JPH08148420A

JPH08148420A - 露光装置

Info

Publication number: JPH08148420A
Application number: JP6309709A
Authority: JP
Inventors: Masami Akumoto; 正巳飽本; Nariaki Iida; 成昭飯田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1994-11-19
Filing date: 1994-11-19
Publication date: 1996-06-07
Anticipated expiration: 2015-09-11
Also published as: JP3087209B2

Abstract

(57)【要約】【目的】照度を上げることなく、かつ露光時間を短縮
して、露光処理を行えるようにした露光装置を提供す
る。【構成】周辺部に平坦状のオリフラＷａを有する半導
体ウエハＷと、光照射手段４０とを、相対的に移動させ
て、半導体ウエハＷの周辺部を所定の幅に渡って露光可
能に形成する。光照射手段４０のマスク４５形状に、半
導体ウエハＷの中心側の周縁部Ｗｂに接する内側辺４６
と、この内側辺４６の端部から外向きに所定角度θで拡
開する傾斜辺４７とを具備する。これにより、半導体ウ
エハＷの円形部及びオリフラＷａ部の周辺部に十分かつ
均一な露光量のＵＶ光を照射することができ、露光不良
によるレジスト残り等を防止すると共に、オリフラＷａ
部における“だれ幅”を除去して不要レジストをシャー
プに除去することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は露光装置に関するもの
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
周辺を露光して、周辺のレジスト膜を除去する露光装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理する一連の処理が施される。

【０００３】このフォトリソグラフィー工程において、
例えば、被処理体であるウエハを洗浄装置にて洗浄した
後、ウエハにアドヒージョン処理装置にて疎水化処理を
施し、冷却処理装置にて冷却した後、レジスト塗布装置
にてフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。
そして、フォトレジストを加熱処理装置にて加熱してベ
ーキング処理を施した後、露光装置にて所定のパターン
を露光する。そして、露光後のウエハを現像装置にて現
像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。かかるフォトリソグラフ
ィー工程において、解像度が優れているポジ型レジスト
が主に使用されている。

【０００４】上記のような処理を行う場合、ウエハ等の
被処理体の表面にスピンコート法によってレジスト液を
塗布する処理が行われるが、この塗布処理の際、塗布直
後における膜厚は均一であるが、回転が停止して遠心力
が働かなくなった後や時間が経つに従い表面張力の影響
でウエハ周辺部でレジスト液が盛り上がるように厚くな
り、また、レジスト液がウエハの下面周辺部にまで回り
込んで不要な膜が形成される現象が発生する。このよう
にウエハの周辺部に不均一な膜が形成されると、集積回
路パターン等の現像時に周辺部のレジスト膜が完全に除
去されずに残存することになり、その後のウエハの搬送
工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティクル
発生の原因となる。

【０００５】そこで、従来では、ウエハの表面にレジス
ト液を塗布した後、ウエハの周辺部の不要な塗布膜を除
去する処理が行われている。この不要レジスト膜を除去
する手段の１つとして、被処理体の周辺部に沿って光照
射手段を相対的に移動させて、被処理体の周辺部の不要
レジスト膜を露光する露光装置が使用されている（実公
平５−３０３４８号公報、実公平５−３０３４９号公
報、特開平５−２５９０６９号公報参照）。

【０００６】上記露光装置は、ウエハの周辺部の不要レ
ジスト膜に円形又は矩形状の照射パターンのＵＶ（紫外
線）光を照射するものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、照射パ
ターンが円形のものにおいては、図１１に示すように、
実用上均一と見なされるＵＶ照度分布に範囲があり、Ｕ
Ｖ照度分布中心に対して例えば半径２．５ｍｍの範囲が
限度であるため、被処理体の周辺部の被露光領域の外周
側及び内周側と周辺中心側においては、回転時の周速度
の相違によりその露光量が相違するため、不均一な露光
となり、露光後に現像を行った後に部分的にレジストが
残存するという問題があり、光照射パターンとしては不
適当であった。これに対し、照射パターンが矩形状のも
のは、図１２に示すように、被処理体であるウエハＷに
塗布されたレジスト膜のカットエッジ部ａで必要露光量
を満たすが、ウエハＷの外周部での露光量は内周部と比
較して減少するため、図１３に示すように、照度むらが
生じ、露光不良が起こりレジスト残りが発生したりする
可能性がある。これを解決するには、光源の照度を増大
し、光照射パターンを拡大することにより露光量を多く
得ることが考えられるが、単に照度を増大させると、レ
ジスト膜に発泡現象が発生してしまい回路パターンに支
障をきたすという問題がある。また、照度をあげずに露
光時間を長くすることも考えられるが、スループットの
向上を企図すべく露光時間を短縮化する傾向にある現状
にそぐわないという問題もある。

