KR102156895B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102156895B1
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박민정
조수현
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐과; 상기 노즐을 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 대해 상대 이동시키는 이동 부재와; 상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과; 기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 상기 내부 공간 외부로 배출시키는 에지 파이프 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 리소그라피, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 도 1은 상기 공정들 중 리소그라피 공정의 플로우 차트를 도시한 것이다. 리소그라피 공정은 웨이퍼 세정(S10), 포토레지스트 도포(S20), 소프트 베이트(S30), 노광(S40), 에지 노광(S50), 현상(S60) 그리고 하드 베이크(S70) 공정을 순차적으로 수행한다.
포토 레지스트 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 에지 노광 공정은 기판의 에지 영역을 노광하는 공정이다.
포토 리소그래피 공정의 진행시에 기판의 에지에 형성된 포토 레지스터 막은 쉽게 분리되어 이물질로 작용하는 경우가 빈번히 발생하여 칩의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 기판의 에지를 노광하여 에지부의 포토 레지스트를 미리 제거하게 된다.
현상 공정은 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
에지 노광 공정과 현상 공정은 회전되는 기판 상에 대하여 노광 빔을 비추거나 현상액을 공급하므로, 기판에서 발생한 공정 부산물이 비산되어 공정 챔버 내 오염을 발생시킨다.
도 2는 현상 챔버에서 기판의 회전에 따른 흄의 이동 경로를 나타낸 도면이다. 현상 공정에서 기판의 상면에 대응하는 처리 용기는 개방되어 있고, 처리 용기의 하부로 배기하는 구조에 의해, 일부 공정 부산물이 처리 용기 하부로 배기되지 않고, 기판의 에지에서 튀어 올라 처리 용기 외부로 이탈된다. 기판의 회전 속도가 증가될수록 이탈되는 공정 부산물의 양이 많아진다.
본 발명은 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판의 에지 노광시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판의 현상 처리시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높은 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판 처리 설비의 풋프린트를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐과; 상기 노즐을 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 대해 상대 이동시키는 이동 부재와; 상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과; 기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 상기 내부 공간 외부로 배출시키는 에지 파이프 유닛을 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와; 상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는 원통형으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동될 수 있다.
일 실시 예에 있어서,에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 처리액은 포지티브 현상액일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간 내에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과; 기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛과; 기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 배기하는 에지 파이프 유닛을 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 그 내부에 상기 지지 유닛이 제공되는 처리 용기를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판의 에지에 위치되며 원통형으로 제공되는 에지 파이프와; 상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 처리 효율이 향상된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 에지 노광시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 현상 처리시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 설비의 풋프린트를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 리소그라피 공정의 플로우 차트이다.
도 2는 현상 챔버에서 기판의 회전에 따른 흄의 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 4은 도 3의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6는 도 3의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 에지 파이프와 처리되는 기판을 도시한 사시도이다.
도 10은 다른 실시 예에 따른 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 10의 기판 처리 장치의 에지 파이프와 기판을 도시한 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 기판을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 3 내지 도 12을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 5는 도 3의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 도면이며, 도 5는 도 3의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 도면이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
도 4를 참조하면, 제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 처리 용기(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 처리 용기(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 처리 용기(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 `기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(460)는 처리 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 처리 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 처리 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
본 실시예에는 현상 챔버(460)의 일 실시예로 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)가 제공된다. 도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 정면도이고, 도 8은 도 7의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 에지 파이프 유닛과 처리되는 기판을 도시한 사시도이다. 도 8 및 도 9을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 단일의 기판(W)에 대해 현상 처리 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 에지 파이프 유닛(860), 에지 노광 유닛(890) 그리고 제어기(900)를 포함한다.
기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(812) 및 회전 구동 부재(813)를 포함한다. 지지 플레이트(812)는 도 5에 도시된 지지 플레이트(463)의 일 실시예이다. 지지 플레이트(812)는 기판을 지지한다. 지지 플레이트(812)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(812)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(812)의 지지면에는 흡착홀(816)이 형성되며, 흡착홀(816)에는 음압에 제공된다. 기판(W)은 음압에 의해 지지면에 진공 흡착될 수 있다.
