JPH1126365A - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
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- JPH1126365A JPH1126365A JP9192034A JP19203497A JPH1126365A JP H1126365 A JPH1126365 A JP H1126365A JP 9192034 A JP9192034 A JP 9192034A JP 19203497 A JP19203497 A JP 19203497A JP H1126365 A JPH1126365 A JP H1126365A
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- stage
- substrate
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を移動し位置決めして露光した際にもフ
ォーカスずれや傾きずれの調整精度を悪化させることな
く、位置決め時間を短縮することによって生産性を向上
させる。 【解決手段】 投影光学系の光軸方向および光軸に垂直
な方向に移動可能なステージに搭載された基板を該光軸
に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露光対象領
域を該投影光学系の所定の露光位置に順次移動および位
置決めするとともに、露光対象領域ごとに基板表面の前
記投影光学系の光軸方向における位置を計測し、該計測
値に基づいて該基板表面を前記光軸方向に移動および位
置決めした後、該基板表面を露光する際、前記計測の開
始タイミングを、前記露光すべき露光対象領域の基板内
での位置に応じて独立に設定する。
ォーカスずれや傾きずれの調整精度を悪化させることな
く、位置決め時間を短縮することによって生産性を向上
させる。 【解決手段】 投影光学系の光軸方向および光軸に垂直
な方向に移動可能なステージに搭載された基板を該光軸
に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露光対象領
域を該投影光学系の所定の露光位置に順次移動および位
置決めするとともに、露光対象領域ごとに基板表面の前
記投影光学系の光軸方向における位置を計測し、該計測
値に基づいて該基板表面を前記光軸方向に移動および位
置決めした後、該基板表面を露光する際、前記計測の開
始タイミングを、前記露光すべき露光対象領域の基板内
での位置に応じて独立に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光方法およ
び装置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の素子
製造用のマスク基板、または半導体ウエハ等の基板の投
影光学系結像面とのフォーカスずれや傾きずれの計測を
行ない、調整する投影露光方法および装置に関するもの
である。
び装置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の素子
製造用のマスク基板、または半導体ウエハ等の基板の投
影光学系結像面とのフォーカスずれや傾きずれの計測を
行ない、調整する投影露光方法および装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の装置は、ウエハの表面を投
影光学系の結像面に合致させるために、フォーカス傾き
センサによってウエハのフォーカスずれや傾きずれの計
測をし、フォーカスずれや傾きずれを調整できるステー
ジで位置合わせを行なっていた。その際フォーカスずれ
や傾きずれを計測する開始時期は、ＸＹステージが投影
光学系の光軸に垂直な方向に駆動し位置決めを開始して
から、ある一定時間後に行なっており、そのタイミング
はウエハ平面内全ての位置で同一であった。
影光学系の結像面に合致させるために、フォーカス傾き
センサによってウエハのフォーカスずれや傾きずれの計
測をし、フォーカスずれや傾きずれを調整できるステー
ジで位置合わせを行なっていた。その際フォーカスずれ
や傾きずれを計測する開始時期は、ＸＹステージが投影
光学系の光軸に垂直な方向に駆動し位置決めを開始して
から、ある一定時間後に行なっており、そのタイミング
はウエハ平面内全ての位置で同一であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来の技術
においては、フォーカスずれや傾きずれを計測する開始
