WO2005055294A1

WO2005055294A1 - 現像処理方法および現像処理装置

Info

Publication number: WO2005055294A1
Application number: PCT/JP2004/017544
Authority: WO
Inventors: Junichi Kitano; Osamu Miyahara; Shinya Wakamizu
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2003-12-02
Filing date: 2004-11-26
Publication date: 2005-06-16
Also published as: JP4652031B2; US7486377B2; US20070099129A1; US8054443B2; US20090079948A1; JP2005189842A

Abstract

　ウエハＷの露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス液でリンス処理する現像処理方法において、ウエハＷを乾燥処理する前のウエハＷ上のレジスト膜が現像液またはリンス液で濡れた状態において、ウエハＷ上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液（硬化用薬液）をウエハＷの表面に供給した後にウエハＷの表面に紫外線を照射することにより、レジスト硬化補助剤と紫外線照射の相乗作用によってウエハＷ上に残るレジスト膜を硬化させて、パターン倒れを防止する。

Description

明細書

現像処理方法および現像処理装置

技術分野

[0001] 本発明は、露光処理されたレジスト膜を有する半導体ウェハやフラットパネルデイスプレイ等の基板の現像処理方法および現像液処理装置に関する。背景技術

[0002] 半導体デバイス製造のフォトリソグラフイエ程では、半導体ウェハの表面にフオトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所定のパターンを露光し、レジスト膜の感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解させて、現像液を純水等のリンス液によって洗、流し、半導体ウェハを高速回転させて半導体ウェハからリンス液を除去、乾燥させて、半導体ウェハの表面にレジストパターンを形成している。

[0003] 近時、半導体デバイスの高集積ィ匕を目的として、このレジストパターンの線幅の微細化および回路パターンの高密度化が進んで、る。このようにレジストパターンの線幅が細くなると、レジストの硬度が不足することによって、パターンの変形や折れ (所謂、ノ《ターン倒れ)が生ずる問題がある。

[0004] レジストパターンのパターン倒れを起こす力はリンス液の表面張力である。この力は、リンス液が基板から除去されてレジストパターンが乾く際に、リンス液の液面がレジストパターンの上面よりも低くなつたときに発生することが知られている。このため、レジストパターン全体が現像液やリンス液に浸っているときには、パターン倒れは生じない。そこで、パターン倒れを防止する方法として、特開平 7— 20637号公報には、レジスト膜を現像処理し、リンス処理した後に、レジスト膜にリンス液が付着している状態で、リンス液を固化させ、さらに固化したリンス液を昇華させる方法が開示されている

[0005] しかしながら、このような方法では、近時の細線化されたレジストパターンのパターン倒れを十分に防止することは困難である。また、リンス液の固化や昇華を行うために処理装置の構成が複雑となる問題がある。

発明の開示 [0006] 本発明は力かる事情に鑑みてなされたものであり、レジストパターンのパターン倒れを防止することができる現像処理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような現像処理方法を行うことができる、構成の簡単な現像処理装置を提供することを目的とする。

[0007] 本発明の第 1の観点によれば、基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス液でリンス処理する現像処理方法であって、

前記基板上のレジスト膜が現像液またはリンス液で濡れた状態にぉヽて、前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液を前記基板の表面に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射することにより、前記レジスト硬化補助剤と前記高工ネルギ一線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる現像処理方法、が提供される。

[0008] 本発明の第 2の観点によれば、基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス液でリンス処理する現像処理方法であって、

現像液と現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とを所定の割合で混合し、この混合液を前記基板上に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射することにより、前記レジスト膜の現像反応と前記レジスト硬化補助剤と前記高エネルギー線との相乗作用による前記レジスト膜の硬化とを並行して行う現像処理方法、が提供される。

[0009] 本発明の第 3の観点によれば、基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス処理する現像処理方法であって、

リンス処理時に、現像反応後に前記基板上に残ったレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とリンス液とを所定の割合で混合し、この混合液を前記基板上に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射して、前記レジスト硬化補助剤と前記高エネルギー線との相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させ、その後に前記基板上にリンス液のみを供給して前記基板上の混合液を洗い流す現像処理方法、が提供される。

[0010] 本発明によれば、上記現像処理方法を実施するための現像処理装置が提供される。すなわち、本発明の第 4の観点によれば、露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、

前記スピンチャックに保持された基板の表面に前記レジスト膜を現像する所定の現像液を供給する現像液ノズルと、

前記スピンチャックに保持された基板の表面にリンス液を供給するリンスノズルと、前記スピンチャックに保持された基板の表面に、現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液を供給する薬液ノズルと前記現像液ノズルと前記リンスノズルと前記薬液ノズルを、前記スピンチャックに保持された基板に対して相対的に移動させる移動機構と、

前記スピンチャックに保持された基板の表面に所定波長の光を照射する光照射機構と、

を具備する現像処理装置、が提供される。

[0011] 本発明の第 5の観点によれば、露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、

前記スピンチャックに保持された基板の表面に、現像液と現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とを所定比で混合して吐出する現像液 Z薬液供給ノズルと、

前記スピンチャックに保持された基板の表面にリンス液を供給するリンスノズルと、前記現像液 Z薬液ノズルと前記リンスノズルを前記スピンチャックに保持された基板に対して相対的に移動させる移動機構と、

を具備する現像処理装置、が提供される。

[0012] 本発明の第 6の観点によれば、露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、

前記スピンチャックに保持された基板の表面に、現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とリンス液とを所定比で混合して吐出するリンス液 Z薬液ノズルと、

前記現像液ノズルと前記リンス液,薬液ノズルを前記スピンチャックに保持された基板に対して相対的に移動させる移動機構と、

を具備する現像処理装置、が提供される。

[0013] これら本発明によれば、レジスト膜が現像液またはリンス液で濡れた状態において、レジスト硬化補助剤と高エネルギー線との相乗作用により、レジスト膜の硬度を十分に高めることができる。これによつて、従来と同様に基板を高速回転させてリンス液を飛散除去させても、パターン倒れの発生を防止することができる。また、本発明によれば、現像処理装置を簡単な構造とすることができ、また、処理時間の短縮や薬液使用量の低減を図ることができる。

