JP2891218B2 - 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 - Google Patents

露光装置及びそれを用いた素子製造方法

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JP2891218B2
JP2891218B2 JP8355387A JP35538796A JP2891218B2 JP 2891218 B2 JP2891218 B2 JP 2891218B2 JP 8355387 A JP8355387 A JP 8355387A JP 35538796 A JP35538796 A JP 35538796A JP 2891218 B2 JP2891218 B2 JP 2891218B2
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及びそれを
用いた素子製造方法に関し、具体的には半導体素子の製
造装置である所謂ステッパーにおいてレチクル面上のパ
ターンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるよ
うにしたものである。
【0002】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。
特に光加工技術は1MDRAMの半導体素子の製造を境
にサブミクロンの解像力を有する微細加工を技術まで達
している。解像力を向上させる手段としてこれまで多く
の場合、露光波長を固定して、光学系のNA(開口数)
を大きくしていく方法を用いていた。しかし最近では露
光波長をg線からi線に変えて、超高圧水銀灯を用いた
露光法により解像力を向上させる試みも種々と行なわれ
ている。
【0003】露光波長としてg線やi線を用いる方法の
発展と共にレジストプロセスも同様に発展してきた。こ
の光学系とプロセスの両者が相まって、光リソグラフィ
が急激に進歩してきた。
【0004】一般にステッパーの焦点深度はNAの2乗
に反比例することが知られている。この為サブミクロン
の解像力を得ようとすると、それと共に焦点深度が浅く
なってくるという問題点が生じてくる。
【0005】これに対してエキシマレーザーに代表され
る更に短い波長の光を用いることにより解像力の向上を
図る方法が種々と提案されている。短波長の光を用いる
効果は一般に波長に反比例する効果を持っていることが
知られており、波長を短くした分だけ焦点深度は深くな
る。
【0006】短波長化の光を用いる他に解像力を向上さ
せる方法として位相シフトマスクを用いる方法(位相シ
フト法)が種々と提案されている。この方法は従来のマ
スクの一部分に、他の部分とは通過光に対して180度
の位相差を与える薄膜を形成し、解像力を向上させよう
とするものであり、IBM社(米国)のLevenso
nらにより提案されている。解像力RPは波長をλ、パ
ラメータをk1 、開口数をNAとすると一般に式 RP=k1 λ/NA で示される。通常0.7〜0.8が実用域とされるパラ
メータk1 は、位相シフト法によれば0.35ぐらい迄
大幅に改善できることが知られている。
【0007】位相シフト法には種々のものが知られてお
り、それらは例えば日経マイクロデバイス1990年7
月号108ページ以降の福田等の論文に詳しく記載され
ている。
【0008】しかしながら実際に空間周波数変調型の位
相シフトマスクを用いて解像力を向上させるためには未
だ多くの問題点が残っている。例えば現状で問題点とな
っているものとして以下のものがある。 (イ).位相シフト膜を形成する技術が未確立。 (ロ).位相シフト膜用の最適なCADの開発が未確
立。 (ハ).位相シフト膜を付けれないパターンの存在。 (ニ).(ハ)に関連してネガ型レジストを使用せざる
をえないこと。 (ホ).検査、修正技術が未確立。
【0009】このため実際に位相シフトマスクを利用し
て半導体素子を製造するには様々な障害があり、現在の
ところ大変困難である。
【0010】これに対して本出願人は位相シフトマスク
を用いずにより解像力を高めた露光装置を特願平3−2
8631号(平成3年2月22日出願)で提案してい
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】前述した特願平3−2
8631号では非常に高い解像力を示す有効光源を形成
する為にオプティカルインテグレータの手前に4角錐プ
リズムを設け、かつオプティカルインテグレータの直後
に光軸外に開口を4つだけ備える絞りを設ける技術を開
示しているが、有効光源の形状は一定であった。
【0012】本発明の目的は、有効光源の形状を変更で
きる露光装置及びそれを用いた素子製造方法の提供を目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、 (1-1) 光源からの光をオプティカルインテグレータに照
