JP3049777B2 - 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 - Google Patents

投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積素子等の回
路パターン又は液晶素子のパターンの転写に使用される
投影型露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体等の回路パターン形成には、一般
にフォトリソグラフ技術と呼ばれる工程が必要である。
この工程には通常、レチクル(マスク)パターンを半導
体ウェハ等の試料基板上に転写する方法が採用される。
試料基板上には感光性のフォトレジストが塗布されてお
り、照射光像、すなわちレチクルパターンの透明部分の
パターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターン
が転写される。投影型露光装置では、レチクル上に描画
された転写すべき回路パターンが、投影光学系を介して
試料基板(ウェハ)上に投影、結像される。
【0003】また、レチクルを照明する為の照明光学系
中には、フライアイレンズ、ファイバーなどのオプチカ
ルインテグレーターが使用され、レチクル上に照射され
る照明光の強度分布が均一化される。その均一化を最適
に行なう為に、フライアイレンズを用いた場合、レチク
ル側焦点面とレチクル面とはほぼフーリエ変換の関係で
結ばれており、また、レチクル側焦点面と光源側焦点面
ともフーリエ変換の関係で結ばれている。従って、レチ
クルのパターン面と、フライアイレンズの光源側焦点面
(正確にはフライアイレンズの個々のレンズの光源側焦
点面)とは、結像関係(共役関係)で結ばれている。こ
の為レチクル上では、フライアイレンズの各エレメント
(2次光源像)からの照明光がそれぞれ加算(重畳)さ
れることで平均化され、レチクル上の照度均一性を良好
とすることが可能となっている。
【0004】従来の投影型露光装置では、上述のフライ
アイレンズ等のオプチカルインテグレーター入射面に入
射する照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸を中心
とするほぼ円形内(あるいは矩形内)でほぼ一様になる
ようにしていた。図13は、上述の従来の投影光学系を
示し、レチクル16の、照明光束L130は、照明光学
系中のフライアイレンズ11,空間フィルター12、及
びコンデンサーレンズ15を介してレチクルパターン1
7を照射する。ここで、空間フィルター12はフライア
イレンズ11のレチクル側焦点面11b、すなわちレチ
クル16に対するフーリエ変換面(以後、瞳面と略
す)、もしくはその近傍に配置され、投影光学系の光軸
AXを中心としたほぼ円形領域の開口を有し、瞳面内に
できる2次光源(面光源)像を円形に制限する。こうし
てレチクル16のパターン17を通過した照明光は投影
光学系18を介してウェハ20のレジスト層に結像され
る。ここで、光束を表す実線は1点から出た光の主光線
を表している。
【0005】このとき照明光学系(11,12,15)
の開口数と投影光学系18のレチクル側開口数の比、所
謂σ値は開口絞り(例えば空間フィルター12の開口
径)により決定され、その値は0.3〜0.6程度が一
般的である。照明光L130はレチクル16にパターニ
ングされたパターン17により回折され、パターン17
からは0次回折光D0 、+1次回折光DP 、−1次回折
光D m が発生する。それぞれの回折光 (D0,Dm
P )は投影光学系18により集光されウェハ(試料基
板)20上に干渉縞を発生させる。この干渉縞がパター
ン17の像である。このとき0次回折光D0 と±1次回
折光DP ,Dm のなす角θ(レチクル側)はsinθ=
λ/P(λ:露光波長、P:パターンピッチ)により決
まる。
【0006】パターンピッチが微細化するとsinθが
大きくなり、sinθが投影光学系18のレチクル側開
口数(NAR ) より大きくなると±1次回折光DP 、D
m は投影光学系を透過できなくなる。このときウェハ2
0上には0次回折光D0 のみしか到達せず干渉縞は生じ
ない。つまりsinθ>NAR となる場合にはパターン
17の像は得られず、パターン17をウェハ20上に転
写することができなくなってしまう。
【0007】以上のことから、今までの露光装置におい
ては、sinθ=λ/P≒NAR となるピッチPは次式
で与えられていた。P≒λ/NAR (1)最小パターン
サイズはピッチPの半分であるから、最小パターンサイ
ズは0.5・λ/NAR 程度となるが、実際のフォトリ
ソグラフィーにおいてはウェハの湾曲、プロセスによる
ウェハの段差等の影響、又はフォトレジスト自体の厚さ
の為に、ある程度の焦点深度が必要となる。この為、実
用的な最小解像パターンサイズは、k・λ/NAとして
表される。ここでkはプロセス係数と呼ばれ0.6〜
0.8程度となる。レチクル側開口数NAR とウェハ側
開口数NAW との比は、投影光学系の結像倍率と同じで
あるので、レチクル上における最小解像パターンサイズ
はk・λ/NAR 、ウェハ上の最小パターンサイズは、
k・λ/NAW =k・λ/B・NAR (ただしBは結像
倍率(縮小率))となる。
【0008】従って、より微細なパターンを転写する為
には、より短い波長の露光光源を使用するか、あるいは
より開口数の大きな投影光学系を使用するかを選択する
必要があった。もちろん、波長と開口数の両方を最適化
する努力も考えられる。また、レチクルの回路パターン
の透過部分のうち、特定の部分からの透過光の位相を、
他の透過部分からの透過光の位相よりπだけずらす、い
わゆる位相シフトレチクルが特公昭62−50811号
公報等で提案されている。この位相シフトレチクルを使
用すると、従来よりも微細なパターンの転写が可能とな
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の露
光装置においては、照明光源を現在より短波長化(例え
ば200nm以下)することは、透過光学部材として使
用可能な適当な光学材料が存在しない等の理由により現
時点では困難である。また投影光学系の開口数は、現状
でもすでに理論的限界に近く、これ以上の大開口化はほ
ぼ望めない状態である。
【0010】また、もし現状以上の大開口化が可能であ
るとしても±λ/2NA2 で表わされる焦点深度は開口
数の増加に伴なって急激に減少し、実使用に必要な焦点
深度がますます少なくなるという問題が顕著になってく
る。一方位相シフトレチクルについては、その製造工程
が複雑になる分コストも高く、また検査及び修正方法も
未だ確立されていないなど、多くの問題が残されてい
る。
【0011】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、通常のレチクルを使用しても、高解像度かつ大焦点
深度が得られる投影型露光装置の実現を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、光源(1)か
らの照明光をマスク(16)に照射する照明光学系と、
照明光を基板(20)上に投射する投影光学系(18)
とを備え、照明光の照射によってマスクのパターン(1
7)を基板上に転写する投影露光装置に関するものであ
る。そして、本発明による第1の投影露光装置では、照
明光学系内でパターン(17)に対するフーリエ変換面
(投影光学系の瞳面19と共役な面)にそれぞれ一端面
(焦点面)が実質的に配置される互いに分離した複数の
オプチカルインテグレータ(11A、11B)を備え、
その複数のオプチカルインテグレータはその中心がパタ
ーンの周期性、即ち微細度(ピッチP)に応じた距離だ
け照明光学系の光軸(AX)から偏心して配置されるこ
ととした。このため、高解像度かつ大焦点深度でパター
ンを基板上に転写することができる。ここで、本発明に
よる第1の投影露光装置は、オプチカルインテグレータ
として一端面、即ちレチクル側焦点面が照明光学系内の
フーリエ変換面にほぼ一致して配置されるフライアイレ
ンズを用いるものとすると、原理的に図12に示すよう
に構成される。図12において従来と同じ部材には同一
の符号を付してある。図12において、フライアイレン
ズ(11A、11B) は、そのレチクル側焦点面11
bがレチクル16上の回路パターン(レチクルパター
ン)17に対してほぼフーリエ変換面の位置(投影レン
ズ18の瞳面19と共役な位置)となるように配置さ
れ、かつフライアイレンズ(11A、11B)は、複数
のフライアイレンズ群に分散して配列される。また、フ
ライアイレンズ(11A、11B)のレチクル側焦点面
11bにおける照明光量分布を、複数のフライアイレン