회전 구동 부재(813)는 지지 플레이트(812)를 회전시킨다. 회전 구동 부재(813)는 회전축(814) 및 구동기(815)를 포함한다. 회전축(814)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(812)의 저면에 결합된다. 구동기(815)는 회전축(814)에 회전력을 전달한다. 회전축(814)은 구동기(815)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 플레이트(812)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(815)는 모터일 수 있다.
처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 도 5에 도시된 처리 용기(461)의 일 실시예이다. 처리 용기(820)는 공정 챔버의 내부 공간에 수용된다. 처리 용기(820)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(820)는 내측 컵(822) 및 외측 컵(826)을 포함한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 액을 회수한다.
내측 컵(822)은 회전축(814)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(822)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(822)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(822)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 액 공급 유닛(850)으로부터 공급된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 외측 컵(826)은 기판 지지 유닛(810) 및 내측 컵(822)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(826)은 바닥벽(826c), 측벽(826d), 그리고 경사벽(826e)을 가진다. 바닥벽(826c)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(826c)에는 회수 라인(826b)이 형성된다. 회수 라인(826b)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(826b)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다.측벽(826d)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)으로부터 위로 연장된다. 경사벽(826e)은 측벽(826d)의 상단으로부터 외측 컵(826)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(826e)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(810)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(826e)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(826e)의 상단은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
내측 컵(822)은 배기 유닛(830)과 연결된다. 배기 유닛(830)은 배기 포트(831), 배기 라인(832) 그리고 배기 펌프(833)를 포함한다. 배기 포트(831)는 내측 컵(822)의 하부에 제공된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(831)는 지지 유닛(810)에 지지된 기판에 중첩되도록 제공된다. 배기 포트(831)는 배기 라인(832)과 연결된다. 배기 라인(832)에는 배기 펌프(833)가 설치되어, 처리 공간의 내부를 배기한다.
승강 유닛(840)은 처리 용기(820)와 기판(W) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 측벽(826d)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 실린더 또는 모터일 수 있다.
액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 제1 공급 부재(870) 및 제2 공급 부재(880)를 포함한다.
제1 공급 부재(870)는 프리 웨팅액 및 처리액을 공급한다. 제1 공급 부재(870)는 제1 노즐 부재(1400) 및 제1 이동 부재(1100)을 포함한다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 제1 방향(12)으로 직선 이동시킨다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 공정 위치 또는 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 제1 노즐 부재(1400)가 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 가이드 레일(1120) 및 제1 아암(1140)을 포함한다. 제1 가이드 레일(1120)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제1 가이드 레일(1120)은 제1 노즐 부재(1400)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다.
제1 아암(1140)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1 아암(1140)은 제1 가이드 레일(1120)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제1 아암(1140)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 제1 아암(1140)의 일단에는 제1 노즐 부재(1400)이 힌지 결합되고, 타단은 브라켓에 의해 제1 가이드 레일(1120)에 연결된다. 제1 아암(1140)과 제1 노즐 부재(1400) 사이에는 힌지축(1490)이 제공된다. 제1 아암(1140) 및 제1 노즐 부재(1400)은 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다.
제2 공급 부재(880)는 린스액 및 세정액을 공급한다. 제2 공급 부재(880)는 제2 노즐 부재(1700) 및 제2 이동 부재(1500)을 포함한다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향 및 이에 수직한 수평 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수평 방향은 제1 방향(12)과 평행한 방향일 수 있다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 공정 위치 또는 대기 위치로 동시 이동시킨다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 가이드 레일(1520) 및 수직 구동기(1540)를 포함한다. 제2 가이드 레일(1520)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제2 가이드 레일(1520)은 제2 노즐 부재(1700)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제2 가이드 레일(1520)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 가이드 레일(1520)에는 수직 구동기(1540)가 설치된다. 제2 가이드 레일(1520)는 수직 구동기(1540)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동기(882)로 제공된다. 수직 구동기(1540)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수직 구동기(1540)는 실린더 또는 모터일 수 있다. 따라서 제2 노즐 부재(1700)는 수직 구동기(1540)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 제2 가이드 레일(1520)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하다.