【０００８】また、図１４に示すように、ウエハＷに深
い溝ｈ（トレンチコート）を掘り、その中にキャパシタ
や素子分離領域を形成するようにしたトレンチ技術にお
いては、トレンチコートｔをエッチングする際にレジス
ト残存部分の存在によってウエハＷ周辺部もエッチング
されて凹所ｃが生じるという問題があった。

【０００９】また、光照射パターンが矩形状のものにお
いては、ウエハＷのオリフラＷａ部分を露光する際、図
１１に想像線で示すように、矩形状のマスクｂを回転さ
せずに、ウエハＷの中心方向に移動させて露光すると、
オリフラＷａ部の中央部以外においてはマスクｂはオリ
フラＷａ辺に対して斜めに位置することになるために、
オリフラＷａ部では照射量が少なくなり、疎露光部が生
じる。この疎露光部は照射量が少ないため、後にウエハ
Ｗを現像したときにレジスト部がなだらかに除去され、
いわゆるだれ現象が生じ、レジスト膜をシャープに除去
することができない。この問題を解決するために、出願
人は先にウエハのオリフラ部を露光するに際し、光照射
手段の矩形状光照射パターン（マスク）の一辺をオリフ
ラに平行になるように光照射手段の光照射の位置を制御
するようにして、ウエハＷのオリフラ部を均一に露光す
る方法を開発した（特開平５−２５９０６９号公報参
照）。この露光方法によれば、オリフラ部の露光を均一
にすることは可能であるが、光照射パターンが矩形状に
形成される限り、上述したように、外周部においては、
内周側と外周側とで照度むらが生じ、露光不良が起こる
可能性がある。

【００１０】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、照度を上げることなく、かつ露光時間を短縮して、
露光処理を行えるようにした露光装置を提供することを
目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の露光装置は、被処理体と、光照射
手段とを、相対的に移動させて、上記被処理体の周辺部
を所定の幅に渡って露光する露光装置を前提とし、上記
光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部に位
置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所定角
度で拡開する傾斜辺とを、具備することを特徴とするも
のである（請求項１）。

【００１２】また、この発明の第２の露光装置は、被処
理体と、紫外線光照射手段とを、相対的に移動させて、
上記被処理体の表面に塗布されたレジストの周辺部を所
定の幅に渡って露光する露光装置を前提とし、上記光照
射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部に位置す
る内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所定角度で
拡開する傾斜辺とを具備し、上記内側辺の長さを、１．
５〜３．５ｍｍとしたことを特徴とするものである（請
求項２）。

【００１３】この発明において、上記光照射手段の光照
射形状の内側辺は被処理体の周辺部に位置するものであ
れば直線であっても差し支えないが、好ましくは内側辺
は、被処理体の中心を中心とする円の円周に近似する曲
率を有する方がよい（請求項３）。

【００１４】また、光照射形状の傾斜辺の内側辺に接す
る線に対する角度（θ）を、被処理体の半径（Ｒ）、切
欠部の長さ（Ｐ）としたとき、θ＝ｓｉｎ^-1（Ｐ／２）
／Ｒに基いて設定する方が好ましい（請求項４）。

【００１５】

【作用】この発明の露光装置によれば、光照射手段の光
照射形状が、被処理体の周辺部に位置する内側辺と、こ
の内側辺の端部から外向きに所定角度で拡開する傾斜辺
とを具備することにより、被処理体と光照射手段とを相
対的に移動させて被処理体の周辺部を露光処理する際、
被処理体の円形状部においては、内側辺が被処理体の中
心側の周縁部に接し、この内側辺の端部から傾斜辺が拡
開した状態で、被処理体の周辺部を露光することができ
る。したがって、被処理体の周辺部の内周部と外周部と
を有効に露光することができ、露光不良によるレジスト
残り等を防止することができる。

【００１６】また、被処理体の切欠部を露光処理する場
合は、傾斜辺が被処理体の中心側の周縁部に接するよう
に移動しながら露光することで、切欠部の露光不良によ
るレジスト残等を防止することができる。

【００１７】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の露光装置を半導体ウ
エハの塗布・現像処理システムに適用した場合について
説明する。