ズ群11A、11Bの個々のフライアイレンズ位置以外
ではほぼ零とするために、フライアイレンズの光源側に
遮光部材10を設ける。このため、フライアイレンズ
(11A、11B)のレチクル側焦点面11bにおける
照明光量分布は各フライアイレンズ群11A、11Bの
位置でのみ存在し、それ以外ではほぼ零となる。
【0013】フライアイレンズ群11A、11Bのレチ
クル側焦点面11bはレチクルパターン17に対するフ
ーリエ変換面にほぼ等しいので、フライアイレンズ群1
1A、11Bのレチクル側焦点面11bでの光量分布
(光束の位置座標)は、レチクルパターン17に対する
照明光束の入射角度ψに対応することになる。従って、
フライアイレンズ群11A、11Bの個々の位置(光軸
に垂直な面内での位置)に応じて、レチクルパターン1
7に入射する照明光束の入射角を調整することができ
る。ここで、フライアイレンズ群11A、11Bは光軸
AXと対称に配置するのが望ましく、また各フライアイ
レンズ群は少なくとも1つ以上のレンズエレメントで構
成される。さらに本発明においては、上記フライアイレ
ンズ群11A、11Bをそれぞれ独立に、照明光学系の
光軸と垂直な面内方向に可動とする構成としてもよく、
この場合、個々のフライアイレンズ群をそれぞれ移動、
位置調整することにより、レチクル16に入射するそれ
ぞれの照射光束(複数本)の入射角度を任意に制御する
ことが可能である。
【0014】また、本発明による第2の投影露光装置で
は、照明光学系内のフーリエ変換面上での照明光の光量
分布を中心部よりもその外側領域で高めるとともに、照
明光を遮光することなくその外側領域の照明光学系の光
軸(AX)との距離を可変とする光学部材(5;5A;
6;7;8)を設けることとした。このため、基板上に
転写すべきパターンに応じてその距離を変更できる、即
ちそのパターンを最適な光量分布を持つ照明光(最適な
2次光源からの光)で照明することができ、高解像度か
つ大焦点深度でそのパターンを基板上に転写することが
可能となっている。なお、第1及び第2の投影露光装置
では、照明光による基板の露光中に、基板と投影光学系
の像面とをその光軸に沿って相対移動する手段を設け、
見かけ上の焦点深度を拡大させるようにしてもよい。ま
た、本発明による投影露光装置を用いた素子製造方法で
は、回路パターン形成のフォトリソグラフィ工程で微細
な半導体素子などを製造することができる。さらに、本
発明による投影露光方法は、照明光学系を通して光源
(1)からの照明光をマスク(16)に照射するととも
に、投影光学系(18)を介して照明光で基板(20)
を露光するものである。そして、投影光学系の瞳面(1
9)と実質的に共役な照明光学系内の所定面(フーリエ
変換面)上での照明光の光量分布を中心部よりもその外
側領域で高めるとともに、基板上に転写すべきパターン
に応じて、照明光を遮光することなくその外側領域の照
明光学系の光軸(AX)との距離を可変とすることとし
た。このため、基板上に転写すべきパターンを最適な光
量分布を持つ照明光(最適な2次光源からの光)で照明
することができ、高解像度かつ大焦点深度でそのパター
ンを基板上に転写することが可能となっている。
【0015】
【作用】レチクル(マスク)上に描画された回路パター
ン17は、一般に周期的なパターンを多く含んでいる。
従って1つのフライアイレンズ群11Aからの照明光が
照射されたレチクルパターン17からは0次回折光成分
0 及び±1次回折光成分DP 、Dm 及びより高次の回
折光成分が、パターンの微細度に応じた方向に発生す
る。
【0016】このとき、照明光束(主光線)が、傾いた
角度でレチクル16に入射するから、発生した各次数の
回折光成分も、垂直に照明された場合に比べ、傾き(角
度ずれ)をもってレチクルパターン17から発生する。
図12中の照明光L120は、光軸に対してψだけ傾い
てレチクル16に入射する。照明光L120はレチクル
パターン17により回折され、光軸AXに対してψだけ
傾いた方向に進む0次回折光D0 、0次回折光に対して
θP だけ傾いた+1次回折光DP 、及び0次回折光D0
に対してθm だけ傾いて進む−1次回折光D m を発生す
る。しかしながら、照明光L120は両側テレセントリ
ックな投影光学系18の光軸AXに対して角度ψだけ傾
いてレチクルパターンに入射するので、0次回折光D0
もまた投影光学系の光軸AXに対して角度ψだけ傾いた
方向に進行する。
【0017】従って、+1次光DP は光軸AXに対して
θP +ψの方向に進行し、−1次回折光Dm は光軸AX
に対してθm −ψの方向に進行する。このとき回折角θ
P 、θm はそれぞれ sin(θP +ψ)− sinψ=λ/P (2) sin(θm −ψ)+ sinψ=λ/P (3) である。
【0018】ここでは、+1次回折光DP 、−1次回折
光Dm の両方が投影光学系18の瞳19を透過している
ものとする。レチクルパターン17の微細化に伴って回
折角が増大すると先ず角度θP +ψの方向に進行する+
1次回折光DP が投影光学系18の瞳19を透過できな
くなる。すなわちsin(θP +ψ)>NAR の関係に
なってくる。しかし照明光L120が光軸AXに対して
傾いて入射している為、このときの回折角でも−1次回
折光Dm は、投影光学系18に入射可能となる。すなわ
ちsin(θm −ψ)<NAR の関係になる。
【0019】従って、ウェハ20上には0次回折光D0
と−1次回折光Dm の2光束による干渉縞が生じる。こ
の干渉縞はレチクルパターン17の像であり、レチクル
パターン17が1:1のラインアンドスペースの時、約
90%のコントラストとなってウェハ20上に塗布され
たレジストに、レチクルパターン17の像をパターニン
グすることが可能となる。
【0020】このときの解像限界は、 sin(θm −ψ)=NAR (4) となるときであり、従って NAR +sinψ=λ/P P=λ/(NAR +sinψ) (5) が転写可能な最小パターンのレチクル側でのピッチであ
る。
【0021】一例として今sinψを0.5×NAR
度に定めるとすれば、転写可能なレチクル上のパターン
の最小ピッチは となる。
【0022】一方、図13に示したように、照明光の瞳
19上での分布が投影光学系18の光軸AXを中心とす
る円形領域内である従来の露光装置の場合、解像限界は
(1)式に示したようにP≒λ/NAR であった。従っ
て、従来の露光装置より高い解像度が実現できることが
わかる。次に、レチクルパターンに対して特定の入射方
向と入射角で露光光を照射して、0次回折光成分と1次
回折光成分とを用いてウェハ上に結像パターンを形成方
法によって、焦点深度も大きくなる理由について説明す
る。
【0023】図12のようにウェハ20が投影光学系1
8の焦点位置(最良結像面)に一致している場合には、
レチクルパターン17中の1点を出てウェハ20上の一
点に達する各回折光は、投影光学系18のどの部分を通
るものであってもすべて等しい光路長を有する。このた
め従来のように0次回折光成分が投影光学系18の瞳面
19のほぼ中心(光軸近傍)を貫通する場合でも、0次
回折光成分とその他の回折光成分とで光路長は相等し
く、相互の波面収差も零である。しかし、ウェハ20が
投影光学系18の焦点位置に一致していないデフォーカ
ス状態の場合、斜めに入射する高次の回折光の光路長は
光軸近傍を通る0次回折光に対して焦点前方(投影光学
系18から遠ざかる方)では短く、焦点後方(投影光学
系18に近づく方)では長くなりその差は入射角の差に
応じたものとなる。従って、0次、1次、…の各回折光
は相互に波面収差を形成して焦点位置の前後におけるボ
ケを生じることとなる。
【0024】前述のデフォーカスによる波面収差は、ウ
ェハ20の焦点位置からのずれ量をΔF、各回折光が−
に入射するときの入射角θw の正弦をr(r=sinθ
w )とすると、ΔFr2 /2で与えられる量である。
(このときrは各回折光の、瞳面19での光軸AXから
の距離を表わす。従来の図13に示した投影型露光装置
では、0次回折光D0 は光軸AXの近傍を通るので、r
(0次)=0となり、一方±1次回折光DP 、Dm は、
r(1次)=M・λ/Pとなる(Mは投影光学系の倍
率)。
【0025】従って、0次回折光D0 と±1次回折光D
P 、Dm のデフォーカスによる波面収差は ΔF・M2(λ/P)2/2となる。 一方、本発明における投影型露光装置では、図12に示
すように0次回折光成分D0 は光軸AXから角度ψだけ
傾いた方向に発生するから、瞳面19における0次回折
光成分の光軸AXからの距離はr(0次)=M・sin
ψである。
【0026】一方、−1次回折光成分Dm の瞳面におけ
る光軸からの距離はr(−1次)=M・sin(θm
ψ)となる。そしてこのとき、sinψ=sin(θm
