調整動作を継続する。従って、ウェハ３は、常時投影レ
ンズ５の最良結像位置に自動的に位置決めされることに
なる。なお、本例では機構の簡略化のために鏡筒４を勅
かしたが、ウェハ３あるいはフォトマスク６を光軸方向
へ移動する構造を採用しても良い。
、このウェハは別のウェハと交換され、再びＸＹステー
ジ２は移動して次の新しいウェハ３を焼付位置にセット
する。他方、シャッタ駆動制御回路１２′はシャッタ１
２の開放時間ｔｏと露光間隔時間ｔをマイクロプロセッ
サ２０′に入力する。マイクロプロセッサ２０′はシャ
ッタ開放と露光間隔が生じる度にそれぞれを別に積算し
、記憶装置Ｍへ露光履歴ｔ ｏ ／ ｔとして記憶する
。次のウェハ３の露光に先立ってマイクロプロセッサ２
０′はに、τ・ｌ：、ｔｏ／ｌに基づいた演算により６
文の値を算出する。このΔｌの値はピント調整制御回路
９′へ入力されて、ピント調整機構９は作動し、鏡筒４
を微小８勤してエアーマイクロメータ（不図示）の検出
する変化量が算出したピント変化量に等しくなるまで、
調整動作を継続する。従って、ウェハ３は、常時投影レ
ンズ５の最良結像位置に自動的に位置決めされることに
なる。なお、本例では機構の簡略化のために鏡筒４を勅
かしたが、ウェハ３あるいはフォトマスク６を光軸方向
へ移動する構造を採用しても良い。
以上゛の如く、本発明によれば、ＸＹステージ上に固設
したフォトディテクタにより、パターン投影光の強度を
検出することが可能であり、フォトディテクタの照明領
域への進入又は移動はＸＹステージにより行える為、特
殊なフォトディテクタ用の移動機構等も不要となる。従
って、簡便な構成でパターン投影光の光強度や光強度分
布を測定できる。
したフォトディテクタにより、パターン投影光の強度を
検出することが可能であり、フォトディテクタの照明領
域への進入又は移動はＸＹステージにより行える為、特
殊なフォトディテクタ用の移動機構等も不要となる。従
って、簡便な構成でパターン投影光の光強度や光強度分
布を測定できる。
又、回路パターンを具備するマスクを通過したパターン
投影光の光強度の測定ができる為、水銀ランプ等の光源
の劣化のみならずマスクの劣化にともなう焼付光の強度
（照度）変化もモニターできる。
投影光の光強度の測定ができる為、水銀ランプ等の光源
の劣化のみならずマスクの劣化にともなう焼付光の強度
（照度）変化もモニターできる。
第１図は本発明に係わる投影露光装置の一実施例を示す
図、第２図は第１図の装置の信号処理系を示す図である
。 ２・・・ＸＹステージ ３・・・ウェハ５・・・投
影レンズ ６・・・フォトマスク９・・・ピント
調整機構 １０・・・照明ユニット１７・・・エアーノ
ズル １８・・・フオ）・ディテクタ２０・・・コン
トローラ
図、第２図は第１図の装置の信号処理系を示す図である
。 ２・・・ＸＹステージ ３・・・ウェハ５・・・投
影レンズ ６・・・フォトマスク９・・・ピント
調整機構 １０・・・照明ユニット１７・・・エアーノ
ズル １８・・・フオ）・ディテクタ２０・・・コン
トローラ
Claims (1)
- マスクの回路パターンをウェハ上に投影する投影光学系
と、上記ウェハを載置するステージと、上記ステージの
所定位置に固設した光検出器とを具え、前記ステージを
移動させて前記光検出器を前記投影光学系の照明領域に
進入させ、前記マスクを透過したパターン投影光を前記
光検出器で測光することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271669A JPS63132427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271669A JPS63132427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57062874A Division JPS58179834A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 投影露光装置及び方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206622A Division JPH03123015A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体製造方法及び露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132427A true JPS63132427A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0447807B2 JPH0447807B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17503231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62271669A Granted JPS63132427A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141760A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Ushio Inc | フィルム露光装置 |
| JPH05312643A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-22 | Orc Mfg Co Ltd | 光量計 |
| CN114096918A (zh) * | 2019-07-11 | 2022-02-25 | 维斯泰克公司 | 光刻系统中的实时配准 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126071A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Mask pattern printing method and the equipment |
| JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62271669A patent/JPS63132427A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126071A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Mask pattern printing method and the equipment |
| JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141760A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Ushio Inc | フィルム露光装置 |
| JPH05312643A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-22 | Orc Mfg Co Ltd | 光量計 |
| CN114096918A (zh) * | 2019-07-11 | 2022-02-25 | 维斯泰克公司 | 光刻系统中的实时配准 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447807B2 (ja) | 1992-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6316725B2 (ja) | ||
| KR101267144B1 (ko) | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 | |
| KR100300621B1 (ko) | 노광장치,노광방법,노광제어장치,노광제어방법,레이저장치,및디바이스제조방법 | |
| KR20010020502A (ko) | 투영 노광 장치, 그 장치의 제조 방법, 그 장치를 이용한노광방법 및 그 장치를 사용한 회로 장치의 제조 방법 | |
| KR20010030561A (ko) | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법, 광 세정 방법 및 반도체디바이스의 제조 방법 | |
| JPH06204113A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPS63132427A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001052986A (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JPH04116414A (ja) | 自動焦点合せ装置 | |
| JPH08227844A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2662236B2 (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| JPH0512849B2 (ja) | ||
| JPH0225016A (ja) | 露光装置 | |
| JP2002025880A (ja) | 投影露光装置、投影露光方法、光洗浄方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| KR20030074264A (ko) | 광원 유닛, 조명 장치, 노광 장치 및 노광 방법 | |
| JP3378076B2 (ja) | 露光装置と露光方法 | |
| JPS56132326A (en) | Exposure method and exposure device | |
| JPH0427681B2 (ja) | ||
| JPH06349712A (ja) | 投影露光装置 | |
| KR200152654Y1 (ko) | 조도측정장치 | |
| JPH03112121A (ja) | 露光システム | |
| JPH05315217A (ja) | 半導体フォトプロセス用露光装置 | |
| JPH055981A (ja) | フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法 | |
| US7595862B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
| JP2009302399A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 |