JPS6327015A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS6327015A JPS6327015A JP61170240A JP17024086A JPS6327015A JP S6327015 A JPS6327015 A JP S6327015A JP 61170240 A JP61170240 A JP 61170240A JP 17024086 A JP17024086 A JP 17024086A JP S6327015 A JPS6327015 A JP S6327015A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置、特に半導体集積回路のパタ
ーンを半導体基板上に形成するための露光用ランプを使
用した縮小投影露光装置に関する。
ーンを半導体基板上に形成するための露光用ランプを使
用した縮小投影露光装置に関する。
ホトレジストを被覆した半導体基板と露光マスクとの位
置合わせを行って露光を施す縮小投影露光装置において
は、半導体基板上の露光エリア内の照度の均一性が要求
される。この照度の均一性は光源である水銀ランプの光
軸と密接な関係を有している。そこで均一性が最良とな
るように光軸を調整する必要があり、従来水銀ランプ保
持機構に設けられたＸ、 Ｙ、 Ｚの各軸方向の手動調
整ねじ、および各動用目視モニタを使用して入手によっ
て調整を行なっている。
置合わせを行って露光を施す縮小投影露光装置において
は、半導体基板上の露光エリア内の照度の均一性が要求
される。この照度の均一性は光源である水銀ランプの光
軸と密接な関係を有している。そこで均一性が最良とな
るように光軸を調整する必要があり、従来水銀ランプ保
持機構に設けられたＸ、 Ｙ、 Ｚの各軸方向の手動調
整ねじ、および各動用目視モニタを使用して入手によっ
て調整を行なっている。
また、上述した縮小投影露光装置に使用する露光用ラン
プは寿命数百時間という消耗品であり、一定期間ごとに
交換が必要である。さらに露光用ランプの電極は使用に
つれて消耗するために使用中に光軸がずれる現象が起こ
る。これらの時は照度の均一性を達成するために光軸を
調整するので、調整は度々行っている。
プは寿命数百時間という消耗品であり、一定期間ごとに
交換が必要である。さらに露光用ランプの電極は使用に
つれて消耗するために使用中に光軸がずれる現象が起こ
る。これらの時は照度の均一性を達成するために光軸を
調整するので、調整は度々行っている。
しかしながら、この調整は前述のとと（Ｘ、Ｙ。
Ｚ軸方向の目視モニタおよび手動調整用ねじを用いて人
手によって行なはねばならず、調整に時間がかかり、さ
らに人為的要因による誤差が含まれ、その上露光用ラン
プの形状上のバラツキのため作業時間が一定しないと云
う問題点があり、ひいては縮小投影露光装置の稼動率の
低下につながると云う問題点を有している。
手によって行なはねばならず、調整に時間がかかり、さ
らに人為的要因による誤差が含まれ、その上露光用ラン
プの形状上のバラツキのため作業時間が一定しないと云
う問題点があり、ひいては縮小投影露光装置の稼動率の
低下につながると云う問題点を有している。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、露光用ランプの
位置設定を自動化することにより、人手による調整を排
除し、良質の露光の得られる縮小投影露光装置を得るこ
とにある。
位置設定を自動化することにより、人手による調整を排
除し、良質の露光の得られる縮小投影露光装置を得るこ
とにある。
本発明はホトレジストを被覆した半導体基板と露光マス
クとの位置合せを行なって露光を施す縮小投影露光装置
において、露光エリアをＸおよびＹ軸方向に等間隔に設
定した複数の測定点のそれぞれの照度を測定する測定手
段と、 Ｘ、 ＹおよびＺ軸方向への移動量の指示に従
って露光用ランプを移動するランプ移動手段と、予めラ
ンプモニタ等により設定された露光ランプ位置から複数
のＸ。
クとの位置合せを行なって露光を施す縮小投影露光装置
において、露光エリアをＸおよびＹ軸方向に等間隔に設
定した複数の測定点のそれぞれの照度を測定する測定手
段と、 Ｘ、 ＹおよびＺ軸方向への移動量の指示に従
って露光用ランプを移動するランプ移動手段と、予めラ
ンプモニタ等により設定された露光ランプ位置から複数
のＸ。
ＹおよびＺ軸方向への移動量を設定して、それぞれの地
元用ランプの位置において前記測定手段から得られる露