時期がウエハ平面内全ての位置で同一タイミングであっ
たため、フォーカスずれや傾きずれの調整精度と位置決
め時間とに問題があった。位置決め時間を短縮するため
に計測開始時期を早めると、ステージのフォーカス方向
の振動が整定する前に計測することになり、正確なフォ
ーカスずれや傾きずれの計測が出来ず調整精度を悪化さ
せてしまう。逆に、調整精度を上げるためにステージの
振動がおさまるまで計測開始時期を遅らすと、位置決め
時間が長くなってしまう。ステージの振動はウエハ平面
内の位置によって異なることから、ウエハ平面内の位置
によって最適な計測タイミングがあるのに対し、従来は
同一タイミングであるため、上記のようなフォーカスず
れや傾きずれの計測精度が悪化したり、位置決め時間が
長くなるという問題が生じていた。
においては、フォーカスずれや傾きずれを計測する開始
時期がウエハ平面内全ての位置で同一タイミングであっ
たため、フォーカスずれや傾きずれの調整精度と位置決
め時間とに問題があった。位置決め時間を短縮するため
に計測開始時期を早めると、ステージのフォーカス方向
の振動が整定する前に計測することになり、正確なフォ
ーカスずれや傾きずれの計測が出来ず調整精度を悪化さ
せてしまう。逆に、調整精度を上げるためにステージの
振動がおさまるまで計測開始時期を遅らすと、位置決め
時間が長くなってしまう。ステージの振動はウエハ平面
内の位置によって異なることから、ウエハ平面内の位置
によって最適な計測タイミングがあるのに対し、従来は
同一タイミングであるため、上記のようなフォーカスず
れや傾きずれの計測精度が悪化したり、位置決め時間が
長くなるという問題が生じていた。
【０００４】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、ウエハ表面のフォーカスずれや傾きず
れの調整精度を悪化させることなく、位置決め時間を短
縮することによって生産性を向上させることを目的とす
る。
なされたもので、ウエハ表面のフォーカスずれや傾きず
れの調整精度を悪化させることなく、位置決め時間を短
縮することによって生産性を向上させることを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の投影露光方法は、投影光学系の光軸方向お
よび光軸に垂直な方向に移動可能なステージに搭載され
た基板を該光軸に垂直な方向に移動して該基板上の複数
個の露光対象領域を所定の露光位置に順次移動および位
置決めするとともに、露光対象領域ごとにその基板表面
の前記投影光学系の光軸方向における位置を計測し、該
計測値に基づいて該基板表面を前記光軸方向に移動およ
び位置決めした後、該基板表面を露光する投影露光方法
において、前記計測の開始タイミングを、前記露光すべ
き露光対象領域の前記基板内での位置に応じて独立に設
定することを特徴とする。
めに本発明の投影露光方法は、投影光学系の光軸方向お
よび光軸に垂直な方向に移動可能なステージに搭載され
た基板を該光軸に垂直な方向に移動して該基板上の複数
個の露光対象領域を所定の露光位置に順次移動および位
置決めするとともに、露光対象領域ごとにその基板表面
の前記投影光学系の光軸方向における位置を計測し、該
計測値に基づいて該基板表面を前記光軸方向に移動およ
び位置決めした後、該基板表面を露光する投影露光方法
において、前記計測の開始タイミングを、前記露光すべ
き露光対象領域の前記基板内での位置に応じて独立に設
定することを特徴とする。
【０００６】また、本発明の投影露光装置は、原版に形
成されたパターンをステージ上基板に投影する投影光学
系と、ステージ上基板を保持して投影光学系の光軸方
向、および光軸に垂直な方向に移動可能なステージと、
所定の位置とステージ上基板表面の相対位置を計測でき
る計測手段を備えた投影露光装置において、投影光学系
の光軸に垂直な任意の方向に所定の量前記ステージを使
って移動および位置決め動作を行ない、さらに所定の位
置にステージ上基板表面の位置を合致させるために光軸
方向に移動および位置決めを行なう際に、前記計測手段
を使って所定の位置とステージ上基板表面の相対位置を
計測する開始時期を事前に用意した設定を使って任意に
変えることを可能にする制御手段を備えることとしてい
る。
成されたパターンをステージ上基板に投影する投影光学
系と、ステージ上基板を保持して投影光学系の光軸方
向、および光軸に垂直な方向に移動可能なステージと、
所定の位置とステージ上基板表面の相対位置を計測でき
る計測手段を備えた投影露光装置において、投影光学系
の光軸に垂直な任意の方向に所定の量前記ステージを使
って移動および位置決め動作を行ない、さらに所定の位
置にステージ上基板表面の位置を合致させるために光軸
