JP2890892B2 - 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた素子製造方法Info
- Publication number
- JP2890892B2 JP2890892B2 JP3128446A JP12844691A JP2890892B2 JP 2890892 B2 JP2890892 B2 JP 2890892B2 JP 3128446 A JP3128446 A JP 3128446A JP 12844691 A JP12844691 A JP 12844691A JP 2890892 B2 JP2890892 B2 JP 2890892B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- light source
- optical system
- effective light
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置及びそれを用い
た素子製造方法に関し、具体的には半導体素子の製造装
置である所謂ステッパーにおいてレチクル面上のパター
ンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるように
したものである。
た素子製造方法に関し、具体的には半導体素子の製造装
置である所謂ステッパーにおいてレチクル面上のパター
ンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるように
したものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は１ＭＤＲＡＭの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工を技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して、光学系のＮＡ（開口数）
を大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露
光波長をｇ線からｉ線に変えて、超高圧水銀灯を用いた
露光法により解像力を向上させる試みも種々と行なわれ
ている。
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は１ＭＤＲＡＭの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工を技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して、光学系のＮＡ（開口数）
を大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露
光波長をｇ線からｉ線に変えて、超高圧水銀灯を用いた
露光法により解像力を向上させる試みも種々と行なわれ
ている。
【０００３】露光波長としてｇ線やｉ線を用いる方法の
発展と共にレジストプロセスも同様に発展してきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソグラフィ
が急激に進歩してきた。
発展と共にレジストプロセスも同様に発展してきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソグラフィ
が急激に進歩してきた。
【０００４】一般にステッパーの焦点深度はＮＡの２乗
に反比例することが知られている。この為サブミクロン
の解像力を得ようとすると、それと共に焦点深度が浅く
なってくるという問題点が生じてくる。
に反比例することが知られている。この為サブミクロン
の解像力を得ようとすると、それと共に焦点深度が浅く
なってくるという問題点が生じてくる。
【０００５】これに対してエキシマレーザーに代表され
る更に短い波長の光を用いることにより解像力の向上を
図る方法が種々と提案されている。短波長の光を用いる
効果は一般に波長に反比例する効果を持っていることが
知られており、波長を短くした分だけ焦点深度は深くな
る。
る更に短い波長の光を用いることにより解像力の向上を
図る方法が種々と提案されている。短波長の光を用いる
効果は一般に波長に反比例する効果を持っていることが
知られており、波長を短くした分だけ焦点深度は深くな
る。
【０００６】短波長化の光を用いる他に解像力を向上さ
せる方法として位相シフトマスクを用いる方法（位相シ
フト法）が種々と提案されている。この方法は従来のマ
スクの一部分に、他の部分とは通過光に対して１８０度
の位相差を与える薄膜を形成し、解像力を向上させよう
とするものであり、ＩＢＭ社（米国）のＬｅｖｅｎｓｏ
ｎらにより提案されている。解像力ＲＰは波長をλ、パ
ラメータをｋ1 、開口数をＮＡとすると一般に式 ＲＰ＝ｋ1 λ／ＮＡ で示される。通常０．７〜０．８が実用域とされるパラ
メータｋ1 は、位相シフト法によれば０．３５ぐらい迄
大幅に改善できることが知られている。
せる方法として位相シフトマスクを用いる方法（位相シ
フト法）が種々と提案されている。この方法は従来のマ
スクの一部分に、他の部分とは通過光に対して１８０度
の位相差を与える薄膜を形成し、解像力を向上させよう
とするものであり、ＩＢＭ社（米国）のＬｅｖｅｎｓｏ
ｎらにより提案されている。解像力ＲＰは波長をλ、パ
ラメータをｋ1 、開口数をＮＡとすると一般に式 ＲＰ＝ｋ1 λ／ＮＡ で示される。通常０．７〜０．８が実用域とされるパラ
メータｋ1 は、位相シフト法によれば０．３５ぐらい迄
大幅に改善できることが知られている。
【０００７】位相シフト法には種々のものが知られてお
り、それらは例えば日経マイクロデバイス１９９０年７
月号１０８ページ以降の福田等の論文に詳しく記載され
ている。
り、それらは例えば日経マイクロデバイス１９９０年７
月号１０８ページ以降の福田等の論文に詳しく記載され
ている。
【０００８】しかしながら実際に空間周波数変調型の位
相シフトマスクを用いて解像力を向上させるためには未
だ多くの問題点が残っている。例えば現状で問題点とな
っているものとして以下のものがある。 （イ）．位相シフト膜を形成する技術が未確立。 （ロ）．位相シフト膜用の最適なＣＡＤの開発が未確
立。 （ハ）．位相シフト膜を付けれないパターンの存在。 （ニ）．（ハ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
をえないこと。 （ホ）．検査、修正技術が未確立。
相シフトマスクを用いて解像力を向上させるためには未
だ多くの問題点が残っている。例えば現状で問題点とな
っているものとして以下のものがある。 （イ）．位相シフト膜を形成する技術が未確立。 （ロ）．位相シフト膜用の最適なＣＡＤの開発が未確
立。 （ハ）．位相シフト膜を付けれないパターンの存在。 （ニ）．（ハ）に関連してネガ型レジストを使用せざる
をえないこと。 （ホ）．検査、修正技術が未確立。
【０００９】このため実際に位相シフトマスクを利用し
て半導体素子を製造するには様々な障害があり、現在の
ところ大変困難である。
て半導体素子を製造するには様々な障害があり、現在の
ところ大変困難である。
【００１０】これに対して本出願人は位相シフトマスク
を用いずにより解像力を高めた露光装置を特願平３−２
８６３１号（平成３年２月２２日出願）で提案してい
る。
を用いずにより解像力を高めた露光装置を特願平３−２
８６３１号（平成３年２月２２日出願）で提案してい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一方、特開昭６１−９
１６６２号公報では、通常の均一絞りに換えて均一絞り
とは開口形状が異なる特殊絞りをオプティカルインテグ
レータの後に挿入することにより、有効光源である２次
光源の（強度分布の）形状を周辺部強度が中央部強度よ
り大なるものに変換し、解像性能を高めた状態にする露
光装置を開示している。しかしながら、均一絞りを特殊
絞りと交換すると、レチクルを照明する照明光の状態が
変わるためにレチクル上で照度むらが生じ、その結果ウ
エハ上では露光むらが生じる。本発明の目的は、有効光
源の形状を変更しても露光むらが生じないか小さくでき
る露光装置及びそれを用いた素子製造方法の提供を目的
とする。
１６６２号公報では、通常の均一絞りに換えて均一絞り
とは開口形状が異なる特殊絞りをオプティカルインテグ
レータの後に挿入することにより、有効光源である２次
光源の（強度分布の）形状を周辺部強度が中央部強度よ
り大なるものに変換し、解像性能を高めた状態にする露
光装置を開示している。しかしながら、均一絞りを特殊
絞りと交換すると、レチクルを照明する照明光の状態が
変わるためにレチクル上で照度むらが生じ、その結果ウ
エハ上では露光むらが生じる。本発明の目的は、有効光
源の形状を変更しても露光むらが生じないか小さくでき
る露光装置及びそれを用いた素子製造方法の提供を目的
とする。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、 (1-1) 第１物体のパターンを介して第２物体を露光する
露光装置において、露光に用いる有効光源の形状を変更
する変更手段と、前記有効光源の形状の変更に応じて照
度むらを調整する調整手段とを有することを特徴として
いる。特に、 (1-1-1) 前記有効光源は前記第１物体を照明する照明光
学系内のオプティカルインテグレータの光出射側に形成
されること。 (1-1-2) 前記変更手段は、互いに開口形状が異なる複数
の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグレータの
前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設ける絞り
選択手段を有すること。 (1-1-3) 前記絞り選択手段は、前記複数の絞りを相異な
る位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装置とを
有すること。 (1-1-4) 前記複数の絞りの内の一つは前記光路中に設け
たときに光軸上に開口が存する第１絞りであり、前記複
数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設けたときに光
軸外に開口が存する第２絞りであること。 (1-1-5) 前記第２絞りは４つの開口を有すること。 (1-1-6) 前記４つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに直交する２方向を夫々ｘ軸、ｙ
軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座標系を
前記第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限に設け