射し、前記オプティカルインテグレータからの光束で第
1物体を照明することにより前記第1物体のパターンを
投影光学系により第2物体に投影する露光装置におい
て、前記オプティカルインテグレータに入射する光束の
強度分布を変更する光束状態変更手段と、光軸上に開口
を1つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つだけ備える
第2絞りを含む複数の絞りの内の1つを前記オプティカ
ルインテグレータの前又は後又は共役な場所に選択的に
挿入する絞り選択手段とを有することを特徴としてい
る。(1-2) 光源からの光をオプティカルインテグレータに照
射し、前記オプティカルインテグレータからの光束で第
1物体を照明することにより前記第1物体のパターンを
投影光学系により第2物体に投影する露光装置におい
て、前記オプティカルインテグレータに入射する光束の
光束径を変更する光束状態変更手段と、光軸上に開口を
一つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つだけ備える第
2絞りを含む複数の絞りの内の一つを前記オプティカル
インテグレータの前又は後又は共役な場所に選択的に挿
入する絞り選択手段とを有することを特徴としている。
特に、構成(1-1) 又は(1-2) において、 (1-2-1) 前記光束状態変更手段は着脱可能な4角錐形状
のプリズムを有し、前記第2絞りが挿入されていると
き、前記4角錐形状のプリズムが前記光源と前記オプテ
ィカルインテグレータの間に挿入されており、前記オプ
ティカルインテグレータ上に4つの光源像が投影されて
いること。 (1-2-2) 前記4つの像が前記光源の像であること。 (1-2-3) 前記光束状態変更手段は、光源を光軸方向に移
動させる手段を有すること。 (1-2-4) 前記光束状態変更手段は、ズーム光学系を有す
ること。 (1-2-5) 前記絞り選択手段は、前記第1、第2絞りを相
異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装置
とを有すること。 (1-2-6) 前記4つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに 直交する2方向を夫々x軸、y
軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたxy座標系を
前記第2絞り上に仮定した時の第1乃至第4象限に設け
てあること等を特徴としている。
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】本発明の素子製造方法は、 (2-1) 光源からの光をオプティカルインテグレータに照
射し、前記オプティカルインテグレータからの光束で第
1物体を照明することにより前記第1物体のパターンを
投影光学系により第2物体に投影して転写する段階を有
する素子製造方法において、前記オプティカルインテグ
レータに入射する光束の強度分布を変更する段階と、光
軸上に開口を1つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つ
だけ備える第2絞りを含む複数の絞りの内の1つを前記
オプティカルインテグレータの前又は後又は共役な場所
に選択的に挿入する段階とを有することを特徴としてい
る。(2-2) 光源からの光をオプティカルインテグレータに照
射し、前記オプティカルインテグレータからの光束で第
1物体を照明することにより前記第1物体のパターンを
投影光学系により第2物体に投影して転写する段階を有
する素子製造方法において、前記オプティカルインテグ
レータに入射する光束の光束径を変更する段階と、光軸
上に開口を一つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つだ
け備える第2絞りを含む複数の絞りの内の一つを前記オ
プティカルインテグレータの前又は後又は共役な場所に
選択的に挿入する段階とを有することを特徴としてい
る。特に、構成(2-1) 又は(2-2) において、 (2-2-1) 前記光束の強度分布を変更する段階では着脱可
能な4角錐形状のプリズムを用い、前記第2絞りが挿入
されているとき、前記4角錐形状のプリズムが前記光源
と前記オプティカルインテグレータの間に挿入されてお
り、前記オプティカルインテグレータ上に4つの光源像
が投影されていること。 (2-2-2) 前記4つの光源像が前記光源の像であること。 (2-2-3) 前記光束の強度分布を変更する段階では、前記
光源を光軸方向に移動させること。 (2-2-4) 前記光束の光束径を変更する段階では、ズーム
光学系を用いること。 (2-2-5) 前記挿入する段階では、前記第1、第2絞りを