方向に移動および位置決めを行なう際に、前記計測手段
を使って所定の位置とステージ上基板表面の相対位置を
計測する開始時期を事前に用意した設定を使って任意に
変えることを可能にする制御手段を備えることとしてい
る。
【０００７】
【作用】本発明においては、ステージ上基板表面のフォ
ーカスずれや傾きずれを計測する開始時期を、ステージ
上基板上の位置等に応じて任意に変えることが可能とな
り、このため、ステージ上基板上の位置に応じた最適な
タイミングでフォーカスずれや傾きずれの計測を開始す
ることが可能となり、フォーカスずれや傾きずれの計測
精度を悪化させず、基板表面を投影光学系の結像面に精
度良く合致させ、かつ位置決め時間を短縮させることが
出来る。
ーカスずれや傾きずれを計測する開始時期を、ステージ
上基板上の位置等に応じて任意に変えることが可能とな
り、このため、ステージ上基板上の位置に応じた最適な
タイミングでフォーカスずれや傾きずれの計測を開始す
ることが可能となり、フォーカスずれや傾きずれの計測
精度を悪化させず、基板表面を投影光学系の結像面に精
度良く合致させ、かつ位置決め時間を短縮させることが
出来る。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の実施例による制御手段が適用
されるステップアンドリピート方式の投影露光装置の構
成を示す。同図において、回路パターンを有するレチク
ル１は、均一な照度の照明光ＩＬによって照明される。
レチクル１のパターンは投影レンズ２によって半導体デ
バイス作成用のウエハ３に結像投影される。ウエハ３は
Ｚ駆動およびレベリング駆動を行なうＺステージ８上に
載置され、駆動系９、１０、１１によって駆動される。
これらＺステージ８と駆動系９、１０、１１は水平面内
で２次元的に平行移動するＸＹステージ１２の上に設け
られており、ＸＹステージ１２はモータ等を含むＸＹス
テージ駆動部２０によって駆動され、その座標位置はス
テージ干渉計２１により逐次計測される。また上記Ｚス
テージ８は駆動系９、１０、１１をそれぞれ独立に上下
動（投影レンズ２の光軸方向ヘ動作）させることによ
り、フォーカスずれや傾きずれの調整を行なう。この駆
動系９、１０、１１はＺステージ駆動部２２からの駆動
量指令に応答して上下動する。
されるステップアンドリピート方式の投影露光装置の構
成を示す。同図において、回路パターンを有するレチク
ル１は、均一な照度の照明光ＩＬによって照明される。
レチクル１のパターンは投影レンズ２によって半導体デ
バイス作成用のウエハ３に結像投影される。ウエハ３は
Ｚ駆動およびレベリング駆動を行なうＺステージ８上に
載置され、駆動系９、１０、１１によって駆動される。
これらＺステージ８と駆動系９、１０、１１は水平面内
で２次元的に平行移動するＸＹステージ１２の上に設け
られており、ＸＹステージ１２はモータ等を含むＸＹス
テージ駆動部２０によって駆動され、その座標位置はス
テージ干渉計２１により逐次計測される。また上記Ｚス
テージ８は駆動系９、１０、１１をそれぞれ独立に上下
動（投影レンズ２の光軸方向ヘ動作）させることによ
り、フォーカスずれや傾きずれの調整を行なう。この駆
動系９、１０、１１はＺステージ駆動部２２からの駆動
量指令に応答して上下動する。
【０００９】制御部２３はステージ干渉計２１からの計
測座標値に基づいて、ＸＹステージ駆動部２０へ所定の
駆動指令を出力するとともに、ＸＹ座標系の任意の位置
にＸＹステージ１２ (すなわちウエハ３) を位置決めす
る。
測座標値に基づいて、ＸＹステージ駆動部２０へ所定の
駆動指令を出力するとともに、ＸＹ座標系の任意の位置
にＸＹステージ１２ (すなわちウエハ３) を位置決めす
る。
【００１０】さて、投影レンズ２の結像面と、ウエハ３
の局所的なショット領域表面とを合致させるために、斜
入射光式フォーカス傾きセンサが設けられている。この
センサは主に光源４、投影対物レンズ５、ウエハ３表面
からの反射光を入射する受光対物レンズ６、および受光
部（ＣＣＤ）７から構成される。これらの斜入射光式フ
ォーカス傾きセンサの計測値から制御部２３はウエハ３
の局所的なショット領域表面のフォーカスずれや傾きず
れを算出し、Ｚステージ駆動部２２へ所定の指令を出力
する。
の局所的なショット領域表面とを合致させるために、斜
入射光式フォーカス傾きセンサが設けられている。この
センサは主に光源４、投影対物レンズ５、ウエハ３表面
からの反射光を入射する受光対物レンズ６、および受光
部（ＣＣＤ）７から構成される。これらの斜入射光式フ
ォーカス傾きセンサの計測値から制御部２３はウエハ３
の局所的なショット領域表面のフォーカスずれや傾きず