てあること。 (1-1-7) 前記照明光学系は動かすことができる水銀灯を
有し、前記絞りの交換に応じて前記水銀灯を光軸方向に
動かすこと。 (1-1-8) 前記照明光学系はズーム光学系を有し、前記絞
りの交換に応じてズーミングを行なうこと。 (1-1-9) 前記照明光学系は光入射側が１つに束ねられ且
つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバーの束を
有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファイバーの
間隔を変更すること。 (1-1-10) 前記照明光学系は光路に対して着脱可能な４
角錐プリズムを有し、前 記絞りの交換に応じて前記４角
錐プリズムを光路中に挿入すること。 (1-1-11) 前記調整手段は、前記オプティカルインテグ
レータからの光束を前記第１物体に向ける光学系中の可
動レンズ又は交換レンズであること。 (1-1-12) 前記照明光学系は超高圧水銀灯と超高圧水銀
灯からの光から所望の波長の光を選択する波長選択手段
とを有すること。 (1-1-13) 前記照明光学系はエキシマレーザーを有する
こと。 (1-1-14) 第１物体のパターンの像を第２物体に投影す
る投影光学系を有し、前記有効光源の像が前記投影光学
系の瞳に投影されること等を特徴としている。 (1-2) 第１物体のパターンを第２物体に投影する投影光
学系を有する露光装置において、前記投影光学系の瞳と
共役な位置に光源からの光により有効光源を形成する有
効光源形成手段と前記有効光源からの光束を前記第１物
体に照射する照射手段とを有し、前記有効光源形成手段
は前記有効光源の形状を変更する変更手段を有し、前記
有効光源の形状の変更に応じて照度むらを調整する調整
手段を有することを特徴としている。特に、 (1-2-1) 前記有効光源形成手段はオプティカルインテグ
レータを有すること。 (1-2-2) 前記変更手段は、互いに開口形状が異なる複数
の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグレータの
前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設ける絞り
選択手段を有すること。 (1-2-3) 前記絞り選択手段は、前記複数の絞りを相異な
る位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装置とを
有すること。 (1-2-4) 前記複数の絞りの内の一つは前記光路中に設け
たときに光軸上に開口が存する第１絞りであり、前記複
数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設けたときに光
軸外に開口が存する第２絞りであること。 (1-2-5) 前記第２絞りは４つの開口を有すること。 (1-2-6) 前記４つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに直交する２方向をｘ軸，ｙ軸の
方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座標系を前記
第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限に設けてあ
ること。 (1-2-7) 前記照明光学系は動かすことができる水銀灯を
有し、前記絞りの交換に 応じて前記水銀灯を光軸方向に
動かすこと。 (1-2-8) 前記照明光学系はズーム光学系を有し、前記絞
りの交換に応じてズーミングを行なうこと。 (1-2-9) 前記照明光学系は光入射側が１つに束ねられ且
つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバーの束を
有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファイバーの
間隔を変更すること。 (1-2-10) 前記照明光学系は光路に対して着脱可能な４
角錐プリズムを有し、前記絞りの交換に応じて前記４角
錐プリズムを光路中に挿入すること。(1-2-11) 前記調整手段は、前記照射手段中の可動レン
ズ又は交換レンズを備えること。(1-2-12) 前記光源は超高圧水銀灯であり、前記有効光
源形成手段は前記超高圧水銀灯からの光が所望の波長の
光を選択する波長選択手段を有すること。(1-2-13) 前記光源はエキシマレーザーであること等を
特徴としている。本発明の素子製造方法は、 (2-1) 第１物体の回路パターンを介して第２物体を露光
し、前記回路パターンを前記第２物体に転写する素子製
造方法において、露光に用いる有効光源の形状を変更す
る段階と、前記有効光源の形状の変更に応じて照度むら
を調整する段階とを有することを特徴としている。 (2-2) 投影光学系の瞳と共役な位置に形成した有効光源
からの光で第１物体を照明し、第１物体の回路パターン
を前記投影光学系により第２物体に投影して転写する素
子製造方法において、前記有効光源の形状を変更する段
階と、前記有効光源の形状の変更に応じて照度むらを調
整する段階とを有することを特徴としている。
露光装置において、露光に用いる有効光源の形状を変更
する変更手段と、前記有効光源の形状の変更に応じて照
度むらを調整する調整手段とを有することを特徴として
いる。特に、 (1-1-1) 前記有効光源は前記第１物体を照明する照明光
学系内のオプティカルインテグレータの光出射側に形成
されること。 (1-1-2) 前記変更手段は、互いに開口形状が異なる複数
の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグレータの
前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設ける絞り
選択手段を有すること。 (1-1-3) 前記絞り選択手段は、前記複数の絞りを相異な
る位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装置とを
有すること。 (1-1-4) 前記複数の絞りの内の一つは前記光路中に設け
たときに光軸上に開口が存する第１絞りであり、前記複
数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設けたときに光
軸外に開口が存する第２絞りであること。 (1-1-5) 前記第２絞りは４つの開口を有すること。 (1-1-6) 前記４つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに直交する２方向を夫々ｘ軸、ｙ
軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座標系を
前記第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限に設け
てあること。 (1-1-7) 前記照明光学系は動かすことができる水銀灯を
有し、前記絞りの交換に応じて前記水銀灯を光軸方向に
動かすこと。 (1-1-8) 前記照明光学系はズーム光学系を有し、前記絞
りの交換に応じてズーミングを行なうこと。 (1-1-9) 前記照明光学系は光入射側が１つに束ねられ且
つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバーの束を
有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファイバーの
間隔を変更すること。 (1-1-10) 前記照明光学系は光路に対して着脱可能な４
角錐プリズムを有し、前 記絞りの交換に応じて前記４角
錐プリズムを光路中に挿入すること。 (1-1-11) 前記調整手段は、前記オプティカルインテグ
レータからの光束を前記第１物体に向ける光学系中の可
動レンズ又は交換レンズであること。 (1-1-12) 前記照明光学系は超高圧水銀灯と超高圧水銀
灯からの光から所望の波長の光を選択する波長選択手段
とを有すること。 (1-1-13) 前記照明光学系はエキシマレーザーを有する
こと。 (1-1-14) 第１物体のパターンの像を第２物体に投影す
る投影光学系を有し、前記有効光源の像が前記投影光学
系の瞳に投影されること等を特徴としている。 (1-2) 第１物体のパターンを第２物体に投影する投影光
学系を有する露光装置において、前記投影光学系の瞳と
共役な位置に光源からの光により有効光源を形成する有
効光源形成手段と前記有効光源からの光束を前記第１物
体に照射する照射手段とを有し、前記有効光源形成手段
は前記有効光源の形状を変更する変更手段を有し、前記
有効光源の形状の変更に応じて照度むらを調整する調整
手段を有することを特徴としている。特に、 (1-2-1) 前記有効光源形成手段はオプティカルインテグ
レータを有すること。 (1-2-2) 前記変更手段は、互いに開口形状が異なる複数
の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグレータの
前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設ける絞り
選択手段を有すること。 (1-2-3) 前記絞り選択手段は、前記複数の絞りを相異な
る位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装置とを
有すること。 (1-2-4) 前記複数の絞りの内の一つは前記光路中に設け
たときに光軸上に開口が存する第１絞りであり、前記複
数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設けたときに光
軸外に開口が存する第２絞りであること。 (1-2-5) 前記第２絞りは４つの開口を有すること。 (1-2-6) 前記４つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに直交する２方向をｘ軸，ｙ軸の
方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座標系を前記
第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限に設けてあ
ること。 (1-2-7) 前記照明光学系は動かすことができる水銀灯を
有し、前記絞りの交換に 応じて前記水銀灯を光軸方向に
動かすこと。 (1-2-8) 前記照明光学系はズーム光学系を有し、前記絞
りの交換に応じてズーミングを行なうこと。 (1-2-9) 前記照明光学系は光入射側が１つに束ねられ且
つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバーの束を
有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファイバーの
間隔を変更すること。 (1-2-10) 前記照明光学系は光路に対して着脱可能な４
角錐プリズムを有し、前記絞りの交換に応じて前記４角
錐プリズムを光路中に挿入すること。(1-2-11) 前記調整手段は、前記照射手段中の可動レン
ズ又は交換レンズを備えること。(1-2-12) 前記光源は超高圧水銀灯であり、前記有効光
源形成手段は前記超高圧水銀灯からの光が所望の波長の
光を選択する波長選択手段を有すること。(1-2-13) 前記光源はエキシマレーザーであること等を
特徴としている。本発明の素子製造方法は、 (2-1) 第１物体の回路パターンを介して第２物体を露光
し、前記回路パターンを前記第２物体に転写する素子製
造方法において、露光に用いる有効光源の形状を変更す
る段階と、前記有効光源の形状の変更に応じて照度むら
を調整する段階とを有することを特徴としている。 (2-2) 投影光学系の瞳と共役な位置に形成した有効光源
からの光で第１物体を照明し、第１物体の回路パターン
を前記投影光学系により第２物体に投影して転写する素
子製造方法において、前記有効光源の形状を変更する段
階と、前記有効光源の形状の変更に応じて照度むらを調
整する段階とを有することを特徴としている。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。図中１１は超高圧水銀灯等の光源でその発光点は楕
円ミラー１２の第１焦点近傍に配置している。この超高
圧水銀灯１１より発した光が楕円ミラー１２によって集
光される。１３は光路を曲げるためのミラー、１４はシ
ャッターで通過光量を制限している。１５はリレーレン
ズ系で超高圧水銀灯１１からの光を波長選択手段として
の波長選択フィルター１６を介してオプティカルインテ
グレータ１７に効率よく集めている。オプティカルイン
テグレータ１７は後述するように複数の微小レンズを２
次元的に配列した構成より成っている。
る。図中１１は超高圧水銀灯等の光源でその発光点は楕
円ミラー１２の第１焦点近傍に配置している。この超高
圧水銀灯１１より発した光が楕円ミラー１２によって集
光される。１３は光路を曲げるためのミラー、１４はシ
ャッターで通過光量を制限している。１５はリレーレン
ズ系で超高圧水銀灯１１からの光を波長選択手段として
の波長選択フィルター１６を介してオプティカルインテ
グレータ１７に効率よく集めている。オプティカルイン
テグレータ１７は後述するように複数の微小レンズを２
次元的に配列した構成より成っている。
【００２１】本実施例においてはオプティカルインテグ
レータ（インテグレータ）１７への結像状態はクリティ
カル照明でもケーラー照明でもよく、また例えば楕円ミ
ラー１２の射出口をオプティカルインテグレータ１７に
結像するものであっても良い。波長選択フィルター１６
は超高圧水銀灯１１からの光束の波長成分の中から必要
な波長成分の光のみを選択して通過させている。
レータ（インテグレータ）１７への結像状態はクリティ
カル照明でもケーラー照明でもよく、また例えば楕円ミ
ラー１２の射出口をオプティカルインテグレータ１７に
結像するものであっても良い。波長選択フィルター１６
は超高圧水銀灯１１からの光束の波長成分の中から必要
な波長成分の光のみを選択して通過させている。
【００２２】１８は選択手段（絞り選択手段）としての
絞り形状調整部材であり、複数の絞りをターレット式に
配置して構成しており、オプティカルインテグレータ１
７の後に配置している。絞り形状調整部材１８はオプテ
ィカルインテグレータ１７の形状に応じてオプティカル
インテグレータ１７を構成する複数の微小レンズから所
定の微小レンズの選択を行なっている。即ち、本実施例
では絞り形状調整部材１８を絞り駆動系５０（駆動装
置）を駆動させることにより露光を行なう後述する半導
体集積回路のパターン形状に合わせた照明方法を選択し
ている。このときの複数の微小レンズの選択に関しては
後述する。本実施形態において、各要素１８，５０は露
光に用いる有効光源の形状を変更する変更手段の一要素
を構成している。
絞り形状調整部材であり、複数の絞りをターレット式に
配置して構成しており、オプティカルインテグレータ１
７の後に配置している。絞り形状調整部材１８はオプテ
ィカルインテグレータ１７の形状に応じてオプティカル
インテグレータ１７を構成する複数の微小レンズから所
定の微小レンズの選択を行なっている。即ち、本実施例
では絞り形状調整部材１８を絞り駆動系５０（駆動装
置）を駆動させることにより露光を行なう後述する半導
体集積回路のパターン形状に合わせた照明方法を選択し
ている。このときの複数の微小レンズの選択に関しては
後述する。本実施形態において、各要素１８，５０は露
光に用いる有効光源の形状を変更する変更手段の一要素
を構成している。
【００２３】１９は光路を曲げるためのミラー、２０は
レンズ系であり、絞り形状調整部材１８を通過した光束
を集光している。レンズ系２０は照明の均一性をコント
ロールするために重要な役割を果している。２１はハー
フミラーであり、レンズ系２０からの光束を透過光と反
射光に分割している。このうちハーフミラー２１で反射
した光はレンズ３８、ピンホール３９を介してフォトデ
ィテクター４０に導光している。ピンホール３９は露光
が行なわれるべきパターンを持ったレチクル３０と光学
的に等価な位置にあり、ここを通過した光がフォトディ
テクター４０によって検出して、露光量のコントロール
を行なっている。
レンズ系であり、絞り形状調整部材１８を通過した光束
を集光している。レンズ系２０は照明の均一性をコント
ロールするために重要な役割を果している。２１はハー
フミラーであり、レンズ系２０からの光束を透過光と反
射光に分割している。このうちハーフミラー２１で反射
した光はレンズ３８、ピンホール３９を介してフォトデ
ィテクター４０に導光している。ピンホール３９は露光
が行なわれるべきパターンを持ったレチクル３０と光学
的に等価な位置にあり、ここを通過した光がフォトディ
テクター４０によって検出して、露光量のコントロール
を行なっている。
【００２４】２２は所謂マスキングを行なうメカニカル
ブレードであり、レチクル３０の露光されるべきパター
ン部の大きさによって駆動系（不図示）によって位置の
調整を行なっている。２３はミラー、２４はレンズ系、
２５はミラー、２６はレンズ系で、これらの各部材を介
した超高圧水銀灯１１からの光でレチクルステージ３７
上に載置されたレチクル（第１物体）３０を照明してい
る。本実施形態において各要素２０，２２，２４，２６
は有効光源からの光束をレチクルに照射する照射手段の
一要素を構成している。
ブレードであり、レチクル３０の露光されるべきパター
ン部の大きさによって駆動系（不図示）によって位置の
調整を行なっている。２３はミラー、２４はレンズ系、
２５はミラー、２６はレンズ系で、これらの各部材を介
した超高圧水銀灯１１からの光でレチクルステージ３７
上に載置されたレチクル（第１物体）３０を照明してい
る。本実施形態において各要素２０，２２，２４，２６
は有効光源からの光束をレチクルに照射する照射手段の
一要素を構成している。
【００２５】３１は投影光学系であり、レチクル３０上
のパターンをウェハー（第２物体）３２に投影結像させ
ている。ウェハー３２はウェハーチャック３３に吸着し
ており、更にウエハーチャック３３はレーザー干渉計３
６によって制御されるステージ３４上に載置している。
尚、３５はミラーであり、ウェハーステージ３４上に載
置しており、あるレーザー干渉計（不図示）からの光を
反射させている。
のパターンをウェハー（第２物体）３２に投影結像させ
ている。ウェハー３２はウェハーチャック３３に吸着し
ており、更にウエハーチャック３３はレーザー干渉計３
６によって制御されるステージ３４上に載置している。
尚、３５はミラーであり、ウェハーステージ３４上に載
置しており、あるレーザー干渉計（不図示）からの光を
反射させている。
【００２６】本実施例においてオプティカルインテグレ
ータ１７の射出面１７ｂは各要素１９，２０，２３，２
４，２５，２６を介して投影光学系３１の瞳面３１ａと
略共役関係と成っている。即ち投影光学系３１の瞳面３
１ａに射出面１７ｂに相当する有効光源像が形成してい
る。ここで各要素２０，２４，２６は射出面１７ｂに形
成される有効光源を投影光学系３１の瞳面３１ａに形成
する有効光源形成手段の一要素を構成している。
ータ１７の射出面１７ｂは各要素１９，２０，２３，２
４，２５，２６を介して投影光学系３１の瞳面３１ａと
略共役関係と成っている。即ち投影光学系３１の瞳面３
１ａに射出面１７ｂに相当する有効光源像が形成してい
る。ここで各要素２０，２４，２６は射出面１７ｂに形
成される有効光源を投影光学系３１の瞳面３１ａに形成
する有効光源形成手段の一要素を構成している。
【００２７】次に図２を用いて投影光学系３１の瞳面３
１ａとオプティカルインテグレータ１７の射出面１７ｂ
との関係について説明する。オプティカルインテグレー
タ１７の形状は投影光学系３１の瞳面３１ａに形成され
る有効光源の形状に対応している。図２はこの様子を示
したもので、投影光学系３１の瞳面３１ａに形成される
射出面１７ｂの有効光源像１７ｃの形状が重ね描きされ
ている。正規化するため投影光学系３１の瞳３１ａの径
を１．０としており、この瞳３１ａ中にオプティカルイ
ンテグレータ１７を構成する複数の微小レンズが結像し
て有効光源像１７ｃを形成している。本実施例の場合オ
プティカルインテグレータを構成する個々の微小レンズ
は正方形の形状をしている。
１ａとオプティカルインテグレータ１７の射出面１７ｂ
との関係について説明する。オプティカルインテグレー
タ１７の形状は投影光学系３１の瞳面３１ａに形成され
る有効光源の形状に対応している。図２はこの様子を示
したもので、投影光学系３１の瞳面３１ａに形成される
射出面１７ｂの有効光源像１７ｃの形状が重ね描きされ
ている。正規化するため投影光学系３１の瞳３１ａの径
を１．０としており、この瞳３１ａ中にオプティカルイ
ンテグレータ１７を構成する複数の微小レンズが結像し
て有効光源像１７ｃを形成している。本実施例の場合オ
プティカルインテグレータを構成する個々の微小レンズ
は正方形の形状をしている。
【００２８】ここで半導体集積回路のパターンを設計す
るときに用いられる主たる方向となる直交軸をｘおよび
ｙ軸に取る。この方向はレチクル３０上に形成されてい
るパターンの主たる方向と一致した方向であり、正方形
の形状をしているレチクル３０の外形の方向とほぼ一致
している。
るときに用いられる主たる方向となる直交軸をｘおよび
ｙ軸に取る。この方向はレチクル３０上に形成されてい
るパターンの主たる方向と一致した方向であり、正方形
の形状をしているレチクル３０の外形の方向とほぼ一致
している。
【００２９】高解像力の照明系が威力を発揮するのは先
に述べたｋ1 ファクターが０．５付近の値を取るときで
ある。
に述べたｋ1 ファクターが０．５付近の値を取るときで
ある。
