KR102211780B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는. 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부에 개구가 형성된 컵 형상을 가지고 내부에 처리 공간이 형성된 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 부재와, 상기 처리 공간에서 발생된 부산물을 상기 처리 공간의 외부로 배출시키는 배기 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판의 에지에 인근하여 위치되고, 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 영역 중 기판의 에지와 인근한 영역이 기판의 에지를 감싸는 방향으로 원호 형상을 갖는 흡입 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. 도포 공정, 현상 공정 및 세정 공정 등은 기판을 회전시키는 스핀 공정을 포함한다.
도 1은 스핀 공정을 수행하는 경우 기판의 회전에 따른 흄(Fume)의 이동 경로를 나타낸 도면이다. 스핀 공정을 수행하는 챔버에는 처리 용기가 제공된다. 처리 용기는 상면이 개방된 컵 형상으로 제공되고, 그 하부로 배기하는 구조에 의해, 일부 흄이 처리 용기 하부로 배기되지 않고, A경로에서 도시된 바와 같이 기판의 에지에서 튀어 올라 처리 용기 외부로 이탈된다. 기판의 회전 속도가 증가될수록 이탈되는 흄의 양이 많아진다.
본 발명은 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판의 스핀 공정에 따라 비산되는 흄을 효과적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높은 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는. 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부에 개구가 형성된 컵 형상을 가지고 내부에 처리 공간이 형성된 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 부재와, 상기 처리 공간에서 발생된 부산물을 상기 처리 공간의 외부로 배출시키는 배기 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판의 에지에 인근하여 위치되고, 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 영역 중 기판의 에지와 인근한 영역이 기판의 에지를 감싸는 방향으로 원호 형상을 갖는 흡입 부재를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재의 일부 영역은 상기 지지 부재에 지지된 기판을 상방으로 수직하여 투영된 영역에 걸치도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재의 내부를 배기하는 배기 라인을 포함
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재의 내부를 배기하는 배기 라인은 상기 배기 부재의 배기 라인일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재 내부를 배기하는 배기 라인은 상기 배기 부재의 배기라인과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는, 길이 방향이 상기 처리 용기 상부의 개방된 둘레에 대응되고, 길이 방향에 수직한 단면이 원호 형상으로 제공되는 원호 파트와, 상기 원호 파트의 단부에서 상기 처리 용기의 개방면과 멀어지는 방향으로 연장되어 형성되는 연결 파트를 포함하고, 상기 연결 파트가 상기 처리 용기의 상부와 결합될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는 상기 처리 용기의 상부면을 타고 슬라이딩 이동할 수 있도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는 대기상태에서 상기 처리 용기의 중심에서 바깥 방향으로 이동된 대기 위치에 위치되고, 공정 시에 상기 처리 용기의 중심 방향으로 이동된 공정 위치에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는, 상기 처리 용기의 상단에 일체로 제공되는 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는 상기 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수개로 분리 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 흡입 부재는, 원통형으로 제공되며 일 영역에 길이 방향을 따라 기판의 두께보다 넓은 너비를 가져 기판이 관통 가능한 슬릿이 형성되고, 기 슬릿을 통과한 기판의 에지의 일 영역을 감싸도록 위치될 수 있는 에지 파이프와; 상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 에지 파이프 유닛으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 부재와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 내부에 처리 공간이 제공되고, 상기 처리 공간에 제공된 기판에 스핀 공정을 수행하며 상기 처리 공간의 내부를 공정에 따라 배기하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 처리 온도에 근거하여 적정 배기량을 산정하고, 상기 산정된 적정 배기량에 따라 배기량을 조절한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 처리 공간 내 온도가 제1 온도와 상기 제1 온도보다 더 높은 제2 온도로 제공되는 경우, 상기 적정 배기량은 상기 제2 온도에서 더 크게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 처리 공정은 처리 온도에 따라 처리 속도가 상이하게 일어날 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따른 기판 처리 방법은, 내부에 처리 공간이 제공되고, 상기 처리 공간에 제공된 기판에 스핀 공정을 수행하며 상기 처리 공간의 내부를 공정에 따라 배기하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판의 회전 속도에 근거하여 적정 배기량을 산정하고, 상기 산정된 적정 배기량에 따라 배기량을 조절한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 단위 시간당 기판 회전 속도가 제1 속도와 상기 제1 속도보다 더 빠른 제2 속도로 제공되는 경우, 상기 적정 배기량은 상기 제2 속도에서 더 크게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지고 내부에 처리 공간이 형성된 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 부재와; 상기 처리 공간에서 발생된 부산물을 상기 처리 공간의 외부로 배출시키는 배기 부재와; 기판의 단부에 인근하여 위치되고 단면의 일영역이 반원 형상을 갖는 흡입 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 처리 효율이 향상된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 현상 처리시 비산되는 흄을 효과적으로 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 스핀 공정을 수행하는 경우 기판의 회전에 따른 흄의 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 8는 도 6의 기판 처리 장치의 흡입 부재와 처리되는 기판을 도시한 사시도이다.