光エリアの照度の平均値を求め、この平均値が設定した
Ｘ、 ＹおよびＺ軸方向への移動量の何れの場合に最大
になるかを検出する第１の検出手段と、この第１の検出
手段から得られた露光用ランプの位置からの複数のＸ、
ＹおよびＺ軸方向への移動量を設定して、それぞれの
露光用ランプの位置において前記測定手段から得られる
露光エリア内の照度の最大値−最小値／最犬値十最小値
の絶対値、即ち照度むらが設定したＸ、 ＹおよびＺ軸
方向への移動量の何れの場合に最小になるかを検出する
第２の検出手段とを有して構成される。
元用ランプの位置において前記測定手段から得られる露
光エリアの照度の平均値を求め、この平均値が設定した
Ｘ、 ＹおよびＺ軸方向への移動量の何れの場合に最大
になるかを検出する第１の検出手段と、この第１の検出
手段から得られた露光用ランプの位置からの複数のＸ、
ＹおよびＺ軸方向への移動量を設定して、それぞれの
露光用ランプの位置において前記測定手段から得られる
露光エリア内の照度の最大値−最小値／最犬値十最小値
の絶対値、即ち照度むらが設定したＸ、 ＹおよびＺ軸
方向への移動量の何れの場合に最小になるかを検出する
第２の検出手段とを有して構成される。
以上の構成において、露光用ランプの第１段階の位置調
整はランプモニタにより手動によシ行なはれるが、第２
段階および第３段階は自動的に行なわれ、第２段階では
限定された範囲で光量が最大になる露光用ランプ位置を
求め、第３段階では更に限定された範囲で細かい移動量
ごとに照度むらを対象に露光用ランプ位置を選定するこ
とができる。
整はランプモニタにより手動によシ行なはれるが、第２
段階および第３段階は自動的に行なわれ、第２段階では
限定された範囲で光量が最大になる露光用ランプ位置を
求め、第３段階では更に限定された範囲で細かい移動量
ごとに照度むらを対象に露光用ランプ位置を選定するこ
とができる。
次に本発明の実拍例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図で、露光用ランプ１
と、露光用ランプ１を保持し、このランプ１をＸ、 Ｙ
およびＺ軸方向に移動するランプ移動機構２と、露光用
ランプ１の光束を集束する楕円ミラー３と、この集束光
から露光用単色光を反射するダイクロイックミラー４お
よび６と、露光光学系５および７と、Ｘおよび７軸方向
に駆動できるウェハＸＹステージ８と、ランプ移動機構
２にＸ、 ＹおよびＺ軸方向への移動指示を、ウェハＸ
Ｙステージ８にＸおよびＹ軸方向への移動指示を与え、
ウニへＸＹステージ８に設けられた照度センサ８１から
照度値を受は後述の演算制御を行なう制御装置９と、露
光用ランプ１の位置を概略設定するために露光用ランプ
ｌのマーク像を観察するランプモニタ１０とを有して構
成されている。
と、露光用ランプ１を保持し、このランプ１をＸ、 Ｙ
およびＺ軸方向に移動するランプ移動機構２と、露光用
ランプ１の光束を集束する楕円ミラー３と、この集束光
から露光用単色光を反射するダイクロイックミラー４お
よび６と、露光光学系５および７と、Ｘおよび７軸方向
に駆動できるウェハＸＹステージ８と、ランプ移動機構
２にＸ、 ＹおよびＺ軸方向への移動指示を、ウェハＸ
Ｙステージ８にＸおよびＹ軸方向への移動指示を与え、
ウニへＸＹステージ８に設けられた照度センサ８１から
照度値を受は後述の演算制御を行なう制御装置９と、露
光用ランプ１の位置を概略設定するために露光用ランプ
ｌのマーク像を観察するランプモニタ１０とを有して構
成されている。
なおウェハＸＹステージ８にはウェハを装着するだめの
ウェハチャック８２が設けられている。
ウェハチャック８２が設けられている。
第２図は第１図のウェハＸＹステージ８の面上の露光エ
リアの拡大平面図で、露光光学系７によるマスクパター
ンの結像面である露光エリア２００を照度センサ８１が
、ウェハＸＹステージ８の移動によって、順次ａ１から
ａ４５の区画の照度を測定する経路を示している。
リアの拡大平面図で、露光光学系７によるマスクパター
ンの結像面である露光エリア２００を照度センサ８１が
、ウェハＸＹステージ８の移動によって、順次ａ１から
ａ４５の区画の照度を測定する経路を示している。
次に第１図の露光用ランプの位置設定の動作について説
明を進めると、ランプ移動機構２に装着された露光用ラ
ンプ１は、先ずランプモニタ１０ならびにランプ移動機
構に付設の調整つまみ２１゜２２．２３を用いて人手に
より概略の位置設定が行なわれる。次いで制御装置９は
予め設定されている移動量に従ってランプ移動機構２を