【００３０】そこで本実施例では絞り形状調整部材１８
の絞りによりオプティカルインテグレータ１７を構成す
る複数の微小レンズのうちからレチクル３０面上のパタ
ーン形状に応じて所定の微小レンズを通過する光束のみ
をレチクル３０の照明用として用いるようにしている。
の絞りによりオプティカルインテグレータ１７を構成す
る複数の微小レンズのうちからレチクル３０面上のパタ
ーン形状に応じて所定の微小レンズを通過する光束のみ
をレチクル３０の照明用として用いるようにしている。
【００３１】具体的には投影光学系３１の瞳面３１ａ上
で中心領域以外の複数の領域を光束が通過するように微
小レンズを選択している。
で中心領域以外の複数の領域を光束が通過するように微
小レンズを選択している。
【００３２】図３（Ａ）、（Ｂ）はオプティカルインテ
グレータ１７を構成する複数の微小レンズのうち絞り形
状調整部材１８の絞りにより所定の微小レンズを通過す
る光束のみを選択したときを示す瞳面３１ａ上における
概略図である。同図において黒く塗りつぶした領域は光
が遮光され白い領域は光が通過してくる領域を示してい
る。
グレータ１７を構成する複数の微小レンズのうち絞り形
状調整部材１８の絞りにより所定の微小レンズを通過す
る光束のみを選択したときを示す瞳面３１ａ上における
概略図である。同図において黒く塗りつぶした領域は光
が遮光され白い領域は光が通過してくる領域を示してい
る。
【００３３】図３（Ａ）はパターンで解像度が必要とさ
れる方向がｘおよびｙ方向であるときに対する瞳面３１
ａ上の有効光源像を示している。瞳面３１ａを表わす円
を ｘ2 ＋ｙ2 ＝１ としたとき、次の４つの円を考える。
れる方向がｘおよびｙ方向であるときに対する瞳面３１
ａ上の有効光源像を示している。瞳面３１ａを表わす円
を ｘ2 ＋ｙ2 ＝１ としたとき、次の４つの円を考える。
【００３４】（ｘー１）2 ＋ｙ2 ＝１ ｘ2 ＋（ｙー１）2 ＝１ （ｘ＋１）2 ＋ｙ2 ＝１ ｘ2 ＋（ｙ＋１）2 ＝１ これらの４つの円によって瞳面３１ａを表わす円は領域
１０１〜１０８までの８つの領域に分解される。
１０１〜１０８までの８つの領域に分解される。
【００３５】本実施例でｘおよびｙ方向に対して高解像
で深度の深い照明系は、これらのうちから偶数の領域、
即ち領域１０２，１０４，１０６，１０８に存在する微
小レンズ群に優先的に光を通すように選択することによ
って達成している。原点であるｘ＝０，ｙ＝０付近の微
小レンズは主として粗いパターンの深度向上に効果が大
きいため、中心付近の部分を選ぶか否かは焼き付けよう
とするパターンによって定まる選択事項である。
で深度の深い照明系は、これらのうちから偶数の領域、
即ち領域１０２，１０４，１０６，１０８に存在する微
小レンズ群に優先的に光を通すように選択することによ
って達成している。原点であるｘ＝０，ｙ＝０付近の微
小レンズは主として粗いパターンの深度向上に効果が大
きいため、中心付近の部分を選ぶか否かは焼き付けよう
とするパターンによって定まる選択事項である。
【００３６】図３（Ａ）の例では中心付近の微小レンズ
は除外した例が示してある。尚、オプテイカルインテグ
レータ１７の外側の部分は照明系内でインテグレータ保
持部材（不図示）によって遮光されている。又図３
（Ａ），（Ｂ）では遮光するべき微小レンズと投影レン
ズの瞳３１ａとの関係を分かり易くするため瞳３１ａと
オプティカルインテグレータの有効光源像１７ｃが重ね
描きしている。
は除外した例が示してある。尚、オプテイカルインテグ
レータ１７の外側の部分は照明系内でインテグレータ保
持部材（不図示）によって遮光されている。又図３
（Ａ），（Ｂ）では遮光するべき微小レンズと投影レン
ズの瞳３１ａとの関係を分かり易くするため瞳３１ａと
オプティカルインテグレータの有効光源像１７ｃが重ね
描きしている。
【００３７】これに対し図３（Ｂ）は±４５°方向のパ
ターンに対して高解像が必要とされる場合の絞りの形状
を示す。図３（Ａ）の場合と同じく瞳３１ａとオプティ
カルインテグレータ１７の有効光源像１７ｃとの関係を
図示している。±４５°パターンの場合には前と同じと
して なる４つの円を、瞳３１ａに対して重ね描きして図３
（Ａ）の場合と同じく瞳３１ａを領域１１１〜１１８の
８つの領域に区分する。この場合±４５°方向のパター
ンの高解像化に寄与するのは今度は奇数で表わされた領
域、即ち領域１１１，１１３，１１５，１１７である。
この領域に存在しているオプティカルインテグレータ１
７の微小レンズを優先的に選択することにより±４５°
方向のパターンはｋ1 ファクターが０．５付近で焦点深
度が著しく増大する。
ターンに対して高解像が必要とされる場合の絞りの形状
を示す。図３（Ａ）の場合と同じく瞳３１ａとオプティ
カルインテグレータ１７の有効光源像１７ｃとの関係を
図示している。±４５°パターンの場合には前と同じと
して なる４つの円を、瞳３１ａに対して重ね描きして図３
（Ａ）の場合と同じく瞳３１ａを領域１１１〜１１８の
８つの領域に区分する。この場合±４５°方向のパター
ンの高解像化に寄与するのは今度は奇数で表わされた領
域、即ち領域１１１，１１３，１１５，１１７である。
この領域に存在しているオプティカルインテグレータ１
７の微小レンズを優先的に選択することにより±４５°
方向のパターンはｋ1 ファクターが０．５付近で焦点深
度が著しく増大する。
【００３８】図４は絞り形状調整部材１８の各絞り１８
ａ〜１８ｄの切り換えを行なう概略図である。図４に示
すようにターレット式の交換方式を採用している。第１
の絞り１８ａは、ｋ1 で１以上のそれほど細かくないパ
ターンを焼きつける場合に用いられる。第１の絞り１８
ａはこれまで公知の従来型の照明光学系の構成と同じで
あり、必要に応じてオプティカルインテグレータ１７を
構成する微小レンズ群の外側の部分を遮光する様にも設
定される固定の絞りである。絞り１８ｂ〜１８ｄは本実
施例に従う第２の絞りとしての種々の絞りである。
ａ〜１８ｄの切り換えを行なう概略図である。図４に示
すようにターレット式の交換方式を採用している。第１
の絞り１８ａは、ｋ1 で１以上のそれほど細かくないパ
ターンを焼きつける場合に用いられる。第１の絞り１８
ａはこれまで公知の従来型の照明光学系の構成と同じで
あり、必要に応じてオプティカルインテグレータ１７を
構成する微小レンズ群の外側の部分を遮光する様にも設
定される固定の絞りである。絞り１８ｂ〜１８ｄは本実
施例に従う第２の絞りとしての種々の絞りである。
【００３９】一般的な傾向として高解像用の照明系の場
合、オプテイカルインテグレータ１７は従来の照明系で
必要とされる大きさより、瞳面上でより外側の領域まで
使う方が高空間周波数に対し有利である。例えば従来の
照明系では半径０．５以内の微小レンズ群を使うことが
好ましいのに対し、高解像用の照明系の場合には中心部
の微小レンズは使用しないものの、例えば最大半径０．
７５以内の円の中にある微小レンズ群まで使用する方が
好ましいことがある。
合、オプテイカルインテグレータ１７は従来の照明系で
必要とされる大きさより、瞳面上でより外側の領域まで
使う方が高空間周波数に対し有利である。例えば従来の
照明系では半径０．５以内の微小レンズ群を使うことが
好ましいのに対し、高解像用の照明系の場合には中心部
の微小レンズは使用しないものの、例えば最大半径０．
７５以内の円の中にある微小レンズ群まで使用する方が
好ましいことがある。
【００４０】このためオプテイカルインテグレータ１７
の大きさ、及び、照明系のその他の部分の有効径は、予
め従来型と高解像型の両者を考慮して設定しておくこと
が好ましい。また、オプテイカルインテグレータ１７の
入射口１７ａにおける光の強度分布も、絞りが挿入され
ても十分機能が果たせるような大きさを持っていること
が好ましい。絞り１８ａで外側の微小レンズ群を遮光す
る場合があるのは以上のような理由からで、例えばオプ
ティカルインテグレータ１７としては半径０．７５のと
ころまで用意しておいても、絞り１８ａではそのうちか
ら半径０．５以内の部分を選ぶといったことが行なわれ
る。
の大きさ、及び、照明系のその他の部分の有効径は、予
め従来型と高解像型の両者を考慮して設定しておくこと
が好ましい。また、オプテイカルインテグレータ１７の
入射口１７ａにおける光の強度分布も、絞りが挿入され
ても十分機能が果たせるような大きさを持っていること
が好ましい。絞り１８ａで外側の微小レンズ群を遮光す
る場合があるのは以上のような理由からで、例えばオプ
ティカルインテグレータ１７としては半径０．７５のと
ころまで用意しておいても、絞り１８ａではそのうちか
ら半径０．５以内の部分を選ぶといったことが行なわれ
る。
【００４１】以上示したように露光を行なうべき半導体
集積回路のパターンの特殊性を考慮したうえで絞りの形
状を決定すれば、パターンに応じた最適の露光装置を構
成することができる。これらの絞りの選択は例えば露光
装置全体の制御コンピュータから与えて、自動的に行な
っている。図４に示したのはこのような絞りを搭載した
絞り形状調整部材１８の一例で、この場合には４種類の
絞り１８ａ〜１８ｄのパターンを選択することが可能で
ある。勿論この数はもっとふやすことも容易である。
集積回路のパターンの特殊性を考慮したうえで絞りの形
状を決定すれば、パターンに応じた最適の露光装置を構
成することができる。これらの絞りの選択は例えば露光
装置全体の制御コンピュータから与えて、自動的に行な
っている。図４に示したのはこのような絞りを搭載した
絞り形状調整部材１８の一例で、この場合には４種類の
絞り１８ａ〜１８ｄのパターンを選択することが可能で
ある。勿論この数はもっとふやすことも容易である。
【００４２】絞りを選択したとき、絞りの選択に従って
照度むらが変化する場合がある。そこで本実施例ではこ
のような場合の照度むらをレンズ系２０を調整して微調
を行なっている。照度むらの微調については、レンズ系
２０を構成する個々の要素レンズの光軸方向の間隔で調
整可能であることが既に本出願人の先の出願によって示
されている。５１は駆動機構であり、レンズ系２０の要
素レンズ（可動レンズ）を駆動させている。レンズ系２
０の調整は絞りの選択に応じて行なっている。また場合
によっては絞りの形状の変更に応じてレンズ系２０自体
をそっくり他の交換レンズと交換するようにすることも
可能である。そのような場合にはレンズ系２０に相当す
るレンズ系を複数個用意し、絞りの形状の選択に従って
ターレット式に交換されるようにレンズ系を入れ替えて
いる。尚、本実施形態において各要素２０，５１は有効
光源の形状の変更に応じて照度むらを調整する調整手段
の一要素を構成している。
照度むらが変化する場合がある。そこで本実施例ではこ
のような場合の照度むらをレンズ系２０を調整して微調
を行なっている。照度むらの微調については、レンズ系
２０を構成する個々の要素レンズの光軸方向の間隔で調
整可能であることが既に本出願人の先の出願によって示