도 9는 도 6에서 흡입 부재가 제공되는 부분을 확대한 도면이다.
도 10은 도 9의 흡입 부재와 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 11은 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 12은 도 11의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 13은 도 11의 기판 처리 장치의 흡입 부재와 기판을 도시한 사시도이다.
도 14는 또 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 14의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 16은 도 14의 기판 처리 장치의 흡입 부재와 기판을 도시한 사시도이다.
도 17은 본 발명의 실시예에` 따른 배기량의 제어 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 기판을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 17을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 단면도이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 단면도이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 2 내지 도 5을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
도 3을 참조하면, 제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 처리 용기(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 처리 용기(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 처리 용기(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 `기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(460)는 처리 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 처리 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 처리 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
본 실시예에는 현상 챔버(460)의 일 실시예로 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)가 제공된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 8는 도 6의 기판 처리 장치의 에지 파이프와 처리되는 기판을 도시한 사시도이다. 도 6 및 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 단일의 기판(W)에 대해 현상 처리 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 지지 부재(810), 처리 용기(820), 승강 부재(840), 액 공급 유닛(850), 흡입 부재(860) 그리고 제어기(900)를 포함한다.
지지 부재(810)는 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 부재(810)는 지지 플레이트(812) 및 회전 구동 부재(813)를 포함한다. 지지 플레이트(812)는 도 6에 도시된 지지 플레이트(463)의 일 실시예이다. 지지 플레이트(812)는 기판을 지지한다. 지지 플레이트(812)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(812)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(812)의 지지면에는 흡착홀(816)이 형성되며, 흡착홀(816)에는 음압에 제공된다. 기판(W)은 음압에 의해 지지면에 진공 흡착될 수 있다.
회전 구동 부재(813)는 지지 플레이트(812)를 회전시킨다. 회전 구동 부재(813)는 회전축(814) 및 구동기(815)를 포함한다. 회전축(814)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(812)의 저면에 결합된다. 구동기(815)는 회전축(814)에 회전력을 전달한다. 회전축(814)은 구동기(815)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 플레이트(812)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(815)는 모터일 수 있다.
처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 도 5에 도시된 처리 용기(461)의 일 실시예이다. 처리 용기(820)는 공정 챔버의 내부 공간에 수용된다. 처리 용기(820)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(820)는 내측 컵(822) 및 외측 컵(826)을 포함한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 액을 회수한다.
