JPH02191317A - レジスト処理装置およびレジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理装置およびレジスト処理方法Info
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- JPH02191317A JPH02191317A JP1010608A JP1060889A JPH02191317A JP H02191317 A JPH02191317 A JP H02191317A JP 1010608 A JP1010608 A JP 1010608A JP 1060889 A JP1060889 A JP 1060889A JP H02191317 A JPH02191317 A JP H02191317A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 23
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、レジスト処理装置に関する。
(従来の技術)
半導体製造装置では、半導体ウェハ上の各チップの微細
加工を行うために、フォトリソグラフィ工程を実施して
いる。このフォトリソグラフィ工程を実施するためのレ
ジスト処理装置では、−般に、まず半導体ウェハ上のゴ
ミ及び汚れを除去するために材料表面を洗浄し、その後
加熱乾燥処理を行う。そして冷却後直ちに、この半導体
ウェハをレジスト塗布装置に設定し、半導体ウェハ上に
レジスト液を滴下すると共に、この半導体ウェハを支持
するチャックを回転することによって、スピンコード方
式によって半導体ウェハの全面に均一膜のレジストを塗
布するようにしてる。
加工を行うために、フォトリソグラフィ工程を実施して
いる。このフォトリソグラフィ工程を実施するためのレ
ジスト処理装置では、−般に、まず半導体ウェハ上のゴ
ミ及び汚れを除去するために材料表面を洗浄し、その後
加熱乾燥処理を行う。そして冷却後直ちに、この半導体
ウェハをレジスト塗布装置に設定し、半導体ウェハ上に
レジスト液を滴下すると共に、この半導体ウェハを支持
するチャックを回転することによって、スピンコード方
式によって半導体ウェハの全面に均一膜のレジストを塗
布するようにしてる。
このようなレジスト塗布後、溶媒をレジスト膜から蒸発
させるためのプリベークを実施する。そして、この後に
露光工程が開始されることになる。
させるためのプリベークを実施する。そして、この後に
露光工程が開始されることになる。
この露光工程は、近年高解像力、高精度を達成するため
に縮小投影方式が一般的となっている。この縮小投影方
式とは、一つの半導体チップに対して拡大された面積を
有するマスクを形成しておき、光源からの光をこのマス
クを通し、これをレンズで縮小して半導体ウェハ上の各
チップに投影するものである。この各チップに投影する
ために、半導体ウェハを支持するチャックをX−Yテー
ブル上に支持し、X−YテーブルのX、Y方向のステツ
ブ移動によって実現可能としている。
に縮小投影方式が一般的となっている。この縮小投影方
式とは、一つの半導体チップに対して拡大された面積を
有するマスクを形成しておき、光源からの光をこのマス
クを通し、これをレンズで縮小して半導体ウェハ上の各
チップに投影するものである。この各チップに投影する
ために、半導体ウェハを支持するチャックをX−Yテー
ブル上に支持し、X−YテーブルのX、Y方向のステツ
ブ移動によって実現可能としている。
(発明が解決しようとする課題)
上記のような一連のレジスト処理工程を実施するにあた
って、半導体ウェハの被処理面である表面側のゴミの付
着は、ウェハの歩留りに大きく影響するが、一方ではこ
のような半導体ウェハの裏面側に付着するゴミによって
も歩留りが左右されることが確認されている。
って、半導体ウェハの被処理面である表面側のゴミの付
着は、ウェハの歩留りに大きく影響するが、一方ではこ
のような半導体ウェハの裏面側に付着するゴミによって
も歩留りが左右されることが確認されている。
これは、露光工程においてウェハチャックの固定部とウ