【００１８】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個直線状に
載置可能に構成したキャリアステーション３を有し、こ
のキャリアステーション３のカセット２前面部には移動
可能でウエハＷの搬入・搬出及びウエハＷの位置決めを
行う補助アーム４が設けられている。また、塗布・現像
処理システム１の中央部にてその長さ方向に移動可能に
設けられると共に、補助アーム４からウエハＷを受け渡
されるメインアーム５が設けられており、このメインア
ーム５の移送路の両側には各種処理機構が配置されてい
る。具体的には、これらの処理機構としてはキャリアス
テーション３側の一側方には、プロセスステーション６
として例えばウエハＷをブラシ洗浄するためのブラシス
クラバ７及び高圧ジェット水により洗浄を施すための高
圧ジェット洗浄機７Ａが並設され、その隣には、２基の
加熱装置９が積み重ねて設けられると共に、メインアー
ム５の移送路の他方側には現像装置８が２基並設されて
いる。

【００１９】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。

【００２０】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側には、この発明の露光装置１３と、ウエハＷにフォト
レジスト液を塗布するレジスト塗布装置１４が並設され
ている。なお、図示されないがこれらレジスト塗布装置
１３の側部には、インターフェースユニットを介してレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられている。

【００２１】この発明の露光装置１３は、図２に示すよ
うに、ウエハＷを吸着保持して水平方向に回転する載置
台２１と、この載置台２１上に載置されたウエハＷのオ
リフラＷａ部（切欠部）を検出するオリフラ検出手段３
０と、ウエハＷの表面に塗布されたレジスト膜の周辺部
にＵＶ（紫外線）光を照射する光照射手段４０とを具備
してなる。

【００２２】上記載置台２１は回転軸２２を介して駆動
モータ２３に連結されて、水平方向に回転され得るよう
に構成され、また、図示しない昇降シリンダによって上
下方向に昇降可能に配設され、更に、載置台２１の載置
面に設けられた吸着用小孔（図示せず）を回転軸２２内
を介して図示しない真空装置に接続することで、ウエハ
Ｗを吸着保持し得るように構成されている。また、図示
しない移動機構により、上記載置台２１等は光照射手段
４０の方向に前進、後退可能に構成されている。

【００２３】上記オリフラ検出手段３０は、載置台２１
上に載置されたウエハＷの周辺部の表裏面に対峙する発
光部３１と受光部３２とで構成されている。このオリフ
ラ検出手段３０にて検出された信号は、例えば中央演算
処理装置（ＣＰＵ）にて形成される制御部５０に伝達さ
れ、制御部５０に予め入力された情報と比較演算処理さ
れた後、制御部５０から制御信号が駆動モータ２３及び
光照射手段４０の駆動部４０ａに伝達されるように構成
されている。

【００２４】一方、上記光照射手段４０は、図３及び図
４に示すように、図示しないＵＶ光源からの露光用の光
を導くための例えば光ファイバあるいは液体ファイバに
て形成される光導管４１と、この光導管４１の先端部に
取付けられる筒体４２内に設けられる絞り４３及びレン
ズ群４４と、筒体４２の先端に装着され、ＵＶ光をウエ
ハＷの周辺部に照射する光照射パターンを形成するため
の開口部を有するマスク４５とで構成されている。ま
た、光照射駆動部４０Ａの図示しない移動機構により、
上記光照射手段４０は、上記載置台２１の回転中心方向
に前進、後退可能に構成されている。

【００２５】上記マスク４５に形成される開口部４５Ａ
の形状は、ウエハＷの中心側に向って配置される内側辺
４６と、この内側辺４６の両端部を通る直線に対して外
向きに所定角度θで拡開する傾斜辺４７とを具備する台
形部を有する六角形状に形成されている（図４参照）。
言い換えれば、光照射パターンが、内側辺４６部分に対
し外向きに広がっている形状に形成されている。この場
合、内側辺４６は直線であってもよいが、図６に示すよ
うに、ウエハＷの中心を中心とする円Ｗｂの曲面に近似
する曲率を有する円弧面４８にする方がより一層円Ｗｂ
に沿って露光できる点で好ましい。この円弧面４８を直
径８インチウエハ用に形成すると、内側辺４６の両端を
結ぶ直線と円弧面４８との最大の隙間は約８μｍとな
る。

【００２６】また、内側辺４６の長さＬａは、ウエハＷ
の表面に塗布されたレジスト膜の除去に適切な露光量が
得られる寸法に設定されている。つまり、露光量が不足
すると、レジスト残りが発生し、逆に露光量が多いと、
レジスト発泡が生じるので、これらを考慮して適切な露
光量が得られる寸法にする必要がある。