내측 컵(822)은 회전축(814)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(822)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(822)의 외측 영역은 지지 부재(810)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 지지 부재(810)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(822)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 액 공급 유닛(850)으로부터 공급된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 외측 컵(826)은 지지 부재(810) 및 내측 컵(822)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(826)은 바닥벽(826c), 측벽(826d), 그리고 경사벽(826e)을 가진다. 바닥벽(826c)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(826c)에는 회수 라인(826b)이 형성된다. 회수 라인(826b)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(826b)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다.측벽(826d)은 지지 부재(810)를 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)으로부터 위로 연장된다. 경사벽(826e)은 상부벽의 일 실시 예이다. 경사벽(826e)은 측벽(826d)의 상단으로부터 외측 컵(826)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(826e)은 위로 갈수록 지지 부재(810)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(826e)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(826e)의 상단은 지지 부재(810)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
내측 컵(822)은 배기 부재(830)과 연결된다. 배기 부재(830)은 배기 포트(831), 배기 라인(832) 그리고 배기 펌프(833)를 포함한다. 배기 포트(831)는 내측 컵(822)의 하부에 제공된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(831)는 지지 부재(810)에 지지된 기판에 중첩되도록 제공된다. 배기 포트(831)는 배기 라인(832)과 연결된다. 배기 라인(832)에는 배기 펌프(833)가 설치되어, 처리 공간의 내부를 배기한다.
승강 부재(840)은 처리 용기(820)와 기판(W) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 부재(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 부재(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 측벽(826d)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 실린더 또는 모터일 수 있다.
액 공급 유닛(850)은 지지 부재(810)에 지지된 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 제1 공급 부재(870) 및 제2 공급 부재(880)를 포함한다.
제1 공급 부재(870)는 프리 웨팅액 및 처리액을 공급한다. 제1 공급 부재(870)는 제1 노즐 부재(1400) 및 제1 이동 부재(1100)을 포함한다.
제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 제1 방향(12)으로 직선 이동시킨다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 공정 위치 또는 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 제1 노즐 부재(1400)가 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다.
제1 이동 부재(1100)는 제1 가이드 레일(1120) 및 제1 아암(1140)을 포함한다. 제1 가이드 레일(1120)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제1 가이드 레일(1120)은 제1 노즐 부재(1400)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 제1 아암(1140)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1 아암(1140)은 제1 가이드 레일(1120)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제1 아암(1140)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다.
제1 아암(1140)의 일단에는 제1 노즐 부재(1400)이 힌지 결합되고, 타단은 브라켓에 의해 제1 가이드 레일(1120)에 연결된다. 제1 아암(1140)과 제1 노즐 부재(1400) 사이에는 힌지축(1490)이 제공된다. 제1 아암(1140) 및 제1 노즐 부재(1400)은 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다.
제2 공급 부재(880)는 린스액 및 세정액을 공급한다. 제2 공급 부재(880)는 제2 노즐 부재(1700) 및 제2 이동 부재(1500)을 포함한다.
제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향 및 이에 수직한 수평 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수평 방향은 제1 방향(12)과 평행한 방향일 수 있다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 공정 위치 또는 대기 위치로 동시 이동시킨다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 가이드 레일(1520), 수직 구동기(1540) 및 제2 아암(1560)을 포함한다. 제2 가이드 레일(1520)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제2 가이드 레일(1520)은 제2 노즐 부재(1700)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제2 가이드 레일(1520)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 가이드 레일(1520)에는 수직 구동기(1540)가 설치된다. 제2 가이드 레일(1520)는 수직 구동기(1540)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동기(미도시)로 제공된다. 수직 구동기(1540)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수직 구동기(1540)는 실린더 또는 모터일 수 있다. 따라서 제2 노즐 부재(1700)는 수직 구동기(1540)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 제2 가이드 레일(1520)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하다.
제2 아암(1560)은 바 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제2 아암(1560)은 제2 가이드 레일(1520)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제2 아암(1560)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 아암(1560)의 일단에는 제2 노즐 부재(1700)가 설치되고, 타단은 수직 구동기(1540)에 연결된다. 수직 구동기(1540)는 기판(W)에 대한 세정 노즐(1760)의 상대 높이를 조절한다.