されている。５１は駆動機構であり、レンズ系２０の要
素レンズ（可動レンズ）を駆動させている。レンズ系２
０の調整は絞りの選択に応じて行なっている。また場合
によっては絞りの形状の変更に応じてレンズ系２０自体
をそっくり他の交換レンズと交換するようにすることも
可能である。そのような場合にはレンズ系２０に相当す
るレンズ系を複数個用意し、絞りの形状の選択に従って
ターレット式に交換されるようにレンズ系を入れ替えて
いる。尚、本実施形態において各要素２０，５１は有効
光源の形状の変更に応じて照度むらを調整する調整手段
の一要素を構成している。
【００４３】以上のように本実施例では、絞りの形状を
変更することによって半導体集積回路のパターンの特徴
に応じた照明系を選択している。また本実施例の場合、
高解像用の照明系にした場合、大きく有効光源全体を見
ると光源自体が４つの領域に別れることが特徴となって
いる。この場合の重要要素はこの４つの領域の強度のバ
ランスである。しかしながら図１のような系だと超高圧
水銀灯１１のケーブルの影がこのバランスに悪影響を与
える場合がある。従って、図３に示した絞りを用いる高
解像用の照明系ではケーブルの影になる線状の部分をオ
プティカルインテグレータ１７で遮光する微小レンズの
位置と対応するようにセットさせることが望ましい。
変更することによって半導体集積回路のパターンの特徴
に応じた照明系を選択している。また本実施例の場合、
高解像用の照明系にした場合、大きく有効光源全体を見
ると光源自体が４つの領域に別れることが特徴となって
いる。この場合の重要要素はこの４つの領域の強度のバ
ランスである。しかしながら図１のような系だと超高圧
水銀灯１１のケーブルの影がこのバランスに悪影響を与
える場合がある。従って、図３に示した絞りを用いる高
解像用の照明系ではケーブルの影になる線状の部分をオ
プティカルインテグレータ１７で遮光する微小レンズの
位置と対応するようにセットさせることが望ましい。
【００４４】即ち、図３（Ａ）の絞りの場合で言えば図
５（Ａ）に示す様にケーブル１１ａを引っ張る方向はｘ
またはｙ方向にセットすることが好ましく、図３（Ｂ）
の絞りを使用した場合のケーブル１１ａを引っ張る方向
は図５（Ｂ）に示す様にｘ及びｙ方向に対して±４５°
にセットすることが好ましい。本実施例では超高圧水銀
灯のケーブルを引っ張る方向も、絞りの変更に対応して
変えることが好ましい。
５（Ａ）に示す様にケーブル１１ａを引っ張る方向はｘ
またはｙ方向にセットすることが好ましく、図３（Ｂ）
の絞りを使用した場合のケーブル１１ａを引っ張る方向
は図５（Ｂ）に示す様にｘ及びｙ方向に対して±４５°
にセットすることが好ましい。本実施例では超高圧水銀
灯のケーブルを引っ張る方向も、絞りの変更に対応して
変えることが好ましい。
【００４５】図６は本発明の実施例２の要部概略図であ
る。図６の系で通常のパターン、即ちｋ1 ファクターが
１以上であるようなそれほど細かくないパターンを投影
露光する場合については図６の系は図１の系と同一であ
る。これに対しｋ1 ファクターが０．５付近の細かいパ
ターンを投影露光する場合には前述の様にパターンの方
向性に応じて図３（Ａ）あるいは図３（Ｂ）といった絞
りを挿入している。この場合図１の系ではただ単に光を
遮断するだけなので、超高圧水銀灯からの光を利用する
効率が低くなってしまう。そこで図６の系では光の有効
利用を図っている。
る。図６の系で通常のパターン、即ちｋ1 ファクターが
１以上であるようなそれほど細かくないパターンを投影
露光する場合については図６の系は図１の系と同一であ
る。これに対しｋ1 ファクターが０．５付近の細かいパ
ターンを投影露光する場合には前述の様にパターンの方
向性に応じて図３（Ａ）あるいは図３（Ｂ）といった絞
りを挿入している。この場合図１の系ではただ単に光を
遮断するだけなので、超高圧水銀灯からの光を利用する
効率が低くなってしまう。そこで図６の系では光の有効
利用を図っている。
【００４６】図６の系ではそのために絞りの形状に応じ
て楕円ミラー１２とミラー１３との間にオプティカルイ
ンテグレータ１７に入射する光の強度分布を変える強度
分布変更手段の一要素を構成する４角錐プリズム６１を
挿入することを特徴としている。楕円ミラー１２の第１
焦点位置に配置した超高圧水銀灯１１の電極から発生す
る光束は、楕円ミラー１２で反射した後、４角錐プリズ
ム６１を通過し、４角錐プリズムを構成する４つの面の
それぞれに応じて４つの光源像を楕円ミラー１２の第２
焦点の位置に形成する。この４つの光源像が、挿入され
ている絞りの４つに別れている透過部のそれぞれに対応
する様、レンズ系６２がレンズ系１５に代わって挿入し
光束を導いている。
て楕円ミラー１２とミラー１３との間にオプティカルイ
ンテグレータ１７に入射する光の強度分布を変える強度
分布変更手段の一要素を構成する４角錐プリズム６１を
挿入することを特徴としている。楕円ミラー１２の第１
焦点位置に配置した超高圧水銀灯１１の電極から発生す
る光束は、楕円ミラー１２で反射した後、４角錐プリズ
ム６１を通過し、４角錐プリズムを構成する４つの面の
それぞれに応じて４つの光源像を楕円ミラー１２の第２
焦点の位置に形成する。この４つの光源像が、挿入され
ている絞りの４つに別れている透過部のそれぞれに対応
する様、レンズ系６２がレンズ系１５に代わって挿入し
光束を導いている。
【００４７】本実施例では挿入する４角錐プリズム６１
には方向性が存在する。図３（Ａ）のような形状の絞り
に対しては図７（Ａ）に示す様に４角錐プリズム６１の
各面の間に存在する稜がｘ及びｙ方向に一致する様にセ
ットされる。４角錐プリズムを挿入したことに伴う光学
系の結像関係を補正するため、図６の系ではシャッター
１４の後方にあるレンズ系１５を４角錐プリズムの挿入
と同時にレンズ系６２に交換する。
には方向性が存在する。図３（Ａ）のような形状の絞り
に対しては図７（Ａ）に示す様に４角錐プリズム６１の
各面の間に存在する稜がｘ及びｙ方向に一致する様にセ
ットされる。４角錐プリズムを挿入したことに伴う光学
系の結像関係を補正するため、図６の系ではシャッター
１４の後方にあるレンズ系１５を４角錐プリズムの挿入
と同時にレンズ系６２に交換する。
【００４８】一方、図３（Ｂ）のように絞りの透過部が
ｘ軸及びｙ軸方向に存在している時には、４角錐プリズ
ムの稜はｘ及びｙ軸に対して±４５°方向になる様にセ
ットされる。この場合にも結像関係の補正にレンズ系６
２がレンズ系１５の代わりに用いられる。
ｘ軸及びｙ軸方向に存在している時には、４角錐プリズ
ムの稜はｘ及びｙ軸に対して±４５°方向になる様にセ
ットされる。この場合にも結像関係の補正にレンズ系６
２がレンズ系１５の代わりに用いられる。
【００４９】又、４角錐プリズム６１は用意される絞り
の個数に応じて複数個用意しても良い。
の個数に応じて複数個用意しても良い。
【００５０】図８は本発明の実施例３の要部概略図であ
る。本実施例が実施例１と異なるのはオプティカルイン
テグレータ１７に結像するレンズ系６５の構成である。
本実施例の場合、レンズ系６５は楕円ミラー１２の射出
面の像をオプテイカルインテグレータ１７に結像する。
ここで図４に示すような絞りを用いる場合を考える。こ
の際問題となるのは前述したように従来の照明法を行な
う絞り１８ａを用いる場合と、高解像用の照明系を行な
う絞り１８ｂ〜１８ｄを用いる場合でオプテイカルイン
テグレータ１７上で必要とされる光束の最大有効径が異
なる場合である。
る。本実施例が実施例１と異なるのはオプティカルイン
テグレータ１７に結像するレンズ系６５の構成である。
本実施例の場合、レンズ系６５は楕円ミラー１２の射出
面の像をオプテイカルインテグレータ１７に結像する。
ここで図４に示すような絞りを用いる場合を考える。こ
の際問題となるのは前述したように従来の照明法を行な
う絞り１８ａを用いる場合と、高解像用の照明系を行な
う絞り１８ｂ〜１８ｄを用いる場合でオプテイカルイン
テグレータ１７上で必要とされる光束の最大有効径が異
なる場合である。
【００５１】そこで本実施例ではレンズ系６５をこのよ
うな光束径の変化に対応できるようズーム光学系より構
成している。超高圧水銀灯１１からの光束径が楕円ミラ
ー１２の射出口１２ａにより明確に規定されているた
め、本実施例のようなズーム光学系６５を採用すること
は、採用する照明法に合わせて光束径をコントロール出
来ることになり、光の利用効率が向上する。
うな光束径の変化に対応できるようズーム光学系より構
成している。超高圧水銀灯１１からの光束径が楕円ミラ
ー１２の射出口１２ａにより明確に規定されているた
め、本実施例のようなズーム光学系６５を採用すること
は、採用する照明法に合わせて光束径をコントロール出
来ることになり、光の利用効率が向上する。
【００５２】このようなオプティカルインテグレータ１
７上での光の強度分布の大きさのコントロールは図１の
系でレンズ系１５が楕円ミラー１２の射出口をオプテイ
カルインテグレータ１７の入射口１７ａに結像するので
はなく、超高圧水銀灯１１の光源像を結像させるような
場合にも重要である。
７上での光の強度分布の大きさのコントロールは図１の
系でレンズ系１５が楕円ミラー１２の射出口をオプテイ
カルインテグレータ１７の入射口１７ａに結像するので
はなく、超高圧水銀灯１１の光源像を結像させるような
場合にも重要である。
【００５３】そこで本発明の実施例４として、この場合
にはオプティカルインテグレータ１７上での光の強度分
布をコントロールするため超高圧水銀灯自体を光軸方向
に動かしてオプティカルインテグレータ１７の入射口１
７ａに対してデフォーカスさせて構成しても良い。
にはオプティカルインテグレータ１７上での光の強度分
布をコントロールするため超高圧水銀灯自体を光軸方向
に動かしてオプティカルインテグレータ１７の入射口１
７ａに対してデフォーカスさせて構成しても良い。
【００５４】図９は本発明の実施例５の要部概略図であ
る。ここではオプティカルインテグレータ１７上での光
の強度分布を均一にし、各微小レンズの重みが一様とな
るようにオプティカルインテグレータ１７が２段に設け
られていることが特徴となっている。図中７１が従来の
レンズ系１５に相当するレンズ系、１６は波長選択フィ
ルターで、７２が初段のオプティカルインテグレータで
ある。初段のオプテイカルインテグレータ７２を構成す
る微小レンズ群の各々はインテグレータの作用にのっと
ってリレーレンズ７３を介して第２段のオプティカルイ
ンテグレータ７４でお互いに重なり合う。この結果第２
段のオプティカルインテグレータ７４の入射口７４ａで
は一様な照度分布が得られることになる。これまでの実
施例の中でオプティカルインテグレータ上で一様な照度
分布が得られず、例えばガウス型のように中心が高い分
布をしているときには、高解像照明系用の絞りの形状を
最終的に実験等で決める必要がある。
る。ここではオプティカルインテグレータ１７上での光