れを算出し、Ｚステージ駆動部２２へ所定の指令を出力
する。
【００１１】ウエハ３上のあるショット領域から別のシ
ョット領域へＸＹＺ座標の位置決めを行なう際、ＸＹス
テージ１２ (すなわちウエハ３) を駆動するが、前記斜
入射光式フォーカス傾きセンサによるウエハ３のフォー
カスずれ・傾きずれ計測は、ＸＹステージ駆動開始後時
間ｔを置いてから開始する。その後計測値に基づきΖス
テージ８の駆動を行なってフォーカスずれや傾きずれを
補正し、位置決めが完了する。
ョット領域へＸＹＺ座標の位置決めを行なう際、ＸＹス
テージ１２ (すなわちウエハ３) を駆動するが、前記斜
入射光式フォーカス傾きセンサによるウエハ３のフォー
カスずれ・傾きずれ計測は、ＸＹステージ駆動開始後時
間ｔを置いてから開始する。その後計測値に基づきΖス
テージ８の駆動を行なってフォーカスずれや傾きずれを
補正し、位置決めが完了する。
【００１２】図２はウエハ領域内を６４ショットに分割
したときのショットレイアウト例を示したものである。
図３は、図２のようなショットレイアウトのとき、上記
時間ｔを全ショットある値ｔｌ［ｓｅｃ］に設定した場
合の、フォーカスずれ傾きずれ補正後のウエハの各ショ
ット領域表面の目標位置 (投影レンズの結像面) からの
ずれを例示したものである。ただし、図２のＸ座標が同
一なショットの目標位置からのずれを示している。また
図４は時間ｔを全ショットある値ｔｓ［ｓｅｃ］（＜ｔ
ｌ）に設定した場合の目標位置からのずれを例示したも
のである。図３はウエハ全領域で目標位置からのずれが
許容範囲α内に入っている場合の例で、図４はウエハ領
域内のａ区間、ｃ区間で許容範囲αを外れている場合の
例である。つまり位置決め時間短縮のために時間ｔを全
ショットｔｓ［ｓｅｃ］にすると、フォーカスずれや傾
きずれの調整精度が悪化してしまう。従来の技術におい
ては、ｔはウエハ平面内全ての位置で同一にしか設定出
来なかったため、全ショットとも許容値を満たすｔｌ
［ｓｅｃ］を選択せざるを得なかった。
したときのショットレイアウト例を示したものである。
図３は、図２のようなショットレイアウトのとき、上記
時間ｔを全ショットある値ｔｌ［ｓｅｃ］に設定した場
合の、フォーカスずれ傾きずれ補正後のウエハの各ショ
ット領域表面の目標位置 (投影レンズの結像面) からの
ずれを例示したものである。ただし、図２のＸ座標が同
一なショットの目標位置からのずれを示している。また
図４は時間ｔを全ショットある値ｔｓ［ｓｅｃ］（＜ｔ
ｌ）に設定した場合の目標位置からのずれを例示したも
のである。図３はウエハ全領域で目標位置からのずれが
許容範囲α内に入っている場合の例で、図４はウエハ領
域内のａ区間、ｃ区間で許容範囲αを外れている場合の
例である。つまり位置決め時間短縮のために時間ｔを全
ショットｔｓ［ｓｅｃ］にすると、フォーカスずれや傾
きずれの調整精度が悪化してしまう。従来の技術におい
ては、ｔはウエハ平面内全ての位置で同一にしか設定出
来なかったため、全ショットとも許容値を満たすｔｌ
［ｓｅｃ］を選択せざるを得なかった。
【００１３】それに対し本実施例では、精度の良い (許
容範囲α内である) ｂ区間３２ショットではｔをｔｓ
［ｓｅｃ］に設定し、精度の悪化してしまうａ区間、ｃ
区間の３２ショットではｔをｔｌ［ｓｅｃ］に設定す
る。これにより位置決め時間は、全ショットともｔｌ
［ｓｅｃ］にする場合に比べて、ウエハ１枚当たりで
容範囲α内である) ｂ区間３２ショットではｔをｔｓ
［ｓｅｃ］に設定し、精度の悪化してしまうａ区間、ｃ
区間の３２ショットではｔをｔｌ［ｓｅｃ］に設定す
る。これにより位置決め時間は、全ショットともｔｌ
［ｓｅｃ］にする場合に比べて、ウエハ１枚当たりで
【００１４】
【数１】 短縮される。図６にその概略を示した。また図５がその
ときの目標位置からのずれであるが、ａ，ｂ，ｃいずれ
の区間も許容範囲α内に入る。
ときの目標位置からのずれであるが、ａ，ｂ，ｃいずれ
の区間も許容範囲α内に入る。
【００１５】上記実施例では、図３および図４における
ウエハ表面の目標位置からのずれがいずれも直線である
場合の例で示したが、曲線である場合にも許容範囲αを
基準として同様に適用すればよい。
ウエハ表面の目標位置からのずれがいずれも直線である
場合の例で示したが、曲線である場合にも許容範囲αを
基準として同様に適用すればよい。
【００１６】また、ウエハ上の領域の分け方について
は、上記実施例ではウエハ領域をａ，ｂ，ｃの３区間に
分けたが、図２ような座標系に限らず、ウエハ平面内に
おける任意の平面座標系を用い、２つ以上の領域に分け
ることを可能とする。そして、各領域に対して、任意の