제2 노즐 부재(1700)는 린스 노즐(1740), 그리고 세정 노즐(1760)을 포함한다. 린스 노즐(1740)은 린스액을 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 공급한다. 린스 노즐(1740)은 린스액을 적하 방식으로 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 미스트 방식으로 공급한다. 상부에서 바라볼 때 린스 노즐(1740) 및 세정 노즐(1760)은 제1 방향과 평행한 방향으로 배열되게 위치될 수 있다. 예컨대, 린스액 및 세정액은 동일한 종류의 액일 수 있다. 린스액 및 세정액은 순수일 수 있다. 기판(W) 상에는 린스액이 1차 공급되고, 이후에 세정액이 2차 공급될 수 있다. 세정액은 린스액에 의해 형성된 액막 상에 공급될 수 있다.
흡입 부재(860)는, 지지 부재(810)에 지지된 기판(W)의 에지에 인근하여 위치된다. 흡입 부재(860)는 일정 단면이 연속되는 길이를 갖는다. 흡입 부재(860)는 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 영역 중 기판의 에지와 인접 부분이 기판(W)의 에지를 감싸는 방향으로 원호 형상을 갖는다.
흡입 부재(860)는 원호 파트(861)와 연결 파트(862)를 포함한다. 원호 파트(861)는 길이 방향을 따라 처리 용기(820) 경사벽(826e)의 내측 둘레를 두른다. 원호 파트(861)의 길이 방향에 수직한 단면은 원호 형상으로 제공된다. 원호 파트(861)의 일부 영역은 지지 부재(810)에 지지된 기판(W)을 상방으로 수직하게 투영한 영역에 대하여 걸치게 제공된다. 연결 파트(862)는 경사벽(826e)의 내측 둘레에서 외측 둘레 방향으로 연장되어 형성된다. 흡입 부재(860)는 처리 용기(820)의 둘레 방향을 따라 복수개로 분리되어 제공된다. 도시된 실시예는 흡입 부재(860)를 3개로 분리하여 도시한다. 각 흡입 부재(860)의 내각은 120도로 제공될 수 있다. 각 흡입 부재(860)의 연결 파트(862)는 경사벽(826e)의 상면에 경사벽(826e)의 상면을 타고 슬라이딩 이동 가능하게 결합된다. 연결 파트(862)는 구동축(863)과 결합된다. 구동축(863)은 구동기(865)와 결합된다. 구동기(865)는 처리 용기(820)의 측벽(826d)에 결합될 수 있다. 구동기(865)는 흡입 부재(860)에 구동축방향의 직선 이동을 위한 동력을 제공한다.
흡입 부재(860)는 대기상태에서 처리 용기(820)의 개구를 넓히는 방향에서 대기한다. 다시 말하면 처리 용기(820)의 중심에서 바깥 방향으로 이동된 위치에서 대기한다. 흡입 부재(860)는 공정시에 공정 위치로 이동되어 처리 용기(820)의 개구를 넓히는 방향에 위치된다. 다시 말하면, 처리 용기(820)의 중심 방향으로 이동된 위치에 위치된다.
흡입 부재(860)가 형성하는 원호 파트(861)의 내부 공간(861a)은 처리 공간(821)의 기류와 함께 배기 부재(830)에 의해 배기된다.
도 9를 참조하면, 원호 파트(861)의 내부 공간(861a)은 반원형으로 형성됨에 따라, 기판의 에지에서 비산되는 부산물을 내부 공간(861a)로 유입한다. 경로 A를 따라 기판의 에지에서 튀어 올라 원호 파트(861)의 내부 공간(861a)으로 유입된 부산물은, 원호 파트(861)의 내부에 맺히다가 낙하되어 배기 방향(A')으로 배기된다. 기판의 회전 속도가 빨라질수록 원호 파트(861)의 내부에 맺히는 부산물의 양은 증가될 수 있다.
