JP2011237718A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板40を真空吸着により固定する基板チャック20と、フォトマスクを保持するマスクホルダー10を備えた露光装置にて、フォトマスクPMの膜面に付着した異物を除去するガスを、基板チャック中央部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙G2に吹出すガス吹出機構50を基板チャックに設け、基板チャック周辺部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙から排出されるガスを吸引するガス吸引機構30を基板チャックとマスクホルダーの周辺部に設けたこと。
【選択図】図11
Description
また、透明導電膜の形成は、ブラックマトリックス及び着色画素が形成されたガラス基板上に、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)を用いスパッタ法によって透明導電膜を形成するといった方法がとられている。
フォトスペーサー(Ps)、配向制御用突起(Mv)の形成にあたっても、透明フォトレジストの塗布、パターン露光、現像というフォトリソグラフィ法を用いることが多い。
の付着などによる黒欠陥に分類される。
ネガ型の着色フォトレジストを用いた場合、白欠陥は、例えば、ガラス基板表面のフォトレジストの弾き、フォトレジスト中の気泡、画素上の異物の脱落に伴う膜剥がれ、フォトマスク上への異物の付着により生じる画素の欠落部である。フォトマスク上への異物の付着は、ガラス基板表面からの転移、装置内の塵埃などが原因として挙げられる。白欠陥(ピンホール)のあるカラーフィルタが液晶表示装置に組み込まれると、白欠陥部が白点として光って観視されるので表示品質を損ねる。
この種の、露光工程でのフォトマスクへの異物の付着に起因した欠陥は、同一の白欠陥が複数のカラーフィルタに連続して発生する、所謂、共通欠陥となることが多い。
前記フォトマスクの膜面に付着した異物を除去するガスを、基板チャック中央部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙に吹出すガス吹出機構を基板チャックに設け、基板チャック周辺部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙から排出されるガスを吸引するガス吸引機構を基板チャックとマスクホルダーの周辺部の近傍に設けたことを特徴とする露光装置である。
1)前記基板チャックはチャック筐体とチャック上板で構成され、
a)チャック上板には、チャック上板を貫通するエアーの吸引孔を複数設け、
b)チャック筐体上部には、チャック上板の中央部の吸引孔に対応した吸引路Aと、中央部以外の吸引孔に対応した吸引路Bとを隔壁により区分して設け、
c)チャック筐体には、吸引路Aからチャック筐体下面に貫通する筐体内吸引路Aと、吸引路Bからチャック筐体下面に貫通する筐体内吸引路Bを設け、
2)前記ガス吹出機構は、筐体内吸引路Aに接続する配管Aと、開閉弁Aと、配管A2と、配管A3とで構成され、基板を真空吸着により固定する際にエアーを吸引するエアー吹出機構を兼ね、
3)前記ガス吸引機構は、吸引ノズルと排気ダクトで構成され、吸引ノズルを基板チャックとマスクホルダーの間隙に対向させ、基板チャックとマスクホルダーの周囲部の四辺近傍に設けたことを特徴とする露光装置である。
前記ガスが、窒素ガス又は清浄な乾燥空気であることを特徴とする露光装置である。
図5は、本発明の露光装置における露光部の一例を示す平面図である。また、図6は、図5のX−X線での断面図である。図5及び図6に示すように、露光部は、上面にガラス基板(40)を真空吸着により固定する基板チャック(20)と、その上方にフォトマスク(PM)を保持するマスクホルダー(10)を備え、フォトマスク(PM)を介してガラス基板(40)にパターン露光を行う。
図5及び図6は、基板チャック(20)の上面にガラス基板(40)が真空吸着により固定され、ガラス基板(40)にフォトマスク(PM)を介した露光が行われている状態を表したものである。
また、ガス吸引機構(30)は、基板チャック周辺部の基板チャック(20)表面とフォトマスク(PM)膜面の間隙から排出されるガスを吸引し、除去したガス中の異物がフォトマスク(PM)の膜面に再付着したり、周囲への飛散を防ぐためのガス吸引機構(30)であり、基板チャックとマスクホルダーの周辺部の四辺近傍に設けられている。
が密着された状態での密着露光、或いは、30μm〜150μm程度の間隙(G)を保った近接状態でのプロキシミティ(近接)露光が行えるようになっいる。
所望するパターンの鮮明度によって異なり、多くの場合50μm〜80μm程度の近接露光が行われる。
チャック上板(22)には、チャック上板を貫通するエアーの吸引孔(23)が複数設けられている。
また、チャック筐体(21)には、吸引路A(24A)からチャック筐体(21)下面に貫通する筐体内吸引路A(26A)と、吸引路B(24B)からチャック筐体(21)下面に貫通する筐体内吸引路B(26B)が設けられている。
このエアー吸引機構(60)は、開閉弁B(VB)の切り換えにより、図示せぬ吸引ポンプの吸引でチャック上板(22)の吸引孔(23)からエアーを吸引し、チャック上板(22)上に固定するガラス基板(40)の中央部以外を真空吸着する機能を有するものである。
る。ガス吹出機構(50)による吸引(K)と、エアー吸引機構(60)による吸引(K)によりチャック上板(22)に設けられた全吸引孔(23)からエアーの吸引(A)が行われる。
また、フォトマスク膜面に付着した異物を除去するために用いられるガスとしては、窒素ガス、清浄な乾燥空気が挙げられる。
20・・・基板チャック
21・・・チャック筐体
22・・・チャック上板
23・・・エアーの吸引孔
24A・・・吸引路A
24B・・・吸引路B
30・・・ガス吸引機構
40・・・ガラス基板
41・・・ブラックマトリックス
41’・・・修正用ブラックマトリックス
42・・・着色画素
43・・・透明導電膜
50・・・ガス吹出機構
60・・・エアー吸引機構
A・・・エアーの吸引
D・・・白欠陥
F・・・エアーの吹出し
G2・・・基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙
K・・・吸引ポンプによる吸引
K2・・・ガスの供給
Mv・・・配向制御用突起
PM・・・フォトマスク
Ps・・・フォトスペーサー
VA、VB・・・開閉弁A、開閉弁B
Claims (3)
- その上面に基板を真空吸着により固定する基板チャックと、フォトマスクを保持するマスクホルダーを備え、該フォトマスクを介して基板にパターン露光を行う露光装置において、
前記フォトマスクの膜面に付着した異物を除去するガスを、基板チャック中央部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙に吹出すガス吹出機構を基板チャックに設け、基板チャック周辺部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙から排出されるガスを吸引するガス吸引機構を基板チャックとマスクホルダーの周辺部の近傍に設けたことを特徴とする露光装置。 - 1)前記基板チャックはチャック筐体とチャック上板で構成され、
a)チャック上板には、チャック上板を貫通するエアーの吸引孔を複数設け、