相異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆動装
置を用いていること。 (2-2-6) 前記4つの開口は、夫々、装置に関連した主た
る方向に対応する互いに 直交する2方向を夫々x軸、y
軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたxy座標系を
前記第2絞り上に仮定した時の第1乃至第4象限に設け
てあること等を特徴としている。
【0020】
【0021】
【0022】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施形態1の要部
概略図である。図中11は超高圧水銀灯等の光源でその
発光点は楕円ミラー12の第1焦点近傍に配置してい
る。この超高圧水銀灯11より発した光が楕円ミラー1
2によって集光される。13は光路を曲げるためのミラ
ー、14はシャッターで通過光量を制限している。15
はリレーレンズ系で超高圧水銀灯11からの光を波長選
択手段としての波長選択フィルター16を介してオプテ
ィカルインテグレータ17に効率よく集めている。オプ
ティカルインテグレータ17は後述するように複数の微
小レンズを2次元的に配列した構成より成っている。
【0023】本実施形態においてはオプティカルインテ
グレータ(インテグレータ)17への照明状態はクリテ
ィカル照明でもケーラー照明でもよく、また例えば楕円
ミラー12の射出口をオプティカルインテグレータ17
に結像するものであっても良い。波長選択フィルター1
6は超高圧水銀灯11からの光束の波長成分の中から必
要な波長成分の光のみを選択して通過させている。
【0024】18は選択手段(絞り選択手段)としての
絞り形状調整部材であり、複数の絞りをターレット式に
配置して構成しており、オプティカルインテグレータ1
7の後に配置している。絞り形状調整部材18はオプテ
ィカルインテグレータ17の形状に応じてオプティカル
インテグレータ17を構成する複数の微小レンズから所
定の微小レンズの選択を行なっている。即ち、本実施形
態では絞り形状調整部材18を絞り駆動系(駆動装置)
50で駆動させることにより露光を行なう後述する半導
体集積回路のパターン形状に合わせた照明方法を選択し
ている。このときの複数の微小レンズの選択に関しては
後述する。
【0025】
【0026】19は光路を曲げるためのミラー、20は
レンズ系であり、絞り形状調整部材18を通過した光束
を集光している。レンズ系20は照明の均一性をコント
ロールするために重要な役割を果している。21はハー
フミラーであり、レンズ系20からの光束を透過光と反
射光に分割している。このうちハーフミラー21で反射
した光はレンズ38、ピンホール39を介してフォトデ
ィテクター40に導光している。ピンホール39は露光
が行なわれるべきパターンを持ったレチクル30と光学
的に等価な位置にあり、ここを通過した光がフォトディ
テクター40によって検出して、露光量のコントロール
を行なっている。
【0027】22は所謂マスキングを行なうメカニカル
ブレードであり、レチクル30の露光されるべきパター
ン部の大きさによって駆動系(不図示)によって位置の
調整を行なっている。23はミラー、24はレンズ系、
25はミラー、26はレンズ系で、これらの各部材を介
した超高圧水銀灯11からの光でレチクルステージ37
上に載置されたレチクル(第1物体)30を照明してい
る。
【0028】
【0029】31は投影光学系であり、レチクル30上
のパターンをウェハー(第2物体)32に投影結像させ
ている。ウェハー32はウェハーチャック33に吸着し
ており、更にウエハーチャック33はレーザー干渉計3
6によって制御されるステージ34上に載置している。
尚、35はミラーであり、ウェハーステージ34上に載
置しており、あるレーザー干渉計(不図示)からの光を
反射させている。
【0030】本実施形態においてオプティカルインテグ
レータ17の射出面17bは各要素19,20,23,
24,25,26を介して投影光学系31の瞳面31a
と略共役関係と成っている。即ち投影光学系31の瞳面
31aに射出面17bに相当する有効光源像が形成して
いる。
【0031】
【0032】61は4角錐形状の光偏向部材であり、光
路中に挿脱可能となっており、オプティカルインテグレ
ータ17の入射面17aに4つの光源像を形成して、光
束の有効利用を図っている。62はレンズ系であり、光
偏向部材61を光路中に配置したときレンズ系15と交
換するように光路中に挿着している。
【0033】
【0034】次に図2を用いて投影光学系31の瞳面3
1aとオプティカルインテグレータ17の射出面17b
との関係について説明する。オプティカルインテグレー
タ17の形状は投影光学系31の瞳面31aに形成され
る有効光源の形状に対応している。図2はこの様子を示