−ψ)となれば、0次回折光成分D0 と−1次回折光成
分Dm のデフォーカスによる相対的な波面収差は零とな
り、ウェハ20が焦点位置より光軸方向に若干ずれても
パターン17の像ボケは従来程大きく生じないことにな
る。すなわち、焦点深度が増大することになる。また、
(3)式のように、sin(θm −ψ)+sinψ=λ
/Pであるから、照明光束L120のレチクル16への
入射角ψが、ピッチPのパターンに対して、sinψ=
λ/2Pの関係にすれば焦点深度をきわめて増大するこ
とが可能である。
【0027】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例による投影型露
光装置(ステッパー)を示し、フライアイレンズ群11
A、11Bの夫々の光源側焦点面11aに照明光の光量
分布を集中せしめる光学部材(本発明のインプット光学
系の一部)として、回折格子状パターン5を設けるよう
にした。
【0028】水銀ランプ1より発生した照明光束は、楕
円鏡2の第2焦点f0 に集光した後、ミラー3、リレー
系等のレンズ系4を介して回折格子状パターン5に照射
される。このときの照明方法は、ケーラー照明法であっ
てもクリチカル照明であっても良いが、強い光量を得る
ためにはクリチカル照明法の方が望ましい。回折格子状
パターン5から発生した回折光は、リレーレンズ9によ
りフライアイレンズ群11A、11Bの夫々に集中して
入射する。このとき、フライアイレンズ群11A、11
Bの光源側焦点面11aと、回折格子状パターン5と
は、リレーレンズ9を介して、ほぼフーリエ変換の関係
となっている。尚、図1では、回折格子状パターン5へ
の照明光を平行光束として図示したが、実際は発散光束
となっているため、フライアイレンズ群11A,11B
への入射光束はある大きさ(太さ)を持っている。
【0029】一方、フライアイレンズ群11A、11B
のレチクル側焦点面11bは、レチクルパターン17の
フーリエ変換面(瞳共役面)とほぼ一致する様に、光軸
AXと垂直な面内方向に配置されている。また、個々の
フライアイレンズ群11A、11Bは光軸AXと垂直な
面内方向にそれぞれ独立に可動であり、かつ、可動なら
しめる可動部材(本発明の位置調整部材)に保持されて
いるが、その詳細は後述する。
【0030】個々のフライアイレンズ群11A、11B
は同一の形状、同一の材質(屈折率)のものであること
が望ましい。また図1に示した個々のフライアイレンズ
群11A、11Bの各レンズエレメントは、両凸レンズ
とし、かつ光源側焦点面11aと入射面、レチクル側焦
点面11bと射出面がそれぞれ一致する場合の例であっ
たが、フライアイのレンズエレメントはこの関係を厳密
に満たさなくても良く、また平凸レンズや、凸平レンズ
或いは平凹レンズであってもよい。
【0031】尚、フライアイレンズ群の光源側焦点面1
1aと、レチクル側焦点面11bとは当然ながらフーリ
エ変換の関係である。従って図1の例の場合、フライア
イレンズ群のレチクル側焦点面11b、すなわちフライ
アイレンズ群11A,11Bの射出面は、回折格子状パ
ターン5と、結像関係(共役)になっている。さて、フ
ライアイレンズ群11A,11Bのレチクル側焦点面1
1bより射出される光束は、コンデンサーレンズ13、
15、ミラー14を介して、レチクル16を均一な照度
分布で照明する。本実施例では、フライアイレンズ群1
1A,11Bの射出側に遮光部材12を配置し、回折格
子状パターン5からの0次回折光等をカットする。遮光
部材12はフライアイレンズ群に合わせて開口部をくり
抜いた金属板、あるいはガラス、石英基板等に金属等の
不透明物質がパターニングされたものである。遮光部材
12の開口部は、それぞれフライアイレンズ群11A、
11Bの各位置に対応している。この為、フライアイレ
ンズ群11A、11Bのレチクル側焦点面11b近傍に
おける照明光量分布をそれぞれのフライアイレンズ群1
1A、11Bの位置以外では零とすることができる。
【0032】この為レチクルパターン17に照明される
照明光は、各フライアイレンズ群11A、11Bより射
出される光束(2次光源像からの光束)のみとなり、従
って、レチクルパターン17への入射角も特定の入射角
(複数)を持つ光束(複数)のみに制限される。尚、実
施例においては、フライアイレンズ群11A、11B
は、それぞれ可動であるから、遮光部材12の開口部も
これに応じて可動であるか、或いは遮光部材12自体が
交換できなければならない(遮光部材12については後
述する)。
【0033】こうして照明されたレチクル16上のレチ
クルパターン17から発生した回折光は、図12で説明
したのと同様に、テレセントリックな投影光学系18に
より集光、結像され、ウェハ20上にレチクルパターン
17の像が転写される。前述の回折格子状パターン5を
使って照明光束を回折させて、その回折光をフライアイ
レンズ群11A,11Bの光源側焦点面内の特定の位置
(フライアイレンズ群)に集中させる際、その集中位置
は、回折格子状パターン5のピッチや方向性によって変
化する。従って、各フライアイレンズ11A、11Bの
位置に照明光を集中させるべく、回折格子状パターン5
のピッチや方向性を決定する。
【0034】また、前述の如く、フライアイレンズ11
のレチクル側焦点面11bには回折格子状パターン5の
像ができており、かつ、レチクルパターン面17と、フ
ライアイレンズ群11A,11Bのレチクル側焦点面1
1bとは、フーリエ変換面の関係となっているので、レ
チクル16上での照明強度分布は、回折格子状パターン
5の欠陥や、ゴミ等により不均一化されることがない。
また、回折格子状パターン5そのものがレチクル16に
結像して照度均一性を劣化させることもない。回折格子
状パターン5は、透過性の基板、例えばガラス基板の表
面に、Cr等の遮光膜がパターニングさせたものであっ
ても良いし、SiO2 等の誘電体膜がパターニングされ
た、いわゆる位相グレーティングであってよい。位相グ
レーティングの場合、0次回折光の発生を押さえること
ができる。
【0035】また、回折格子状パターン5は透過性のパ
ターンのみでなく、反射性のパターンであっても良い。
例えばガラス等の平面反射鏡の表面に、高反射率膜、す
なわちAl等の金属膜や、誘電体多層膜を回折格子状に
パターニングしたものでも良く、また、反射光に位相差
を与えるための段差が回折格子状にパターニングされた
高反射率鏡であっても良い。
【0036】回折格子状パターン5が反射性のものであ
る場合には図2に示す様に、反射性回折格子状パターン
5Aにリレーレンズ系4からの照明光束を照射し、そこ
で反射回折された回折光をリレーレンズ9を介してフラ
イアイレンズ群11A、11B近傍に集中させればよ
い。なお、個々のフライアイレンズ群11A、11Bが
移動した場合にもそれぞれのフライアイレンズ11A、
11B近傍に照明光を集中できるように、回折格子状パ
ターン5又は5Aはピッチの異なるものに交換可能であ
るものとする。また、回折格子状パターン5又は5Aは
光軸AXと垂直な面内で任意の方向に回転可能であって
もよい。
【0037】このようにすると、レチクルパターン17
中のラインアンドスペースパターンのピッチ方向がX,
Y方向と異なる場合にも対応できる。またリレーレンズ
9を複数枚のレンズより成るズームレンズ系(アフォー
カルズームエキスパンダ等)とし、焦点距離を変えるこ
とにより集光位置を変えることもできる。ただし、この
ときは回折格子状パターン5又は5Aと、フライアイレ
ンズ群11A,11Bの光源側焦点面11aとがほぼフ
ーリエ変換の関係になることをくずさないようにする。
【0038】ところで、図1には装置を統括制御する主
制御系50と、レチクル16が投影光学系18の直上に
搬送される途中でレチクルパターン17の脇に形成され
た名称を表すバーコードBCを読み取るバーコードリー
ダ52と、オペレータからのコマンドやデータを入力す
るキーボード54と、フライアイレンズ群11A,11
Bを動かす可動部材の駆動系(モータ,ギャトレン等)
56が設けられている。主制御系50内には、このステ
ッパーで扱うべき複数枚のレチクルの名称と、各名称に
対応したステッパーの動作パラメータとが予め登録され
ている。そして、主制御系50はバーコードリーダ52
がレチクルバーコードBCを読み取ると、その名称に対
応した動作パラメータの1つとして、予め登録されてい
るフライアイレンズ群11A,11Bの移動位置(瞳共
役面内の位置)の情報を、駆動系56に出力する。これ
によって各フライアイレンズ群11A,11Bは第12
図で説明したように位置調整される。以上の動作はキー
ボード54からオペレータがコマンドとデータを主制御
系50へ直接入力することによっても実行できる。
【0039】以上、第1の実施例について説明したが、