図面の簡単な説明

[0014] [図 1]レジスト塗布 ·現像処理システムの一実施形態を示す概略平面図。

[図 2]レジスト塗布'現像処理システムの一実施形態を示す概略正面図。

[図 3]レジスト塗布 ·現像処理システムの一実施形態を示す概略背面図。

[図 4]現像ユニット (DEV)の一実施形態を示す概略断面図。

[図 5]現像ユニット (DEV)の一実施形態を示す概略平面図。

[図 6]現像液ノズルの長手方向に垂直な断面形状を示す概略断面図。

[図 7]光照射装置の概略構造を示す平面図。

[図 8]現像液ノズルと薬液ノズルとを一体ィ匕したノズルの構造を示す断面図。

[図 9]別の現像ユニット（DEV) 'の概略平面図。

[図 10]光照射スキャン装置の概略断面図。

[図 11]薬液ノズルと光照射スキャン装置とを一体ィ匕したノズルの構造を示す断面図。

[図 12]現像液ノズルと薬液ノズルと光照射スキャン装置とを一体ィ匕したノズルの構造を示す断面図。

[図 13]現像液 Z薬液ノズルの概略断面図。 [図 14]リンス液 Z薬液ノズルの概略断面図。

[図 15]処理液ノズルの概略断面図。

発明を実施するための最良の形態

[0015] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、半導体ウェハ（ウェハ）へのレジスト塗布力現像処理までを一貫して行うレジスト塗布 ·現像処理システムを用いた現像処理方法につ！ヽて説明する。

[0016] 図 1にレジスト塗布 ·現像処理システムを示す概略平面図を、図 2にその正面図を、図 3にその背面図をそれぞれ示す。このレジスト塗布'現像処理システム 1は、搬送ステーシヨンであるカセットステーション 10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーシヨン 11と、処理ステーション 11に隣接して設けられる図示しな!ヽ露光装置との間でウエノ、 Wを受け渡すためのインターフェイス部 12と、を具備して!/ヽる。

[0017] カセットステーション 10は、被処理体としてのウェハ Wが複数枚、例えば 25枚単位で収容されたウェハカセット CRを他のシステムから本レジスト塗布 ·現像処理システム 1へ搬入し、または本レジスト塗布'現像処理システム 1から他のシステムへ搬出するためのものであり、さらにウェハカセット CRと処理ステーション 11との間でウェハ W の搬送を行うためのものである。

[0018] カセットステーション 10においては、図 1に示すように、カセット載置台 20上に図中 X方向に沿って、複数（図では 4個）の位置決め突起 20aが設けられている。ウェハ力セット CRは、それぞれのウェハ出入口を処理ステーション 11側に向けた状態で、この突起 20aの位置に 1列に載置可能となっている。ウェハ Wは、ウェハカセット CR内において、鉛直方向（Z方向）に一定の間隔で配列されている。

[0019] カセットステーション 10は、カセット載置台 20と処理ステーション 11との間に、ゥェハカセット CRの配列方向（X方向）に移動自在なウェハ搬送機構 21を有している。このウェハ搬送機構 21はウェハ搬送ピック 21aを有しており、このウェハ搬送ピック 21 aは、図 1に示す X— Y面内でスライド自在であり、 Z方向（図 1において紙面に垂直な方向）に昇降自在であり、 Θ方向（X— Y面内での回転方向）で回転自在である。このような構成により、ウェハ搬送ピック 21aは、カセット載置台 20に載置されたいずれかのウェハカセット CR内のいずれかのウェハ Wに対して選択的にアクセス可能であり、また、後述する処理ステーション 11側の第 3の処理部 Gに属するァライメントユニット

3

(ALIM)およびエクステンションユニット（EXT)にもアクセスすることができるようになつている。

[0020] 処理ステーション 11は、ウェハ Wへ対して塗布，現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備えて、る。これらの処理ユニットは多段に配置され、各処理ユニットにおいてウェハ Wは 1枚ずつ処理される。この処理ステーション 1 1は、図 1に示すように、中心部にウェハ搬送路 22aを有しており、この中に主ウェハ搬送機構 22が設けられ、ウェハ搬送路 22aの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂直方向（Z方向）に沿って多段に配置されている

[0021] 主ウェハ搬送機構 22は、図 3に示すように、筒状支持体 49の内側に、ウェハ搬送装置 46を上下方向（Z方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体 49は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウェハ搬送装置 46も一体的に回転可能である。ウェハ搬送装置 46は、搬送基台 47の前後方向に移動自在な複数本のウェハ搬送アーム 48を備え、これらのウェハ搬送アーム 48によつて各処理ユニット間でのウェハ Wの受け渡しを実現している。

[0022] 図 1に示すように、レジスト塗布'現像処理システム 1では、 4個の処理部 G , G , G

1 2 3

, G力ウェハ搬送路 22aの周囲に実際に配置されており、第 5の処理部 Gは必要に

4 5 応じて配置可能となっている。これらのうち、第 1および第 2の処理部 G , Gはレジス

1 2 ト塗布 ·現像処理システム 1の正面側（図 1における手前側）に並列に配置され、第 3 の処理部 Gはカセットステーション 10に隣接して配置され、第 4の処理部 Gはインタ

3 4 一フェイス部 12に隣接して配置されている。また、第 5の処理部 Gは背面部に配置

5

可能となっている。

[0023] 第 1の処理部 Gには、コータカップ（CP)内でウェハ Wを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行う 2台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布ユニット（C OT)およびレジストのパターンを現像する現像ユニット（DEV)が下力順に 2段に重ねられている。第 2の処理部 Gでも、第 1の処理部 Gと同様に、 2台のスピナ型処理

2 1 ユニットとしてレジスト塗布ユニット（COT)および現像ユニット（DEV)が下力ら順に 2 段に重ねられている。

[0024] 第 3の処理部 Gには、図 3に示すように、ウェハ Wを載置台 SPに載せて所定の処

3

理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（AD)、位置合わせを行うァライメントユニット（ALIM)、ウェハ Wの搬入出を行うエクステンションュニット (EXT)、冷却処理を行うクーリングユニット (COL)、露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウェハ Wに対して加熱処理を行う 4つのホットプレートユニット (HP)が下力順に 8段に重ねられている。なお、ァライメントユニット（ALIM)の代わりにクーリングユニット（COL)を設け、クーリングユニット（COL)にァライメント機能を持たせてもよい。