したもので、投影光学系31の瞳面31aに形成される
射出面17bの有効光源像17cの形状が重ね描きされ
ている。正規化するため投影光学系31の瞳31aの径
を1.0としており、この瞳31a中にオプティカルイ
ンテグレータ17を構成する複数の微小レンズが結像し
て有効光源像17cを形成している。本実施形態の場
合、オプティカルインテグレータを構成する個々の微小
レンズは正方形の形状をしている。
【0035】ここで半導体集積回路のパターンを設計す
るときに用いられる主たる方向となる直交軸をxおよび
y軸に取る。この方向はレチクル30上に形成されてい
るパターンの主たる方向と一致した方向であり、正方形
の形状をしているレチクル30の外形の方向とほぼ一致
している。
【0036】高解像力の照明系が威力を発揮するのは先
に述べたk1 ファクターが0.5付近の値を取るときで
ある。
【0037】そこで本実施形態では絞り形状調整部材1
8の絞りによりオプティカルインテグレータ17を構成
する複数の微小レンズのうちからレチクル30面上のパ
ターン形状に応じて所定の微小レンズを通過する光束の
みをレチクル30の照明用として用いるようにしてい
る。
【0038】具体的には投影光学系31の瞳面31a上
で中心領域以外の複数の領域を光束が通過するように微
小レンズを選択している。
【0039】図3(A)、(B)はオプティカルインテ
グレータ17を構成する複数の微小レンズのうち絞り形
状調整部材18の絞りにより所定の微小レンズを通過す
る光束のみを選択したときを示す瞳面31a上における
概略図である。同図において黒く塗りつぶした領域は光
が遮光され、白い領域は光が通過してくる領域を示して
いる。
【0040】図3(A)はパターンで解像度が必要とさ
れる方向がxおよびy方向であるときに対する瞳面31
a上の有効光源像を示している。瞳面31aを表わす円
を x2 +y2 =1 としたとき、次の4つの円を考える。
【0041】(xー1)2 +y2 =1 x2 +(yー1)2 =1 (x+1)2 +y2 =1 x2 +(y+1)2 =1 これらの4つの円によって瞳面31aを表わす円は領域
101〜108までの8つの領域に分解される。
【0042】本実施形態でxおよびy方向に対して高解
像で深度の深い照明系は、これらのうちから偶数の領
域、即ち領域102,104,106,108に存在す
る微小レンズ群に優先的に光を通すように選択すること
によって達成している。原点であるx=0,y=0付近
の微小レンズは主として粗いパターンの深度向上に効果
が大きいため、中心付近の部分を選ぶか否かは焼き付け
ようとするパターンによって定まる選択事項である。
【0043】図3(A)の例では中心付近の微小レンズ
は除外した例が示してある。尚、オプテイカルインテグ
レータ17の外側の部分は照明系内でインテグレータ保
持部材(不図示)によって遮光されている。又図3
(A),(B)では遮光するべき微小レンズと投影レン
ズの瞳31aとの関係を分かり易くするため瞳31aと
オプティカルインテグレータの有効光源像17cが重ね
描きしている。
【0044】これに対し図3(B)は±45°方向のパ
ターンに対して高解像が必要とされる場合の絞りの形状
を示す。図3(A)の場合と同じく瞳31aとオプティ
カルインテグレータ17の有効光源像17cとの関係を
図示している。±45°パターンの場合には前と同じと
して
【0045】
【数1】 なる4つの円を、瞳31aに対して重ね描きして図3
(A)の場合と同じく瞳31aを領域111〜118の
8つの領域に区分する。この場合±45°方向のパター
ンの高解像化に寄与するのは今度は奇数で表わされた領
域、即ち領域111,113,115,117である。
この領域に存在しているオプティカルインテグレータ1
7の微小レンズを優先的に選択することにより±45°
方向のパターンはk1 ファクターが0.5付近で焦点深
度が著しく増大する。
【0046】図4は絞り形状調整部材18の各絞り18
a〜18dの切り換えを行なう概略図である。図4に示
すようにターレット式の交換方式を採用している。第1
の絞り18aは、k1 で1以上のそれほど細かくないパ
ターンを焼きつける場合に用いられる。第1の絞り18
aはこれまで公知の従来型の照明光学系の構成と同じで
あり、必要に応じてオプティカルインテグレータ17を
構成する微小レンズ群の外側の部分を遮光する様にも設
定される固定の絞りである。絞り18b〜18dは本実
施形態に従う第2の絞りとしての種々の絞りである。
【0047】一般的な傾向として高解像用の照明系の場
合、オプテイカルインテグレータ17は従来の照明系で
必要とされる大きさより、瞳面上でより外側の領域まで
使う方が高空間周波数に対し有利である。例えば従来の
照明系では半径0.5以内の微小レンズ群を使うことが
好ましいのに対し、高解像用の照明系の場合には中心部
の微小レンズは使用しないものの、例えば最大半径0.