フライアイレンズ群の光源側焦点面での光量分布を、個
々のフライアイレンズ位置近傍に集中させる光学部材
は、回折格子状パターン5,又は5Aのみには限定され
ない。前述の図2に示した、反射性の回折格子状パター
ン5Aの代わりに可動平面鏡6を図3のように配置し、
かつ平面鏡6を回転可動ならしめるモーター等の駆動部
材6aを設ける。そして駆動部材6aにより、平面鏡6
を回転又は振動させれば、フライアイレンズ群11A,
11Bの光源側焦点面(入射面)11a内での光量分布
を時間によって変更することができる。露光動作中に平
面鏡6を適当な複数の角度位置に回動させれば、フライ
アイレンズ群11A,11Bの光源側焦点面11a内で
の光量分布を複数のフライアイレンズ群のうちいずれか
1つのフライアイレンズ群の位置近傍のみに集中させる
ことができる。なお、このような可動反射鏡6を使う場
合はリレーレンズ系9を省略してしまっても良い。
【0040】さらに、個々のフライアイレンズ群11
A、11Bが移動した場合には、前述の平面鏡6の複数
の角度位置の角度座標を変更し、新しい位置のフライア
イレンズ群の近傍に反射光束を集中させればよい。とこ
ろで、図3中に示した遮光部材12はフライアイレンズ
群11A,11Bの入射面側に設けたが、図1と同様に
射出面側に設けてもよい。
【0041】図4は、フライアイレンズ群の夫々に、照
明光束を集光させる光学部材として、光ファイバー束7
を用いた場合の略図である。リレーレンズ系4より光源
側、及びフライアイレンズ群11よりレチクル側は図1
と同じ構成であるとする。光源から発生し、リレーレン
ズ系4を透過した照明光は、光ファイバー束7の入射部
7aに所定の開口数(NA)に調整されて入射する。光
ファイバー束7は射出部7bに至る間に、フライアイレ
ンズ群の数に対応した複数の束に分割され、それぞれの
射出部7bは、フライアイレンズ群11A、11Bの光
源側焦点面11a近傍に各フライアイレンズ群と一体と
なるように配置される。またこのとき、光ファイバー束
7の各射出部7bとフライアイレンズ群11の間に、そ
れぞれレンズ(例えばフィールドレンズ)を設けても良
いし、また、そのレンズにより、フライアイレンズ群1
1の光源側焦点面11aと、光ファイバー射出部7bの
光射出面とをフーリエ変換の関係としても良い。
【0042】また、各射出部7b(又は射出部7bとフ
ライアイレンズ群11bとの間のレンズ)は、モーター
等の駆動部材により、光軸と垂直な面内で一次元,又は
二次元に可動とすれば、個々のフライアイレンズ群11
A、11Bが移動した場合にも、照明光束を移動後の各
フライアイレンズ群の位置近傍に集中させることができ
る。
【0043】図5は各フライアイレンズ群に照明光束を
集中させる光学部材として、複数の屈折面を有するプリ
ズム8を用いた例である。図5中のプリズム8は光軸A
Xを境界として2つの屈折面に分割されており、光軸A
Xより上方に入射した照明光は上方へ屈折し、光軸AX
より下方に入射した照明光は下方へ屈折させる。従っ
て、フライアイレンズ群11A、11Bの光源側焦点面
11a上で、プリズム8の屈折角に応じて、個々のフラ
イアイレンズ群11A、11B近傍に照明光を集中させ
ることができる。
【0044】プリズム8の屈折面の分割数は2面に限っ
たものではなく、フライアイレンズ群の数に応じて何面
に分割されていてもよい。また、分割される位置は光軸
AXと対称な位置にはこだわらなくとも良い。プリズム
8を交換することにより、個々のフライアイレンズ群1
1A、11Bが移動した場合にも、それぞれのフライア
イレンズ群11A、11Bの位置に照明光を適確に集中
させることができる。
【0045】またこのときのプリズム8はウォラストン
プリズム等の偏光性の光分割器であっても良い。ただし
この場合、分割された光束同志の偏光方向が異なるた
め、ウェハ20のレジストの偏光特性を考慮して、その
偏光特性は1方向に揃えた方がよい。また、プリズム8
の代わりに複数の角度の異なる反射面を持つ反射鏡を図
3の様に配置すれば、駆動部材6aは不用となる。装置
内に、このプリズム等の交換機能を有していると良いこ
とは言うまでもない。また、このようなプリズム等を使
う場合も、リレーレンズ系9を省略することができる。
【0046】図6は各フライアイレンズ群へ照明光束を
集中させる光学部材として、複数のミラー8a、8b、
8c、8dを用いた例である。リレーレンズ系4を透過
した照明光は、1次ミラー8b、8cにより2方向に分
離されるように反射され、2次ミラー8a、8dに導か
れ、再び反射してフライアイレンズ群11の光源側焦点
面11aに達する。各ミラー8a、8b、8c、8dに
位置調整機構及び光軸AXの回りの回転角度調整機構を
設けておけば、個々のフライアイレンズ群11A、11
Bの移動後も、照明光束をそれぞれのフライアイレンズ
11A、11Bの近傍に集中させることができる。ま
た、各ミラー8a、8b、8c、8dは平面ミラーであ
っても凸面あるいは凹面ミラーであっても良い。
【0047】また、2次ミラー8a、8dとフライアイ
レンズ群11の夫々の間に、レンズを設けても良い。
図6では1次ミラー8b、8c、2次ミラー8a、8d
共に2コずつとしたが、数量はこれに限定されるもので
はなく、フライアイレンズ群の数によって適宜ミラーを
配置すればよい。以上の各実施例に於ては、フライアイ
レンズ群をすべて2個としたが、フライアイレンズ群の
個数は3個以上であってももちろん良い。また、個々の
フライアイレンズ群に照明光を集中させる光学部材につ
いても、主に2ヶ所への光の集中を述べたが、フライア
イレンズ群の数に応じて複数の位置へ照明光を集中せし
めることは言うまでもない。以上の実施例はすべて任意
の位置(フライアイレンズ群の位置に対応する)への照
明光の集中が可能である。また、各フライアイレンズ群
へ照明光を集中させる光学部材は、実施例に挙げた型式
にはとどまらず、他のいかなるものであっても良い。
【0048】また遮光部材12は前述の図12の如く、
フライアイレンズの光源側焦点面11a近傍に設けられ
た遮光部材10に置換してもよいし、図1から図5に示
される各実施例と、図12に示した遮光部材10を組み
合わせて使用しても良い。また遮光部材10,12は、
フライアイレンズ群のレチクル側焦点面11bや、光源
側焦点面11aに限らず、任意の位置に配置することが
できるが、例えば、上記2つの焦点面11a,11bの
間などは好適な場所である。
【0049】また、個々のフライアイレンズ群11A、
11Bの近傍のみへ照明光を集中させる光学部材は、レ
チクル16を照明する照明光量の損失を防止する為のも
のであり、本発明の投影型露光装置の特徴である高解像
度及び大焦点深度の効果を得るための構成とは直接関連
するものではない。従って、上記光学部材は位置調整後
の各フライアイレンズ群の夫々に照明光をフラッドに入
射させるだけの大きな径のレンズ系だけでもよい。
【0050】図7は本発明の他の実施例による投影型露
光装置の構成を示す図であって、ミラー14、コンデン
サーレンズ15、レチクル16、投影光学系18は図1
と同様である。またフライアイレンズ群11A、11B
より光源側は前述の図1から図5、あるいは図12に示
した構成のいずれかとなっている。フライアイレンズ群
11A、11Bのレチクル側焦点面11b近傍に任意の
開口部(透過部)を有する遮光部材12aが設けられ、
フライアイレンズ群11A、11Bから射出される照明
光束を制限する。
【0051】リレーレンズ13aに対するフライアイレ
ンズ群11のレチクル側焦点面11bのフーリエ変換は
レチクルパターン17と共役面となるので、ここに可変
視野絞り(レチクルブラインド)13dを設ける。そし
て再びリレーレンズ13bによりフーリエ変換され、フ
ライアイレンズ群11のレチクル側焦点面11bの共役
面(フーリエ面)12bに到る。先の遮光部材12aは
このフーリエ面12bに設けても良い。
【0052】各フライアイレンズ群11A,11Bから
の照明光束はさらにコンデンサーレンズ13C、15、
ミラー14によってレチクル16に導かれる。なお、各
フライアイレンズ群11A,11Bに入射する照明光束
が有効にそこのみに集中できる系であれば、遮光部材を
12a、または12bの位置に設けなくても全く問題な
い。この場合でも、視野絞り(レチクルブラインド)1
3dの使用が可能である。
【0053】以上のいずれの実施例においても、遮光部
材10,12,12aの開口部1つあたりの径(又はフ
ライアイレンズ群の夫々の射出端面積)は、その開口部
を透過する照明光束のレチクル16に対するの開口数と
投影光学系18のレチクル側開口数(NAR )との比、
いわゆるσ値が0.1〜0.3程度になるように設定す
ることが望ましい。σ値が0.1より小さいと、転写像