도 10은 도 9의 흡입 부재와 다른 실시예를 확대 도시한 도면이다. 도 10에는 도 6 내지 도 9와는 다른 실시 예에 따른 흡입 부재(1830)가 도시된다. 도 10에 도시된 흡입 부재(1860)는, 처리 용기(820)의 경사벽(826e)의 최상단에 일체로 제공된다.
도 11은 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 12은 도 11의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 13은 도 11의 기판 처리 장치의 흡입 부재와 기판을 도시한 사시도이다. 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 흡입 부재(2860)를 설명한다. 흡입 부재(2860)는 에지 파이프 유닛(2860)는 에지 파이프(2861)와 배기 라인(2865)을 포함한다.
에지 파이프(2861)는 원통형으로 제공된다. 에지 파이프(2861)는 원통형으로 제공됨에 따라, 기판의 에지에 인근한 영역이 360도의 각을 갖는 원호를 이룬다.
에지 파이프(2861)는 기판(W)의 에지 중 일 영역을 내부 공간(2861a)에 가둔다. 에지 파이프(2861)에는 기판(W)이 내부 공간(2861a)으로 관통하여 진입할 수 있도록, 기판(W)의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿(2861b)이 형성된다. 슬릿(2861b)은 기판(W)의 위치에 대응되는 위치에 형성된다. 슬릿(2861b)은 에지 파이프(2861)의 길이 방향을 따라 형성된다.
에지 파이프(2861)는 단부에 배기 라인(2865)이 연결된다. 배기 라인(2865)은 에지 파이프(2861)의 내부 공간(2861a)에 유입된 부산물을 기판 처리 장치(800)의 외부로 배출한다. 배기 라인(2865)은 배기 유닛(2830)의 배기 라인(2832)에 연결된다. 에지 파이프(2861)는 원통 형상으로 제공됨에 따라 처리 용기(820)의 배기 구조와 같은 배기량을 제공하더라도 배기 집중도가 높아 배기 효과가 증대된다.
에지 파이프(2861)는 그 길이 방향을 축으로 직선 이동이 가능하다. 에지 파이프(2861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기(820) 외부의 대기 위치에서 위치하다가, 기판이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 도 11 내지 도 13은 에지 파이프(2861)가 공정 위치에 위치된 상태를 도시한다. 에지 파이프(2861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(2861)의 전후방 이동시에 진로 방향에 대하여 기판(W)이 방해될 수 있으므로, 슬릿(2861c)이 더 형성된다.
도 14은 또 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 15는 도 14의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 16은 도 14의 기판 처리 장치의 흡입 부재와 기판을 도시한 사시도이다. 도 14 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 흡입 부재(3860)를 설명한다. 도 11 내지 도 13에서 도시한 실시 예의 에지 파이프(2861)는 길이 방향을 축으로 직선 이동 가능한 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 실시 예에 따른 에지 파이프(3861)는 길이 방향에 수직한 방향에 대하여 직선 이동 가능하게 제공된다. 에지 파이프(3861)는 처리 용기(820)의 내부에 수용된다. 에지 파이프(3861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기(820) 내부의 대기 위치(도 14의 2점 쇄선 도시)에서 위치하다가, 기판(W)이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 에지 파이프(3861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(3861)의 좌우 이동에 의해 기판(W)의 에지를 에지 파이프(1861)의 내부 공간(3861a)에 위치시키거나 내부 공간(3861a)의 외부에 위치시킬 수 있다. 에지 파이프(1861)에는 기판(W)의 에지를 내부 공간(3861a)으로 진입시키기 위해 슬릿(3861b)이 형성된다. 에지 파이프(3861)의 일단은 배기 라인(3865)와 연결된다. 배기 라인(3865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)과 연결된다.
도시되지 않았으나, 도 11의 배기 라인(2865)과 도 14의 배기 라인(3865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)에 연결되지 않고, 배기 라인(2865, 3865)에 별도의 배기 펌프를 포함하여 배기량이 별도로 제어될 수 있다.