75以内の円の中ににある微小レンズ群まで使用する方
が好ましいことがある。
【0048】このためオプテイカルインテグレータ17
の大きさ、及び、照明系のその他の部分の有効径は、予
め従来型と高解像型の両者を考慮して設定しておくこと
が好ましい。また、オプテイカルインテグレータ17の
入射口17aにおける光の強度分布も、絞りが挿入され
ても十分機能が果たせるような大きさを持っていること
が好ましい。絞り18aで外側の微小レンズ群を遮光す
る場合があるのは以上のような理由からで、例えばオプ
ティカルインテグレータ17としては半径0.75のと
ころまで用意しておいても、絞り18aではそのうちか
ら半径0.5以内の部分を選ぶといったことが行なわれ
る。
【0049】以上示したように露光を行なうべき半導体
集積回路のパターンの特殊性を考慮したうえで絞りの形
状を決定すれば、パターンに応じた最適の露光装置を構
成することができる。これらの絞りの選択は例えば露光
装置全体の制御コンピュータから与えて、自動的に行な
っている。図4に示したのはこのような絞りを搭載した
絞り形状調整部材18の一例で、この場合には4種類の
絞り18a〜18dのパターンを選択することが可能で
ある。勿論この数はもっとふやすことも容易である。
【0050】絞りを選択したとき、絞りの選択に従って
照度むらが変化する場合がある。そこで本実施形態では
このような場合の照度むらをレンズ系20を調整して微
調を行なっている。照度むらの微調については、レンズ
系20を構成する個々の要素レンズの光軸方向の間隔で
調整可能であることが既に本出願人の先の出願によって
示されている。51は駆動機構であり、レンズ系20の
要素レンズ(可動レンズ)を駆動させている。レンズ系
20の調整は絞りの選択に応じて行なっている。また場
合によっては絞りの形状の変更に応じてレンズ系20自
体をそっくり他の交換レンズと交換するようにすること
も可能である。そのような場合にはレンズ系20に相当
するレンズ系を複数個用意し、絞りの形状の選択に従っ
てターレット式に交換されるようにレンズ系を入れ替え
ている。
【0051】本実施形態では、絞りの形状を変更するこ
とによって半導体集積回路のパターンの特徴に応じた照
明系を選択している。また本実施形態の場合、高解像用
の照明系にした場合、大きく有効光源全体を見ると光源
自体が4つの領域に別れることが特徴となっている。こ
の場合の重要要素はこの4つの領域の強度のバランスで
ある。しかしながら図1のような系だと超高圧水銀灯1
1のケーブルの影がこのバランスに悪影響を与える場合
がある。従って、図3に示した絞りを用いる高解像用の
照明系ではケーブルの影になる線状の部分をオプティカ
ルインテグレータ17で遮光する微小レンズの位置と対
応するようにセットさせることが望ましい。
【0052】即ち、図3(A)の絞りの場合で言えば図
5(A)に示す様にケーブル11aを引っ張る方向はx
またはy方向にセットすることが好ましく、図3(B)
の絞りを使用した場合のケーブル11aを引っ張る方向
は図5(B)に示す様にx及びy方向に対して±45°
にセットすることが好ましい。本実施形態では超高圧水
銀灯のケーブルを引っ張る方向も、絞りの変更に対応し
て変えることが好ましい。
【0053】又本実施形態では、k ファクターが
0.5付近の細かいパターンを投影露光する場合には前
述の様にパターンの方向性に応じて図3(A)あるいは
図3(B)といった絞りを挿入している。この場合ただ
単に光を遮断するだけだと、超高圧水銀灯からの光を利
用する効率が低くなってしまう。そこで本実施形態では
光の有効利用を図るために絞りの形状に応じて楕円ミラ
ー12とミラー13との間にオプティカルインテグレー
タ17に入射する光の強度分布を変える強度分布変更手
段の一要素を構成する4角錐プリズム(光偏向部材)6
1を挿入している。楕円ミラー12の第1焦点位置に配
置した超高圧水銀灯11の電極から発生する光束は、楕
円ミラー12で反射した後、4角錐プリズム61を通過
し、4角錐プリズムを構成する4つの面のそれぞれに応
じて4つの光源像を楕円ミラー12の第2焦点の位置に
形成する。この4つの光源像が、挿入されている絞りの