[0025] 第 4の処理部 Gにも、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわ

4

ち、クーリングユニット（COL)、クーリングプレートを備えたウェハ搬入出部であるエタステンション 'クーリングユニット（EXTCOL)、エクステンションユニット（EXT)、クーリングユニット（COL)、および 4つのホットプレートユニット（HP)が下から順に 8段に重ねられている。

[0026] 主ウェハ搬送機構 22の背部側に第 5の処理部 Gを設ける場合には、第 5の処理

5

部 Gは、案内レール 25に沿って主ウェハ搬送機構 22から見て側方へ移動できるよ

5

うになつている。したがって、第 5の処理部 Gを設けた場合でも、これを案内レール 2

5

5に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウェハ搬送機構 22に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。

[0027] インターフェイス部 12の奥行方向（X方向）長さは、処理ステーション 11の奥行き長さと同じである。図 1,図 2に示すように、このインターフェイス部 12の正面部には、可搬性のピックアップカセット CRと定置型のバッファカセット BRが 2段に配置され、背面部には周辺露光装置 23が配設され、中央部には X方向に移動自在なウェハ搬送機構 24が配設されて、る。このウェハ搬送機構 24はウェハ搬送用アーム 24aを有しており、このウェハ搬送用アーム 24aは、 X— Y面内でスライド自在であり、 Z方向に昇降自在であり、さらに Θ方向に回転自在である。このような構成により、ウェハ搬送用ァーム 24aは、両カセット CR, BRおよび周辺露光装置 23、処理ステーション 11の第 4 の処理部 Gに属するエクステンションユニット (EXT)、隣接する露光装置側の図示

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しな、ウェハ受け渡し台にアクセス可能となって、る。

[0028] 上述したレジスト塗布'現像処理システム 1においては、まず、カセットステーション 1 0において、ウェハ搬送機構 21のウェハ搬送ピック 21aがカセット載置台 20上の未処理のウェハ Wを収容しているウェハカセット CRにアクセスして 1枚のウェハ Wを取り出し、第 3の処理部 Gのエクステンションユニット (EXT)に搬送する。

3

[0029] ウェハ Wは、主ウェハ搬送機構 22のウェハ搬送装置 46によって、エクステンションユニット (EXT)力第 3の処理部 Gのァライメントユニット (ALIM)に搬送され、そこ

3

でァライメントされる。その後ウェハ Wは、アドヒージョン処理ユニット (AD)に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理 (HMDS処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、次いで、ウェハ Wはウェハ搬送装置 46によりクーリングユニット (COL)に搬送されて冷却される。

[0030] なお、使用するレジストの種類によっては、この HMDS処理を行わずに、直接にゥエノ、 Wをレジスト塗布ユニット（COT)に搬送する場合がある。そのようなレジストとしては、例えば、ポリイミド系レジストが挙げられる。

[0031] アドヒージョン処理ユニット（AD)での処理が終了してクーリングユニット（COL)で冷却されたウェハ W、またはアドヒージョン処理ユニット (AD)での処理を行わな!/、ゥェハ Wは、次いで、ウェハ搬送装置 46によりレジスト塗布ユニット（COT)に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウェハ Wは、第 3または第 4の処理部 G , Gのいずれかのホットプレートユニット（HP)内でプリべ

3 4 一ク処理され、その後いずれかのクーリングユニット（COL)にて冷却される。

[0032] 冷却されたウェハ Wは、第 3の処理部 Gのァライメントユニット (ALIM)に搬送され

3

、そこでァライメントされた後、第 4の処理部 Gのエクステンションユニット (EXT)を介

4

してインターフェイス部 12に搬送される。

[0033] ウェハ Wは、インターフェイス部 12において周辺露光装置 23により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部 12に隣接して設けられた図示しな、露光装置に搬送され、そこで所定のパターンにしたがってウェハ Wのレジスト膜に露光処理が施される。

[0034] 露光後のウェハ Wは、再びインターフェイス部 12に戻され、ウェハ搬送機構 24により、第 4の処理部 Gに属するエクステンションユニット (EXT)に搬送される。そして、ゥ

4

ェハ Wは、ウェハ搬送装置 46により、いずれかのホットプレートユニット（HP)に搬送されて、そこでポストェクスポージャーベータ処理が施され、次いでクーリングユニット (COL)に搬送されて、そこで冷却される。

[0035] その後、ウエノ、 Wは現像ユニット（DEV)に搬送され、そこで露光パターンの現像処理が行われる。現像終了後、通常は、ウェハ Wはいずれかのホットプレートユニット（ HP)に搬送されてポストベータ処理が施され、次いで、クーリングユニット (COL)により冷却される。このような一連の処理が終了した後、第 3の処理部 Gのェクステンショ

3

ンユニット（EXT)を介してカセットステーション 10に戻され、いずれかのウェハカセット CRに収容される。

[0036] 次に、上述した現像ユニット（DEV)について詳細に説明する。図 4に現像ユニット（ DEV)の概略構成を示す断面図を、図 5にその平面図をそれぞれ示す。現像ュ-ット（DEV)の中央部には環状のコータカップ（CP)が配置され、コータカップ（CP)の内側にはスピンチャック 52が配置されている。スピンチャック 52は真空吸着によってウエノ、 Wを固定保持した状態で、駆動モータ 54によって回転駆動される。駆動モータ 54はユニット底板 50の開口に昇降移動可能に配置され、例えばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材 58を介して、例えばエアシリンダ力もなる昇降駆動手段 60および昇降ガイド手段 62と結合されている。駆動モータ 54の側面には、例えばステンレス鋼 (SUS)力もなる筒状の冷却ジャケット 64が取り付けられ、フランジ部材 5 8は冷却ジャケット 64の上半部を覆うように取り付けられて、る。