ｔを設定することを可能とする。
は、上記実施例ではウエハ領域をａ，ｂ，ｃの３区間に
分けたが、図２ような座標系に限らず、ウエハ平面内に
おける任意の平面座標系を用い、２つ以上の領域に分け
ることを可能とする。そして、各領域に対して、任意の
ｔを設定することを可能とする。
【００１７】さらに上述においては、半導体ウエハ等の
被露光基板をステップ移動しながら、被露光基板上の各
ショットでフォーカスずれおよび傾きずれを計測補正し
露光する場合について説明したが、本発明はマスク等の
原版を投影光学系光軸方向と垂直方向に移動および位置
決めし、光軸方向に位置決めおよび傾き補正する場合に
も適用可能である。特に原版上に複数の露光パターンが
描かれており、各露光パターンを投影光学系の光軸方向
と垂直な方向に移動し位置決めするとともに、光軸方向
にも位置決めする場合に好適である。
被露光基板をステップ移動しながら、被露光基板上の各
ショットでフォーカスずれおよび傾きずれを計測補正し
露光する場合について説明したが、本発明はマスク等の
原版を投影光学系光軸方向と垂直方向に移動および位置
決めし、光軸方向に位置決めおよび傾き補正する場合に
も適用可能である。特に原版上に複数の露光パターンが
描かれており、各露光パターンを投影光学系の光軸方向
と垂直な方向に移動し位置決めするとともに、光軸方向
にも位置決めする場合に好適である。
【００１８】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した投影露
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
光装置または方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００１９】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
【００２０】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ステージ
上基板表面のフォーカスずれや傾きずれを計測する開始
時期を、ステージ上基板上の位置等に応じて任意に変え
ることを可能にしたため、ステージ上基板上の位置に応
じた最適なタイミングでフォーカスずれや傾きずれの計
測を開始することが可能となり、フォーカスずれや傾き
ずれの計測精度を悪化させず、基板表面を投影光学系の
結像面に精度良く合致させ、かつ生産性を向上させるこ
とが出来る。
上基板表面のフォーカスずれや傾きずれを計測する開始
時期を、ステージ上基板上の位置等に応じて任意に変え
ることを可能にしたため、ステージ上基板上の位置に応
じた最適なタイミングでフォーカスずれや傾きずれの計
測を開始することが可能となり、フォーカスずれや傾き
ずれの計測精度を悪化させず、基板表面を投影光学系の
結像面に精度良く合致させ、かつ生産性を向上させるこ
とが出来る。
【図１】 本発明による計測方法により、フォーカスず
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の構成を示す概略図である。
れや傾きずれを調整できるステージを備えた投影露光装
置の構成を示す概略図である。
【図２】 ウエハのショットレイアウトの例を示す概略
図である。
図である。
【図３】 計測開始時期による目標位置からのずれの説
明に供する概略図である。
明に供する概略図である。
【図４】 計測開始時期による目標位置からのずれの説
明に供する概略図である。
明に供する概略図である。
【図５】 計測開始時期による目標位置からのずれの説
明に供する概略図である。
明に供する概略図である。
【図６】 計測開始時期による位置決め時間の説明に供
する概略図である。
する概略図である。
【図７】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図８】 図７におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レチクル、２：投影レンズ、３：ウエハ、４：光
源、５：投影対物レンズ、６：受光対物レンズ、７：受
光部（ＣＣＤ）、８：Ｚステージ、９，１０，１１：駆
動系、１２：ＸＹステージ、２０：ＸＹステージ駆動
部、２１：ステージ干渉計、２２：Ｚステージ駆動部、
２３：制御部。
源、５：投影対物レンズ、６：受光対物レンズ、７：受
光部（ＣＣＤ）、８：Ｚステージ、９，１０，１１：駆
動系、１２：ＸＹステージ、２０：ＸＹステージ駆動
部、２１：ステージ干渉計、２２：Ｚステージ駆動部、
２３：制御部。
Claims (14)
- 【請求項１】 投影光学系の光軸方向および光軸に垂直