の強度分布を均一にし、各微小レンズの重みが一様とな
るようにオプティカルインテグレータ１７が２段に設け
られていることが特徴となっている。図中７１が従来の
レンズ系１５に相当するレンズ系、１６は波長選択フィ
ルターで、７２が初段のオプティカルインテグレータで
ある。初段のオプテイカルインテグレータ７２を構成す
る微小レンズ群の各々はインテグレータの作用にのっと
ってリレーレンズ７３を介して第２段のオプティカルイ
ンテグレータ７４でお互いに重なり合う。この結果第２
段のオプティカルインテグレータ７４の入射口７４ａで
は一様な照度分布が得られることになる。これまでの実
施例の中でオプティカルインテグレータ上で一様な照度
分布が得られず、例えばガウス型のように中心が高い分
布をしているときには、高解像照明系用の絞りの形状を
最終的に実験等で決める必要がある。
【００５５】これに対して、本実施例では各微小レンズ
の重みが一様なので、像性能のコントロールが容易であ
るというメリットがある。また本実施例の場合にはオプ
ティカルインテグレータが２段に入るため図５に示した
ようなケーブルに対する配慮は不要となる。
の重みが一様なので、像性能のコントロールが容易であ
るというメリットがある。また本実施例の場合にはオプ
ティカルインテグレータが２段に入るため図５に示した
ようなケーブルに対する配慮は不要となる。
【００５６】図１０は本発明の実施例６の要部概略図で
ある。本実施例ではオプティカルインテグレータ１７の
前方にファイバー８１を用いている。ファイバー８１は
オプティカルインテグレータ１７に入射する光の強度分
布を変える強度分布変更手段の一要素を構成している。
ファイバー８１は光が入射する単一の入射面と互いに分
離した４つの移動可能な光放出部とを備えている。この
場合オプティカルインテグレータ１７の照射域は４つに
先の別れたファイバー８１相互の間隔調整機構８２、及
びその駆動機構８３によってコントロールされる。従来
の照明系に対応する分布を作る場合には４つのファイバ
ー８１ａ〜８１ｄの間隔が狭められ、図３（Ａ）に対応
する分布を作るときにはファイバー８１ａ〜８１ｄの間
隔が所定量離されるといった処理が絞り１８に対応して
行なわれる。図３（Ｂ）に対応する場合にはファイバー
８１ａ〜８１ｄに対し回転を加えることも必要である。
ある。本実施例ではオプティカルインテグレータ１７の
前方にファイバー８１を用いている。ファイバー８１は
オプティカルインテグレータ１７に入射する光の強度分
布を変える強度分布変更手段の一要素を構成している。
ファイバー８１は光が入射する単一の入射面と互いに分
離した４つの移動可能な光放出部とを備えている。この
場合オプティカルインテグレータ１７の照射域は４つに
先の別れたファイバー８１相互の間隔調整機構８２、及
びその駆動機構８３によってコントロールされる。従来
の照明系に対応する分布を作る場合には４つのファイバ
ー８１ａ〜８１ｄの間隔が狭められ、図３（Ａ）に対応
する分布を作るときにはファイバー８１ａ〜８１ｄの間
隔が所定量離されるといった処理が絞り１８に対応して
行なわれる。図３（Ｂ）に対応する場合にはファイバー
８１ａ〜８１ｄに対し回転を加えることも必要である。
【００５７】以上述べてきた例は従来良く用いられてい
る超高圧水銀灯を１つ用いたものであった。しかしなが
ら本発明は複数個の光源を用いたり、あるいは光源とし
てエキシマレーザを用いたような場合にも勿論適用する
ことができる。エキシマレーザを用いた照明系の場合に
は時間的にオプティカルインテグレータ上でレーザの位
置が走査される方式があるが、この時走査する範囲を焼
き付けるべきパターンに応じて変化させれば図３にある
ような有効光源分布を容易に実現することができる。
る超高圧水銀灯を１つ用いたものであった。しかしなが
ら本発明は複数個の光源を用いたり、あるいは光源とし
てエキシマレーザを用いたような場合にも勿論適用する
ことができる。エキシマレーザを用いた照明系の場合に
は時間的にオプティカルインテグレータ上でレーザの位
置が走査される方式があるが、この時走査する範囲を焼
き付けるべきパターンに応じて変化させれば図３にある
ような有効光源分布を容易に実現することができる。
【００５８】又、以上の各本実施例では述べなかったが
高解像用の照明系では絞りで大きく４つの部分に分けら
れた各部分同士のバランスも重要である。４つに分けら
れた有効光源同士の分布のモニター、あるいは補正法に
ついては先の出願で既に述べられているのでここでは言
及を省略する。
高解像用の照明系では絞りで大きく４つの部分に分けら
れた各部分同士のバランスも重要である。４つに分けら
れた有効光源同士の分布のモニター、あるいは補正法に
ついては先の出願で既に述べられているのでここでは言
及を省略する。
【００５９】又、絞りを挿入する位置について本発明の
各実施例では最後のオプティカルインテグレータの後側
で行なったが、これはオプティカルインテグレータの前
側で行なっても良い。また他に照明系内でオプティカル
インテグレータと共役な面があればそこで絞りの動作を
行なうようにしても良い。
各実施例では最後のオプティカルインテグレータの後側
で行なったが、これはオプティカルインテグレータの前
側で行なっても良い。また他に照明系内でオプティカル
インテグレータと共役な面があればそこで絞りの動作を
行なうようにしても良い。
【００６０】
【発明の効果】本発明の露光装置によれば、有効光源の
形状の変更に応じて照度むらを調整する調整手段を有す
るので、照度むらを所望の状態まで小さくでき、従って
露光のときには露光むらが生じないか小さくできる。こ
れによって高解像度のパターンを有した半導体デバイス
を得ることができる。
形状の変更に応じて照度むらを調整する調整手段を有す
るので、照度むらを所望の状態まで小さくでき、従って
露光のときには露光むらが生じないか小さくできる。こ
れによって高解像度のパターンを有した半導体デバイス
を得ることができる。
【００６１】
【図１】 本発明の実施例１、４の露光系全体を示す要
部概略図
部概略図
【図２】 投影光学系の瞳とオプティカルインテグレー
タの関係を示す説明図
タの関係を示す説明図
【図３】 投影光学系の瞳面上を示す説明図
【図４】 本発明で使用される絞りの詳細図
【図５】 超高圧水銀灯からケーブルの引き出し方を示
す図
す図
【図６】 本発明の実施例２の要部概略図
【図７】 本発明の実施例２で用いた４角錐プリズムの
挿入の仕方を示す説明図
挿入の仕方を示す説明図
【図８】 本発明の実施例３の要部概略図
【図９】 本発明の実施例５の要部概略図
【図１０】 本発明の実施例６の要部概略図
１１ 超高圧水銀灯 １２ 楕円ミラー １３ ミラー １４ シャッター １５ レンズ １６ 波長選択フィルター １７ オプティカルインテグレーター １８ メカ絞り １９ ミラー ２０ レンズ ２１ ハーフミラー ２２ マスキングブレード ２３，２５ ミラー ２４，２６ レンズ ３０ レチクル ３１ 投影光学系 ３２ ウェハー ３３ ウェハーチャック ３４ ウェハーステージ ３５ レーザー干渉計のミラー ３６ レーザー干渉計 ３７ レチクルステージ ３８ レンズ ３９ ピンホール ４０ フォトディテクタ ５０ 絞りの駆動系 ５１ レンズ駆動系 ６１ ４角錐プリズム ６２ レンズ系 ６５ ズームレンズ系 ７１ レンズ系、 ７２ 第１オプティカルインテグレータ ７４ 第２オプティカルインテグレータ ８１ ファイバー ８２ ファイバーの間隔調整機構 ８３ ファイバー間隔調整の駆動系
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−77445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−155843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−91662（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−267722（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−52929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−134650（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−12135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−63028（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−84113（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−234522（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−128446（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−190974（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−190975（ＪＰ，Ａ) 特許2633091（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (31)
- 【請求項１】 第１物体のパターンを介して第２物体を
露光する露光装置において、露光に用いる有効光源の形
状を変更する変更手段と、前記有効光源の形状の変更に
応じて照度むらを調整する調整手段とを有することを特
徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記有効光源は前記第１物体を照明する
照明光学系内のオプティカルインテグレータの光出射側
に形成されることを特徴とする請求項１の露光装置。 - 【請求項３】 前記変更手段は、互いに開口形状が異な
る複数の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグレ
ータの前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設け
る絞り選択手段を有することを特徴とする請求項２の露
光装置。 - 【請求項４】 前記絞り選択手段は、前記複数の絞りを
相異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装
置とを有することを特徴とする請求項３の露光装置。 - 【請求項５】 前記複数の絞りの内の一つは前記光路中
に設けたときに光軸上に開口が存する第１絞りであり、
前記複数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設けたと
きに光軸外に開口が存する第２絞りであることを特徴と