【００２７】一般に、露光量Ａ（ｍＪ／ｃｍ2 ）は、以
下の式によって求められる。Ａ＝Ｂ×Ｔ×Ｍs／Ｓ（ｍＪ／ｃｍ2 ） …（１）ここで、Ａ：露光量（ｍＪ／ｃｍ2 ），Ｂ：ランプ照度
（ｍＷ／ｃｍ2），Ｔ：露光時間（ｓｅｃ），ＭS：
マスク面積（ｍｍ2），Ｓ：全露光面積（ｍｍ2 ）であ
る。

【００２８】上記（１）式より、ランプ照度アップとマ
スク面積拡大で、露光量をより多く得ることがわかる。
しかし、ランプ照度アップは、レジスト発泡の問題があ
る。また、ＵＶ照度分布は、図１１に示すような範囲が
あり、更には、ウエハＷの円周部の外周は円弧状に露光
し、オリフラＷａ部は直線状に露光するため、マスク形
状すなわち光照射形状に制限が生じる。

【００２９】また、上記（１）式の面積を長さで表す
と、露光量Ａ（ｍＪ／ｃｍ2 ）は以下の式で表される。Ａ＝Ｂ×Ｔ×ＭL／Ｌ（ｍＪ／ｃｍ2 ） …（２）ここで、ＭL：マスク辺長（ｍｍ），Ｌ：全露光長さ
（ｍｍ）である。

【００３０】上記（２）式によると、マスク４５の辺の
長さ（ＭL）が短いと、露光量が少なく露光不良が生じ
てしまうことになる。

【００３１】したがって、内側辺４６の長さを適切な露
光量が得られる長さ寸法に設定する必要がある。直径８
インチウエハを例にとって下記の条件のときのマスク４
５の辺長と、露光量の関係を調べたところ、図７のグラ
フに示されるようになる。

【００３２】★条件・ウエハＷの直径 …２００（ｍｍ）・露光時間 …４０（ｓｅｃ）・レジストカット幅…４（ｍｍ）・ランプ照度 …１２００（ｍＷ／ｃｍ2 ・必要露光量 …２００（ｍＷ／ｃｍ2 ）・ＭＬの範囲 …０〜５．０（ｍｍ）。

【００３３】ＵＶ照度分布は図１１のグラフに示すよう
に円状で、ある範囲で減少するが、半径Ｌ＝２．５ｍｍ
以内からは、露光量はあまり変化しない。

【００３４】Ｌ＝２．５ｍｍのときの露光量を上記
（２）式から求めると、Ａ＝１２００×４０×２．５／（２００−４×２）×π≒２００（ｍＪ／ｃｍ 2 ） …（３）上記（２）式、（３）式より、上記内側辺４６の長さＬ
ａを２．５ｍｍに設定することにより、ウエハＷの周辺
部におけるレジストカットエッジ部（中心側周縁部）に
必要な露光量のＵＶ光を照射することができ、処理時間
を短縮してもレジスト残りを生じることなく、レジスト
除去を可能にすることができる。実用上、Ｌａ＝１．５
〜３．５ｍｍに設定することも可能である。

【００３５】なお、マスク４５が２．５×５（ｍｍ）の
長方形であるとすると、レジストカットエッジ部（中心
側周縁部）では必要露光量を満たすが、ウエハ外周での
露光量は約１９０（ｍＪ／ｃｍ2 ）になり、照度むらを
考慮すれば露光不良が起こる可能性がある。したがっ
て、確実に露光するには、マスク形状はウエハ中心から
外周に向って広がりをもったものが理想的である。