4つに別れている透過部のそれぞれに対応する様、レン
ズ系62がレンズ系15に代わって挿入し光束を導いて
いる。
【0054】本実施形態では挿入する4角錐プリズム6
1には方向性が存在する。図3(A)のような形状の絞
りに対しては図6(A)に示す様に4角錐プリズム61
の各面の間に存在する稜がx及びy方向に一致する様に
セットされる。4角錐プリズムを挿入したことに伴う光
学系の結像関係を補正するため、図1の系ではシャッタ
ー14の後方にあるレンズ系15を4角錐プリズムの挿
入と同時にレンズ系62に交換する。
【0055】一方、図3(B)のように絞りの透過部が
x軸及びy軸方向に存在している時には、4角錐プリズ
ムの稜はx及びy軸に対して±45°方向になる様にセ
ットされる。この場合にも結像関係の補正にレンズ系6
2がレンズ系15の代わりに用いられる。
【0056】又、4角錐プリズム61は用意される絞り
の個数に応じて複数個用意しても良い。
【0057】図7は本発明の実施形態2の要部概略図で
ある。本実施形態が実施形態1と異なるのはオプティカ
ルインテグレータ17に結像する光束状態変更手段とし
てのレンズ系65の構成である。本実施形態の場合、レ
ンズ系65は楕円ミラー12の射出面の像をオプティカ
ルインテグレータ17に結像する。ここで図4に示すよ
うな絞りを用いる場合を考える。この際問題となるのは
前述したように従来の照明法を行なう絞り(第1絞り)
18aを用いる場合と、高解像用の照明系を行なう絞り
(第2絞り)18b〜18dを用いる場合でオプティカ
ルインテグレータ17上で必要とされる光束の最大有効
径が異なる場合である。
【0058】そこで本実施形態ではレンズ系65をこの
ような光束径の変化に対応できるようズーム光学系より
構成している。超高圧水銀灯11からの光束径が楕円ミ
ラー12の射出口12aにより明確に規定されているた
め、本実施形態のようなズーム光学系65を採用するこ
とは、採用する照明法に合わせて光束径をコントロール
出来ることになり、光の利用効率が向上する。
【0059】このようなオプティカルインテグレータ1
7上での光の強度分布の大きさのコントロールは図1の
系でレンズ系15が楕円ミラー12の射出口をオプティ
カルインテグレータ17の入射口17aに結像するので
はなく、超高圧水銀灯11の光源像を結像させるような
場合にも重要である。
【0060】そこで本実施形態3として、この場合には
オプティカルインテグレータ17上での光の強度分布を
コントロールするため光束状態変更手段として、超高圧
水銀灯自体を光軸方向に動かしてオプティカルインテグ
レータ17の入射口17aに対してデフォーカスさせて
変化させても良い。
【0061】以上述べてきた例は従来良く用いられてい
る超高圧水銀灯を1つ用いたものであった。しかしなが
ら本発明は複数個の光源を用いたり、あるいは光源とし
てエキシマレーザを用いたような場合にも勿論適用する
ことができる。エキシマレーザを用いた照明系の場合に
は時間的にオプティカルインテグレータ上でレーザの位
置が走査される方式があるが、この時走査する範囲を焼
き付けるべきパターンに応じて変化させれば図3にある
ような有効光源分布を容易に実現することができる。
【0062】又、以上の実施形態では述べなかったが高
解像用の照明系では絞りで大きく4つの部分に分けられ
た各部分同士のバランスも重要である。4つに分けられ
た有効光源同士の分布のモニター、あるいは補正法につ
いては先の出願で既に述べられているのでここでは言及
を省略する。
【0063】又、絞りを挿入する位置について本発明の
各実施形態では最後のオプティカルインテグレータの後
側で行なったが、これはオプティカルインテグレータの
前側で行なっても良い。また他に照明系内でオプティカ
ルインテグレータと共役な面があればそこで絞りの動作
を行なうようにしても良い。
【0064】
【発明の効果】本発明の露光装置によれば、光利用効率
をあまり落とさないで、有効光源の形状の変更ができ、
特に4角錐形状の光偏向部材を挿入した際には高い解像
力が得られる。
【0065】これによって高解像度のパターンを有した