ェハ裏面との間に上記のようにゴミが存在することによ
って、ウェハチャック上での半導体ウェハの平坦度が悪
化し、半導体ウェハ全面でのフォー力ッシングにずれが
生ずるからである。
ェハ裏面との間に上記のようにゴミが存在することによ
って、ウェハチャック上での半導体ウェハの平坦度が悪
化し、半導体ウェハ全面でのフォー力ッシングにずれが
生ずるからである。
そして、このようにフォー力ッシングがずれることによ
って、各半導体チップに投影されるマスク投影像にボケ
が生じ、このことによって半導体ウェハの歩留りが悪化
している。
って、各半導体チップに投影されるマスク投影像にボケ
が生じ、このことによって半導体ウェハの歩留りが悪化
している。
半導体ウェハの裏面にゴミが付着する最大の原因として
は、この半導体ウェハの裏面と接触部との間に摩擦が発
生するからである。このような摩擦は、例えば半導体ウ
ェハを搬送する際にベルト搬送を採用した場合には、ベ
ルトと半導体ウェハ裏面との摩擦によってゴミが付着す
る。ただし、このような搬送を例えばピンセット等によ
るメカニカル搬送とすることで、半導体ウェハの搬送時
でのゴミの付着はある程度解決することができる。
は、この半導体ウェハの裏面と接触部との間に摩擦が発
生するからである。このような摩擦は、例えば半導体ウ
ェハを搬送する際にベルト搬送を採用した場合には、ベ
ルトと半導体ウェハ裏面との摩擦によってゴミが付着す
る。ただし、このような搬送を例えばピンセット等によ
るメカニカル搬送とすることで、半導体ウェハの搬送時
でのゴミの付着はある程度解決することができる。
しかしながら、半導体ウェハに対してレジスト液をスピ
ンコードする際には、半導体ウェハを回転搬送するため
のチャックの固定部例えば吸着部と半導体ウェハの裏面
との摩擦は避けられない。このようなスピンコードの際
には、半導体ウェハ裏面の真空吸着部分にゴミが集中し
て付着するようになっている。そして、チャックより突
起した突起部にて真空吸着を実施し、たとえウェハ裏面
との接触部分との面積を少なくしたとしても、このよう
な半導体ウェハとの接触部がある限り、スピンコードの
際のゴミの付着は避けられなかった。
ンコードする際には、半導体ウェハを回転搬送するため
のチャックの固定部例えば吸着部と半導体ウェハの裏面
との摩擦は避けられない。このようなスピンコードの際
には、半導体ウェハ裏面の真空吸着部分にゴミが集中し
て付着するようになっている。そして、チャックより突
起した突起部にて真空吸着を実施し、たとえウェハ裏面
との接触部分との面積を少なくしたとしても、このよう
な半導体ウェハとの接触部がある限り、スピンコードの
際のゴミの付着は避けられなかった。
そこで、本発明の目的とするところは、露光工程実施以
前に半導体ウェハの裏面にゴミが付着した場合にあって
も、このゴミに起因する露光工程でのフォーカスずれの
悪影響を低減し、レジスト処理における歩留りを向上す
ることができるレジスト処理装置を提供することにある
。
前に半導体ウェハの裏面にゴミが付着した場合にあって
も、このゴミに起因する露光工程でのフォーカスずれの
悪影響を低減し、レジスト処理における歩留りを向上す
ることができるレジスト処理装置を提供することにある
。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、半導体ウェハに対して、少なくともレジスト
塗布工程と、露光工程とを実施するレジスト処理装置に
おいて、 レジスト塗布を実施するためのウェハチャックと、露光
を実施するためのウェハチャックとは、半導体ウェハを
固定支持する位置がそれぞれ異なることを特徴とするも
のである。
塗布工程と、露光工程とを実施するレジスト処理装置に
おいて、 レジスト塗布を実施するためのウェハチャックと、露光
を実施するためのウェハチャックとは、半導体ウェハを
固定支持する位置がそれぞれ異なることを特徴とするも
のである。
(作 用)
露光工程実施以前での、半導体ウェハの裏面にゴミが付
着−する最大の原因は、半導体ウェハ表面にレジスト液
を回転塗布する際に、半導体ウェハ裏面とこの固定部と
の間に摩擦が生ずることであり、このようなゴミの付着