駆動するごとに、照度センサ８１からの４５区画の照度
値を収集する。この移動量は例えばＸ、 ＹおよびＺ軸
方向にそれぞれ十−を含めて４つ設定されてて、照度値
の収集は原点を含めて１２５回行なわれる。
明を進めると、ランプ移動機構２に装着された露光用ラ
ンプ１は、先ずランプモニタ１０ならびにランプ移動機
構に付設の調整つまみ２１゜２２．２３を用いて人手に
より概略の位置設定が行なわれる。次いで制御装置９は
予め設定されている移動量に従ってランプ移動機構２を
駆動するごとに、照度センサ８１からの４５区画の照度
値を収集する。この移動量は例えばＸ、 ＹおよびＺ軸
方向にそれぞれ十−を含めて４つ設定されてて、照度値
の収集は原点を含めて１２５回行なわれる。
この収集が終ると制御装置９は１２５回の収集照度値の
それぞれの平均値を算定し、最大値が得られた移動量の
位置にランプ移動機構２を駆動する。
それぞれの平均値を算定し、最大値が得られた移動量の
位置にランプ移動機構２を駆動する。
次いで制御装置９は別に予め設定されている移動量に従
ってランプ移動機構２を超動するごとに、前回と同様に
照度センサ８１かもの４５区画の照度値を収集する。こ
の移動量についてもＸＹおよびＺ軸方向にそれぞれ十−
を含めて４つ設定されていて、１２５回の照度値の収集
が行なわれる。
ってランプ移動機構２を超動するごとに、前回と同様に
照度センサ８１かもの４５区画の照度値を収集する。こ
の移動量についてもＸＹおよびＺ軸方向にそれぞれ十−
を含めて４つ設定されていて、１２５回の照度値の収集
が行なわれる。
この収集が終ると制御装置９は１２５回の収集照度値の
それぞれの照度むらを、４５区画中の照度値の最大−最
小／最犬＋最小によって計算し、最も照度むらの小さい
値が得られた移動量の位置にランプ移動機構２を駆動す
る。以上により露光用ランプ１の設定が完了する。
それぞれの照度むらを、４５区画中の照度値の最大−最
小／最犬＋最小によって計算し、最も照度むらの小さい
値が得られた移動量の位置にランプ移動機構２を駆動す
る。以上により露光用ランプ１の設定が完了する。
なお、以上の動作における照度むらの最小位置検出時の
移動量は、平均照度の最大位置検出時の移動量に較べて
小刻みに行なわれる。またそれぞれの移動量を４つとし
たが、２つまたは６つとしてもよく、またＸ、 Ｙ軸方
向の一回の移動量は同じとし、Ｚ軸方向はそれらより大
きくしてもよい。
移動量は、平均照度の最大位置検出時の移動量に較べて
小刻みに行なわれる。またそれぞれの移動量を４つとし
たが、２つまたは６つとしてもよく、またＸ、 Ｙ軸方
向の一回の移動量は同じとし、Ｚ軸方向はそれらより大
きくしてもよい。
また露光エリアを実施例では４５区画に分けて照度測定
を行なうものとしたが、更に区画を細かくして測定点を
増しても一向に拘わない。
を行なうものとしたが、更に区画を細かくして測定点を
増しても一向に拘わない。
以上詳細に説明したように、本発明は露光用ランプの位
置を、露光エリアにおける照度が最大で、さらに照度む
らが最小となるように自動的に追込むことができ、人手
による次作業を省くことができ、また設定時間も略一定
で人為的な誤差も排除できて露光照度の信頼性が向上さ
れると云う効果がある。
置を、露光エリアにおける照度が最大で、さらに照度む
らが最小となるように自動的に追込むことができ、人手
による次作業を省くことができ、また設定時間も略一定
で人為的な誤差も排除できて露光照度の信頼性が向上さ
れると云う効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は露光
エリアの拡大平面図である。 １・・・・・・露光用ランプ、２・・・・・・ランプ移
動機構、３・・・・・・楕円ミラー、４，６・・・・・
・ダイクロイックミラー、５，７・・・・・・露光光学
系、８・・・・・・ウェハＸＹステージ、９・・・・・
・制御装置、１０・・・・・・ランプモニタ、２１，２
２．２３・・・・・・調整つまみ、８１・・・・・・照
度センサ、８２・・・・・・ウェハチャック、２００・
・・・・・露光エリア。 代理人 弁理士 内 原 品 茅 ／ 面 ＪＦ ２ 面
エリアの拡大平面図である。 １・・・・・・露光用ランプ、２・・・・・・ランプ移
動機構、３・・・・・・楕円ミラー、４，６・・・・・
・ダイクロイックミラー、５，７・・・・・・露光光学
系、８・・・・・・ウェハＸＹステージ、９・・・・・
・制御装置、１０・・・・・・ランプモニタ、２１，２