半導体デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の要部概略図
【図2】投影光学系の瞳とオプティカルインテグレータ
の関係を示す説明図
【図3】投影光学系の瞳面上を示す説明図
【図4】本発明で使用される絞りの詳細図
【図5】超高圧水銀灯からケーブルの引き出し方を示す
【図6】本実施形態で用いた4角錐プリズムの挿入の仕
方を示す説明図
【図7】本発明の実施形態2の要部概略図
【符号の説明】
11 超高圧水銀灯 12 楕円ミラー 13 ミラー 14 シャッター 15 レンズ系 16 波長選択フィルター 17 オプティカルインテグレーター 18 メカ絞り 19 ミラー 20 レンズ 21 ハーフミラー 22 マスキングブレード 23,25 ミラー 24,26 レンズ 30 レチクル 31 投影光学系 32 ウェハー 33 ウェハーチャック 34 ウェハーステージ 35 レーザー干渉計のミラー 36 レーザー干渉計 37 レチクルステージ 38 レンズ 39 ピンホール 40 フォトディテクタ 50 絞りの駆動系 51 レンズ駆動系 61 4角錐プリズム 62,65 レンズ系
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−329623(JP,A) 特開 昭59−155843(JP,A) 特開 昭61−91662(JP,A) 特開 昭61−267722(JP,A) 特開 昭62−52929(JP,A) 特開 昭62−134650(JP,A) 特開 昭63−12135(JP,A) 特開 平9−186081(JP,A) 特開 平9−190975(JP,A) 特許2633091(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの光をオプティカルインテグレ
    ータに照射し、前記オプティカルインテグレータからの
    光束で第1物体を照明することにより前記第1物体のパ
    ターンを投影光学系により第2物体に投影する露光装置
    において、前記オプティカルインテグレータに入射する
    光束の強度分布を変更する光束状態変更手段と、光軸上
    開口を1つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つだけ
    備える第2絞りを含む複数の絞りの内の1つを前記オプ
    ティカルインテグレータの前又は後又は共役な場所に選
    択的に挿入する絞り選択手段とを有することを特徴とす
    る露光装置。
  2. 【請求項2】 光源からの光をオプティカルインテグレ
    ータに照射し、前記オプティカルインテグレータからの
    光束で第1物体を照明することにより前記第1物体のパ
    ターンを投影光学系により第2物体に投影する露光装置
    において、前記オプティカルインテグレータに入射する
    光束の光束径を変更する光束状態変更手段と、光軸上に
    開口を1つ備える第1絞りと光軸外に開口を4つだけ備
    える第2絞りを含む複数の絞りの内の1つを前記オプテ
    ィカルインテグレータの前又は後又は共役な場所に選択
    的に挿入する絞り選択手段とを有することを特徴とする
    露光装置。
  3. 【請求項3】 前記光束状態変更手段は着脱可能な4角
    錐形状のプリズムを有し、前記第2絞りが挿入されてい
    るとき、前記4角錐形状のプリズムが前記光源と前記オ
    プティカルインテグレータの間に挿入されており、前記
    オプティカルインテグレータ上に4つの光源像が投影さ
    れていることを特徴とする請求項1の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記4つの像が前記光源の像であること
    を特徴とする請求項3の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記光束状態変更手段は、光源を光軸方
    向に移動させる手段を有することを特徴とする請求項1