はスピンチャックの形状をいかに変更した場合にあって
も避けることができない。
着−する最大の原因は、半導体ウェハ表面にレジスト液
を回転塗布する際に、半導体ウェハ裏面とこの固定部と
の間に摩擦が生ずることであり、このようなゴミの付着
はスピンチャックの形状をいかに変更した場合にあって
も避けることができない。
本発明では、半導体ウェハの裏面にゴミが付着すること
は許容しながらも、このゴミが露光工程でのフォーカス
ずれに悪影響を与えないために、露光を実施するための
ウェハチャックのウェハ裏面の固定支持位置を、レジス
ト塗布を実施するためのウェハチャックの裏面支持位置
とは異なる位置に設定している。すなわち、ウェハチャ
ックに支持される半導体ウェハの平坦度の悪化は、チャ
ック上の固定部とウェハ裏面との間にゴミが付着してい
る場合に著しく、上記のように位置を変えることによっ
て、露光の際には半導体ウェハ裏面にてゴミの付着のな
い部分を固定支持することができるので、このチャック
上での半導体ウェハの平坦度をある精度に維持でき、従
ってチャック上の半導体ウェハ全面でのフォーカスずれ
を改善することが可能となる。。
は許容しながらも、このゴミが露光工程でのフォーカス
ずれに悪影響を与えないために、露光を実施するための
ウェハチャックのウェハ裏面の固定支持位置を、レジス
ト塗布を実施するためのウェハチャックの裏面支持位置
とは異なる位置に設定している。すなわち、ウェハチャ
ックに支持される半導体ウェハの平坦度の悪化は、チャ
ック上の固定部とウェハ裏面との間にゴミが付着してい
る場合に著しく、上記のように位置を変えることによっ
て、露光の際には半導体ウェハ裏面にてゴミの付着のな
い部分を固定支持することができるので、このチャック
上での半導体ウェハの平坦度をある精度に維持でき、従
ってチャック上の半導体ウェハ全面でのフォーカスずれ
を改善することが可能となる。。
(実施例)
以下、本発明のレジスト処理装置の工程な一実施例を、
図面を参照して具体的に説明する。
図面を参照して具体的に説明する。
まず、レジスト塗布装置の概要について第3図を参照し
て説明する。
て説明する。
スピンチャック10は、例えば真空吸着によって半導体
ウェハ1を載置固定し、これを回転できるものであり、
このスピンチャック10はモータ20の出力軸に固定さ
れ、回転駆動されるようになっている。モータ20は、
加速性に優れた高性能モータで構成され、その上側にフ
ランジ21を有し、こ°のフランジ21によって塗布装
置内の適宜位置に固定されている。前記チャック10に
支持されるウェハ1の上方には、ウェハ1のほぼ中心位
置よりレジスト液を滴下するレジストノズル30が設け
られ、このレジストノズル30はスキャナ31によって
移動自在となっている。
ウェハ1を載置固定し、これを回転できるものであり、
このスピンチャック10はモータ20の出力軸に固定さ
れ、回転駆動されるようになっている。モータ20は、
加速性に優れた高性能モータで構成され、その上側にフ
ランジ21を有し、こ°のフランジ21によって塗布装
置内の適宜位置に固定されている。前記チャック10に
支持されるウェハ1の上方には、ウェハ1のほぼ中心位
置よりレジスト液を滴下するレジストノズル30が設け
られ、このレジストノズル30はスキャナ31によって
移動自在となっている。
また、レジスト液塗布時にレジスト液が装置外部へ飛散
することを防止するために、処理容器としてのカップ4
0がウェハ1の周囲に形成されている。尚、このカップ
40は上下動可能であって、レジスト塗布時には第3図
の位置まで上昇されて停止し、ウェハ1の搬入出時には
上記位置よりも下降するように構成されている。尚、こ
のカップ40の下面には図示しないドレイン及び排気管
が接続されている。
することを防止するために、処理容器としてのカップ4
0がウェハ1の周囲に形成されている。尚、このカップ
40は上下動可能であって、レジスト塗布時には第3図
の位置まで上昇されて停止し、ウェハ1の搬入出時には
上記位置よりも下降するように構成されている。尚、こ
のカップ40の下面には図示しないドレイン及び排気管
が接続されている。