する請求項３の露光装置。 - 【請求項６】 前記第２絞りは４つの開口を有すること
を特徴とする請求項５の露光装置。 - 【請求項７】 前記４つの開口は、夫々、装置に関連し
た主たる方向に対応する互いに直交する２方向を夫々ｘ
軸、ｙ軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座
標系を前記第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限
に設けてあることを特徴とする請求項６の露光装置。 - 【請求項８】 前記照明光学系は動かすことができる水
銀灯を有し、前記絞りの交換に応じて前記水銀灯を光軸
方向に動かすことを特徴とする請求項７の露光装置。 - 【請求項９】 前記照明光学系はズーム光学系を有し、
前記絞りの交換に応じてズーミングを行なうことを特徴
とする請求項７の露光装置。 - 【請求項１０】 前記照明光学系は光入射側が１つに束
ねられ且つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバ
ーの束を有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファ
イバーの間隔を変更することを特徴とする請求項７の露
光装置。 - 【請求項１１】 前記照明光学系は光路に対して着脱可
能な４角錐プリズムを有し、前記絞りの交換に応じて前
記４角錐プリズムを光路中に挿入することを特徴とする
請求項７の露光装置。 - 【請求項１２】 前記調整手段は、前記オプティカルイ
ンテグレータからの光束を前記第１物体に向ける光学系
中の可動レンズ又は交換レンズであることを特徴とする
請求項２の露光装置。 - 【請求項１３】 前記照明光学系は超高圧水銀灯と超高
圧水銀灯からの光から所望の波長の光を選択する波長選
択手段とを有することを特徴とする請求項２の露光装
置。 - 【請求項１４】 前記照明光学系はエキシマレーザーを
有することを特徴とする請求項２の露光装置。 - 【請求項１５】 第１物体のパターンの像を第２物体に
投影する投影光学系を有し、前記有効光源の像が前記投
影光学系の瞳に投影されることを特徴とする請求項１か
ら請求項１４のいずれか１項の露光装置。 - 【請求項１６】 第１物体の回路パターンを介して第２
物体を露光し、前記回路パターンを前記第２物体に転写
する素子製造方法において、露光に用いる有効光源の形
状を変更する段階と、前記有効光源の形状の変更に応じ
て照度むらを調整する段階とを有することを特徴とする
素子製造方法。 - 【請求項１７】 第１物体のパターンを第２物体に投影
する投影光学系を有する露光装置において、前記投影光
学系の瞳と共役な位置に光源からの光により有効光源を
形成する有効光源形成手段と前記有効光源からの光束を
前記第１物体に照射する照射手段とを有し、前記有効光
源形成手段は前記有効光源の形状を変更する変更手段を
有し、前記有効光源の形状の変更に応じて照度むらを調
整する調整手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１８】 前記有効光源形成手段はオプティカル
インテグレータを有することを特徴とする請求項１７の
露光装置。 - 【請求項１９】 前記変更手段は、互いに開口形状が異
なる複数の絞りの内の一つを前記オプティカルインテグ
レータの前又は後又は共役な場所の光路中に選択的に設
ける絞り選択手段を有することを特徴とする請求項１８
の露光装置。 - 【請求項２０】 前記絞り選択手段は、前記複数の絞り
を相異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動
装置とを有することを特徴とする請求項１９の露光装
置。 - 【請求項２１】 前記複数の絞りの内の一つは前記光路
中に設けたときに光軸上に開口が存する第１絞りであ
り、前記複数の絞りの内の他の一つは前記光路中に設け
たときに光軸外に開口が存する第２絞りであることを特
徴とする請求項１９の露光装置。 - 【請求項２２】 前記第２絞りは４つの開口を有するこ
とを特徴とする請求項２１の露光装置。 - 【請求項２３】 前記４つの開口は、夫々、装置に関連
した主たる方向に対応する互いに直交する２方向をｘ
軸，ｙ軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたｘｙ座
標系を前記第２絞り上に仮定した時の第１乃至第４象限
に設けてあることを特徴とする請求項２２の露光装置。 - 【請求項２４】 前記照明光学系は動かすことができる
水銀灯を有し、前記絞りの交換に応じて前記水銀灯を光
軸方向に動かすことを特徴とする請求項２３の露光装
置。 - 【請求項２５】 前記照明光学系はズーム光学系を有
し、前記絞りの交換に応じてズーミングを行なうことを
特徴とする請求項２３の露光装置。 - 【請求項２６】 前記照明光学系は光入射側が１つに束
ねられ且つ光出射側が４つに分けられた４つのファイバ
ーの束を有し、前記絞りの交換に応じて前記４つのファ
イバーの間隔を変更することを特徴とする請求項２３の
露光装置。 - 【請求項２７】 前記照明光学系は光路に対して着脱可
能な４角錐プリズムを有し、前記絞りの交換に応じて前
記４角錐プリズムを光路中に挿入することを特徴とする
請求項２３の露光装置。 - 【請求項２８】 前記調整手段は、前記照射手段中の可
動レンズ又は交換レンズを備えることを特徴とする請求
項１７の露光装置。 - 【請求項２９】 前記光源は超高圧水銀灯であり、前記
有効光源形成手段は前記超高圧水銀灯からの光が所望の
波長の光を選択する波長選択手段を有することを特徴と
する請求項１７の露光装置。 - 【請求項３０】 前記光源はエキシマレーザーであるこ
とを特徴とする請求項１７の露光装置。 - 【請求項３１】 投影光学系の瞳と共役な位置に形成し
た有効光源からの光で第１物体を照明し、第１物体の回
路パターンを前記投影光学系により第２物体に投影して
転写する素子製造方法において、前記有効光源の形状を
変更する段階と、前記有効光源の形状の変更に応じて照
度むらを調整する段階とを有することを特徴とする素子
製造方法。
Priority Applications (21)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128446A JP2890892B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
| US07/836,509 US5305054A (en) | 1991-02-22 | 1992-02-18 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| CA002216296A CA2216296C (en) | 1991-02-22 | 1992-02-19 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| CA002061499A CA2061499C (en) | 1991-02-22 | 1992-02-19 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| AT92301476T ATE160028T1 (de) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Abbildungsverfahren zur herstellung von mikrovorrichtungen |
| EP01200962A EP1118909A1 (en) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| DE69222963T DE69222963T3 (de) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Abbildungsverfahren zur Herstellung von Mikrovorrichtungen |
| SG9608505A SG87739A1 (en) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| DE69233508T DE69233508T2 (de) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Bilderzeugungsgerät und -Verfahren zur Herstellung von Mikrovorrichtungen |
| AT97200014T ATE295555T1 (de) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Bilderzeugungsgerät und -verfahren zur herstellung von mikrovorrichtungen |
| EP97200014A EP0783135B1 (en) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Imaging-apparatus and method for manufacture of microdevices |
| EP92301476A EP0500393B2 (en) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| KR1019920002719A KR960006684B1 (ko) | 1991-02-22 | 1992-02-22 | 마이크로디바이스제조용 상형성방법 및 투영노광장치 |
| US08/427,709 US6271909B1 (en) | 1991-02-22 | 1995-04-24 | Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change |
| US08/467,149 US6128068A (en) | 1991-02-22 | 1995-06-06 | Projection exposure apparatus including an illumination optical system that forms a secondary light source with a particular intensity distribution |
| US08/470,482 US5673102A (en) | 1991-02-22 | 1995-06-06 | Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity |
| KR1019950068550A KR960006686B1 (ko) | 1991-02-22 | 1995-12-30 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