のパターン忠実度が劣化し、0.3より大きいと、解像
度向上や、焦点深度増大の効果が弱くなってしまう。
【0054】また、フライアイレンズ群の1つによって
決まるσ値の条件(0.1σ0.3程度)を満たす
為に、個々のフライアイレンズ群11A、11Bの射出
端面積の大きさ、(光軸と垂直な面内方向の大きさ)
を、照明光束(射出光束)にあわせて決定しても良い。
また、各フライアイレンズ群11A、11Bのレチクル
側焦点面11b近傍に、それぞれ可変開口絞り(遮光部
材12と同等のもの)を設けて、各フライアイレンズ群
からの光束の開口数を可変として、σ値を変えても良
い。それとあわせて、投影光学系18内の瞳(入射瞳、
もしくは射出瞳)19近傍に可変開口絞り(NA制限絞
り)を設けて、投影系としてのNAもσ値をより最適化
することもできる。
【0055】また、各フライアイレンズ群に入射する光
束は、各フライアイレンズ群の入射端面よりもある程度
外側まで広く照明されており、かつ、各フライアイレン
ズ群に入射する光量分布が均一であると、レチクルパタ
ーン面での照度均一性を一層高められるので好ましい。
次に、フライアイレンズ群を可動する可動部の実施例を
図8及び図9を用いて説明する。
【0056】図8は可動部を光軸方向から見た図であ
り、図9は光軸と垂直な方向から見た図である。複数の
フライアイレンズ群として図8では4個のフライアイレ
ンズ群11A,11B,11C,11Dを光軸からほぼ
等距離に配置する。また、フライアイレンズ群11A,
11B,11C,11Dの夫々は、図8に示したように
32個のレンズエレメントで構成されるが、これに限定
されるものではなく、極端な場合1個のレンズエレメン
トで構成されたフライアイレンズ群としてもよい。さて
図8、図9において、フライアイレンズ群11A、11
B、11C、11Dは治具80A、80B、80C、8
0Dにより保持され、これら治具80A,80B,80
C,80Dはさらに支持棒70A、70B、70C、7
0Dを介して可動部材71A、71B、71C、71D
により支持される。この支持棒70A,70B,70
C,70Dは可動部材71A、71B、71C、71D
に含まれるモーター及びギア等の駆動素子により光軸方
向に伸縮可能となっている。また、可動部材71A、7
1B、71C、71D自体も、固定ガイド72A、72
B、72C、72Dに沿って可動であり、従って個々の
フライアイレンズ群11A、11B、11C、11Dは
光軸と垂直な面内方向に、それぞれ独立に可動となって
いる。
【0057】図8、及び図9に示したフライアイレンズ
群11A、11B、11C、11Dの各位置(光軸と垂
直な面内での位置)は、転写すべきレチクルパターンに
応じて決定(変更)するのが良い。この場合の位置決定
方法は作用の項で述べたとおり、各フライアイレンズ群
からの照明光束が転写すべきパターンの微細度(ピッ
チ)に対して最適な解像度、及び焦点深度の向上効果を
得られるようにレチクルパターンに入射する位置(入射
角ψ)とすればよい。次に各フライアイレンズ群の位置
決定の具体例を、図10、図11(A)、(B)、
(C)、(D)を用いて説明する。図10はフライアイ
レンズ群11A、11Bからレチクルパターン17まで
の部分を模式的に表わす図であり、フライアイレンズ群
11のレチクル側焦点面11bが、レチクルパターン1
7のフーリエ変換面12cと一致している。またこのと
き両者をフーリエ変換の関係とならしめるレンズ、また
はレンズ群を、一枚のレンズ15として表わしてある。
さらに、レンズ15のフライアイレンズ側主点からフラ
イアイレンズ群11のレチクル側焦点面11bまでの距
離と、レンズ15のレチクル側主点からレチクルパター
ン17までの距離は共にfであるとする。
【0058】図11(A)、(C)は共にレチクルパタ
ーン17中に形成される一部分のパターンの例を表わす
図であり、図11(B)は図11(A)のレチクルパタ
ーンの場合に最適なフライアイレンズ群の中心のフーリ
エ変換面(又は投影光学系の瞳面)での位置を示し、図
11(D)は図11(C)のレチクルパターンの場合に
最適な各フライアイレンズ群の位置(最適な各フライア
イレンズ群の中心の位置)を表わす図である。
【0059】図11(A)は、いわゆる1次元ラインア
ンドスペースパターンであって、透過部と遮光部が等し
い幅でY方向に帯状に並び、それらがX方向にピッチP
で規則的に並んでいる。このとき、個々のフライアイレ
ンズ群の最適位置は図11(B)に示すようにフーリエ
変換面内に仮定したY方向の線分Lα上、及び線分Lβ
上の任意の位置となる。図11(B)はレチクルパター
ン17に対するフーリエ変換面12c(11b)を光軸
AX方向から見た図であり、かつ、面12c内の座標系
X,Yは、同一方向からレチクルパターン17を見た図
11(A)と同一にしてある。さて、図11(B)にお
いて光軸AXが通る中心Cから、各線分Lα、Lβまで
の距離α、βはα=βであり、λを露光波長としたと
き、α=β=f・(1/2)・(λ/P)に等しい。こ
の距離α,βをf・sinψと表わせれば、sinψ=
λ/2Pであり、これは作用の項で述べた数値と一致し
ている。従って各フライアイレンズ群の各中心(各フラ
イアイレンズ群の夫々によって作られる2次光源像の光
量分布の各重心)位置が線分Lα、Lβ上にあれば図1
1(A)に示す如きラインアンドスペースパターンに対
して、各フライアイレンズからの照明光により発生する
0次回折光と±1次回折光のうちのどちらか一方との2
つの回折光は、投影光学系瞳面19において光軸AXか
らほぼ等距離となる位置を通る。従って前述の如く、ラ
インアンドスペースパターン(図11(A))に対する
焦点深度を最大とすることができ、かつ高解像度を得る
ことができる。
【0060】次に図11(C)は、レチクルパターンが
いわゆる孤立スペースパターンである場合であり、か
つ、パターンのX方向(横方向)ピッチがPx、Y方向
(縦方向)ピッチがPyとなっている。図11(D)は
この場合の各フライアイレンズ群の最適位置を表わす図
であり、図11(C)との位置、回転関係は図11
(A),(B)の関係と同じである。図11(C)の如
き、2次元パターンに照明光が入射するとパターンの2
次元方向の周期性(X:Px、Y:Py)に応じた2次
元方向に回折光が発生する。図11(C)の如き2次元
パターンにおいても回折光中の0次回折光と±1次回折
光のうちのいずれか一方とが投影光学系瞳面19におい
て光軸AXからほぼ等距離となるようにすれば、焦点深
度を最大とすることができる。図11(C)のパターン
ではX方向のピッチはPxであるから図11(D)に示
す如く、α=β=f・(1/2)・(λ/Px)となる
線分Lα、Lβ上に各フライアイレンズ群の中心があれ
ば、パターンのX方向成分について焦点深度を最大とす
ることができる。同様に、γ=ε=f・(1/2)・
(λ/Py)となる線分Lγ、Lε上に各フライアイレ
ンズ群の中心があれば、パターンY方向成分について焦
点深度を最大とすることができる。
【0061】以上、図11(B)、又は(D)に示した
各位置に配置したフライアイレンズ群からの照明光束が
レチクルパターン17に入射すると、0次光回折光成分
0 と、+1次回折光成分DR または−1次回折光成分
m のいずれか一方とが、投影光学系18内の瞳面19
では光軸AXからほぼ等距離となる光路を通る。従って
作用の項で述べたとおり、高解像及び大焦点深度の投影
型露光装置が実現できる。以上、レチクルパターン17
として図11(A)、又は(C)に示した2例のみを考
えたが、他のパターンであってもその周期性(微細度)
に着目し、そのパターンからの+1次回折光成分または
−1次回折光成分のいずれか一方と0次回折光成分との
2光束が、投影光学系内の瞳面19では光軸AXからほ
ぼ等距離になる光路を通る様な位置に各フライアイレン
ズ群の中心を配置すればよい。また図11(A)、
(C)のパターン例は、ライン部とスペース部の比(デ
ューティ比)が1:1のパターンであった為、発生する
回折光中では±1次回折光が強くなる。このため、±1
次回折光のうちの一方と0次回折光との位置関係に着目
したが、パターンがデューティ比1:1から異なる場合
等では他の回折光、例えば±2次回折光のうちの一方と
0次回折光との位置関係が、投影光学系瞳面19におい
て光軸AXからほぼ等距離となるようにしてもよい。
【0062】また、レチクルパターン17が図11
(D)の如く2次元の周期性パターンを含む場合、特定
の1つの0次回折光成分に着目したとき、投影光学系の
瞳面19上ではその1つの0次回折光成分を中心として
X方向(第1方向)に分布する1次以上の高次回折光成
分と、Y方向(第2方向)に分布する1次以上の高次回
折光成分とが存在し得る。そこで、特定の1つの0次回