次に、露光装置の概要について、第4図を参照して説明
する。
する。
上述したレジスト液の回転塗布及びプリベーク処理が実
施された後の半導体ウェハ1は、この露光装置内のウェ
ハチャック50によって固定支持例えば真空吸着支持さ
れるようになっている。このウェハチャック50は、X
−Yテーブル52上に固定されていて、X軸駆動用モー
タ54及びY軸駆動用モータ56の各駆動によって、前
記ウェハチャック50上の半導体ウェハ1をステップ駆
動可能としている。
施された後の半導体ウェハ1は、この露光装置内のウェ
ハチャック50によって固定支持例えば真空吸着支持さ
れるようになっている。このウェハチャック50は、X
−Yテーブル52上に固定されていて、X軸駆動用モー
タ54及びY軸駆動用モータ56の各駆動によって、前
記ウェハチャック50上の半導体ウェハ1をステップ駆
動可能としている。
このウェハチャック50の上方には、その上側位置より
順次光源60.集光レンズ62.露光マスク64.縮小
投影レンズ66がそれぞれ配置固定されている。前記露
光用マスク64は、半導体ウェハ1上の一つのチップ面
積を所定倍率で拡大した面積を有し、前記光源60より
発せられた光を集光レンズ62を介してこの露光用マス
ク64に導き、この透過光パターンを前記縮小投影レン
ズ66を介して半導体ウェハ1上に投影することで、半
導体ウェハ1上の一つのチップに微細パターンを投影焼
き付けすることができ、前記X−Yテーブル52のステ
ップ移動によって、この半導体ウェハ1上の全てのチッ
プ上に投影焼き付けを可能としている。
順次光源60.集光レンズ62.露光マスク64.縮小
投影レンズ66がそれぞれ配置固定されている。前記露
光用マスク64は、半導体ウェハ1上の一つのチップ面
積を所定倍率で拡大した面積を有し、前記光源60より
発せられた光を集光レンズ62を介してこの露光用マス
ク64に導き、この透過光パターンを前記縮小投影レン
ズ66を介して半導体ウェハ1上に投影することで、半
導体ウェハ1上の一つのチップに微細パターンを投影焼
き付けすることができ、前記X−Yテーブル52のステ
ップ移動によって、この半導体ウェハ1上の全てのチッ
プ上に投影焼き付けを可能としている。
次に18本実施例において特徴的構成を有する前記スピ
ンチャック10及びウェハチャック50の詳細について
、第1図及び第2図を参照して説明する。
ンチャック10及びウェハチャック50の詳細について
、第1図及び第2図を参照して説明する。
スピンチャック10及びウェハチャック50は、共にチ
ャック平面よりも同一高さにて突起した真空吸着部IQ
a、50aをそれぞれ有している。
ャック平面よりも同一高さにて突起した真空吸着部IQ
a、50aをそれぞれ有している。
そして、スピンチャック10では、回転中心を基準とす
る円周方向にて45@の等角度にて例えば8分割された
各位置に、計8個の前記真空吸着部10aを形成してい
る。一方、露光装置のウェハチャック50も、同様に4
5@の等間隔にて離間配置され計8個の真空吸着部50
aを有するが、その各位置がスピンチャック10の真空
吸着部10aに対して、円周方向で22.5@だけずれ
た位置となっている。このように、レジスト塗布を実施
するためのスピンチャック10と、露光を実施するため
のウェハチャック50とは、半導体ウェハを真空吸着す
る位置がそれぞれ異なって設定されている。
る円周方向にて45@の等角度にて例えば8分割された
各位置に、計8個の前記真空吸着部10aを形成してい
る。一方、露光装置のウェハチャック50も、同様に4
5@の等間隔にて離間配置され計8個の真空吸着部50
aを有するが、その各位置がスピンチャック10の真空
吸着部10aに対して、円周方向で22.5@だけずれ
た位置となっている。このように、レジスト塗布を実施
するためのスピンチャック10と、露光を実施するため
のウェハチャック50とは、半導体ウェハを真空吸着す
る位置がそれぞれ異なって設定されている。
次に、作用について説明する。
半導体ウェハ1のりソゲラフイエ程では、半導体ウェハ
1の表面の洗浄後に、レジスト塗布装置にてレジスト液
の回転塗布が実施されることになる。ここで、このレジ