| US08/857,593 US6084655A (en) | 1991-02-22 | 1997-05-16 | Imaging method for manufacture of microdevices |
| US09/768,335 US6473160B2 (en) | 1991-02-22 | 2001-01-25 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method including an aperture member having a circular light transmitting portion and a light blocking member |
| US09/810,488 US6654101B2 (en) | 1991-02-22 | 2001-03-19 | Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change |
| US10/686,763 US20040080736A1 (en) | 1991-02-22 | 2003-10-17 | Imaging method for manufacture of microdevices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128446A JP2890892B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8355387A Division JP2891218B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
| JP8355388A Division JP2891219B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
| JP8355386A Division JP2891217B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329623A JPH04329623A (ja) | 1992-11-18 |
| JP2890892B2 true JP2890892B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=14984922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128446A Expired - Lifetime JP2890892B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-04-30 | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890892B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872508B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69434080T2 (de) | 1993-06-11 | 2005-10-20 | Nikon Corp. | Abtastbelichtungsvorrichtung |
| JP3005203B2 (ja) | 1997-03-24 | 2000-01-31 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3264224B2 (ja) | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| US6392742B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and projection exposure apparatus |
| JP2002055277A (ja) | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nikon Corp | リレー結像光学系、および該光学系を備えた照明光学装置並びに露光装置 |
| DE102005042496A1 (de) * | 2005-09-05 | 2007-03-08 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Korrektur der Apodisierung in mikroskopischen Abbildungssystemen |
| JP6362095B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置、調整方法、及び、物品の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2633091B2 (ja) | 1991-02-22 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 像投影方法、回路製造方法及び投影露光装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155843A (ja) * | 1984-01-27 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPH0682598B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
| JPS62134650A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Canon Inc | 照明光学系 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3128446A patent/JP2890892B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2633091B2 (ja) | 1991-02-22 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 像投影方法、回路製造方法及び投影露光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872508B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04329623A (ja) | 1992-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3360686B2 (ja) | 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法 | |
| JP3102076B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3158691B2 (ja) | 露光装置及び方法、並びに照明光学装置 | |
| JP3278896B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3259657B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2001284240A (ja) | 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法 | |
| KR101389669B1 (ko) | 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2890892B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 | |
| JPH11317348A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2002184676A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JP6651124B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| KR101506748B1 (ko) | 광학 적분기, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2021047444A (ja) | 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP4051473B2 (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JP2891219B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 | |
| JP2009043933A (ja) | 露光装置、調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP2891218B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 | |
| JP2006253529A (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
| JP3102077B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び投影露光装置 | |
| JPH06204123A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2891217B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 | |
| JP2004311742A (ja) | 光学系の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
| JPH06204114A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3563888B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2001035777A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120226 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120226 Year of fee payment: 13 |