b)チャック筐体上部には、チャック上板の中央部の吸引孔に対応した吸引路Aと、中央部以外の吸引孔に対応した吸引路Bとを隔壁により区分して設け、
c)チャック筐体には、吸引路Aからチャック筐体下面に貫通する筐体内吸引路Aと、吸引路Bからチャック筐体下面に貫通する筐体内吸引路Bを設け、
2)前記ガス吹出機構は、筐体内吸引路Aに接続する配管Aと、開閉弁Aと、配管A2と、配管A3とで構成され、基板を真空吸着により固定する際にエアーを吸引するエアー吹出機構を兼ね、
3)前記ガス吸引機構は、吸引ノズルと排気ダクトで構成され、吸引ノズルを基板チャックとマスクホルダーの間隙に対向させ、基板チャックとマスクホルダーの周囲部の四辺近傍に設けたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記ガスが、窒素ガス又は清浄な乾燥空気であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016508236A (ja) * | 2013-02-20 | 2016-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | レチクルステージ環境におけるガス流れ最適化 |
US9632437B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lithography apparatus, method for lithography and stage system |
TWI692004B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-04-21 | 德商蘇士微科技印刷術股份有限公司 | 用於處理圓盤形基板的裝置及支撐配接器 |
KR20200052078A (ko) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN113555772A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-26 | 普罗科技有限公司 | 使用垂直腔表面发射激光器元件的倒装芯片接合装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5836738U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-10 | 三洋電機株式会社 | 露光用マスク装置 |
JPH11135409A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Kyushu Ltd | 異物検査除去装置 |
JPH11135407A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
JP2001215716A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Orc Mfg Co Ltd | ワークとマスクの分離機構 |
WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
JP2002311595A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Toppan Printing Co Ltd | 大型一括露光装置 |
JP2007316551A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Fujifilm Corp | 異物除去装置 |
JP2007317788A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
-
2010
- 2010-05-13 JP JP2010110909A patent/JP5533227B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5836738U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-10 | 三洋電機株式会社 | 露光用マスク装置 |
JPH11135407A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
JPH11135409A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Kyushu Ltd | 異物検査除去装置 |
JP2001215716A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Orc Mfg Co Ltd | ワークとマスクの分離機構 |
WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
JP2002311595A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Toppan Printing Co Ltd | 大型一括露光装置 |
JP2007317788A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
JP2007316551A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Fujifilm Corp | 異物除去装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9632437B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lithography apparatus, method for lithography and stage system |
JP2016508236A (ja) * | 2013-02-20 | 2016-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | レチクルステージ環境におけるガス流れ最適化 |
US10031428B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Gas flow optimization in reticle stage environment |
TWI692004B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-04-21 | 德商蘇士微科技印刷術股份有限公司 | 用於處理圓盤形基板的裝置及支撐配接器 |
KR20200052078A (ko) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102156895B1 (ko) | 2018-11-06 | 2020-09-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN113555772A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-26 | 普罗科技有限公司 | 使用垂直腔表面发射激光器元件的倒装芯片接合装置 |
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