スト塗布装置に対する半導体ウェハ1の搬入は、ピンセ
ット等を用いたメカニカル搬送によって実施され、この
半導体ウェハ1はm1図(A)に示すように、そのオリ
エンテーションフラット(以下、オリフラとも称する)
1aが同図に示すような位置に載置される。このような
位置決めは、オリフラ検出あるいは、ビンセット上での
位置決めによって実現可能である。
1の表面の洗浄後に、レジスト塗布装置にてレジスト液
の回転塗布が実施されることになる。ここで、このレジ
スト塗布装置に対する半導体ウェハ1の搬入は、ピンセ
ット等を用いたメカニカル搬送によって実施され、この
半導体ウェハ1はm1図(A)に示すように、そのオリ
エンテーションフラット(以下、オリフラとも称する)
1aが同図に示すような位置に載置される。このような
位置決めは、オリフラ検出あるいは、ビンセット上での
位置決めによって実現可能である。
この後、カップ40を上昇させて第3図に示す位置に設
定し、かつ、スピンチャック10での真空吸着部10a
にて、半導体ウエノ11の裏面を真空吸着して保持する
ことになる。
定し、かつ、スピンチャック10での真空吸着部10a
にて、半導体ウエノ11の裏面を真空吸着して保持する
ことになる。
次に、ユーザによって組込まれた独自プログラムにした
がって、レジスト液の塗布動作が開始されることになる
。このような塗布動作は、スピンチャック10を例えば
1000 rp■程度に空回転させた後に、ウェハ1の
ほぼ中心位置よりレジストノズル30を介して所定量の
レジスト液をウェハ1の表面に滴下する。その後、スピ
ンチャック10の回転数を4000 rp■程度まで上
げて回転させ、遠心力によってウエノ11の表面に均一
のレジスト液を塗布する。この後は、図示しない機能に
よってウェハ1の裏面洗浄を実施し、真空吸着部10a
のバキュームをオフした後にウニ/X1の搬出を行うこ
とで、レジスト塗布工程が終了することになる。
がって、レジスト液の塗布動作が開始されることになる
。このような塗布動作は、スピンチャック10を例えば
1000 rp■程度に空回転させた後に、ウェハ1の
ほぼ中心位置よりレジストノズル30を介して所定量の
レジスト液をウェハ1の表面に滴下する。その後、スピ
ンチャック10の回転数を4000 rp■程度まで上
げて回転させ、遠心力によってウエノ11の表面に均一
のレジスト液を塗布する。この後は、図示しない機能に
よってウェハ1の裏面洗浄を実施し、真空吸着部10a
のバキュームをオフした後にウニ/X1の搬出を行うこ
とで、レジスト塗布工程が終了することになる。
ここで、上記のようなレジスト液の回転塗布動作中にあ
っては、半導体ウェハ1の裏面とスピンチャック10の
真空吸着部10aとの間で摩擦が生じ、静電気の発生等
の原因によりこの部分に集中的にゴミが付着することに
なる。特に、本実施例では半導体ウェハ1の搬送にあた
ってベルト搬送を採用していないので、その後の工程で
の露光時におけるフォー力ッシングのずれは、上記の摩
擦によって生ずる真空吸着部10a付近のゴミによって
生ずると考えてよい。
っては、半導体ウェハ1の裏面とスピンチャック10の
真空吸着部10aとの間で摩擦が生じ、静電気の発生等
の原因によりこの部分に集中的にゴミが付着することに
なる。特に、本実施例では半導体ウェハ1の搬送にあた
ってベルト搬送を採用していないので、その後の工程で
の露光時におけるフォー力ッシングのずれは、上記の摩
擦によって生ずる真空吸着部10a付近のゴミによって
生ずると考えてよい。
上記のようなレジスト塗布工程の終了後、ピンセヅト搬
送によってこの半導体ウェハ1をプリベーク機構まで搬
送し、ここで加熱乾燥させた後に、露光装置に向けて半
導体ウエノ11を搬送することになる。
送によってこの半導体ウェハ1をプリベーク機構まで搬
送し、ここで加熱乾燥させた後に、露光装置に向けて半
導体ウエノ11を搬送することになる。
そして、この露光装置においては、前記ウェハチャック
50に対する半導体ウェハ1の載置位置としては、オリ
フラ検出等によって第2図(A)に示す位置に設定され
ることになる。
50に対する半導体ウェハ1の載置位置としては、オリ