[0037] 現像液塗布時、フランジ部材 58の下端は、ユニット底板 50の開口の外周付近でュニット底板 50に密着し、これによりユニット内部が密閉される。スピンチャック 52と主ゥェハ搬送機構 22との間でウェハ Wの受け渡しが行われるときは、昇降駆動手段 60 が駆動モータ 54とスピンチャック 52を上方へ持ち上げることでフランジ部材 58の下端がユニット底板 50から浮くようになつている。なお、現像ユニット（DEV)のケーシングには、ウェハ搬送アーム 48が侵入するための窓 70が形成されている。 [0038] ウェハ Wの表面に現像液を供給するための現像液ノズル 86は、長尺状をなし、その長手方向（X方向）を水平にして配置されている。図 6に現像液ノズル 86の長手方向に垂直な概略の断面形状を示す断面図を示す。現像液ノズル 86は、図示しない現像液供給部から送液される現像液を貯留可能な X方向に延在する現像液室 87と、現像液室 87に連通する 2本の連通路 89を有し、各連通路 89の一端が現像液を吐出するスリット型吐出口 88となって、る。

[0039] 現像液室 87に供給された現像液は、連通路 89を通して各連通路 89の端のスリット型吐出口 88から略帯状に吐出される。連通路 89内の、スリット型吐出口 88の近傍には緩衝棒 85 (例えば、石英棒や多孔体）が配置されている。この緩衝棒 85によって、スリット型吐出口 88からの現像液の吐出圧力が現像液ノズル 86の長手方向で均一とされ、また、スリット型吐出口 88からの現像液の液漏れが防止される。

[0040] 現像液ノズル 86は、ノズルスキャンアーム 92の先端部に着脱可能に取り付けられている。ノズルスキャンアーム 92は、垂直支持部材 93の上端部に取り付けられており、この垂直支持部材 93は、ユニット底板 50の上に一方向（Y方向）に敷設されたガイドレール 91上を、 Y軸駆動機構 98によって Y方向に水平移動可能である。また、垂直支持部材 93は Z軸駆動機構 99を備えており、ノズルスキャンアーム 92はこの Z軸駆動機構 99によって Z方向に昇降自在である。つまり、現像液ノズル 86は Y方向および Z方向に移動可能となって、る。

[0041] 現像ユニット（DEV)は、図 5に示すように、現像液ノズル 86と同様の長尺状の構造を有し、現像液ノズル 86と平行にして配置され、現像液ノズル 86と同じように Y方向および Z方向での移動が可能な、薬液ノズル 81を備えている。なお、薬液ノズル 81 は、図 4では紙面に垂直な方向で現像液ノズル 86と重なるために図示を省略してヽる。

[0042] 薬液ノズル 81には、ウェハ Wに形成されたレジスト膜を現像液で処理した後に、ゥエノ、 W上に残るパターン化されたレジスト膜 (以下「残留レジストパターン」 t 、う）の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液 (以下、「硬化用薬液」という）力図示しない薬液供給部力供給され、この硬化用薬液がウェハ Wに向けて略帯状に吐出される。ここで、「レジスト硬化補助剤」とは、所定の高エネルギー線の存在下にお、て、残留レジストパターンと直接に反応することによって残留レジストパターンを硬化させる機能を有し、または所定の高エネルギー線による残留レジストパターンの硬化を促進させる触媒的機能を有し、または残留レジストパターンと反応して前記残留レジストパターンに架橋結合を形成することによって残留レジストパターンを硬化させる機能を有する物質をいう。つまり、レジスト硬化補助剤は高エネルギー線の照射による相乗作用によって残留レジストパターンを硬化させる。

[0043] なお、レジスト硬化補助剤は、高エネルギー線の照射がな!、場合にも、残留レジストパターンを硬化させる機能を発揮するものであってもよい。しかし、ここで、取り扱うレジスト硬化補助剤は、高エネルギー線との相乗作用なしでは、残留レジストパターンのパターン倒れを抑制することができるだけの十分な硬化機能を有さないものに限られる。

[0044] 現像液ノズノレ 86は、現像液をウェハ Wに塗布した後にノズル待機部 94 (図 5参照）に退避されるようになっている。このノズル待機部 94は、現像液ノズル 86のスリット型吐出口 88を洗浄する第 1ノズルバス 94aと、薬液ノズル 81のスリット型吐出口を洗浄する第 2ノズルバス 94bと、を備えている。

[0045] 現像ユニット（DEV)は、ウェハ Wに対してリンス液を吐出するリンスノズル 95を有している。なお、図 4ではリンスノズル 95の図示を省略している。図示しないリンス液供給部からリンスノズル 95へ供給されるリンス液は、リンスノズル 95からウェハ Wの表面に円錐状に拡がりながらスプレー噴射されるようになっている。また、リンスノズル 95 は、ガイドレール 91上を Y方向に移動自在に設けられたノズルスキャンアーム 96の先端に取り付けられており、このノズルスキャンアーム 96は図示しない昇降機構により Z方向に移動自在となって、る。

[0046] 現像ユニット (DEV)の上部には、図示しな、昇降機構により昇降自在な光照射装置 51が装備されている。図 7にこの光照射装置 51の概略構造を示す平面図を示す。この光照射装置 51は、ウェハ Wの表面全体に均一に光エネルギーを照射することができるように、ウェハ Wとほぼ同じ大きさの円板型容器 35に、光源たるランプ 36が縦横に所定間隔で複数配置された構造を有している。例えば、ランプ 36としては、紫外線ランプが用いられる。 [0047] 次に、このような現像ユニット（DEV)におけるウェハ Wの現像処理方法について、残留レジストパターンの硬化処理を中心に説明する。現像ユニット (DEV)によるゥェハ Wの処理では、常に、ウェハ W上の露光処理されたレジスト膜が現像液またはリンス液で濡れた状態において、ウエノ、 W上に硬化用薬液を供給し、その後にウェハ W の表面に光照射装置 51から高工ネルギ一線たる紫外線を照射する。こうして生ずるレジスト硬化補助剤と紫外線照射の相乗作用によって、残留レジストパターンを硬化させる。

[0048] そして、レジスト膜の現像と残留レジストパターンの硬化とが終了した後に、リンス液によってウェハ Wの表面力も現像液および硬化用薬液を洗い流し、最後にウェハ W を所定の回転数で回転させることによって、ウェハ Wを乾燥させる。ウェハ上に現像液等のパドルを形成する場合には、ウェハ Wを静止させるカゝ、または低速で回転させる。また、パドルを形成しない場合には、ウェハ Wを 4000rpm以下の回転数で回転させながら、所定の処理を行うことが好ましい。これにより処理時間を短縮し、硬化用薬液やリンス液の使用量を低減することができる。

