JP4999827B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
Description
− 放射ビームPB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するための照明システム(照明システム)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするための第1の位置決めデバイスPMに連結される、支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスPWに連結される、基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− 基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンの像を形成するように構成される投影システム(例えば屈折型投影レンズ)PLと
を備える。
Claims (4)
- 放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えるように構成されるパターニングデバイスを保持するように構成される支持構造体と、
基板を保持するように構成される基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上にパターン付けされた前記放射ビームを投影するように構成される投影システムと、を備え、
前記照明システムは、
複数のファセットを有するフィールドファセットミラーと、
使用時に前記照明システムによって一定の瞳孔で照明される面内であって、前記照明システムのフィールドレンズ群のフィールド面内に配置される均一性補正システムと、
前記均一性補正システムに隣接して配置されるパターニングデバイスマスキングブレードと、を備え、
前記フィールド面は、前記フィールドファセットミラーのファセットの像が使用時に形成される面を含み、
前記パターニングデバイスマスキングブレードは、前記フィールド面から20ミリメートル未満に配置され、
前記均一性補正システムは、
使用時に、前記パターニングデバイスが前記フィールド面から離隔するように前記支持構造体に隣接して、かつ、前記パターニングデバイスが使用時に前記支持構造体により保持される位置から60ミリメートル未満に配置され、
前記放射ビームを横切る状態へ、かつ、前記放射ビームを横切る状態から移動可能である複数のフィンガーを備え、前記複数のフィンガーは、前記放射ビームの一方の側のみに配置されており、
前記フィールドファセットミラーは、
前記複数のファセットの各々が、前記パターニングデバイスと前記フィールド面との間の離隔により生じるデフォーカスを考慮して、前記放射ビームのフィールドが前記投影システムの受容フィールド内に収まるような寸法を有し、かつ、
前記複数のファセットの各々が、前記均一性補正システムの前記フィンガーの移動方向に直角な方向が前記フィンガーの移動方向に平行な方向に対して相対的に拡大されている、
リソグラフィ装置。 - 前記パターニングデバイスマスキングブレードは、前記フィールド面から10ミリメートル未満に配置される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記均一性補正システムは、前記パターニングデバイスが使用時に前記支持構造体により保持される位置から40ミリメートル未満に配置される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記均一性補正システムは、前記パターニングデバイスが使用時に前記支持構造体により保持される位置から20ミリメートル未満に配置される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
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