折光成分に対して2次元のパターンの結像を良好に行う
ものとすると、第1方向に分布する高次回折光成分の1
つと、第2方向に分布する高次回折光成分の1つと、特
定の0次回折光成分との3つが、瞳面19上で光軸AX
からほぼ等距離に分布するように、特定の0次回折光成
分(1つのフライアイレンズ群)の位置を調節すればよ
い。例えば、図11(D)中でフライアイレンズ中心位
置を点Pζ、Pη、Pκ、Pμのいずれかと一致させる
とよい。点Pζ、Pη、Pκ、Pμはいずれも線分Lα
またはLβ(X方向の周期性について最適な位置、すな
わち0次回折光とX方向の±1次回折光の一方とが投影
光学系瞳面19上で光軸からほぼ等距離となる位置)及
び線分Lγ、Lε(Y方向の周期性について最適な位
置)の交点であるためX方向、Y方向のいずれのパター
ン方向についても最適な光源位置である。
【0063】なお、以上において2次元パターンとして
レチクル上の同一箇所に2次元の方向性を有するパター
ンを仮定したが、同一レチクルパターン中の異なる位置
に異なる方向性を有する複数のパターンが存在する場合
にも上記の方法を適用することが出来る。レチクル上の
パターンが複数の方向性又は微細度を有している場合、
フライアイレンズ群の最適位置は、上述の様にパターン
の各方向性及び微細度に対応したものとなるが、或いは
各最適位置の平均位置にフライアイレンズ群を配置して
もよい。また、この平均位置は、パターンの微細度や重
要度に応じた重みを加味した荷重平均としてもよい。
【0064】以上、複数のフライアイレンズ群の位置決
定の例を示したが、照明光束は、前述の光学部材(回折
格子状パターン、可動ミラー、プリズム或いはファイバ
ー等)により、各フライアイレンズ群の移動位置に対応
して集中させたが、この様な集中化のための光学部材は
設けなくても良い。また、各フライアイレンズ群を射出
した光束は、それぞれレチクルに対して傾いて入射す
る。このときこれらの傾いた入射光束(複数)の光量重
心の方向がレチクルに対して垂直でないと、ウェハ20
の微小デフォーカス時に、転写像の位置がウェハ面内方
向にシフトするという問題が発生する。これを防止する
為に、各フライアイレンズ群からの照明光束(複数)の
光量重心の方向は、レチクルパターンと垂直、すなわち
光軸AXと平行である様にする。
【0065】つまり、各フライアイレンズ群に光軸(中
心線)を仮定したとき投影光学系18の光軸AXを基準
としたその光軸(中心線)のフーリエ変換面内での位置
ベクトルと、各フライアイレンズ群から射出される光量
との積のベクトル和が零になる様にすればよい。また、
より簡単な方法としては、フライアイレンズ群を2m個
(mは自然数)とし、そのうちのm個の位置を前述の最
適化方法(図12)により決定し、残るm個は前記m個
と光軸AXについて対称となる位置に配置すればよい。
【0066】さらに装置が、例えばn個(nは自然数)
のフライアイレンズ群を有している場合に、必要なフラ
イアイレンズ群の数がn個より少ないm個である場合、
残る(n−m)個のフライアイレンズ群は使用しなくて
良い。(n−m)個のフライアイレンズ群を使用しなく
する為には、(n−m)個のフライアイレンズ群の位置
に遮光部材10、又は12を設けておけばよい。またこ
のとき各フライアイレンズ群の位置に照明光を集中する
光学部材は、この(n−m)個のフライアイレンズへは
集中を行なわない様にしておくとよい。
【0067】遮光部材10、又は12は各フライアイレ
ンズ群の移動に応じて開口部の位置が可変であることが
望ましい。あるいは各フライアイレンズの位置に応じて
遮光部材10、12を交換とする機構を設け、かつ何種
類かの遮光部材を装置内に有していてもよい。また、図
9に示したとおり、各フライアイレンズ群11A、11
B、11C,11Dを保持する治具80A、80B、8
0C、80Dがそれぞれ遮光羽根81A、81Bを有し
ていると、遮光部材12の開口は、フライアイレンズ径
よりかなり大きくて良く、従って1つの遮光部材12
で、種々の各フライアイレンズ位置に対応できる。ま
た、各遮光羽根81A、81Bは、光軸方向にわずかず
つずれていると、各フライアイレンズ群の移動範囲に与
える制限が減少される。
【0068】以上の実施例に於て、光源は水銀ランプ1
を用いて説明したが、他の輝線ランプやレーザー(エキ
シマ等)、あるいは連続スペクトルの光源であっても良
い。また照明光学系中の光学部材の大部分をレンズとし
たが、ミラー(凹面鏡、凸面鏡)であっても良い。投影
光学系としては屈折系であっても、反射系であっても、
あるいは反射屈折系であってもよい。また、以上の実施
例においては両側テレセントリックな投影光学系を使用
したが片側テレセントリック系でも、非テレセントリッ
ク系でもよい。さらに、光源から発生する照明光のう
ち、特定の波長の光のみを利用する為に、照明光学系中
に干渉フィルター等の単色化手段を設けてもよい。
【0069】また、フライアイレンズ群11A、11
B、11C、11Dの光源側焦点面11a近傍に、拡散
板や光ファイバー束等の光散乱部材を用いることで、照
明光の均一化を行なっても良い。あるいは本発明の実施
例で使用されたフライアイレンズ群11とは別に、さら
にフライアイレンズ(以後、別フライアイレンズ)等の
オプチカルインテグレーターを用いて、照明光の均一化
を行なっても良い。このとき別フライアイレンズは、上
記フライアイレンズ群11の光源側焦点面11a近傍で
の照明光量分布を可変とする光学部材、例えば図1,図
2に示した回折格子状パターン5、又は6よりも光源
(ランプ)1側であることが望ましい。
【0070】さらに別フライアイレンズのレンズエレメ
ントの断面形状は正方形(矩形)よりも正六角形にする
のが望ましい。図14は本発明の各実施例に適用される
投影露光装置のウェハステージ周りの構成を示し、投影
光学系18のウェハ20上での投影視野領域内に向けて
斜めにビーム100Aを照射し、その反射ビーム100
Bを受光する斜入射式のオートフォーカスセンサーを設
ける。このフォーカスセンサーは、ウェハ20の表面と
投影光学系18の最良結像面との光軸AX方向のずれを
検出するもので、そのずれが零となるように、ウェハ2
0を載置するZステージ110のモータ112をサーボ
制御する。これによってZステージ110はXYステー
ジ114に対して上下方向(光軸方向)に微動し、常に
ベストフォーカス状態で露光が行なわれる。このような
フォーカス制御が可能な露光装置においては、そのZス
テージ110を露光動作中に光軸方向に制御された速度
特性で移動させることで、さらに見かけ上の焦点深度を
拡大させることができる。この手法は、投影光学系18
の像側(ウェハ側)がテレセントリックであれば、どの
ようなタイプのステッパーでも実現可能である。
【0071】図15(A)は、Zステージ110の露光
中の移動に伴ってレジスト層内に得られる光軸方向の光
量(dose)分布、或いは存在確率を表し、図15
(B)は図15(A)のような分布を得るためのZステ
ージ110の速度特性を表す。図15(A)、(B)と
も縦軸はZ(光軸)方向のウェハ位置を表し、図15
(A)の横軸は存在確率を表し,図15(B)の横軸は
Zステージ110の速度Vを表す。また同図中、位置Z
0 はベストフォーカス位置である。
【0072】ここでは位置Z0 から上下に投影光学系1
8の理論的な焦点深度±ΔD0 fだけ離れた2つの位置
+Z1 ,−Z1 で存在確率をほぼ等しい極大値にし、そ
の間の位置+Z3 〜−Z3 の範囲では存在確率を小さな
値に押さえるようにした。そのために、Zステージ11
0は、照明系内部のシャッターの開放開始時の位置−Z
2 で、低い速度V1 で等速に上下へ移動し、シャッター
が全開になった直後に、高い速度V2 まで加速する。速
度V2 でZステージ110が等速に上下移動している
間、存在確率は低い値に押されられ、位置+Z3 に達し
た時点でZステージ110は低い速度V1 に向けて減速
を始め、位置+Z1 で存在確率が極大値になる。このと
きほぼ同時にシャッターの閉成指令が出力され、位置+
2 でシャッターが完全に閉じる。
【0073】このように、ウェハ20のレジスト層に与
えられる露光量の光軸方向に関する光量分布(存在確
率)を焦点深度の幅(2・ΔD0 f)程度だけ離れた2
点で極大値となるように、Zステージ110の速度を制
御すると、レジスト層に形成されるパターンのコントラ
ストは若干低下するものの、光軸方向の広い範囲に渡っ
て一様な解像力が得られる。
【0074】以上の累進焦点露光方法は、本発明の各実
施例に示したような特別な照明方式を採用した投影露光
装置でも全く同じように使用することができ、見かけ上
の焦点深度は、本発明の照明方式によって得られる拡大
分と、累積焦点露光方式によって得られる拡大分とのほ