[0049] まず、レジスト硬化補助剤が水溶性であり、かつ、硬化用薬液が水溶液である場合の現像処理方法につ!、て説明する。

第 1の処理方法は、現像液ノズル 86からウエノ、 W上へ現像液の供給を開始した直後に、ウェハ W上の現像液が塗布されている部分に薬液ノズル 81から硬化用薬液を供給し、光照射装置 51からウェハ Wの表面に紫外線を照射する方法である。この第 1の方法では、現像液によるレジスト膜の現像反応と硬化用薬液による残留レジストパターンの硬化処理をほぼ同時に進行させる。このため、硬化用薬液に含まれるレジスト硬化補助剤は残留レジストパターンにのみ選択的に作用する性質を有していることが必要となる。

[0050] また、この第 1の処理方法では、現像液の塗布方法として、現像液ノズル 86から現像液を帯状に吐出させながら、現像液ノズル 86を薬液ノズル 81が配置されてヽる側力もリンスノズル 95が配置されている側へ（つまり +Yの向きに)スキャンし、さらに薬液ノズル 81から硬化用薬液を吐出させながら、現像液ノズル 86を追うように薬液ノズル 81をスキャンさせる方法が好適に用いられる。このようなノズルスキャンは複数回行つてもよい。

[0051] なお、現像ユニット（DEV)による処理では、その構造上、現像液ノズル 86と薬液ノズル 81をコータカップ (CP)の外に退避させた状態で、光照射装置 51を所定高さへ降下させて、光照射装置 51からウェハ Wの表面に紫外線を照射することが好ましい 1S 現像液ノズル 86と薬液ノズル 81をスキャンさせる場合やウェハ Wを回転させる場合には、ウエノ、 Wと光照射装置 51との間に現像液ノズル 86と薬液ノズル 81があっても構わない。

[0052] また、光照射装置 51は前述の通り、ウェハ Wの表面全体に均一に紫外線を照射するために、ウェハ Wの表面全体に硬化用薬液が供給されている状態で、紫外線照射を行うことが、より好ましい。このような紫外線照射の形態は、以下に説明する第 2— 第 4の処理方法でも用いられる。

[0053] 第 2の処理方法は、現像液ノズル 86からウエノ、 Wに現像液を供給してウエノ、 W上に現像液のパドルを形成し、この現像液のパドルに薬液ノズル 81から硬化用薬液を供給し、硬化用薬液が供給された部分に光照射装置 51からウェハ Wの表面に紫外線を照射する方法である。硬化用薬液の供給は現像液によるレジスト膜の現像が進行している状態で行ってもよいし、現像が完全に終了して力行ってもよい。硬化用薬液供給を現像液によるレジスト膜の現像が完全に終了してカゝら行う場合には、レジスト硬化補助剤には、レジスト膜の露光感光部と非露光感光部に対する選択性は必要とならない。

[0054] 第 3の処理方法は、レジスト膜の現像液による現像反応が終了して、リンスノズル 95 によるウェハ W上へのリンス液の供給を開始した直後に、ウェハ W上のリンス液が塗布された部分に薬液ノズル 81から硬化用薬液を供給し、その後に光照射装置 51からウェハ Wの表面に紫外線を照射する方法である。紫外線照射は、ウェハ Wを停止させてウェハ Wの表面に硬化用薬液のパドルが形成された状態で行ってもょ、し、ゥェハ Wを回転させながら、かつ、薬液ノズル 81からウェハ Wに硬化用薬液を吐出しながら、行ってもよい。

[0055] 第 4の処理方法は、レジスト膜の現像液による現像反応およびこの現像反応後のリンス液によるリンス処理が終了した後に、ウェハ W上のレジスト膜がリンス液で濡れた状態において、薬液ノズル 81からウェハ W上に硬化用薬液を供給し、その後に光照射装置 51からウェハ Wの表面に紫外線を照射する方法である。この方法においても、紫外線照射は、ウェハ Wを停止させてウェハ Wの表面に硬化用薬液のパドルが形成された状態で行ってもよいし、ウェハ Wを回転させながら、かつ、薬液ノズル 81力らウェハ Wに硬化用薬液を吐出しながら、行ってもよい。

[0056] このような第 1から第 4の処理方法においては、硬化用薬液に界面活性剤を添加することも好ましい。また、リンス液たる純水に界面活性剤、レジスト膜に対する接触角が高い薬液、純水と同等の接触角を有し、かつ、表面張力の小さい薬液のいずれかを添加することも好ましい。これにより硬化用薬液やリンス液の表面張力を低下させることができるために、例えば、ウェハ Wを高速回転させてこれらの液をウェハ Wの表面力も飛散除去させる際に、パターン倒れが発生することを防止することができる。

[0057] 次に、レジスト硬化補助剤は疎水性であり、かつ、硬化用薬液は疎水性有機溶剤である場合について説明する。一般的に現像液は水系であり、リンス液としては純水が用いられるので、この場合には、硬化用薬液は現像液およびリンス液と混ざり合わない。そこで、ウェハ W上に薬液ノズル 81からウェハ Wに硬化用薬液を供給してゥェハ W上の現像液またはリンス液をこの硬化用薬液で置換し、光照射装置 51からゥェハ Wの表面に紫外線を照射する方法が好適に用いられる。なお、現像液またはリンス液を硬化用薬液で置換する前に、現像液またはリンス液を水溶性の有機溶剤で置換し、その後、この水溶性の有機溶剤を硬化用薬液で置換してもよい。

[0058] 上述した現像ユニット（DEV)においては、図 8の断面図に示すように、現像液ノズル 86と薬液ノズル 81とを一体として、同時スキャンさせる構成としてもよい。また、リンスノズル 95として現像液ノズル 86 (または薬液ノズル 81)と同じ長尺構造ものを用いてもよく、さらにこのような長尺構造のリンスノズルと薬液ノズル 81とを一体としてもよい。現像液ノズル 86と薬液ノズル 81にはそれぞれ 2つのスリット型吐出口 88を設けているが、このような吐出口はそれぞれ 1つであってもよい。