な方向に移動可能なステージに搭載された基板を該光軸
に垂直な方向に移動して該基板上の複数個の露光対象領
域を所定の露光位置に順次移動および位置決めするとと
もに、露光対象領域ごとにその基板表面の前記投影光学
系の光軸方向における位置を計測し、該計測値に基づい
て該基板表面を前記光軸方向に移動および位置決めした
後、該基板表面を露光する投影露光方法において、 前記計測の開始タイミングを、前記露光すべき露光対象
領域の前記基板内での位置に応じて独立に設定すること
を特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】 前記光軸に垂直な方向への移動および位
置決め動作と前記光軸方向への移動および位置決め動作
とを少なくとも一部並行して行なうことを特徴とする請
求項１記載の投影露光方法。 - 【請求項３】 前記計測開始タイミングを、前記ステー
ジの前記光軸に垂直な方向への移動開始のタイミングを
基準にして設定することを特徴とする請求項２記載の投
影露光方法。 - 【請求項４】 原版に形成されたパターンをステージ上
基板に投影する投影光学系と、該ステージ上基板を搭載
して該投影光学系の光軸方向および光軸に垂直な方向に
移動可能なステージと、前記投影光学系の光軸に垂直な
任意の方向に所定の量前記ステージを使って移動および
位置決め動作を行なう第１の移動手段と、所定の位置と
ステージ上基板表面の相対位置を計測できる計測手段
と、該計測手段の計測値に基づいて、前記所定の位置に
ステージ上基板表面の位置を合致させるために前記ステ
ージを光軸方向に移動および位置決めする第２の移動手
段とを備えた投影露光装置において、 前記計測手段を使って前記所定の位置とステージ上基板
表面の相対位置を計測する開始時期を事前に用意された
設定を使って任意に変えることを可能にする制御手段を
備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項５】 前記ステージ上基板は、感光基板、前記
投影光学系光軸方向の感光基板のずれ量を計測するため
の基板、前記投影光学系の光軸に垂直な方向の感光基板
のずれ量を計測するための基板、および前記投影露光装
置の状態を計測するための基板のいずれか１種であるこ
とを特徴とする請求項４記載の投影露光装置。 - 【請求項６】 前記所定の位置は、前記投影光学系の結
像面、または該結像面に平行な所定の平面であることを
特徴とする請求項４記載の投影露光装置。 - 【請求項７】 前記計測手段は、前記所定の位置と前記
ステージ上基板表面との光軸方向距離や平行度を計測す
るセンサであることを特徴とする請求項６記載の投影露
光装置。 - 【請求項８】 前記制御手段は、前記計測手段を使って
前記所定の位置とステージ上基板表面の相対位置の計測
を行なう動作と、前記ステージ上基板上の前記投影光学
系の光軸に垂直な任意の方向への前記所定量の前記ステ
ージによる移動および位置決め動作を、並行動作させる
ことが可能であることを特徴とする請求項４記載の投影
露光装置。 - 【請求項９】 前記制御手段は、前記計測手段を使って
前記所定の位置とステージ上基板表面の相対位置の計測
を行なう開始時期を前記ステージ上基板上の位置に応じ
て任意に変えることが可能であることを特徴とする請求
項４記載の投影露光装置。 - 【請求項１０】 前記事前に用意した設定とは、前記計
測手段を使って前記所定の位置とステージ上基板表面の
相対位置の計測を行なう開始時期を、前記ステージ上基
板上の各位置に対して予め与えたものであることを特徴
とする請求項９記載の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記事前に用意した設定とは、前記計
測手段を使って前記所定の位置とステージ上基板表面の
相対位置の計測を行なう開始時期を、前記ステージ上基
板平面内における任意の平面座標系の２軸方向で独立に
変える設定であることを特徴とする請求項９記載の投影
露光装置。 - 【請求項１２】 前記事前に用意した設定とは、前記計
測手段を使って前記所定の位置とステージ上基板表面の
相対位置の計測を行なう開始時期を、前記ステージ基板
上の位置に応じて同心円上に与える設定であることを特
徴とする請求項１０または１１記載の投影露光装置。 - 【請求項１３】 前記事前に用意した設定とは、前記計
測手段を使って前記所定の位置とステージ上基板表面の
相対位置の計測を行なう開始時期を前記ステージ基板上
の位置に応じて楕円上に与える設定であることを特徴と
する請求項１０または１１記載の投影露光装置。 - 【請求項１４】 請求項１〜３のいずれかに記載の投影
露光方法または請求項４〜１３のいずれかに記載の投影
露光装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デバ
イス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19203497A JP3408118B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 投影露光方法および装置 |
| US09/105,994 US6043500A (en) | 1997-07-03 | 1998-06-29 | Exposure apparatus and its control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19203497A JP3408118B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 投影露光方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126365A true JPH1126365A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3408118B2 JP3408118B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=16284509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19203497A Expired - Fee Related JP3408118B2 (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 投影露光方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6043500A (ja) |
| JP (1) | JP3408118B2 (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4840958B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2011-12-21 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及びデバイス製造方法 |
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| JP5979982B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2016-08-31 | キヤノン株式会社 | 撮像方法、プログラム、および撮像装置 |
| JP2015203727A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
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-
1997
- 1997-07-03 JP JP19203497A patent/JP3408118B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-29 US US09/105,994 patent/US6043500A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005001913A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-06 | Nikon Corporation | ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法 |
| JPWO2005001913A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2006-08-10 | 株式会社ニコン | ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法 |
| JP2016195183A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3408118B2 (ja) | 2003-05-19 |
| US6043500A (en) | 2000-03-28 |
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