다시 도 6 내지 도 9를 참조한다. 제어기(900)는 흡입 부재(860)의 이동과 배기 펌프(833)의 출력을 제어한다. 제어기(900)의 제어 방법과 함께 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.
기판(W)이 반입되기 전 흡입 부재(860)는 대기 위치에서 대기한다. 기판이 지지 유닛(810)의 상면에 위치되어, 흡입 부재(860)와 대응되는 높이에 위치되면, 흡입 부재(860)는 공정 위치로 이동한다. 공정 위치는 기판의 상면이 상부로 투영되는 영역에 원호 파트(861)가 걸치는 위치이다. 기판(W)을 특정 회전 속도로 제1 노즐 부재(1400) 제2 노즐 부재(1700)에 의해 토출된 액 등으로 기판(W)을 처리하거나 기판(W)을 스핀 건조하는 경우(이하, ‘스핀 공정’이라 함)에 공정 위치에서 기판의 에지 영역에서 비산된 부산물을 수집하여 처리 용기(820)의 개구를 넘어 비산되는 것을 방지한다. 수집된 부산물은 배기 방향으로 낙하된다.
일 실시 예에 있어서, 제어기(900)는 스핀 공정에서 기판(W)의 회전 속도와 처리 온도 중 하나 이상을 수집하여 배기량을 피드백할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 스핀 공정별로 기판의 회전 속도를 달리한다. 기판(W)을 처리하는 방법은 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 그리고 스핀 건조 단계를 포함한다. 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 린스액 공급 단계 그리고 스핀 건조 단계는 순차적으로 진행된다. 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 린스액 공급 단계 그리고 스핀 건조 단계에서 기판(W)이 회전되는 속도는 각각 상이할 수 있다. 제어기(900)는 기판의 회전 속도에 근거하여 적정 배기량을 산정하고, 산정된 적정 배기량에 따라 배기량을 조절하도록 배기 펌프(833)의 출력을 제어한다.
일 예로, 린스액 공급 단계는 기판(W)을 제1 속도로 회전시키고, 스핀 건조 단계는 기판을 제2 속도로 회전시킨다. 제2 속도는 제1 속도보다 빠르다.
제어기(900)는 제2 속도에서 배기 펌프(833)의 출력을 제어하여 배기량을 증가시키도록 피드백 제어한다. 제어기(900)는 제2 속도를 감지하거나, 공정레시피에 따른 회전 속도를 읽어 들여, 회전 속도가 상대적으로 빠른 경우, 배기량을 상대적으로 증가하도록 배기 펌프(833)의 출력을 제어한다. 반대로, 제2 속도에서 제1 속도로 변환되면, 제어기(900)는 배기량을 상대적으로 감소하도록 배기 펌프(833)의 출력을 제어한다.
일 실시 예에 있어서, 처리 온도가 높아지면, 제어기(900)는 배기량이 증가되도록 배기 펌프(833)의 출력을 제어한다. 예컨대, 처리 온도는 액 공급 유닛(850)의 노즐들을 통해 공급되는 액의 공급 온도에 의해 제어될 수 있다. 처리 온도가 높아지면, 화학 반응 속도가 증가한다. 반응 속도가 증가함에 따라 비산되는 부산물의 양과 속도가 증가되는 것에 대응하여, 제어기(900)는 처리 온도를 수집하고, 처리 온도를 근거로 적정 배기량을 산정하여 배기량을 제어할 수 있다.
제어기(900)가 기판(W)의 회전 속도와 처리 온도 중 하나 이상을 수집하여 배기량을 피드백 제어함에 따라, 공정 레시피에 배기량을 입력하지 않아도 배기량이 적정 배기량으로 제어되어 공정 효율성이 증대된다.
또한, 예상치 못한 기류의 역류 발생에 의한 흄 전이가 방지된다.
또한, 공정 레시피에 배기량을 입력하여 배기량을 제어하는 방법과 비교하여 기판 회전 속도와 처리 온도를 모두 고려하여 제어할 수 있으므로 정밀한 제어가 가능하다.