[0059] 現像ユニット（DEV)を図 9の平面図に示す現像ユニット（DEV) 'のように変形することも好ましい。この現像ユニット (DEV) 'は、光照射装置 51に代えて、長尺状の光照射スキャン装置 53を備えている。図 10に光照射スキャン装置 53の長手方向に垂直な断面図を示す。光照射スキャン装置 53は、その長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリット 31aが形成された箱体 31と、箱体 31内に配置された略棒状の光源 32、例えば、紫外線発光管を備えている。光照射スキャン装置 53は、現像液ノズル 86と同様〖こ、 Y方向にスキャン自在であり、かつ、昇降自在となっている。

[0060] 光照射スキャン装置 53を有する現像ユニット（DEV) 'を用いて、先に説明した現像ユニット（DEV)による第 1の処理方法を行う場合には、ウェハ W上で、現像液ノズル 86から現像液を吐出しながら +Yの向きにスキャンし、現像液ノズル 86を追い力けて薬液ノズル 81を +Yの向きにスキャンすることによりウェハ W上の現像液が塗布されてヽる部分に硬化用薬液を供給し、さらに薬液ノズル 81を追、かけて光照射スキヤン装置 53を +Yの向きにスキャンすることによりウェハ Wの表面の硬化用薬液が塗布された部分に紫外線を照射すればよい。また、このような現像液ノズル 86と薬液ノズル 81と光照射スキャン装置 53のスキャンを繰り返してもよい。

[0061] 現像ユニット（DEV) 'では、図 11の断面図に示すように、薬液ノズル 81と光照射スキャン装置 53とを、その長手方向が平行となるようにして、一体としてもよい。また、図 12の断面図に示すように、このように一体ィ匕された薬液ノズル 81と光照射スキャン装置 53〖こ、さらに現像液ノズル 86を一体ィ匕させてもよい。さら〖こ、上記説明においては、現像液ノズル 86、薬液ノズル 81、リンスノズル 95、光照射スキャン装置 53がウェハ W上をスキャンする構成とした力この構成に限定されるものではなぐ例えば、ゥェハ Wを水平移動させる機構を設ける等して、ウエノ、 Wと、現像液ノズル 86と薬液ノズル 81とリンスノズル 95と光照射スキャン装置 53とを、相対的に移動させるようにしてもよい。

[0062] 次に、現像ユニット (DEV) , (DEV) 'に装備することができるノズルの別の形態について説明する。図 13に、現像液と硬化用薬液とを任意の比率で混合して吐出することができる現像液 Z薬液ノズル 82の概略断面図を示す。現像液 Z薬液ノズル 82 は、先に説明した現像液ノズル 86と同様に長尺状をなし、その長手方向（紙面に垂直な方向）を水平にして配置される。現像液 Z薬液ノズル 82の管体 103はその内部に独立した第 1液貯留室 105aと第 2液貯留室 105bを有している。第 1液貯留室 105 aへは現像液が供給され、第 2液貯留室 105bへは硬化用薬液が供給される。 [0063] 管体 103において、第 1液貯留室 105aと第 2液貯留室 105bの下方には、下端にスリット型吐出口 109を有する液混合室 107が設けられている。また、第 1液貯留室 1 05aと液混合室 107とは第 1連通路 106aを通して連通している。さらに第 2液貯留室 105bと液混合室 107とは第 2連通路 106bを通して連通している。このような構造を有する現像液 Z薬液ノズル 82では、現像液と硬化用薬液とを液混合室 107内で所望の比率で混合し、こうして組成調整された混合液をスリット型吐出口 109から吐出させる。また、現像液 Z薬液ノズル 82では、現像液と硬化用薬液のいずれか一方を、液混合室 107を通してスリット型吐出口 109力吐出させることもできる。つまり、液混合室 107を現像液または硬化用薬液の単なる通路として用いることもできる。

[0064] 液混合室 107には緩衝棒 108を設けることが好ましい。この緩衝棒 108によってスリット型吐出口 109からの現像液および Zまたは硬化用薬液の吐出状態を現像液 Z 薬液ノズル 82の長手方向で均一とすることができ、また、スリット型吐出口 109からの現像液および Zまたは硬化用薬液の液漏れを防止することができる。緩衝棒 108は第 1液貯留室 105aと第 2液貯留室 105bから流れ込む現像液や硬化用薬液を均一に混合する機能も有して、る。

[0065] 光照射装置 51を備えた現像ユニット (DEV)およびに光照射スキャン装置 53を備えた現像ユニット（DEV) 'にそれぞれ、既存の薬液ノズル 81と現像液ノズル 86に代えて現像液/薬液ノズル 82を装備させた場合には、他のノズルとしてリンスノズル 95 があればょ、。このように構成された現像ユニットを用いて露光処理されたレジスト膜を有するウェハ Wを現像処理する方法としては、次の方法が挙げられる。すなわち、まず現像液と硬化用薬液とを所定の割合で混合し、この混合液をウェハ W上に供給する。その後、光照射装置 51または光照射スキャン装置 53からウェハ Wの表面に紫外線を照射する。これにより、レジスト膜の現像反応と、残留レジストパターンの硬化を並行して行う。

[0066] 現像液 Z薬液ノズル 82は、第 1液貯留室 105aへ純水を供給する構造とすること〖こより、図 14の断面図に示すリンス液 Z薬液ノズル 83に変形することができる。リンス液 Z薬液ノズル 83からは、リンス液のみ、または硬化用薬液のみ、またはリンス液と硬化用薬液を任意比率で混合させた混合液を、吐出することができる。 [0067] 光照射装置 51を備えた現像ユニット (DEV)およびに光照射スキャン装置 53を備えた現像ユニット（DEV) 'にそれぞれ、既存の薬液ノズル 81とリンスノズル 95に代えて、リンス液,薬液ノズル 83を装備させた場合には、他に現像液ノズル 86を装備すればよ、。このように構成された現像ユニットで露光処理されたレジスト膜を有するゥエノ、 Wを現像処理する方法としては、次の方法が挙げられる。すなわち、まず現像液ノズル 86から現像液をウェハ Wの表面に供給してレジスト膜を現像する。その後のリンス処理では、リンス液 Z薬液ノズル 83にお、て硬化用薬液とリンス液とを所定の割合で混合してこの混合液をウエノ、 W上に供給する。そして、光照射装置 51または光照射スキャン装置 53からウェハ Wの表面に紫外線を照射して、残留レジストパターンを硬化させる。その後、リンス液 Z薬液ノズル 83からリンス液のみをウェハ W上に供給してウエノ、 W上の硬化用薬液を洗、流す。