フラ検出等によって第2図(A)に示す位置に設定され
ることになる。
そうすると、このウェハチャック50における真空吸着
部50aの各位置は、スピンチャック10における真空
吸着部10aに対してその円周方向にて22.5’ずれ
た位置となっているので、レジスト塗布装置においてウ
ェハ1の裏面を真空吸着した位置と同じ位置を、この露
光装置に真空吸着することがない。特に、本実施例では
露光装置におけるウェハチャック50の真空吸着部50
aがチャック平面よりも突起したものとなっているので
、前記スピンコート工程においてウェハ1の裏面に付着
したゴミは、ウェハチャック50のいずれの位置にも接
触しないように設定されることになる。従って、このウ
ェハチャック50に支持された半導体ウェハ1の平坦度
としては、もっばら真空吸着部50aの各部の高さにて
決定され、この真空吸着部50aの高さ管理を予め所定
に設定しておけば、露光時におけるフォーカスずれを生
じないような平坦度を常時維持することが可能となる。
部50aの各位置は、スピンチャック10における真空
吸着部10aに対してその円周方向にて22.5’ずれ
た位置となっているので、レジスト塗布装置においてウ
ェハ1の裏面を真空吸着した位置と同じ位置を、この露
光装置に真空吸着することがない。特に、本実施例では
露光装置におけるウェハチャック50の真空吸着部50
aがチャック平面よりも突起したものとなっているので
、前記スピンコート工程においてウェハ1の裏面に付着
したゴミは、ウェハチャック50のいずれの位置にも接
触しないように設定されることになる。従って、このウ
ェハチャック50に支持された半導体ウェハ1の平坦度
としては、もっばら真空吸着部50aの各部の高さにて
決定され、この真空吸着部50aの高さ管理を予め所定
に設定しておけば、露光時におけるフォーカスずれを生
じないような平坦度を常時維持することが可能となる。
このように、ウェハチャック50上での半導体ウェハ1
の平坦度が所定に維持されているので、このウェハチャ
ック50をステップ駆動して半導体ウェハ1上の各チッ
プに対する投影焼き付けを実施する際には、各チップに
対して適正なフォーカスにて露光を行うことが可能とな
り、露光不良に伴う半導体ウェハ1の歩留りの悪化を防
止することが可能となる。
の平坦度が所定に維持されているので、このウェハチャ
ック50をステップ駆動して半導体ウェハ1上の各チッ
プに対する投影焼き付けを実施する際には、各チップに
対して適正なフォーカスにて露光を行うことが可能とな
り、露光不良に伴う半導体ウェハ1の歩留りの悪化を防
止することが可能となる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、本発明の特徴的構成としての、レジスト塗布、
露光を行うためのそれぞれウェハチャックの固定支持位
置を異なるように設定する手段としては、上記実施例の
ように円周方向に分割配置された真空吸着部10a、5
0aの位置をずらすものではなく、第5図、第6図に示
す構成としてもよい。
露光を行うためのそれぞれウェハチャックの固定支持位
置を異なるように設定する手段としては、上記実施例の
ように円周方向に分割配置された真空吸着部10a、5
0aの位置をずらすものではなく、第5図、第6図に示
す構成としてもよい。
両図に示すものは、スピンチャック10の真空吸着部1
0a及びウェハチャック50の真空吸着部50aをそれ
ぞれ同心用上に配置したものであるが、その同心円の半
径が各チャック10a。
0a及びウェハチャック50の真空吸着部50aをそれ
ぞれ同心用上に配置したものであるが、その同心円の半
径が各チャック10a。
50aにてそれぞれ異なるように設定されているもので
ある。上記のように構成した場合は、各チャック10.
50に対する半導体ウェハ1の中心位置出しは従来より
も行われているので、この中心位置のみ設定すれば各吸
着部IQa、50aの半導体ウェハ1に対する吸着位置
が必ず異なるように設定され、上記実施例のようにオリ
フラ検出等を行わずとも露光工程におけるフす一スずれ
を確実に防止することが可能となる。
ある。上記のように構成した場合は、各チャック10.