제2 노즐 부재(1700)는 제2 아암(1720), 린스 노즐(1740), 그리고 세정 노즐(1760)을 포함한다. 제2 아암(1720)은 바 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제2 아암(1720)은 제2 가이드 레일(1520)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제2 아암(1720)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 아암(1720)의 일단에는 제2 노즐 부재(1700)가 설치되고, 타단은 수직 구동기(1540)에 연결된다. 수직 구동기(1540)는 기판(W)에 대한 세정 노즐(1760)의 상대 높이를 조절한다.
린스 노즐(1740)은 린스액을 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 공급한다. 린스 노즐(1740)은 린스액을 적하 방식으로 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 미스트 방식으로 공급한다. 상부에서 바라볼 때 린스 노즐(1740) 및 세정 노즐(1760)은 제1 방향과 평행한 방향으로 배열되게 위치될 수 있다. 예컨대, 린스액 및 세정액은 동일한 종류의 액일 수 있다. 린스액 및 세정액은 순수일 수 있다. 기판(W) 상에는 린스액이 1차 공급되고, 이후에 세정액이 2차 공급될 수 있다. 세정액은 린스액에 의해 형성된 액막 상에 공급될 수 있다.
에지 파이프 유닛(860)은 처리 용기(820)의 내부의 처리 공간에 제공된다. 에지 파이프 유닛(860)은 기판(W)의 에지에서 발생한 부산물을 기판 처리 장치(800)의 외부로 배출한다. 에지 파이프 유닛(860)는 에지 파이프(861)과 배기 라인(865)을 포함한다.
에지 파이프(861)는 원통형으로 제공된다. 에지 파이프(861)는 기판(W)의 에지 중 일 영역을 내부 공간(861a)에 가둔다. 에지 파이프(861)에는 기판(W)이 내부 공간(861a)으로 진입할 수 있도록, 기판(W)의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿(861b)이 형성된다. 슬릿(861b)은 기판(W)의 위치에 대응되는 위치에 형성된다. 슬릿(861b)은 에지 파이프(861)의 길이 방향을 따라 형성된다.
에지 파이프(861)는 단부에 배기 라인(865)이 연결된다. 배기 라인(865)은 에지 파이프(861)의 내부 공간(861a)에 유입된 부산물을 기판 처리 장치(800)의 외부로 배출한다. 배기 라인(865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)에 연결된다. 에지 파이프(861)는 원통 형상으로 제공됨에 따라 처리 용기의 배기 구조와 같은 배기량을 사용하더라도 배기 집중도가 높아 배기 효과가 증대된다.
에지 파이프(861)는 그 길이 방향으로 직선 이동이 가능하다. 에지 파이프(861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기 외부의 대기 위치에서 위치하다가, 기판이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 도 7 내지 도 9는 에지 파이프(861)가 공정 위치에 위치된 상태를 도시한다. 에지 파이프(861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(861)의 전후방 이동시에 진로 방향에 대하여 기판(W)이 방해될 수 있으므로, 슬릿(861c)이 더 형성된다.
에지 노광 유닛(890)은 기판(W)의 에지에 노광빔을 제공한다. 에지 노광 유닛은 제3 아암(891)에 지지된다. 제3 아암(891)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 제3 아암(891)은 회전 구동기(892)에 연결된다. 제3 아암(891)은 회전 구동기(892)에 의해 축방향에 대하여 회전 구동된다. 제3 아암(891)의 회전 구동에 의해 에지 노광 유닛(890)은 공정 위치에서 대기 위치 사이를 이동한다. 에지 노광 유닛(890)의 공정 위치는 에지 파이프(861) 내부에 위치된 기판(W)의 에지의 상면에 대응되는 위치이다. 에지 노광 유닛(890)는 기판의 에지 영역을 왕복 이동하며 에지 영역에 대한 노광을 수행할 수 있다. 노광이 수행되는 과정에서 기판은 회전된다.