[0068] 現像ユニット（DEV)や現像ユニット (DEV) 'には、既存の現像液ノズル 86等に代えて、図 15の概略断面図に示す処理液ノズル 84を装備することもできる。この処理液ノズル 84は、現像液、リンス液、硬化用薬液の 3種類の液を、それぞれ単成分で、またはこれらのうち 2種類の液を任意比率で混合して、またはこれら 3種類の液を任意比率で混合して吐出することができる。処理液ノズル 84は、現像液ノズル 86と同様に長尺状をなし、その長手方向（紙面に垂直な方向）を水平にして配置される。処理液ノズル 84の管体 119はその内部に独立した現像液貯留室 113a、リンス液貯留室 113b、薬液貯留室 113cを有しており、現像液貯留室 113aへは現像液力リンス液貯留室 113bへは純水が、薬液貯留室 113cへは硬化用薬液が、それぞれ供給されるようになっている。

[0069] 管体 119において、各貯留室 113a— 113cからの下方には液混合室 118が形成されており、各貯留室 113a, 113b, 113cと液混合室 118は、それぞれ連通路 114a, 114b, 114cによって連通している。液混合室 118の下端はスリット型吐出口 117となっており、また液混合室 118の内部には緩衝棒 115が設けられている。この緩衝棒 115によってスリット型吐出口 117からの現像液等の吐出状態が長手方向で均一とされ、かつ、スリット型吐出口 117からの現像液等の液漏れが防止される。

[0070] 処理液ノズル 84を用いて、露光処理されたレジスト膜を有するウェハ Wを現像処理する方法としては、次の方法が挙げられる。すなわち、まず処理液ノズル 84から現像液と硬化用薬液とが所定の割合で混合された混合液をウェハ W上に供給する。次、で、光照射装置 51または光照射スキャン装置 53からウェハ Wの表面に紫外線を照射し、残留レジストパターンの硬化処理を行う。次いで、処理液ノズル 84から硬化用薬液とリンス液とが所定の割合で混合された混合液をウェハ W上に供給し、さらに光照射装置 51または光照射スキャン装置 53からウェハ Wの表面に紫外線を照射し、残留レジストパターンの硬化処理を行う。最後に処理液ノズル 84からリンス液のみをウエノ、 W上に供給し、ウェハ W上の硬化用薬液を洗い流し、スピン乾燥する。

[0071] 以上、本発明の実施の形態について説明した力本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、残留レジストパターンを硬化させるための高エネルギー線は紫外線に限定されるものではなぐ赤外線、マイクロ波、熱線または電子線であつてもよく、使用するレジストの硬化特性に応じて、適切なエネルギー線を選択すればよい。つまり、赤外線、マイクロ波、熱線または電子線を用いて硬化用薬液の温度を上げることによって、残留レジストパターンの硬化処理を促進させることもできる。

[0072] また、図 11に薬液ノズル 81と光照射スキャン装置 53とを一体ィ匕した構造を、図 12 に現像液ノズル 86と薬液ノズル 81と光照射スキャン装置 53とを一体ィ匕した構造をそれぞれ示したように、現像液 Z薬液ノズル 82やリンス液 Z薬液ノズル 83、または処理液ノズル 84に、さらに光照射スキャン装置 53とを一体ィ匕させてもよい。このようなノズル構造とすることにより、ノズルの駆動制御を簡単にすることができる。

[0073] さらに、紫外線等の高エネルギー照射機構としては、紫外線をスポット照射するものを、ウェハ Wの中心と周縁との間を、円弧を描きながら回動させる構造のものを用いることもできる。リンスノズルとしても、これと同様の動作を行うものを用いることができる。

[0074] 以上説明した実施の形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなぐ本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施することができるものである。

産業上の利用可能性本発明の現像処理方法および現像処理装置は、半導体デバイス製造およびフラットパネルディスプレイ製造に好適である。

Claims

請求の範囲

[1] 基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス液でリンス処理する現像処理方法であって、

前記基板上のレジスト膜が現像液またはリンス液で濡れた状態にぉヽて、前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液を前記基板の表面に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射することにより、前記レジスト硬化補助剤と前記高工ネルギ一線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる現像処理方法。

[2] 前記レジスト硬化補助剤は水溶性であり、かつ、前記薬液は水溶液である請求項 1 に記載の現像処理方法。

[3] 前記レジスト硬化補助剤は疎水性であり、かつ、前記薬液は疎水性有機溶剤である請求項 1に記載の現像処理方法。

[4] 基板上へ現像液の供給を開始した直後に、前記基板上の現像液が塗布されてヽる部分に前記薬液を供給し、前記薬液が供給された部分に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3のいずれか 1項に記載の現像処理方法。

[5] 基板上に現像液を供給してパドルを形成した後、前記パドルに前記薬液を供給し、前記薬液が供給された部分に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3 の!、ずれか 1項に記載の現像処理方法。

[6] 基板上のレジスト膜を現像液で処理した後に、前記基板上へリンス液の供給を開始し、その直後に基板上のリンス液が塗布された部分に前記薬液を供給し、前記薬液が供給された部分に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3のいずれ力 1項に記載の現像処理方法。

[7] 基板を現像液およびリンス液で処理した後に、前記基板上のレジスト膜カ^ンス液で濡れた状態にぉヽて前記基板上に前記薬液を供給し、前記薬液が塗布された部分に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3のいずれ力 1項に記載の現像処理方法。

[8] 基板上に前記薬液を供給して前記基板上の現像液またはリンス液を前記薬液で置換した後、前記基板の表面に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3 の!、ずれか 1項に記載の現像処理方法。

[9] 基板上に供給された現像液またはリンス液を水溶性の有機溶剤で置換した後に前記有機溶剤を前記薬液で置換し、前記基板の表面に前記高工ネルギ一線を照射する請求項 1から請求項 3のいずれか 1項に記載の現像処理方法。