２．２３・・・・・・調整つまみ、８１・・・・・・照
度センサ、８２・・・・・・ウェハチャック、２００・
・・・・・露光エリア。 代理人 弁理士 内 原 品 茅 ／ 面 ＪＦ ２ 面
Claims (1)
- ホトレジストを被覆した半導体基板と露光マスクとの
位置合せを行なって露光を施す縮小投影露光装置におい
て、露光エリアをＸおよびＹ軸方向に等間隔に設定した
複数の測定点のそれぞれの照度を測定する測定手段と、
Ｘ、ＹおよびＺ軸方向への移動量の指示に従って露光用
ランプを移動するランプ移動手段と、予め設定された露
光用ランプの位置から複数のＸ、ＹおよびＺ軸方向への
移動量を設定してそれぞれの露光用ランプの位置におい
て前記測定手段から得られる露光エリアの照度の平均値
が最大となるＸ、ＹおよびＺ軸方向への移動量を検出す
る第１の検出手段と、この第１の検出手段から得られた
露光用ランプの位置から複数のＸ、ＹおよびＺ軸方向へ
の移動量を設定してそれぞれの露光用ランプの位置にお
いて前記測定手段から得られる露光エリアの照度の最大
値−最小値／最大値＋最小値の絶対値が最小となるＸ、
ＹおよびＺ軸方向への移動量を検出する第２の検出手段
とを有することを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170240A JPS6327015A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170240A JPS6327015A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327015A true JPS6327015A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15901266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61170240A Pending JPS6327015A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327015A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192995A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 露光装置 |
| JP2002217093A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JP2004533649A (ja) * | 2001-06-21 | 2004-11-04 | カール ツァイス | ランプハウジング |
| JP2011242563A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のランプ位置調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283629A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Canon Inc | 露光装置 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61170240A patent/JPS6327015A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283629A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192995A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 露光装置 |
| JP2002217093A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JP2004533649A (ja) * | 2001-06-21 | 2004-11-04 | カール ツァイス | ランプハウジング |
| JP2011242563A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のランプ位置調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
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