도 11 내지 도 17의 실시예에 따른 제어기(900)도 도 6 내지 도 9의 실시예에 따른 설명에서 설명한 것과 동일한 방식으로 흡입 부재의 이동과 배기량을 제어한다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. 일 실시 에에 의하면, 현상 챔버(800)에 적용된 에지 파이프 유닛(860)은 세정 챔버(660)에 적용될 수 있다. 세정 챔버(660)에 에지 파이프 유닛(860)을 적용하여 동일한 배기 조건에서 배기 효율을 높일 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 현상 챔버(800)에 에지 노광 모듈(890)을 포함하여 에지 노광을 수행하는 경우 에지 노광 챔버(550)는 생략될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 에지 파이프 유닛(860)와 에지 노광 유닛(890)는 에지 노광 챔버(550)에 제공되어 기판의 에지에서 부산물이 비산되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
810: 지지 부재 820: 처리 용기
840: 승강 부재 850: 액 공급 유닛
860: 흡입 부재
900: 제어기

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와;
    상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부에 개구가 형성된 컵 형상을 가지고 내부에 처리 공간이 형성된 처리 용기와;
    상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 부재와;
    상기 처리 공간에서 발생된 부산물을 상기 처리 공간의 외부로 배출시키는 배기 부재와;
    일부 영역이 상기 지지 부재에 지지된 기판을 상방으로 수직하여 투영된 영역과 중첩되도록 위치가능하게 제공되고. 상기 지지 부재에 지지된 기판의 에지와 마주하는 부분의 내측면은 원호 형상을 갖는 흡입 부재를 포함하고,
    상기 흡입 부재의 내부를 배기하는 배기 라인을 포함하고,
    상기 흡입 부재는 대기상태에서 상기 처리 용기의 내측에서 바깥 방향으로 이동되어 상기 기판의 수직 방향에 대하여 투영된 영역과 중첩되지 않는 대기 위치에 위치되고, 공정 시에 상기 처리 용기의 내측 방향으로 이동되어 상기 기판의 수직 방향에 대하여 투영된 영역과 중첩되는 공정 위치에 위치되며,
    상기 처리 공간 내 온도가 제1 온도와 상기 제1 온도보다 더 높은 제2 온도로 제공되는 경우, 상기 배기 라인에 의한 배기량은 상기 제2 온도에서 더 크게 제공되고,
    상기 기판 회전 속도가 제1 속도와 상기 제1 속도보다 더 빠른 제2 속도로 제공되는 경우, 상기 배기 라인에 의한 적정 배기량은 상기 제2 속도에서 더 크게 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재의 내부를 배기하는 배기 라인은 상기 배기 부재의 배기 라인인 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재 내부를 배기하는 배기 라인은 상기 배기 부재의 배기라인과 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는,
    길이 방향이 상기 처리 용기 상부의 개방된 둘레에 대응되고, 길이 방향에 수직한 단면이 원호 형상으로 제공되는 원호 파트와,
    상기 원호 파트의 단부에서 상기 처리 용기의 개방면과 멀어지는 방향으로 연장되어 형성되는 연결 파트를 포함하고,
    상기 연결 파트가 상기 처리 용기의 상부와 결합되는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는 상기 처리 용기의 상부면을 타고 슬라이딩 이동할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는,
    상기 처리 용기의 상단에 일체로 제공되는 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는 상기 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수개로 분리 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는,
    원통형으로 제공되며 일 영역에 길이 방향을 따라 기판의 두께보다 넓은 너비를 가져 기판이 관통 가능한 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿을 통과한 기판의 에지의 일 영역을 감싸도록 위치될 수 있는 에지 파이프와;
    상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 에지 파이프 유닛으로 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 부재와 연결되는 기판 처리 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능한 기판 처리 장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 에지 파이프 유닛은,
    기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.

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