【００３６】上記傾斜辺４７の角度θ（ウエハ中心側の
周縁部に接する線と傾斜辺４７のなす角度）は、ウエハ
Ｗの直径（半径：Ｒ）、オリフラＷａの長さＰがほぼ一
定であるので、ウエハサイズによって決まる。すなわ
ち、角度θは下式（４）に基いて求めることができる
（図５参照）。すなわち、 θ＝ｓｉｎ^-1（Ｐ／２）／Ｒ（度） …（４）上記（４）式により、６インチウエハの場合は、θ≒２
４（度）、８インチウエハの場合は、θ≒１８（度）と
なる。このように傾斜辺４７の角度θを上記（４）式に
基いて設定することにより、図５に示すように、ウエハ
Ｗの円周部とオリフラ部の接する部分の露光不良を解消
することができ、いわゆる“だれ幅”の改善を図ること
ができる。また、傾斜辺４７の長さＬｂを、上述した理
由で内側辺４６の長さＬａと同じ長さ２．５ｍｍに設定
することにより、オリフラＷａ部におけるレジストカッ
トエッジ部に必要な露光量のＵＶ光を照射することがで
きる。なお、光照射手段４０の下端部マスク４５とウエ
ハＷ上面の被露光部分との間隔は、例えば０．５〜１．
０ｍｍ程度に設定される。したがって、マスク４５の開
口部４５Ａから出たＵＶ光は、この開口部４５Ａの形状
とほぼ同一の光照射パターンでウエハＷ面を照射する。

【００３７】次に、上記のように構成される光照射手段
４０を用いて、ウエハＷの周辺部のレジストを露光する
場合の手順を、図８を参照して説明する。まず、メイン
アーム５によって、ウエハＷの中心と載置台２１の回転
中心とが一致するような状態で、載置台２１上に載置さ
れたウエハＷのオリフラＷａの位置をオリフラ検出手段
３０にて検出して、その検出信号を制御部５０に伝達
し、制御部５０からの制御信号により駆動モータ２３を
駆動すると共に、載置台２１を所定角度回転して、光照
射手段４０の直下位置にウエハＷの円周部と一方のオリ
フラ端部との接する露光始点箇所をセットする。この
際、光照射手段４０のマスク４５の内側辺４６がウエハ
Ｗのレジストカットエッジ部すなわちレジスト膜の内側
周縁部Ｗｂに接する状態にセットされる。

【００３８】次に、載置台２１、光照射手段４０のどち
らか片方を、又は両方を移動させて所定の露光位置に設
定し、光照射手段４０の光源を点灯してＵＶ光をウエハ
Ｗ周辺部に照射すると共に、駆動モータ２３を駆動して
載置台２１及びウエハＷを反時計方向に回転してウエハ
Ｗの円周部の不要レジスト部分をハッチングで示すよう
に露光する（図８（ａ）参照）。

【００３９】このようにしてウエハＷの円周部の不要レ
ジストの露光が終了すると、ウエハＷの円周部と他方の
オリフラ端部の接する部分が、マスク４５の傾斜辺４７
と平行となる（図８（ｂ）参照）。この際、マスク４５
の傾斜辺４７がオリフラ部のレジストカットエッジ部に
接する。この状態で、ウエハＷを回転させながら、例え
ば載置台２１すなわちウエハＷを光照射手段４０方向に
移動させつつ、光照射手段４０とオリフラＷａ部とを相
対的に直線移動させながらＵＶ光を照射し、オリフラＷ
ａ部の不要レジストを露光して、ウエハＷの周辺部の不
要レジストの露光を完了する（図８（ｃ）参照）。

【００４０】上記のようにして、周辺部の一定幅に渡っ
てＵＶ光が露光されたウエハＷは、レジスト塗布装置１
３から現像装置８に搬送されて、現像されることによっ
て、不要レジストの除去が行われる。この結果、ウエハ
Ｗの円形部及びオリフラＷａ部の周辺部における内側周
縁部Ｗｂは、図９に示すように、シャープにカットさ
れ、レジスト残りを生ずることなく不要レジストが除去
される。また、オリフラＷａ部においても“だれ幅”が
生じることなく不要レジストをシャープにカットするこ
とができる。更に、ウエハＷにトレンチコートｔを掘る
ようにした場合においても、ウエハＷ周辺部にレジスト
残存部分がないので、このトレンチコートｔをエッチン
グする際に、ウエハＷ周辺部がエッチングされることも
ない（図１０参照）。

【００４１】なお、上記実施例では、マスク４５のパタ
ーンすなわち光照射形状が、ウエハＷの中心側の周縁部
Ｗｂに接する内側辺４６と、この内側辺４６の両端から
角度θで外向きに伸びる傾斜辺４７を具備する六角形状
の場合について説明したが、上記内側辺４６と傾斜辺４
７を具備するものであれば、図４に想像線で示すような
台形状であってもよい。また、傾斜辺４７は必ずしも２
つ設ける必要はなく、内側辺４６の一端部に設けてもよ
い。