    の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記光束状態変更手段は、ズーム光学系
    を有することを特徴とする請求項2の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記絞り選択手段は、前記第1、第2絞
    りを相異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させる駆
    動装置とを有することを特徴とする請求項1又は2の露
    光装置。
  8. 【請求項8】 前記4つの開口は、夫々、装置に関連し
    た主たる方向に対応する互いに直交する2方向を夫々x
    軸、y軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたxy座
    標系を前記第2絞り上に仮定した時の第1乃至第4象限
    に設けてあることを特徴とする請求項1,2又は7の露
    光装置。
  9. 【請求項9】 光源からの光をオプティカルインテグレ
    ータに照射し、前記オプティカルインテグレータからの
    光束で第1物体を照明することにより前記第1物体のパ
    ターンを投影光学系により第2物体に投影して転写する
    段階を有する素子製造方法において、前記オプティカル
    インテグレータに入射する光束の強度分布を変更する段
    階と、光軸上に開口を1つ備える第1絞りと光軸外に開
    口を4つだけ備える第2絞りを含む複数の絞りの内の1
    つを前記オプティカルインテグレータの前又は後又は共
    役な場所に選択的に挿入する段階とを有することを特徴
    とする素子製造方法。
  10. 【請求項10】 光源からの光をオプティカルインテグ
    レータに照射し、前記オプティカルインテグレータから
    の光束で第1物体を照明することにより前記第1物体の
    パターンを投影光学系により第2物体に投影して転写す
    る段階を有する素子製造方法において、前記オプティカ
    ルインテグレータに入射する光束の光束径を変更する段
    階と、光軸上に開口を1つ備える第1絞りと光軸外に開
    口を4つだけ備える第2絞りを含む複数の絞りの内の1
    つを前記オプティカルインテグレータの前又は後又は共
    役な場所に選択的に挿入する段階とを有することを特徴
    とする素子製造方法。
  11. 【請求項11】 前記光束の強度分布を変更する段階で
    は着脱可能な4角錐形状のプリズムを用い、前記第2絞
    りが挿入されているとき、前記4角錐形状のプリズムが
    前記光源と前記オプティカルインテグレータの間に挿入
    されており、前記オプティカルインテグレータ上に4つ
    の光源像が投影されていることを特徴とする請求項9の
    素子製造方法。
  12. 【請求項12】 前記4つの光源像が前記光源の像であ
    ることを特徴とする請求項11の素子製造方法。
  13. 【請求項13】 前記光束の強度分布を変更する段階で
    は、前記光源を光軸方向に移動させることを特徴とする
    請求項9の素子の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記光束の光束径を変更する段階で
    は、ズーム光学系を用いることを特徴とする請求項10
    の素子製造方法。
  15. 【請求項15】 前記挿入する段階では、前記第1、第
    2絞りを相異なる位置に配した円盤と該円盤を回転させ
    る駆動装置を用いていることを特徴とする請求項9又は
    10の素子製造方法。
  16. 【請求項16】 前記4つの開口は、夫々、装置に関連
    した主たる方向に対応する互いに直交する2方向を夫々
    x軸、y軸の方向とし且つ光軸の位置を中心としたxy
    座標系を前記第2絞り上に仮定した時の第1乃至第4象
    限に設けてあることを特徴とする請求項9,10又は1
    5の素子製造方法。
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