ぼ積に応じた量だけ拡大される。しかも特別な照明方式
を採用していることから、解像力そのものも高くなる。
例えば、従来の1/5縮小のi線ステッパー(投影レン
ズのNA0.42)に位相シフトレチクルを組み合わせ
て露光できる最小線幅は0.3〜0.35μm程度であ
り、焦点深度の拡大率は最大40%程度である。これに
対して本発明のような特別な照明方式を同じi線ステッ
パーに組み込んで、普通のレチクルで実験したところ、
最小線幅は0.25〜0.3μm程度が得られ、焦点深
度の拡大率も位相シフトレチクルの使用時と同程度に得
られた。
【0075】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、通常のマス
クを使用しながら、従来よりも高解像度、大焦点深度の
投影型露光装置を実現することが可能である。しかも本
発明によれば、すでに半導体生産現場で稼働中の投影型
露光装置の照明系部分を替えるだけでよく、稼働中の装
置の投影光学系をそのまま利用して,それまで以上の高
解像力化が可能となる。
【0076】さらに本発明では、照明光学系内のマスク
のフーリエ変換相当面に複数のフライアイレンズ群を互
いに分離して配置したため、それらフライアイレンズ群
を可動としても、マスク又は感光基板上での照明光の均
一性は大きく変動することがないといった利点もある。
また、本発明の各実施例に示したフライアイレンズ群へ
の照明光の集中化方式によれば、光源からの照明光量の
損失を最小とすることができるから、露光装置としての
スループットも極端に低下することがないといった効果
もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による投影型露光装置の
構成を示す図である。
【図2】フライアイレンズ群への照明光の集中化の第1
の変形例を示す図である。
【図3】フライアイレンズ群への照明光の集中化の第2
の変形例を示す図である。
【図4】フライアイレンズ群への照明光の集中化の第3
の変形例を示す図である。
【図5】フライアイレンズ群への照明光の集中化の第4
の変形例を示す図である。
【図6】フライアイレンズ群への照明光の集中化の第5
の変形例を示す図である。
【図7】図1の装置にレチクルブラインドを組み込んだ
ときの照明系を示す図である。
【図8】4つの可動フライアイレンズ群の配置と、その
可動部材の構成を光軸方向からみた平面図である。
【図9】図8の構成を光軸と垂直な方向からみた図であ
る。
【図10】フライアイレンズ群から投影光学系までの光
路を模式的に表した図である。
【図11】(A)、(C)はマスク上に形成されたレチ
クルパターンの一例を示す平面図である。(B)、
(D)は(A)、(C)の夫々に対応した瞳共役面にお
ける各フライアイレンズ群の配置を説明する図である。
【図12】本発明の原理を説明する図である。
【図13】従来の投影型露光装置の構成を示す図であ
る。
【図14】投影型露光装置のウェハステージ回りの構成
を示す図である。
【図15】ウェハステージのうちのZステージを用いて
累進焦点露光方法を実行する際の露光量の存在確率と、
Zステージの速度特性とを示すグラフである。
【符号の説明】
5 回折格子状パターン 9 レンズ系 11A,11B,11C,11D フライアイレンズ系 10,12 遮光部材(空間フィルター) 15 主コンデンサーレンズ 16 レチクル 17 レチクルパターン 18 投影光学系 19 瞳 20 ウェハ 71A,71B,71C,71D 可動部材

Claims (35)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源からの照明光をマスクに照射する照明
    光学系と、前記照明光を基板上に投射する投影光学系と
    を備え、前記照明光の照射によって前記マスクのパター
    ンを前記基板上に転写する投影露光装置において、 前記照明光学系内で前記パターンに対するフーリエ変換
    面にそれぞれ一端面が実質的に配置される互いに分離し
    た複数のオプチカルインテグレータを備え、前記複数の
    オプチカルインテグレータはその中心が前記パターンの
    微細度に応じた距離だけ前記照明光学系の光軸から偏心
    して配置されることを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】前記各オプチカルインテグレータから射出
    される光の照射によって前記パターンから発生する次数
    が異なる2つの回折光が、前記投影光学系の瞳面上でそ
    の光軸からの距離がほぼ等しい位置を通過するように、
    前記各オプチカルインテグレータの位置を決定すること
    を特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】前記各オプチカルインテグレータから射出
    される光の前記マスクへの入射角をψ、前記パターンか
    ら発生する±n次回折光の回折角をθ、前記投影光学系
    のマスク側開口数をNARとすると、前記±n次回折光
    の一方でsin(θ−ψ)=NARなる関係が満たされる
    ように、前記各オプチカルインテグレータの位置を決定
    することを特徴とする請求項1又は2に記載の投影露光
    装置。
  4. 【請求項4】前記一方の回折光は、前記投影光学系の光
    軸に関して前記パターンから発生する0次回折光とほぼ
    対称になることを特徴とする請求項3に記載の投影露光
    装置。
  5. 【請求項5】前記照明光の波長をλ、前記パターンのピ
    ッチをPとし、前記各オプチカルインテグレータから射
    出される光の前記マスクへの入射角ψがsinψ=λ/
    2Pなる関係を満たすように、前記各オプチカルインテ
    グレータの位置を決定することを特徴とする請求項1〜
    4のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  6. 【請求項6】前記パターンが互いに交差する第1及び第
    2方向に沿って設けられるとき、前記各オプチカルイン
    テグレータから射出される光の照射によって前記パター
    ンから発生する0次回折光、前記0次回折光を中心とし
    て前記第1方向に分布する高次回折光の1つ、及び前記
    0次回折光を中心として前記第2方向に分布する高次回
    折光の1つが、前記投影光学系の瞳面上でその光軸から
    ほぼ等距離に分布するように、前記各オプチカルインテ
    グレータの位置を決定することを特徴とする請求項1〜
    5のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  7. 【請求項7】前記パターンが互いに交差する第1及び第
    2方向に沿って設けられるとき、前記フーリエ変換面上
    の前記光軸で交差し、かつ前記第1及び第2方向に沿っ
    て規定される第1及び第2軸によって区切られる複数の
    領域内にそれぞれ前記オプチカルインテグレータを配置
    することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記
    載の投影露光装置。
  8. 【請求項8】前記各オプチカルインテグレータから射出
    される光の開口数と前記投影光学系のマスク側開口数と
    の比を0.1〜0.3程度に設定することを特徴とする
    請求項1〜7のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  9. 【請求項9】前記複数のオプチカルインテグレータとは
    別に、前記照明光学系内でその光軸方向に離れて設けら
    れるオプチカルインテグレータを更に備えることを特徴
    とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の投影露光装
    置。
  10. 【請求項10】前記光源からの照明光を遮光することな
    く前記複数のオプチカルインテグレータの各入射面に集
    中して入射させるインプット光学系を更に備えることを
    特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の投影露
    光装置。
  11. 【請求項11】前記インプット光学系は、前記照明光を
    入射して回折光を発生する回折光学素子を含むことを特
    徴とする請求項10に記載の投影露光装置。
  12. 【請求項12】前記基板上に転写すべきパターンの周期
    性に応じて、前記フーリエ変換面上での位置が変更され
    るように前記複数のオプチカルインテグレータを移動す