[10] 前記薬液に界面活性剤が添加されて、る請求項 1から請求項 9の、ずれか 1項に記載の現像処理方法。

[11] 前記薬液による処理の後に前記基板上に供給されるリンス液は、界面活性剤、前記レジスト膜に対する接触角が高い薬液、純水と同等の接触角を有し、かつ、表面張力の小さ、薬液、の、ずれかを含む請求項 1から請求項 10の、ずれか 1項に記載の現像処理方法。

[12] 前記基板を回転させながら、前記基板上へ前記薬液の供給を行う請求項 1から請求項 11のヽずれか 1項に記載の現像処理方法。

[13] 基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス液でリンス処理する現像処理方法であって、

現像液と現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とを所定の割合で混合し、この混合液を前記基板上に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射することにより、前記レジスト膜の現像反応と前記レジスト硬化補助剤と前記高エネルギー線との相乗作用による前記レジスト膜の硬化とを並行して行う現像処理方法。

[14] 前記基板を回転させながら、前記基板上へ前記混合液の供給を行う請求項 13〖こ記載の現像処理方法。

[15] 基板上の露光処理が施されたレジスト膜を、現像液で現像し、リンス処理する現像処理方法であって、

リンス処理時に、現像反応後に前記基板上に残ったレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とリンス液とを所定の割合で混合し、この混合液を前記基板上に供給した後に前記基板の表面に所定の高工ネルギ一線を照射して、前記レジスト硬化補助剤と前記高エネルギー線との相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させ、その後に前記基板上にリンス液のみを供給して前記基板上の混合液を洗い流す現像処理方法。

[16] 前記基板を回転させながら、前記基板上へ前記混合液の供給を行う請求項 15〖こ記載の現像処理方法。

[17] 前記基板の回転数は 4000rpm以下である請求項 12, 14, 16のいずれか 1項に記載の現像処理方法。

[18] 前記高エネルギー線は、紫外線、赤外線、マイクロ波、熱線または電子線の、ずれかである請求項 1から請求項 17のいずれ力 1項に記載の現像処理方法。

[19] 前記リンス液は純水である請求項 1から請求項 18のいずれ力 1項に記載の現像処理方法。

[20] 露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板の表面に前記レジスト膜を現像する所定の現像液を供給する現像液ノズルと、

を具備する現像処理装置。

[21] 前記光照射機構は、前記スピンチャックに保持された基板に対して相対的に移動するように構成されて、る請求項 20に記載の現像処理装置。

[22] 前記現像液ノズルは、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に現像液を吐出する構造を有し、

前記薬液ノズルは、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に薬液を吐出する構造を有し、

前記現像液ノズルと前記薬液ノズルは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 20または請求項 21に記載の現像処理装置。

[23] 前記リンスノズルは、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状にリンス液を吐出する構造を有し、

前記リンスノズルと前記薬液ノズルは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 20または請求項 21に記載の現像処理装置。

[24] 前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

前記箱体と前記薬液ノズルは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 22または請求項 23に記載の現像処理装置。

[25] 前記薬液ノズルは、一方向に長ぐその内部に薬液を貯留可能な薬液室を備え、かつ、その長手方向に沿って前記薬液室力薬液を略帯状に吐出する吐出口を有する箱体を有し、

前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

前記薬液ノズルを構成する箱体と前記光照射機構を構成する箱体とは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 20に記載の現像処理装置。

[26] 前記光照射機構は、前記スピンチャックに保持された基板の表面全体に均一に所定波長の光を放射することができるように、複数の光源が所定間隔で縦横に並べられた構造を有する請求項 20から請求項 23のいずれか 1項に記載の現像処理装置。

[27] 前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

前記光照射機構を前記スピンチャックに保持された基板の上空で水平にスキャンさせる駆動機構をさらに具備する請求項 20から請求項 23のいずれか 1項に記載の現

[28] 露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板の表面に、現像液と現像反応後に前記基板上に残るレジスト膜の硬化に寄与するレジスト硬化補助剤を含む薬液とを所定比で混合して吐出する現像液 Z薬液供給ノズルと、

を具備する現像処理装置。

[29] 前記現像液 Z薬液吐出ノズルは、一方向に長、箱体の内部にその長手方向に沿つて、前記現像液を貯留させる第 1の液貯留室と、前記薬液を貯留させる第 2の液貯留室と、前記第 1の液貯留室および前記第 2の液貯留室と連通し、下端に前記現像液と前記薬液とが所定比で混合された混合液を略帯状に吐出する吐出口を有する液混合室と、を備えた構造を有する請求項 28に記載の現像処理装置。

[30] 前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

前記現像液 Z薬液吐出ノズルを構成する箱体と前記光照射機構を構成する箱体とは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 29に記載の現像処理装置。

[31] 露光処理されたレジスト膜を有する基板を保持する回転自在なスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板の表面に前記レジスト膜を現像する所定の現像液を供給する現像液ノズルと、

を具備する現像処理装置。

[32] 前記リンス液 Z薬液ノズルは、一方向に長い箱体の内部にその長手方向に沿って、前記リンス液を貯留させる第 1の液貯留室と、前記薬液を貯留させる第 2の液貯留室と、前記第 1の液貯留室および前記第 2の液貯留室と連通し、下端に前記リンス液と前記薬液とが所定比で混合された混合液を略帯状に吐出する吐出口を有する液混合室と、を備えた構造を有する請求項 31に記載の現像処理装置。

[33] 前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

前記リンス液 Z薬液ノズルを構成する箱体と前記光照射機構を構成する箱体とは、互いに平行であり、かつ、一体である請求項 32に記載の現像処理装置。

[34] 前記光照射機構は、前記スピンチャックに保持された基板の表面全体に均一に所定波長の光を放射することができるように、複数の光源が所定間隔で縦横に並べられた構造を有する請求項 28または請求項 29または請求項 31または請求項 32に記載の現像処理装置。

[35] 前記光照射機構は、一方向に長ぐその長手方向に沿って略帯状に光を放射するためのスリットが形成された箱体と、前記箱体内に配置された所定波長の光源と、を有し、

さらに前記光照射機構を前記スピンチャックに保持された基板に対して相対的に移動させる移動機構を具備する請求項 28または請求項 29または請求項 31または請求項 32に記載の現像処理装置。