에지 파이프(861)에는 에지 노광 유닛(890)이 제공하는 노광빔의 제공 영역에 대응하여 노광빔이 통과 가능하도록, 노광빔의 경로방향을 따라 슬릿(861d)이 형성된다. 도시된 실시 예에 있어서, 에지 노광 유닛(890)은 회전 구동기(892)의 구동축을 중심으로 회전하기 때문에 슬릿(861d)은 호형상으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 노광빔의 경로 방향은 에지 파이프(861)의 길이 방향과 수직한 방향일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 에지 노광 유닛(890)에 의한 에지 노광은 기판(W)의 현상 처리 전에 수행하는 것이다. 에지 노광이 수행되는 과정에서 배기 라인(865)을 통해 발생되는 부산물을 배기한다. 에지 노광이 수행된 직후 기판(W)을 현상 처리 할 수 있다. 현상 처리를 수행하면서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 계속하여 위치된다. 현상 과정에서 기판에서 발생되는 부산물을 배기 라인(865)을 통해 배기한다.
일 실시 예에 있어서, 기판(W)에 도포된 포토 레지스트(PR)는 포지티브 감광액이고, 기판(W)에 제공되는 처리액은 포지티브 현상액이다.
도 10은 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 11은 도 10의 기판 처리 장치에서 에지 파이프 유닛과 기판을 도시한 평면도이고, 도 12는 도 10의 기판 처리 장치의 에지 파이프 유닛과 기판을 도시한 사시도이다.
도 7 내지 도 9에서 도시한 실시 예의 에지 파이프(861)는 길이 방향을 따라 이동 가능한 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 실시 예에 따른 에지 파이프(1861)는 길이 방향에 수직한 방향에 대하여 직선 이동 가능하게 제공된다. 에지 파이프(1861)는 처리 용기(820)의 내부에 수용된다. 에지 파이프(1861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기(820) 내부의 대기 위치(도 11의 2점 쇄선 도시)에서 위치하다가, 기판(W)이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 에지 파이프(1861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(861)의 좌우 이동에 의해 기판(W)의 에지를 에지 파이프(1861)의 내부 공간(1861a)에 위치시키거나 내부 공간(1861a)의 외부에 위치시킬 수 있다. 에지 파이프(1861)에는 기판(W)의 에지를 내부 공간(1861a)으로 진입시키기 위해 슬릿(1861b)가 형성된다. 또한, 에지 파이프(1861)에는 에지 노광 유닛(890)에서 발생시킨 노광빔이 기판(W)으로 제공될 수 있도록 슬릿(1861d)이 형성된다. 에지 파이프(1861)의 일단은 배기 라인(1865)와 연결된다. 배기 라인(1865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)과 연결된다.
제어기(900)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 에지 파이프 유닛(860), 에지 노광 유닛(890)을 제어한다.
제어기(900)는 액 공급 유닛(850)의 제1 공급 부재(870) 및 제2 공급 부재(880)의 노즐이 기판(W)에 대해 상대 이동되도록 제어한다. 제어기(900)는 에지 노광 유닛(890)가 기판의 에지 영역을 노광하기 위하여 노광빔의 조사와 기판에 대한 상대이동이 가능하도록 제어한다. 제어기(900)은 노광빔이 조사될 때 기판(W)이 회전하도록 기판 지지 유닛(810)을 제어한다. 제어기(900)는 기판이 반출입될 때 처리 용기(820)의 승하강을 제어한다. 제어기(900)는 기판이 반출입 될 때 에지 파이프 유닛(860)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하도록 제어한다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정에 대해 설명한다. 기판(W)을 처리하는 방법은 에지 노광 단계, 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 그리고 린스액 공급 단계를 포함한다. 에지 노광 단계, 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 린스액 공급 단계는 순차적으로 진행된다.
기판(W)이 반입되면, 처리 용기(820)가 상승한다. 이후 에지 파이프(861)는 대기 위치에서 공정 위치로 이동된다.