50に対する半導体ウェハ1の中心位置出しは従来より
も行われているので、この中心位置のみ設定すれば各吸
着部IQa、50aの半導体ウェハ1に対する吸着位置
が必ず異なるように設定され、上記実施例のようにオリ
フラ検出等を行わずとも露光工程におけるフす一スずれ
を確実に防止することが可能となる。
尚、第5図、第6図に示すものは、同心円上に形成され
た各吸着部10a、50aはそれぞれチャック平面より
も陥没した真空チャック溝として形成されており、上記
実施例のようにチャック平面よりも突起したものとはな
っていない。このような場合、半導体ウェハ1のほぼ全
面が各チャック10.50に当接することになるが、半
導体ウェハ1の平坦度が真空吸着部IQa、50aとの
接触部によってもっばら決定されるので、上記実施例の
ように必ずしも吸着部10a、50aをチャック平面よ
り突起させたものとする必要はない。
た各吸着部10a、50aはそれぞれチャック平面より
も陥没した真空チャック溝として形成されており、上記
実施例のようにチャック平面よりも突起したものとはな
っていない。このような場合、半導体ウェハ1のほぼ全
面が各チャック10.50に当接することになるが、半
導体ウェハ1の平坦度が真空吸着部IQa、50aとの
接触部によってもっばら決定されるので、上記実施例の
ように必ずしも吸着部10a、50aをチャック平面よ
り突起させたものとする必要はない。
また、各装置でのチャック10.50は、必ずしも真空
吸首方式によって半導体ウェハ1を固定支持したものに
限定されない。
吸首方式によって半導体ウェハ1を固定支持したものに
限定されない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によればレジスト塗布、露
光を実施するためにウェハチャックの半導体ウェハを固
定支持する各位置がそれぞれ異なるように設定されてい
るので、レジスト液塗布時にウェハ裏面に付着したゴミ
が、露光の際にチャック上に支持されるウェハの平坦度
に悪影響を及ぼすことがなく、露光不良を防止して半導
体ウェハの歩留りを向上することができる。
光を実施するためにウェハチャックの半導体ウェハを固
定支持する各位置がそれぞれ異なるように設定されてい
るので、レジスト液塗布時にウェハ裏面に付着したゴミ
が、露光の際にチャック上に支持されるウェハの平坦度
に悪影響を及ぼすことがなく、露光不良を防止して半導
体ウェハの歩留りを向上することができる。
第1図(A)、(B)は、それぞれレジスト塗布装置に
おけるウェハチャックの正面図、側面図、第2図(A)
、(B)は、それぞれ露光装置におけるウェハチャック
の正面図、側面図、第3図は、レジスト塗布装置の一例
を説明するための概略説明図、第4図は、露光装置の一
例を説明するための概略説明図、第5図、第6図は、そ
れぞれレジスト塗布装置、露光装置における各チャック
のウェハ固定支持位置を異ならせた変形例を説明するた
めの概略説明図である。 1・・・半導体ウェハ、lO・・・スピンチャック、l
Qa、50a・・・真空吸着部、 50・・・ウェハチャック。 第1図 (A) (B)
おけるウェハチャックの正面図、側面図、第2図(A)
、(B)は、それぞれ露光装置におけるウェハチャック
の正面図、側面図、第3図は、レジスト塗布装置の一例
を説明するための概略説明図、第4図は、露光装置の一
例を説明するための概略説明図、第5図、第6図は、そ
れぞれレジスト塗布装置、露光装置における各チャック
のウェハ固定支持位置を異ならせた変形例を説明するた
めの概略説明図である。 1・・・半導体ウェハ、lO・・・スピンチャック、l
Qa、50a・・・真空吸着部、 50・・・ウェハチャック。 第1図 (A) (B)
Claims (1)
- (1)半導体ウェハに対して、少なくともレジスト塗布
工程と、露光工程とを実施するレジスト処理装置におい
て、 レジスト塗布を実施するためのウェハチャックと、露光
を実施するためのウェハチャックとは、半導体ウェハを
固定支持する位置がそれぞれ異なることを特徴とするレ
ジスト処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010608A JP2615179B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010608A JP2615179B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02191317A true JPH02191317A (ja) | 1990-07-27 |
JP2615179B2 JP2615179B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=11754956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1010608A Expired - Lifetime JP2615179B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2615179B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100444263B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2004-08-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 디바이스의 제조방법 |
WO2011065386A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | 露光ユニット及び基板の露光方法 |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1010608A patent/JP2615179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100444263B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2004-08-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 디바이스의 제조방법 |
WO2011065386A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | 露光ユニット及び基板の露光方法 |
CN102203677A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-09-28 | 日本精工株式会社 | 曝光装置以及基板的曝光方法 |
JPWO2011065386A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-18 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光ユニット及び基板の露光方法 |
KR101415386B1 (ko) * | 2009-11-25 | 2014-07-04 | 엔에스케이 테쿠노로지 가부시키가이샤 | 노광 유닛 및 기판의 노광 방법 |
TWI468875B (zh) * | 2009-11-25 | 2015-01-11 | Nsk Technology Co Ltd | Exposure unit and substrate exposure method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2615179B2 (ja) | 1997-05-28 |
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