    る調整手段を更に備えることを特徴とする請求項1〜1
    1のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  13. 【請求項13】前記複数のオプチカルインテグレータは
    2m個で構成されるとともに、m個のオプチカルインテ
    グレータは、前記パターンから発生する±n次回折光の
    一方と0次回折光とが前記投影光学系の瞳面上でその光
    軸からほぼ等距離に分布するように配置され、残りのm
    個のオプチカルインテグレータは、前記照明光学系の光
    軸に関して前記m個のオプチカルインテグレータとほぼ
    対称に配置されることを特徴とする請求項1〜12のい
    ずれか一項に記載の投影露光装置。
  14. 【請求項14】前記複数のオプチカルインテグレータは
    それぞれ射出側焦点面が前記フーリエ変換面にほぼ一致
    して配置されるフライアイレンズであることを特徴とす
    る請求項1〜13のいずれか一項に記載の投影露光装
    置。
  15. 【請求項15】光源からの照明光をマスクに照射する照
    明光学系と、前記照明光を基板上に投射する投影光学系
    とを備え、前記照明光の照射によって前記マスクのパタ
    ーンを前記基板上に転写する投影露光装置において、 前記照明光学系内の前記パターンに対するフーリエ変換
    面上での前記照明光の光量分布を中心部よりもその外側
    領域で高めるとともに、前記照明光を遮光することなく
    前記外側領域の前記照明光学系の光軸との距離を可変と
    する光学部材を備えたことを特徴とする投影露光装置。
  16. 【請求項16】前記光学部材は、前記光源と前記照明光
    学系内のオプチカルインテグレータとの間に配置される
    可動光学素子を含むことを特徴とする請求項15に記載
    の投影露光装置。
  17. 【請求項17】前記可動光学素子はズームレンズ系を構
    成することを特徴とする請求項16に記載の投影露光装
    置。
  18. 【請求項18】前記光学部材は、前記光源と前記可動光
    学素子との間に配置され、前記照明光を互いに異なる方
    向に進む複数の光束に変換する光学素子を含むことを特
    徴とする請求項17に記載の投影露光装置。
  19. 【請求項19】前記光学部材は、前記光源と前記照明光
    学系内のオプチカルインテグレータとの間に配置され、
    前記照明光を互いに異なる方向に進む複数の光束に変換
    する光学素子を含み、前記光学素子の交換によって前記
    距離を可変とすることを特徴とする請求項15に記載の
    投影露光装置。
  20. 【請求項20】前記基板上に転写すべきパターンの微細
    度に応じて前記距離が変更されることを特徴とする請求
    項15〜19のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  21. 【請求項21】前記パターンは少なくとも第1方向に沿
    って延び、前記外側領域は、前記フーリエ変換面上で前
    記照明光学系の光軸と交差し、かつ前記第1方向に沿っ
    て規定される第1軸によって区切られる領域内に設定さ
    れることを特徴とする請求項15〜20のいずれか一項
    に記載の投影露光装置。
  22. 【請求項22】前記パターンは前記第1方向と直交する
    第2方向に沿って延び、前記外側領域は、前記第1軸
    と、前記フーリエ変換面上の前記照明光学系の光軸で前
    記第1軸と直交し、かつ前記第2方向に沿って規定され
    る第2軸とによって区切られる領域内に設定されること
    を特徴とする請求項21に記載の投影露光装置。
  23. 【請求項23】前記外側領域は、前記パターンの微細度
    に応じて前記照明光学系の光軸との距離がほぼ等しく決
    定され、かつ前記第1及び第2軸によって区切られる4
    つの領域内にそれぞれ設定されることを特徴とする請求
    項22に記載の投影露光装置。
  24. 【請求項24】前記外側領域は、前記照明光学系の光軸
    との距離がほぼ等しい複数の領域内にそれぞれ設定さ
    れ、前記基板上に転写すべきパターンの周期性に応じ
    て、前記複数の領域の各位置が変更されることを特徴と
    する請求項15〜20のいずれか一項に記載の投影露光
    装置。
  25. 【請求項25】前記各領域から射出される光の照射によ
    って前記パターンから発生する次数が異なる2つの回折
    光が、前記投影光学系の瞳面上でその光軸からの距離が
    ほぼ等しい位置を通過するように、前記各領域の位置を
    決定することを特徴とする請求項24に記載の投影露光
    装置。
  26. 【請求項26】前記各領域から射出される光の前記マス
    クへの入射角をψ、前記パターンから発生する±n次回
    折光の回折角をθ、前記投影光学系のマスク側開口数を
    NARとすると、前記±n次回折光の一方でsin(θ−
    ψ)=NARなる関係が満たされるように、前記各領域の
    位置を決定することを特徴とする請求項24又は25に
    記載の投影露光装置。
  27. 【請求項27】前記一方の回折光は、前記投影光学系の
    光軸に関して前記パターンから発生する0次回折光とほ
    ぼ対称になることを特徴とする請求項26に記載の投影
    露光装置。
  28. 【請求項28】前記照明光の波長をλ、前記パターンの
    ピッチをPとし、前記各領域から射出される光の前記マ
    スクへの入射角ψがsinψ=λ/2Pなる関係を満た
    すように、前記各領域の位置を決定することを特徴とす
    る請求項24〜27のいずれか一項に記載の投影露光装
    置。
  29. 【請求項29】前記パターンが互いに交差する第1及び
    第2方向に沿って設けられるとき、前記各領域から射出
    される光の照射によって前記パターンから発生する0次
    回折光、前記0次回折光を中心として前記第1方向に分
    布する高次回折光の1つ、及び前記0次回折光を中心と
    して前記第2方向に分布する高次回折光の1つが、前記
    投影光学系の瞳面上でその光軸からほぼ等距離に分布す
    るように、前記各領域の位置を決定することを特徴とす
    る請求項24〜28のいずれか一項に記載の投影露光装
    置。
  30. 【請求項30】前記パターンが互いに交差する第1及び
    第2方向に沿って設けられるとき、前記複数の領域は、
    前記フーリエ変換面上の前記光軸で交差し、かつ前記第
    1及び第2方向に沿って規定される第1及び第2軸によ
    って区切られることを特徴とする請求項24〜29のい
    ずれか一項に記載の投影露光装置。
  31. 【請求項31】前記複数の領域は、前記パターンから発
    生する±n次回折光の一方と0次回折光とが前記投影光
    学系の瞳面上でその光軸からほぼ等距離に分布するよう
    に配置されるm個の第1領域と、前記照明光学系の光軸
    に関して前記m個の第1領域とほぼ対称に配置されるm
    個の第2領域とを含むことを特徴とする請求項24〜3
    0のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  32. 【請求項32】前記各領域から射出される光の開口数と
    前記投影光学系のマスク側開口数との比を0.1〜0.
    3程度に設定することを特徴とする請求項23〜31の
    いずれか一項に記載の投影露光装置。
  33. 【請求項33】前記照明光による前記基板の露光中に、
    前記基板と前記投影光学系の像面とをその光軸に沿った
    方向に相対移動する手段を更に備えることを特徴とする
    請求項1〜32のいずれか一項に記載の投影露光装置。
  34. 【請求項34】請求項1〜33のいずれか一項に記載の
    投影露光装置を用いた素子製造方法。
  35. 【請求項35】照明光学系を通して光源からの照明光を
    マスクに照射するとともに、投影光学系を介して前記照
    明光で基板を露光する投影露光方法において、 前記投影光学系の瞳面と実質的に共役な前記照明光学系
    内の所定面上での前記照明光の光量分布を中心部よりも
    その外側領域で高めるとともに、前記基板上に転写すべ
    きパターンに応じて、前記照明光を遮光することなく前
    記外側領域の前記照明光学系の光軸との距離を可変とす
    ることを特徴とする投影露光方法。
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