에지 노광 단계는 기판(W)의 에지를 노광하는 단계이다. 에지 노광 유닛(890)는 기판(W)의 에지 영역에 위치되고, 노광빔은 에지 파이프(861)의 슬릿(1861d)을 통과하여 기판(W)의 에지에 도달한다.노광빔은 기판의 에지 영역을 왕복 이동하며 노광한다. 기판(W)의 에지 영역에서 발생한 부산물은 에지 파이프(861)의 내부를 타고 배기 라인(865)를 통해 배출된다.
프리 웨팅액 공급 단계는 기판(W) 상에 프리 웨팅액을 공급하는 단계이다. 프리 웨팅액은 기판(W)의 중심으로 공급되고, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 전체 영역으로 확산된다. 기판(W)의 표면은 프리 웨팅액에 의해 젖음 상태로 전환된다. 프리 웨팅액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다.
처리액 공급 단계는 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 단계이다. 처리액이 중앙 영역에 공급되는 중에 기판(W)은 회전된다.. 이에 따라 처리액은 기판(W) 상의 현상 영역을 현상 처리한다. 처리액은 제1 처리액과 제2 처리액으로 분리 공급될 수 있다. 제1 처리액이 공급되는 경우 기판은 제1 회전 속도로 회전하고, 제2 처리 액이 공급되는 경우 기판은 제2 회전 속도로 회전될 수 있다. 처리액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다.
린스액 공급 단계에는 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하는 단계이다. 린스액 공급 단계에는 기판(W) 상에 린스액이 적하 방식으로 공급된다. 린스액에 의해 처리액막은 제거되고, 린스액의 액막이 형성된다. 린스액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다.
다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. 일 실시 에에 의하면, 현상 챔버(800)에 적용된 에지 파이프 유닛(860)은 세정 챔버(660)에 적용될 수 있다. 세정 챔버(660)에 에지 파이프 유닛(860)을 적용하여 동일한 배기 조건에서 배기 효율을 높일 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 현상 챔버(800)에 에지 노광 모듈(890)을 포함하여 에지 노광을 수행하는 경우 에지 노광 챔버(550)는 생략될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 에지 파이프 유닛(860)와 에지 노광 유닛(890)는 에지 노광 챔버(550)에 제공되어 기판의 에지에서 부산물이 비산되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
810: 기판 지지 유닛 820: 처리 용기
840: 승강 유닛 850: 액 공급 유닛
860: 에지 파이프 유닛 890: 에지 노광 유닛
900: 제어기

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와;
    상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐을 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 대해 상대 이동시키는 이동 부재와;
    상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과;
    기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛과;
    기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 상기 내부 공간 외부로 배출시키는 에지 파이프 유닛을 포함하고,
    상기 노즐은 상기 기판의 영역 중 상기 에지 파이프 유닛에 의해 감싸지는 영역의 외측 상부에 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와;
    상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 에지 파이프는 원통형으로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성된 기판 처리 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능한 기판 처리 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결되는 기판 처리 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1 항에 있어서,
    기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    에지 파이프 유닛은,
    기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와;
    상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하고,
    상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성된 기판 처리 장치.
  11. 제1 항 내지 제7 항, 제9 항 및 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은 포지티브 현상액인 기판 처리 장치.
  12. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와;
    상기 내부 공간 내에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
    상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과;
    기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛과;
    기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 배기하는 에지 파이프 유닛을 포함하고,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    기판의 에지에 위치될 수 있고, 원통형으로 제공되며, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성되며, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성된 에지 파이프와;
    상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 그 내부에 상기 지지 유닛이 제공되는 처리 용기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 것인 기판 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능한 기판 처리 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결되는 기판 처리 장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3959612B2 (ja) * 2002-01-22 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100727847B1 (ko) * 2005-09-07 2007-06-14 세메스 주식회사 기판 가장자리 노광 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777790B1 (ko) * 2006-06-15 2007-11-22 (주)센토솔루션 파티클 제거장치
JP2011237718A (ja) 2010-05-13 2011-11-24 Toppan Printing Co Ltd 露光装置

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