【００４２】また、上記実施例では、載置台２１の回転
によりウエハＷを回転させてウエハＷの円形部の周辺部
に光照射手段４０からＵＶ光を照射させ、オリフラＷａ
部においては光照射手段４０を固定してウエハＷを回転
させながら、ウエハＷを光照射手段４０方向に移動させ
て光照射手段４０からＵＶ光を照射させているが、逆に
ウエハＷを固定して光照射手段４０をウエハＷの円形部
に移動させてオリフラＷａ部に光照射手段４０からＵＶ
光を照射するようにしてもよく、あるいは、ウエハＷと
光照射手段４０の双方を移動させてオリフラ部Ｗａ部に
光照射手段４０からＵＶ光を照射するようにしてもよ
い。

【００４３】更に、上記実施例では、オリフラ部を露光
するに際し、マスク４５の傾斜辺４７がオリフラ部のレ
ジストカットエッジ部に接するように配置した状態でＵ
Ｖ光を照射する例について説明したが、光照射駆動部４
０Ａに光照射手段のθ回転機構を更に設け、内側辺４７
が上記レジストカットエッジ部と平行状態になるように
駆動制御して、ＵＶ光を照射するようにしてもよい。

【００４４】なお、上記実施例では、この発明の露光装
置が半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れる場合について説明したが、この発明の露光装置は単
独の装置としても使用できることは勿論である。また、
上記実施例では、被処理体が半導体ウエハの場合につい
て説明したが、この発明の露光装置は、周辺部に平坦状
切欠部を有する円形のものであれば半導体ウエハ以外の
処理においても同様に使用することができることは勿論
である。

【００４５】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の露光
装置によれば、光照射手段の光照射形状が、被処理体の
周辺部に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向
きに所定角度で拡開する傾斜辺とを具備するので、短時
間において被処理体の円形部及び平坦状切欠部の周辺部
を十分かつ均一に露光することができ、露光不良による
レジスト残り等を防止することができる。また、被処理
体の平坦状切欠部における露光不良によるレジスト残り
を防止すると共に、“だれ幅”を除去して不要レジスト
をシャープに除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の露光装置を組み込んだ半導体ウエハ
の塗布・現像システムを示す概略斜視図である。

【図２】この発明の露光装置の概略斜視図である。

【図３】この発明における光照射手段の概略断面図であ
る。

【図４】光照射手段の光照射形状を示す概略平面図であ
る。

【図５】光照射形状における傾斜辺の角度を求めるため
の説明図である。

【図６】光照射形状の別の形態を示す説明図である。

【図７】露光量と照射長さとの関係を示すグラフであ
る。

【図８】この発明の露光装置の露光手順を示す概略平面
図である。

【図９】露光により不要レジストが除去された状態の拡
大断面図である。

【図１０】露光により不要レジストが除去された状態の
別の拡大断面図である。

【図１１】ＵＶ強度とＵＶ照度分布中心からの距離との
関係を示すグラフである。

【図１２】従来の露光状態を示す概略平面図である。

【図１３】従来の露光による不要レジストの除去状態を
示す拡大断面図である。

【図１４】従来の露光による不要レジストの別の除去状
態を示す拡大断面図である。

【符号の説明】

２１載置台３０オリフラ検出手段４０光照射手段４５マスク（光照射形状）４６内側辺４７傾斜辺４８円弧面５０制御部Ｗ半導体ウエハ（被処理体）ＷａオリフラＷｂ内側周縁部Ｌａ内側辺４６の長さＬｂ傾斜辺４７の長さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体と、光照射手段とを、相対的に
移動させて、上記被処理体の周辺部を所定の幅に渡って
露光する露光装置において、上記光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部
に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所
定角度で拡開する傾斜辺とを、具備することを特徴とす
る露光装置。
【請求項２】被処理体と、紫外線光照射手段とを、相
対的に移動させて、上記被処理体の表面に塗布されたレ
ジストの周辺部を所定の幅に渡って露光する露光装置に
おいて、上記光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部
に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所
定角度で拡開する傾斜辺とを具備し、上記内側辺の長さを、１．５〜３．５ｍｍとしたことを
特徴とする露光装置。
【請求項３】請求項１又は２記載の露光装置におい
て、内側辺が、被処理体の中心を中心とする円の円周に近似
する曲率を有することを特徴とする露光装置。
【請求項４】請求項１又は２記載の露光装置におい
て、光照射形状の傾斜辺の内側辺に接する線に対する角度
（θ）を、被処理体の半径（Ｒ）、切欠部の長さ（Ｐ）
としたとき、 θ＝ｓｉｎ^-1（Ｐ／２）／Ｒに基いて設定することを特徴とする露光装置。